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竹歳 和久  TAKETOSHI Kazuhisa

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 80255637
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2001年度: 国士舘大学, 工学部・電気電子, 教授
2001年度: 国士舘大学, 電気電子工学科, 教授
2000年度: 国士舘大学, 工学部, 教授
1999年度: 国士舘大学, 電気工学部, 教授
1998年度: 国士舘大学, 工学部電気工学科・工学研究科, 教授 … もっと見る
1997年度: 国士舘大学, 工学部・電気工学科, 教授
1996年度: 国士館大学, 工学部・電気工学科, 教授
1995年度: 国士舘大学, 工学部, 教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・機器工学
キーワード
研究代表者
ZnCdTe / LAG / EBIC / APD / Excess noise factor / EB-gain / 利得 / EBIC動作 / CdTe,GaAs / ランダムチェイン … もっと見る / 寿命 / 画像特性 / 新構造 / 電子ミクロホトメトリ / 増倍利得 / 撮像評価実験 / 解像度 / N / S / 電子増倍率 / ED-AMI / EB-利得 / 過剰雑音 / EB利得 / 寿命特性 / イメージインテンシファイア / RESOLUTION / AMILIFIED IMAGER / EXCESS NOISE FACTOR / NOISE REDUCTION / 移動度 / 多結晶 / 非晶質 / electron diffraction / Phots conduction / RDF / Noise reduction / a-GaAs / 雑音軽減効果 / 過剰雑音係数 / demountable / EB-IC / GaAs / RESolution / AMPLIFIED IMAGER / EXCELL NOIS FACTOR / NOIS REDUCTION 隠す
  • 研究課題

    (2件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  極超高感度電子打込型撮像素子の開発研究代表者

    • 研究代表者
      竹歳 和久
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      国士舘大学
  •  増幅型砒化ガリウム光導電ターゲットの開発研究研究代表者

    • 研究代表者
      竹歳 和久
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      国士館大学
  • 1.  宮本 正章 (90103639)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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