河村裕一 KAWAMURA Yuichi

研究者番号	80275289
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2017年度: 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2014年度: 大阪府立大学, 大学院工学研究科, 教授 2013年度: 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2011年度 – 2012年度: 大阪府立大学, 地域連携研究機構, 教授 2008年度 – 2009年度: 大阪府立大学, 産学官連携機構, 教授 2007年度: 大阪府立大学, 産学官連携機構, 准教授 1996年度 – 2000年度: 大阪府立大学, 先端科学研究所, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 結晶工学研究代表者以外応用光学・量子光工学 / 固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温) / 物性Ⅱ
キーワード	研究代表者量子井戸構造 / GaAsSb / InGaAsN / 中赤外デバイス / 量子井戸 / 分子線結晶成長 / 化合物半導体 / 量子効果光デバイス / ヘテロ界面 / バンド不連続 … もっと見る / As / タイプII構造 / タイプII量子井戸 / 中赤外光デバイス / 中赤外発光素子 / InP基板 / 分子線結晶成長法 / quantum effect devices / hetero-interface / band off-set / Sb system / type II structure / photonic devices / molecular beam epitaxy / quantum well structure / 非対称量子井戸構造 / タイプI構造 / 分子線エピタキシー / InAsSbN / エピタキシー / 量子ナノ構造 / 赤外光デバイス / 窒素 / アンチモン / ＭＢＥ / 赤外デバイス / 食品検査 / 医療応用 / リモートセンシング / 環境計測 / 分子線成長法 / 赤外光素子 / ヘテロ構造 / Sb系 / 長波長レーザ / 分子線エピタキシ- … もっと見る研究代表者以外 inter-subband transition / III-V nitride / quantum well / MOVPE / MOCVD / GaN / quantum-well / MOCUD / inter-subland transition / III-V Nitride / α-(BEDT-TTF)ィイD22ィエD2NHィイD24ィエD2Hg(SCN)ィイD24ィエD2 / YbィイD24ィエD2AsィイD23ィエD2 / CeRuィイD22ィエD2 / Electron spin resonance / Surface impedance / Cyclotron resonance / Microwave / 有機伝導体 / 重い電子系 / 超伝導体 / マイクロ波吸収 / 強相関電子系 / 低密度磁性金属 / Yb_4As_3 / α-(BEDT-TTF)_2NX_4Hg(SCN)_4 / Yb_4AS_3 / CeRu_2 / 電子スピン共鳴 / 表面インピーダンス / サイクロトロン共鳴 / マイクロ波測定 / 銅酸化物超伝導体 / 超伝導磁束量子 / 超伝導論理デバイス / 超伝導接合 / 超伝導ナノ構造隠す

新しいナノ構造半導体を用いた高性能中赤外デバイスの創成研究代表者
- 研究代表者
  
  河村裕一
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(Ｃ)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  大阪府立大学
酸化物高温超伝導体ＢＳＣＣＯ単結晶を用いたｄドットの作製と論理回路の構築
- 研究代表者
  
  川又修一
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅱ
- 研究機関
  大阪府立大学
新材料・新量子構造を用いた高性能中赤外デバイスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  河村裕一
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪府立大学
InAsSbN/GaAsSbN新量子井戸構造を用いた赤外光素子の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  河村裕一
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪府立大学
非対称量子井戸構造を用いた新原理光量子効果素子の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  河村裕一
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪府立大学
極低温強磁場下における低密度、相関電子系のマイクロ波吸収
- 研究代表者
  
  豊田直樹
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
- 研究機関
  東北大学
   大阪府立大学
窒化物半導体を用いた短波長サブバンド間遷移発光の研究
- 研究代表者
  
  森下恵造 (森本恵造)
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  大阪府立大学
タイプII量子井戸構造を用いた低温度依存性長波長帯レーザの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  河村裕一
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪府立大学

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すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] 光技術動向調査報告書2007
- 著者名/発表者名
  河村裕一(分担執筆)
- 総ページ数
  450
- 出版者
  光産業技術振興協会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[雑誌論文] Annealing effects on the properties of InGaAsN/GaAsSb type-II quantum well diodes grown on InP substrates2017
- 著者名/発表者名
  Y. Kawamura, I. Shishido, S. Tanaka and S. Kawamata
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi A
  
  巻: 214
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04666
[雑誌論文] Effective Mass of Two-dimensional Electrons in InGaAsN/GaAsSb Type II Quantum Well by Shubnikov-de Haas Oscillations2016
- 著者名/発表者名
  S. Kawamata, H. Hibino, S. Tanaka and Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  Jarnal of Applied Physics
  
  巻: 120
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04666
[雑誌論文] 半導体結晶と光素子への応用2015
- 著者名/発表者名
  河村裕一
- 雑誌名
  
  光技術コンタクト
  
  巻: 53 ページ: 4-9
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04666
[雑誌論文] 2.86mm room-temperature light emission of InGaAsN.GaAsSb type II quantum well diodes grown on InP substrates2014
- 著者名/発表者名
  Y. Kawamura and T. Shahasi
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl. Phys.
  
  巻: 53 ページ: 28004-28004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[雑誌論文] Type II InAs?GaSb superlattice grown on InP substrate2013
- 著者名/発表者名
  K. Miura, Y. Iguchi and Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  巻: 378 ページ: 121-124
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[雑誌論文] The growth of high quarity GaAsSb and Type II InGaAs/GaAsSb superlattice structure2013
- 著者名/発表者名
  K. Miura, Y. Iguchi, M. Thubokura and Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 113 ページ: 143506-143506
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[雑誌論文] The growth of high quality GaAsSb and Type II InAs/GaSb SL2013
- 著者名/発表者名
  K. Miura, Y. Iguchi, M. Tsubokura and Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  J. App. Phys.
  
  巻: 113
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[雑誌論文] Type II InAs/GaSb superlattice grown on InP substrate2013
- 著者名/発表者名
  Miura, Y. Iguchi and Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  巻: 378 ページ: 121-124
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[雑誌論文] Optical properties of InAsSbN SQW grown on InP substrate2013
- 著者名/発表者名
  T. Shono, S. Mizuta and Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  巻: 378 ページ: 69-72
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[雑誌論文] Optical proreties of InAsSbN single quantum wells grown on InP substrates for 2mm vawelength Region2013
- 著者名/発表者名
  T. Shono, S. Mizuta and Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  J. Crystal growth
  
  巻: 378 ページ: 69-72
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[雑誌論文] Fabrication of InGaAsN/AlAsSb resonant tunneling diodes grown by molecular beam epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kawamura and K. Mitsuyoshi
- 雑誌名
  
  Electron. Lett.
  
  巻: 48 ページ: 280-281
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[雑誌論文] fabrication of InGaAsN/AlAsSb resonant tunnelingdiodes on InP2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kawamura and K Mitsuyoshi
- 雑誌名
  
  Electronics Letters
  
  巻: 48 号: 5 ページ: 280-281
- DOI
  10.1049/el.2012.0186
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[雑誌論文] Characterization of InGaAsSbN layers grown on InP by MBE2011
- 著者名/発表者名
  M. Yoshikawa, K. Miura, Y. Iguchi and Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi
  
  巻: C8 N0.2 ページ: 390-392
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[雑誌論文] Characterization of InGaAsSbN layers grown on InP2011
- 著者名/発表者名
  M.Yoshikawa, K. Miura, Y. Iguchi and Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi C
  
  巻: 8 ページ: 390-392
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[雑誌論文] Optical characterization of InGaAsN layers grown on InP substrates2009
- 著者名/発表者名
  M.Yoshikawa, K.Miura, Y.Iguchi, Y.Kawamura
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 1745-1747
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[雑誌論文] Optical characterization of InGaAsN layers grown on InP substrates2009
- 著者名/発表者名
  M. Yoshikawa, K. Miura, Y. Iguchi, Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth vol.311
  
  ページ: 1745-1745
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[雑誌論文] InP-based InGaAsSbN quantum well laser diodes in 2μm wavelength region2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems Vol.128No.5
  
  ページ: 727-727
- NAID
  10021132313
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[雑誌論文] InP-based InGaAsSbN quantum well laser diodes in 2μm wavelengthregion2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 128
  
  ページ: 727-233
- NAID
  10021132313
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[雑誌論文] Effect of Sb incorporation on electroluminescence of InGaAsSbN quantum well diodes on GaAs substrates2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawamura, M. Nishino
- 雑誌名
  
  Japanese. Journal of Applied. Physics 47
  
  ページ: 6302-6303
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[雑誌論文] Effect of Sb incorporation on electroluminescence of InGaAsSbN quantum well diodes on GaAs substrates2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kawamura, M. Nishino
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys vol.47No.8
  
  ページ: 6302-6302
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[雑誌論文] Improvement of crystal quality of thick InGaAsN layers grown on InP substrates2007
- 著者名/発表者名
  K. Miura, Y. Nagai, Y. Iguchi, H. Okada, Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 301
  
  ページ: 575-578
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[雑誌論文] EL of InGaAsN/GaAsSb Type II quanrum well light emitting diodes grown on InP by molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y, Kawamura, N. Inoue
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 46,6A
  
  ページ: 457-457
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[雑誌論文] Improvement of crystal quality of thick InGaAsN layers grown on InP substrates by adding antimony2007
- 著者名/発表者名
  K. Miura, Y. Nagai, Y. Iguchi, H. Okada, Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[雑誌論文] Atomic arrangement in an MBE-grown CuPt-B type ordered GaAsSb layer as observed by cross sectional scanning tunneling microscope2007
- 著者名/発表者名
  Gomyo, S. Ohkouchi, Y. Kawamura
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 301
  
  ページ: 47-47
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[雑誌論文] Electroluminescence of InGaAsN/GaAsSb Type II quanrum well light emitting diodes grown on InP by molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kawamura, N. Inoue
- 雑誌名
  
  Japanese Joumal of Applied Physics 46
  
  ページ: 2280-3381
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[産業財産権] 半導体素子2008
- 発明者名
  河村裕一
- 権利者名
  大阪府立大学
- 産業財産権番号
  2008-119978
- 出願年月日
  2008-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[産業財産権] 半導体素子2008
- 発明者名
  河村裕一
- 権利者名
  大阪府立大学
- 出願年月日
  2008-08-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[産業財産権] 半導体ウェハ・その製造2007
- 発明者名
  河村裕一
- 権利者名
  大阪府立大学
- 出願年月日
  2007-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[産業財産権] 受光デバイス2007
- 発明者名
  河村裕一
- 権利者名
  大阪府立大学
- 出願年月日
  2007-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[産業財産権] 新規受光素子2007
- 発明者名
  河村裕一
- 権利者名
  大阪府立大学
- 出願年月日
  2007-04-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[産業財産権] 光受光素子2007
- 発明者名
  河村裕一
- 権利者名
  大阪府立大学
- 産業財産権番号
  2007-190281
- 出願年月日
  2007-07-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] (111)InP基板上のMBE成長InGaAs/InAlAs 量子井2017
- 著者名/発表者名
  河村裕一、谷口あずさ
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04666
[学会発表] (111)面InP基板上のInGaAs/InAlAs単一量子井戸の成長2017
- 著者名/発表者名
  河村裕一、谷口つばさ
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04666
[学会発表] Annealing Effect on Effective Mass of Two-dimensional Electrons in InGaAsN/GaAsSb Type II Quantum Well2017
- 著者名/発表者名
  Shuichi Kawamata, Sho Tanaka, Akira Hibino, Yuichi Kawamura
- 学会等名
  低温物理国際会議
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04666
[学会発表] (111)面InP基板上のinGaAs/InAlAs歪単一量子井戸の成長2017
- 著者名/発表者名
  河村裕一、谷口つばさ
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04666
[学会発表] InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸構造における２次元電子の伝導特性III2016
- 著者名/発表者名
  田中章, 川又修一, 日比野暁, 河村裕一
- 学会等名
  日本物理学会
- 発表場所
  金沢
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04666
[学会発表] InP基板上のMBE成長GaSb層の特性評価2016
- 著者名/発表者名
  史豊銓、三浦広平、猪口康博、河村裕一
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  新潟
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04666
[学会発表] InGaAsN/GaAsSbタイプIIﾀﾞｲｵｰﾄﾞのアニール効果（II）2016
- 著者名/発表者名
  河村裕一、宍戸郁也、田中章、川又修一
- 学会等名
  応用物理学会講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04666
[学会発表] Pbに囲まれたBSCCO単結晶ｄドットの作製2015
- 著者名/発表者名
  川又修一、瀬川将弘、二神敦、河村裕一、加藤勝、石田武和
- 学会等名
  ワークショップ「ナノ構造超伝導体における渦糸物理」
- 発表場所
  東京大学（東京都）
- 年月日
  2015-01-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540422
[学会発表] Effective Mass of Two-dimensional Electrons in InGaAsN/GaAsSb Type II Quantum Well by Shubnikov-de Haas Oscillation2015
- 著者名/発表者名
  S. Kawamata, A. Hibino, S. Tanaka, Y. Kawamura
- 学会等名
  2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science
- 発表場所
  早稲田大学（東京都新宿区）
- 年月日
  2015-11-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04666
[学会発表] Mid-infrared photodetectors with InAs/GaSb typeII quantum wells grown on InP substrate2013
- 著者名/発表者名
  H. Inada, K, Miura, Y. Iguchi , Y. Kawamura, H. Katayama, and M. Kimata
- 学会等名
  Thhe 25^<th> International Conference on InP and related materials
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[学会発表] Optical properties of InAsSbN single quantum wells grown on InP substrates for 2μm wavelength region2012
- 著者名/発表者名
  T. Shono, M. Mizuta and Y. Kawamura
- 学会等名
  The 17^<th> International Conference of Molecuar Beam Epitaxy TuA-2-4
- 発表場所
  Nara, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[学会発表] Optical properties of InAsSbN SQW grown on InP2012
- 著者名/発表者名
  T. Shono, S. Mizuta, Y. Kawamura
- 学会等名
  17th Int. National. Conf. of MBE
- 発表場所
  Nara, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[学会発表] Fabrication and Magnetic Flux Distribution of BSCCO Single Crystal d-dot2012
- 著者名/発表者名
  S. Kawamata, M. Yamamoto, T. Yamashita, T. Yotsuya, M. Kato, Y. Kawamura and T. Ishida
- 学会等名
  International workshop on Pathbreaking Phase Sciences in Superconductivity 2012 (PPSS2012)
- 発表場所
  Osaka Museum of History, Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540422
[学会発表] BSCCO単結晶ｄドットの作製と磁束分布観測2011
- 著者名/発表者名
  川又修一, 河村裕一, 山下剛, 石田武和, 加藤勝, 四谷任
- 学会等名
  東北大学金属材料研究所共同利用研究会「ナノ構造超伝導体」(招待講演)
- 発表場所
  東北大学（宮城県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540422
[学会発表] イオンミリング法を用いた超伝導複合構造ｄドットの作製2011
- 著者名/発表者名
  川又修一, 河村裕一, 山下剛, 石田武和, 加藤勝, 四谷任
- 学会等名
  大阪府立大学地域連携研究機構・放射線研究センター平成22年度共同利用報告会
- 発表場所
  大阪府立大学（大阪府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540422
[学会発表] 「低炭素濃度Si結晶中の赤外吸収(7)」講演予稿第1分冊2010
- 著者名/発表者名
  井上直久, 後藤康則, 杉山隆英, 河村裕一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] InP基板上InAsSbN単一量子井戸のMBE成長」講演予稿集第1分冊2010
- 著者名/発表者名
  西野正嗣, 河村裕一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] 「SiCの赤外吸収(2)」講演予稿第1分冊2010
- 著者名/発表者名
  井上直久, 須田良幸, 菅谷孝夫, 河村裕一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] 「InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸を用いた非冷却赤外2次元センサアレイ」講演予稿第1分冊2010
- 著者名/発表者名
  三浦広平, 森大樹, 永井陽一, 稲田博史, 猪口康博, 河村裕一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] 「InP基板上のInGaAsSbN層のアニール効果」講演予稿第1分冊2010
- 著者名/発表者名
  吉川真央, 三浦広平, 猪口康博, 河村裕一
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] 低炭素濃度CZ-Si結晶中の低線量照射誘起複合体の赤外吸収2009
- 著者名/発表者名
  井上直久, 後藤安則, 杉山隆英, 河村裕一, 久保田嘉孝
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸を受光層に用いた低暗電流pinフォトダイオード"講演予稿第1分冊2009
- 著者名/発表者名
  三浦広平, 永井陽一, 稲田博史, 猪口康博, 坪倉光隆, 河村裕一
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] InP基板上のMBE成長InGaAs/GaAsSb歪補償タイプII多重量子井戸層の評価2009
- 著者名/発表者名
  米澤康弘, 河村裕一, 三浦広平, 猪口康博
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] 「InP基板上のMBE成長GaAsSbの評価」講演予稿集第1分冊2009
- 著者名/発表者名
  平池龍馬, 三浦広平, 猪口正博, 河村裕一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] 「InGaAsP/InAlAsP MQW層の評価」講演予稿集第1分冊2009
- 著者名/発表者名
  鹿山昌代, 河村裕一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] InP基板上のMBE成長InGaAs/GaAsSb歪補償タイプII多重量子井戸層の評価"講演予稿集第1分冊2009
- 著者名/発表者名
  米澤康弘, 河村裕一, 三浦広平, 猪口康博
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] InP基板上のMBE成長GaAsSbの評価2009
- 著者名/発表者名
  平池龍馬、三浦広平、猪口正博、河村裕一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] 「低炭素濃度Si結晶中の赤外吸収(6)」講演予稿集第1分冊2009
- 著者名/発表者名
  井上直久, 後藤康則, 杉山隆英, 河村裕一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] SiC薄膜の赤外吸収2009
- 著者名/発表者名
  井上直久, 須田良幸, 山口雄一郎, 河村裕一, 久保田嘉孝
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] InP上にMBE成長した厚いInGaAsSbNの光学的評価"講演予稿集第1分冊2008
- 著者名/発表者名
  吉川真央, 三浦広平, 永井陽一, 猪口康博, 河村裕一
- 学会等名
  第69会応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2008-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] 低炭素濃度CZ-Si結晶中の低線量照射複合体の赤外吸収"講演予稿集第1分冊2008
- 著者名/発表者名
  井上直久, 後藤康則, 杉山隆英, 河村裕一
- 学会等名
  第69会応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2008-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] InP基板上のGaAsSbとInGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸のtem観察"講演予稿集第1分冊2008
- 著者名/発表者名
  河村裕一, 三浦広平, 坪倉光隆, 岡田浩
- 学会等名
  第69会応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] InP基板上のInGaAsN/GaAsSbタイプII量子井戸ダイオードの発光特性"講演予稿集第1分冊2008
- 著者名/発表者名
  河村裕一, 井上直久
- 学会等名
  第68会応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] MBE growth of thick InGaAsN layerslattice-matched to InP substrates2007
- 著者名/発表者名
  K. Miura, Y. Nagai, Y. Iguchi, M. Tsubokura, H. Okada, Y. Kawamura
- 学会等名
  The 19^<th> International Conference on InP and related materials
- 発表場所
  松江市
- 年月日
  2007-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560016
[学会発表] BSCCO単結晶によるｄドットの作製と磁束分布観測
- 著者名/発表者名
  川又修一、河村裕一、元持祐輝、加藤勝、石田武和
- 学会等名
  東北大学金属材料研究所共同利用研究会「ナノ構造超伝導体の磁束構造」
- 発表場所
  東北大学　金属材料研究所 (宮城県)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540422
[学会発表] InP基板上のInAsSbN単一量子井戸ﾀﾞｲｵｰﾄﾞのＥＬ特性
- 著者名/発表者名
  水田省吾、河村裕一
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会（2014春）
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[学会発表] InP基板上InAsSbN単一量子井戸のＰＬ温度特性
- 著者名/発表者名
  水田省吾、正野琢也、河村裕一
- 学会等名
  第５９回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[学会発表] BSCCO単結晶ｄドットの作製と磁束分布観測
- 著者名/発表者名
  川又修一, 元持祐輝, 瀬川将弘, 二神敦, 河村裕一, 加藤勝, 石田武和
- 学会等名
  東北大学金属材料研究所共同利用研究会「超伝導ナノ構造の転移温度上昇と磁束構造」
- 発表場所
  東北大学　金属材料研究所 (宮城県)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540422
[学会発表] 歪補償InGaAs/GaAsSbタイプII多重量子井戸への成長シーケンスの影響
- 著者名/発表者名
  三浦広平、猪口康博、日比野暁、河村裕一
- 学会等名
  第５９回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[学会発表] InP基板上のInGaAsN/GaAsSb Type II ﾀﾞｲｵｰﾄﾞのＥＬ特性
- 著者名/発表者名
  佐橋徹、河村裕一
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会（2013秋）
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[学会発表] Fabrication and Magnetic Flux Distribution of BSCCO d-dot Embedded in Pb
- 著者名/発表者名
  S. Kawamata, Y. Kawamura, M. Kato, T. Ishida
- 学会等名
  International Symposium on Frontiers in Materials Science (ISFMS 2013)
- 発表場所
  Hanoi, Vietnam
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23540422
[学会発表] ＭＢＥ成長InGaAsN/AlAsSb共鳴トンネルダイオードの特性評価
- 著者名/発表者名
  光吉謙太、河村裕一
- 学会等名
  第７２回応用物理学会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[学会発表] Type II InAs/GaSb superlattice grown on InP
- 著者名/発表者名
  K. Miura, Y. Iguchi and Y. Kawamura
- 学会等名
  The 17^<th> International Conference of Molecuar Beam Epitaxy ThA-2-3
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012
[学会発表] 歪補償InGaAs/GaAsSbタイプII多重量子井戸層の特性
- 著者名/発表者名
  平池龍馬、三浦広平、猪口康博、河村裕一
- 学会等名
  第７２回応用物理学会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560012

1. 井上直久 (60275287)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
2. 豊田直樹 (50124607)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 川又修一 (50211868)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 13件
4. 加藤勝 (90204495)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
5. 石田武和 (00159732)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
6. 松井広志 (30275292)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 森下恵造 (50100219)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 落合明 (90183772)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. ANDREI Lebed (10281990)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 杉浦英雄

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

河村 裕一 KAWAMURA Yuichi

研究課題

研究成果

共同研究者

新しいナノ構造半導体を用いた高性能中赤外デバイスの創成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化物高温超伝導体ＢＳＣＣＯ単結晶を用いたｄドットの作製と論理回路の構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新材料・新量子構造を用いた高性能中赤外デバイスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InAsSbN/GaAsSbN新量子井戸構造を用いた赤外光素子の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

非対称量子井戸構造を用いた新原理光量子効果素子の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

極低温強磁場下における低密度、相関電子系のマイクロ波吸収

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体を用いた短波長サブバンド間遷移発光の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

タイプII量子井戸構造を用いた低温度依存性長波長帯レーザの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 光技術動向調査報告書2007

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[雑誌論文] Annealing effects on the properties of InGaAsN/GaAsSb type-II quantum well diodes grown on InP substrates2017

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effective Mass of Two-dimensional Electrons in InGaAsN/GaAsSb Type II Quantum Well by Shubnikov-de Haas Oscillations2016

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 半導体結晶と光素子への応用2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 2.86mm room-temperature light emission of InGaAsN.GaAsSb type II quantum well diodes grown on InP substrates2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Type II InAs?GaSb superlattice grown on InP substrate2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] The growth of high quarity GaAsSb and Type II InGaAs/GaAsSb superlattice structure2013

著者名/発表者名

雑誌名

河村裕一 KAWAMURA Yuichi