内田和男 uchida kazuo

研究者番号	80293116
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2020年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 2000年度 – 2004年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 1999年度: 電気通信大学, 電気通信学部, 講師
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・機器工学
キーワード	研究代表者 HMDS / 酸化物半導体トンネル電極 / AlGaN系UVC-LED / UV LED / MOVPE / UVLED / ZnO / AlGaN / トンネル接合 / RFスパッタリング … もっと見る / 有機金属気相成長法 / 酸化物半導体 / 窒化物半導体 / UV-LED / FT-IR / Porosity / X-ray total reflection method / Low dielectric materials / Nano-porous SiOx / Gas evaporation Technique / クラスター / 酸化シリコンナノポーラス薄膜 / 層間絶縁膜 / 低誘電率材料 / 空孔率 / カズ中蒸発法 / FTIR / 多孔質度 / 全反射X線 / 低誘電率層間絶縁膜 / SiO_x超微粒子膜 / ガス中蒸発法 … もっと見る研究代表者以外 MOS / MBE / FIB / position-controlled deposition / memory / nanocrystal / germanium / silicon / AFM / ケルビンプローブ / 光酸化 / 電子ビームリソグフィー / 二次元配列 / メモリー / ナノクリスタル / ゲルマニウム / シリコン / High-Pressure Form / Phase Transformation / Cluster-Beam Evaporation / Coulomb Blockade / Granular Metal Film / MOVPE / Semiconductor Position Sensitive Detector / Griffith University / 集積デバイス / 電子線ソングラフィー / MEMS / ナノ構造デバイス / 半導体位置センター / Siナノ構造 / HBT / Position Sensitive Detector (PSD) / 高圧相 / 相転移 / クラスタービーム蒸発法 / クーロンブロッケード / 粒状金属薄膜 / MOVPE法 / 半導体位置センサー / グリフィス大学隠す

酸化物半導体トンネル接合電極導入によるAlGaN系UVC-LED高効率化の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  内田和男
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  電気通信大学
ゲルマニウムナノ結晶の秩序化によるナノクリスタルメモリーの作製
- 研究代表者
  
  野崎眞次 (野崎真次)
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  電気通信大学
酸化シリコンナノポーラス薄膜の低誘電率材料への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  内田和男
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
ナノ構造半導体デバイスに関する教育・研究交流
- 研究代表者
  
  森崎弘
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  電気通信大学

すべて 2021 2020 2018 2004 2003 2002

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Growth and characterization of p-type InGaAs on InP subtrates by LP-MOCVD using a new carbon-dopant source, CBrCl32004
- 著者名/発表者名
  K.Uchida
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 272
  
  ページ: 658-663
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350183
[雑誌論文] Growth and characterization of p-type InGaAs on InP substrates by LP-MOCVD using a new carbon-dopant source, CBrCl_32004
- 著者名/発表者名
  K.Uchida, K.Takahashi, S.Kabe, S.Nozaki, H.Morisaki
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 272
  
  ページ: 658-663
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350183
[雑誌論文] Metal organic vapor phase epitaxial growth of heavily carbon-doped GaAs using a dopant source of CCl_3 and quantitative analysis of the compensation mechanism in the epilayers2003
- 著者名/発表者名
  S.Bhunia, K.Uchida, S.Nozaki, N.Sugiyama, M.Furiya, H.Morisaki
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 93(3)
  
  ページ: 1613-1619
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350183
[雑誌論文] Heavily carbon doping of GaAs by MOVPE using a newdopant source CBrCl3 and characterization of the epilayers2003
- 著者名/発表者名
  K.Uchida
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 248
  
  ページ: 124-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350183
[雑誌論文] Real-time measurement of rocking curves during MOVPE growth of Ga_xIn_<1-x>P/GaAs2003
- 著者名/発表者名
  S.Bhunia, T.Kawamura, Y.Watanabe, S.Fujikawa, J.Matsui, Y.Kagoshima, Y.Tsusaka, K.Uchida, S.Nozaki, H.Morisaki
- 雑誌名
  
  Appl.Surface Science 216
  
  ページ: 382-387
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350183
[雑誌論文] Heavily carbon doping of GaAs by MOVPE using a newdopant source CBrCl_3 and characterization of the epilayers2003
- 著者名/発表者名
  K.Uchida, S.Bhunia, N.Sugiyama, M.Furiya, M.Katoh, S.Katoh, S.Nozaki, H.Morisaki
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth 248
  
  ページ: 124-129
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350183
[雑誌論文] A photo-oxidation generated low-k dielectric film deposited by reactive evaporation of SiO2002
- 著者名/発表者名
  J.J.Si, Y.Show, S.Banerjee, H.Ono, K.Uchida, S.Nozaki, H.Morisaki
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 60
  
  ページ: 313-321
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350183
[学会発表] 正孔注入促進に向けたp-AlGaN/n-ZnOトンネル接合のバンド構造解析2021
- 著者名/発表者名
  浮田駿、田尻武義、内田和男
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04226
[学会発表] p型コンタクト層にn-ZnO層を接合したAlGaN系pnダイオードのEL特性評価2021
- 著者名/発表者名
  孫錚、王新磊、森元諄、田尻武義、内田和男
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04226
[学会発表] p型コンタクト層にn-ZnOトンネル層を有するAlGaN系pnダイオードの作製及び電気的評価2020
- 著者名/発表者名
  孫錚，森元諄, 大黒将也,田尻武義, 内田和男
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04226
[学会発表] High-Al content AlGaN pn diode with p-AlGaN improved by the UV wet oxidation2018
- 著者名/発表者名
  Xiaojia Zhang, Jun Morimoto, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04226

1. 野崎真次 (20237837)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 5件
2. 小野洋 (00134867)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 森崎弘 (00029167)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

内田 和男 uchida kazuo

研究課題

研究成果

共同研究者

酸化物半導体トンネル接合電極導入によるAlGaN系UVC-LED高効率化の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ゲルマニウムナノ結晶の秩序化によるナノクリスタルメモリーの作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化シリコンナノポーラス薄膜の低誘電率材料への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノ構造半導体デバイスに関する教育・研究交流

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Growth and characterization of p-type InGaAs on InP subtrates by LP-MOCVD using a new carbon-dopant source, CBrCl32004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Growth and characterization of p-type InGaAs on InP substrates by LP-MOCVD using a new carbon-dopant source, CBrCl_32004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Metal organic vapor phase epitaxial growth of heavily carbon-doped GaAs using a dopant source of CCl_3 and quantitative analysis of the compensation mechanism in the epilayers2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Heavily carbon doping of GaAs by MOVPE using a newdopant source CBrCl3 and characterization of the epilayers2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Real-time measurement of rocking curves during MOVPE growth of Ga_xIn_<1-x>P/GaAs2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Heavily carbon doping of GaAs by MOVPE using a newdopant source CBrCl_3 and characterization of the epilayers2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] A photo-oxidation generated low-k dielectric film deposited by reactive evaporation of SiO2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[学会発表] 正孔注入促進に向けたp-AlGaN/n-ZnOトンネル接合のバンド構造解析2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] p型コンタクト層にn-ZnO層を接合したAlGaN系pnダイオードのEL特性評価2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] p型コンタクト層にn-ZnOトンネル層を有するAlGaN系pnダイオードの作製及び電気的評価2020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] High-Al content AlGaN pn diode with p-AlGaN improved by the UV wet oxidation2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

内田和男 uchida kazuo