尾崎俊二 Ozaki Shunji

研究者番号	80302454
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 群馬大学, 大学院理工学府, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2021年度 – 2023年度: 群馬大学, 大学院理工学府, 准教授 2015年度 – 2017年度: 群馬大学, 大学院理工学府, 准教授 2013年度: 群馬大学, 理工学研究科, 准教授 2011年度 – 2012年度: 群馬大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 1999年度 – 2003年度: 群馬大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者結晶成長 / カルコパイライト構造半導体 / エネルギーバンド構造 / 多元化合物半導体結晶成長 / 分光エリプソメーター / ZnIn_2Te_4 / II-III_2-VI_4族化合物半導体 / アモルファス半導体 / X線光電子分光法 / 複素誘電率 … もっと見る / 経験的擬ポテンシャル法 / 分光エリブソメーター / ZnIn2Te4 / II-III2-VI4族化合物半導体 … もっと見る研究代表者以外誘電率 / InN / GaN / Si / CdS / optical energy gap / optical properties / dielectric function / reactive sputtering / バンドギャップ / 光学的性質 / 光学的特性 / 分光エリプソメータ / 反応性スパッタリング / 窒化物半導体 / PL spectra / nitride semiconductors / 誘電率スペクトル / PL発光 / II-VI compound semiconductor / Amorphous / Complex refractive index / Complex dielectric function / Photoreflectance / Spectroscopic ellipsometry / CdTe / 真空蒸着 / エレクトロレフレクタンス / III-V族化合物半導体 / II-VI族化合物半導体 / アモルファス / 複素屈折率 / 複素誘電率 / フォトレフレクタンス / 分光エリプソメトリー / spectroscopic ellipsometry / amorphous semiconductor / nitride semiconductor / III-V semiconductor / 偏光分光解析 / 光学的バンドギャップ / 誘電率関数 / 非晶質半導体 / III-V族半導体隠す

高効率タンデム型太陽電池実現に向けた新規化合物半導体の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  尾崎俊二
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  群馬大学
高効率太陽電池開発のための新規カルコパイライト構造半導体の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  尾崎俊二
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  群馬大学
希少金属を使用しない太陽電池用新規半導体材料の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  尾崎俊二
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  群馬大学
RFスパッタ法によるIII族窒化物半導体薄膜の作製とその特性に関する研究
- 研究代表者
  
  宮崎卓幸
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  群馬大学
新概念テトラヘドラル結晶の育成と構造的、光学的性質
- 研究代表者
  
  安達定雄
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  群馬大学
自己規則化II-III2-VI4族半導体結晶の育成と物性評価研究代表者
- 研究代表者
  
  尾崎俊二
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  群馬大学
反応性スパッタ法による窒化III-V族半導体の作製およびその特性の関する研究
- 研究代表者
  
  宮崎卓幸
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  群馬大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Photoreflectance spectroscopy of the chalcopyrite semiconductor AgInS2 for ordinary and extraordinary rays2016
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. A: Materials Science & Processing
  
  巻: 122 号: 6
- DOI
  10.1007/s00339-016-0147-z
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05977
[雑誌論文] Photomodulated transmittance spectroscopy of vacuum-evaporated AgGaTe2 films2014
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and T. Ogura
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FW02-05FW02
- DOI
  10.7567/jjap.53.05fw02
- NAID
  210000143908
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[雑誌論文] Positive temperature variation of the bandgap energy in the single-crystalline chalcopyrite semiconductor AgInS22014
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and Y. Horikoshi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 115 号: 5
- DOI
  10.1063/1.4864423
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[雑誌論文] Optical absorption and photoreflectance spectroscopy of the single-crystalline chalcopyrite semiconductor AgGaSe22013
- 著者名/発表者名
  T. Hori and S. Ozaki
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 113 号: 17
- DOI
  10.1063/1.4803892
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[雑誌論文] Optical properties and electronic band structure of Cu2ZnSnSe4 kesterite semiconductor2012
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and T. Namba
- 雑誌名
  
  Physica status solidi (c)
  
  巻: 9 ページ: 2403-2406
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[雑誌論文] Optical properties and electronic band structure of Cu_2ZnSnSe_4 kesterite semiconductor2012
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and T. Namba
- 雑誌名
  
  Physica status solidi (c)
  
  巻: 9 号: 12 ページ: 2403-2406
- DOI
  10.1002/pssc.201200203
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] 遊星ボールミルを用いたAg2ZnSnSe4 結晶の作製2023
- 著者名/発表者名
  海野碧志, 尾崎俊二
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04131
[学会発表] AgIn(SxSe1-x)2半導体混晶の育成とバンドギャップエネルギーの評価2022
- 著者名/発表者名
  河野弘希, 尾崎俊二
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04131
[学会発表] Temperature dependence of the bandgap energy in chalcopyrite semiconductor AgGaxIn1-xS22022
- 著者名/発表者名
  尾崎俊二, 佐野元昭
- 学会等名
  The 15th Asia Pacific Physics Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04131
[学会発表] CuxAg1-xInSe2半導体の結晶成長とバンドギャップエネルギーの評価2021
- 著者名/発表者名
  牛越勇渡, 尾崎俊二
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04131
[学会発表] ZnIn2S4半導体結晶の育成と光学特性2017
- 著者名/発表者名
  齋藤瑛, 尾崎俊二
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05977
[学会発表] CuxAg1-xInS2半導体結晶の育成と評価2015
- 著者名/発表者名
  岩丸弘樹, 尾崎俊二
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05977
[学会発表] AgInS_2半導体バンドギャップエネルギーの正の温度変化2014
- 著者名/発表者名
  尾崎俊二, 堀越義道
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2014-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] AgGaS_2半導体のバンドギャップエネルギーの特異な温度依存性2013
- 著者名/発表者名
  小野寺翼, 尾崎俊二
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2013-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Crystal Growth and Optical Properties of Cu_2ZnSnS_42013
- 著者名/発表者名
  K. Hoshina and S. Ozaki
- 学会等名
  5h International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Japan
- 年月日
  2013-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Crystal growth and optical properties of Cu_2SnSe_4 semiconductor2013
- 著者名/発表者名
  T. Sekiya and S. Ozaki
- 学会等名
  5h International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Japan
- 年月日
  2013-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Optical Properties of Vacuum Evaporated AgGaTe_2 Thin Films2013
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and T. Ogura
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2013-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Crystal Growth and Optical Properties of Chalcopyrite Semiconductor AgGaS_22013
- 著者名/発表者名
  T. Onodera and S. Ozaki
- 学会等名
  5h International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Japan
- 年月日
  2013-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Positive Temperature Variation of the Bandgap Energy in AgInS_2 Chalcopyrite Semiconductor2013
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and Y. Horikoshi
- 学会等名
  5h International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Japan
- 年月日
  2013-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Cu2ZnSnS4半導体結晶の育成と光学特性及びバンド構造評価2013
- 著者名/発表者名
  保科慧治, 尾崎俊二
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Cu_2ZnSnS_4半導体結晶の育成と光学特性及びバンド構造評価2013
- 著者名/発表者名
  保科慧治, 尾崎俊二
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川
- 年月日
  2013-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Optical properties of chalcopyrite semiconductor AgInS_22012
- 著者名/発表者名
  Y. Horikoshi and S. Ozaki
- 学会等名
  4th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Japan
- 年月日
  2012-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] AgInS_2半導体結晶の育成と光学特性2012
- 著者名/発表者名
  堀越義道, 尾崎俊二
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Optical Properties and Electronic Band Structure of Cu2ZnSnSe4 Kesterite Semiconductor2012
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and T. Namba
- 学会等名
  International Conference on Optical and Optoelectronic Properties of Materials and Applications
- 発表場所
  Nara, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Optical Properties and Electronic Band Structure of Cu_2ZnSnSe_4 Kesterite Semiconductor2012
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and T. Namba
- 学会等名
  International Conference on Optical and Optoelectronic Properties of Materials and Applications
- 発表場所
  Nara, Japan
- 年月日
  2012-06-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Optical Properties of AgGaTe_2 Films2012
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and T. Ogura
- 学会等名
  4th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Japan
- 年月日
  2012-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Crystal Growth and Optical Properties of Chalcopyrite Semiconductor AgInS_22011
- 著者名/発表者名
  Y. Horikoshi and S. Ozaki
- 学会等名
  3^<rd> International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Japan
- 年月日
  2011-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Optical Properties and Electronic Band Structure of Cu_2ZnSnSe_42011
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and T. Namba
- 学会等名
  3^<rd> International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Japan
- 年月日
  2011-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Optical Properties and Electronic Band Structure of Cu2ZnSnSe42011
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and T. Namba
- 学会等名
  3rd International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu City Performing Arts Center, Kiryu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Crystal Growth and Optical Properties of Chalcopyrite Semiconductor AgGaS2
- 著者名/発表者名
  T. Onodera and S. Ozaki
- 学会等名
  5h International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Gunma
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Crystal Growth and Optical Properties of Cu2ZnSnS4
- 著者名/発表者名
  K. Hoshina and S. Ozaki
- 学会等名
  5h International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Gunma
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Crystal growth and optical properties of Cu2SnSe4 semiconductor
- 著者名/発表者名
  T. Sekiya and S. Ozaki
- 学会等名
  5h International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Gunma
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Optical Properties of Vacuum Evaporated AgGaTe2 Thin Films
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and T. Ogura
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Tanabe, Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] Positive Temperature Variation of the Bandgap Energy in AgInS2 Chalcopyrite Semiconductor
- 著者名/発表者名
  S. Ozaki and Y. Horikoshi
- 学会等名
  5h International Conference on Advanced Micro-Device Engineering
- 発表場所
  Kiryu, Gunma
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357
[学会発表] AgInS2半導体バンドギャップエネルギーの正の温度変化
- 著者名/発表者名
  尾崎俊二, 堀越義道
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560357

1. 宮崎卓幸 (80110401)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
2. 安達定雄 (10202631)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件

尾崎 俊二 Ozaki Shunji

研究課題

研究成果

共同研究者

高効率タンデム型太陽電池実現に向けた新規化合物半導体の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高効率太陽電池開発のための新規カルコパイライト構造半導体の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

希少金属を使用しない太陽電池用新規半導体材料の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

RFスパッタ法によるIII族窒化物半導体薄膜の作製とその特性に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新概念テトラヘドラル結晶の育成と構造的、光学的性質

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

自己規則化II-III2-VI4族半導体結晶の育成と物性評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

反応性スパッタ法による窒化III-V族半導体の作製およびその特性の関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Photoreflectance spectroscopy of the chalcopyrite semiconductor AgInS2 for ordinary and extraordinary rays2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Photomodulated transmittance spectroscopy of vacuum-evaporated AgGaTe2 films2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Positive temperature variation of the bandgap energy in the single-crystalline chalcopyrite semiconductor AgInS22014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Optical absorption and photoreflectance spectroscopy of the single-crystalline chalcopyrite semiconductor AgGaSe22013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Optical properties and electronic band structure of Cu2ZnSnSe4 kesterite semiconductor2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Optical properties and electronic band structure of Cu_2ZnSnSe_4 kesterite semiconductor2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] 遊星ボールミルを用いたAg2ZnSnSe4 結晶の作製2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

尾崎俊二 Ozaki Shunji