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呉 軍  ウ- ジュン

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 80313005
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2001年度: 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究所, 助手
1999年度 – 2001年度: 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
Si ドープ / フォトルミネッセンス特性 / 中間層 / MOVPE成長 / RF-MBE / 選択成長 / MBE / MOVPE / 窒化物半導体 / GaAs / Gan / 立方晶AlGan / 立方晶GaN … もっと見る
研究代表者以外
… もっと見る RF-MBE / MOVPE / GaAsN / 窒化物半導体 / InGaPN / InGaAsN / heterostructure / photoreflectance / cubic indium nitride / cubic gallium nitride / cubic nitride semiconductors / nitride semiconductors / 深い準位 / 立法晶AlGaN / 立法晶GaN / 選択成長 / MBE / GaAs / GaN / 立方晶AlGaN / 立方晶GaN / 窒化物混晶半導体 / ヘテロ構造 / フォトリフレクタンス / 立方晶窒化インジウム / 立方晶窒化ガリウム / 立方晶窒化物半導体 / huge bandgap bowing / slloy semiconductors / diluted nitride alloy / 巨大ボウイング / 有機金属気相成長 / GaNAs / GaNP / 巨大バンドギャッブボウイング / InAsN / 巨大バンドギャップボウイング / 混晶半導体 / III-V-N型窒化物混晶 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  立方晶窒化物半導体の結晶成長と物性の確立研究代表者

    • 研究代表者
      呉 軍
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  立方晶窒化物半導体ヘテロ構造による光および電子デバイス

    • 研究代表者
      尾鍋 研太郎
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  III-V-N型窒化物系混晶半導体の巨大ボウイング効果と物性応用

    • 研究代表者
      尾鍋 研太郎
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学
  • 1.  尾鍋 研太郎 (50204227)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  黄 晋二 (50323663)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  白木 靖寛 (00206286)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  片山 竜二 (40343115)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  宇佐美 徳隆 (20262107)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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