細田誠 HOSODA Makoto

研究者番号	80326248
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2011年度: 大阪市立大学, 大学院・工学研究科, 教授 2011年度: 大阪市立大学, 工学研究科, 教授 2009年度: 大阪市立大学, 大学院・工学研究科, 教授 2007年度: 大阪市立大学, 大学院・工学研究科, 教授 2006年度: 大阪市立大学, 大学院工学研究科, 教授 2001年度 – 2004年度: 大阪市立大学, 大学院・工学研究科, 教授 2000年度: 大阪市立大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体) / 応用光学・量子光工学
キーワード	研究代表者電界ドメイン / 量子井戸 / 半導体超格子 / Current oscillation / Asymmetric multiple auantum well / Electric field domain / Quantum well / Semiconductor superlattice / 多重有限長超格子 / 非線形ダイナミクス … もっと見る / 半導超格子 / 電流発振 / 非対称多重量子井戸 / quantum-well microtube / electric field domain / photocurrent impulse response / S-L electron scattering / carrier transport / higher subband / quantum well / semiconductor superlattice / Gamma-Xキャリア輸送 / マイクロチューブ / 波長変換 / Gamma-X キャリア輸送 / Type-I Type-II遷移 / 短波長発光素子 / Lサブバンド / ガンマ-X輸送 / 高位サブバンド / サブバンド共鳴 / 量子井戸マイクロチューブ / 光電流インパルス応答 / X-L電子散乱 / キャリア輸送 / 高位サブバンド準位 … もっと見る研究代表者以外 coherent phonon / phonon wave-pecket / semiconductor superlattice / pump-probe / ウムクラップ過程 / マイクロプロービング / コヒーレントフォン / テラヘルツ / マイクロポンプ・プローブ / コヒーレントフォノン / フォノン波束 / 半導体超格子 / ポンプ・プローブ装置 / ナノチューブ / 第一原理計算 / ウエットエッチング / レーザ発振 / ホトルミネッセンス / ウエットプロセス / FD-TDシミュレーション / 量子ドット / 量子井戸 / マイクロチューブ隠す

高効率な微小リング共振器を有するマイクロチューブレーザの開発
- 研究代表者
  
  大谷直毅
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  同志社大学
半導体超格子における電界ドメインの非線形ダイナミクスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  細田誠
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪市立大学
半導体超格子における高位サブバンド間キャリア輸送ダイナミクスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  細田誠
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪市立大学
テラヘルツ領域コヒーレント現象マイクロプロービング
- 研究代表者
  
  溝口幸司
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
- 研究機関
  大阪市立大学

すべて 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Various photoluminescence properties due to Gamma-X resonance in type-I GaAs/AlAs multiple-quantum wells consisting of quantum wells with different thicknesses2008
- 著者名/発表者名
  N. Ohtani, et. al. M. Hosoda
- 雑誌名
  
  Physica E vol. 40
  
  ページ: 2016-2018
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Various photoluminescence properties due to Gamma-X resonance in type-I GaAs/AIAs multiple-quantum wells consisting of quantum wells with different thicknesses2008
- 著者名/発表者名
  N. Ohtani, et. al., and M. Hosoda
- 雑誌名
  
  Physica E 40
  
  ページ: 2016-2018
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Photoluminescence properties affected by carrier transport between X and different first excited states originating from interface imperfbction in GaAs/AIAs multiple-quantum wells2008
- 著者名/発表者名
  H. Endo, S. Hiramatsu, H. Kitamura, T. Takamatsu, M. Hosoda, and N. Ohtani
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 682-684
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Photoluminescence properties affected by carrier transport between X and different first excited states originating from interface imperfection in GaAs/AlAs multi-quantum wells2008
- 著者名/発表者名
  H.Endo, S.Hiratsuka, H.Kitamura, T.Takamatsu, M.Hosoda, and N.Ohtani
- 雑誌名
  
  Jpn.J Appl. Phys. 47
  
  ページ: 682-684
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Photoluminescence properties affected by carrier transport between X and different first excited states originating from interface imperfection in GaAs/AlAs multiple^quantum wells2008
- 著者名/発表者名
  H. Endo, S. Hiramatsu, H. Kitamura, T. Takamatsu, M. Hosoda, N. Ohtani
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys vol. 47
  
  ページ: 682-684
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Various photoluminescence properties due to Gamma-X resonance in type-I GaAs/AlAs multi-quantum wells consisting of quantum wells with different thicknesses2008
- 著者名/発表者名
  N.Ohtani, H.Endo, S.Hiramatsu, H.Kitamura, T.Takamatsu, and M.Hosoda
- 雑誌名
  
  Physica E 40
  
  ページ: 2016-2018
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Various photoluminescence properties observed in a GaAs/AlAs asymmetric double-quantum-well superlattice2007
- 著者名/発表者名
  N.Ohtani, M.Hosoda
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (C) 2
  
  ページ: 353-355
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Various photoluminescence properties observed in a GaAs/AIAs asymmetric double-quantum-well superlattice2007
- 著者名/発表者名
  N. Ohtani and M. Hosoda
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (c) 4
  
  ページ: 353-355
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Formation of electric-field domains in a system of multiple finite superlattices2007
- 著者名/発表者名
  M. Hosoda and S. Noma
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 75
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Influence of L subband states on optical and electric properties in GaAs/AlAs type-I superlattices2007
- 著者名/発表者名
  N.Ohtani, M.Hosoda
- 雑誌名
  
  Proc. 28-th Int. Conf. Phys. Semicond. (ICPS 2006) (In press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Various photoluminescence properties observed in a GaAs/AlAs asymmetric double-quantum-well superlattice2007
- 著者名/発表者名
  N. Ohtani, M. Hosoda
- 雑誌名
  
  Phys. Stat. Sol. (c) vol. 4
  
  ページ: 353-355
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Formation of electric-field domains in a system of Multiple finite superlattices2007
- 著者名/発表者名
  M. Hosoda, S. Noma
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B vol. 75
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Formation of electric-field domains in a system of multiple finite superl attices2007
- 著者名/発表者名
  M.Hosoda and S.Noma
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B 75
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Observation of subband resonances between high-energy states in a series of asymmetric double-quantum-well superlattice systems2006
- 著者名/発表者名
  M.Hosoda, et al.
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 73
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[雑誌論文] Electron scattering between X and L indirect valleys in type-I GaAs/AlAs semiconductor superlattices2005
- 著者名/発表者名
  M.Hosoda, et al.
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B To be published
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350013
[雑誌論文] Uniaxial-strain-induced transition from type-II to type-I band configuration of quantum well microtubes2004
- 著者名/発表者名
  N.Ohtani, M.Hosoda, et al.
- 雑誌名
  
  Physica E 21
  
  ページ: 732-732
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350013
[雑誌論文] Formation of electric-field domains in an asymmetric double-quantum-well GaAs/AlAs superlattice2004
- 著者名/発表者名
  N.Ohtani, Y.Hirose, T.Nishimura, T.Aida, M.Hosoda
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology 19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350013
[雑誌論文] Quantum-well microtube constructed from a freestanding thin quantum-well layer2003
- 著者名/発表者名
  M.Hosoda, et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 83
  
  ページ: 1017-1019
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350013
[雑誌論文] Quantum-well microtube constructed from a freestanding thin quantum-well layer2003
- 著者名/発表者名
  M.Hosoda et al.
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. vol.83
  
  ページ: 1017-1019
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350013
[雑誌論文] Electron scattering between X and L indirect valleys in Type-I GaAs/AlAs semiconductor superlattices
- 著者名/発表者名
  M.Hosoda et al.
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B (to be published.)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14350013
[学会発表] Fabrication and photoluminescence properties of semiconductor microtubes separated from substrates like bridge structures2012
- 著者名/発表者名
  Y. Ito, K. Akahane, M. Hosoda, and N. Ohtani
- 学会等名
  5th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications(ICOOPMA 2012)
- 発表場所
  奈良
- 年月日
  2012-06-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] 基板から分離した半導体マイクロチューブの作製と光学特性2011
- 著者名/発表者名
  伊藤祐輝, 西田博貴, 赤羽浩一, 細田誠, 大谷直毅
- 学会等名
  第8回薄膜材料デバイス研究会
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2011-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] Fabrication and photoluminescence properties of semiconductor microtubes containing stacked quantum dots2011
- 著者名/発表者名
  Y.Ito, H.Nishida, K.Akahane, M.Hosoda, N.Ohtani
- 学会等名
  15th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA-XV)
- 発表場所
  Ramada Plaza Jeju Hotel(韓国・済州島)
- 年月日
  2011-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] 量子井戸マイクロチューブレーザー発振に対する吸収基板の影響2011
- 著者名/発表者名
  片山直輝, 細田誠
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] Fabrication and photoluminescence properties of semiconductor microtubes containing stacked quantum dots2011
- 著者名/発表者名
  Y. Ito, H. Nishida, K. Akahane, M. Hosoda and N. Ohtani
- 学会等名
  15th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications(ISPSA-XV)
- 発表場所
  韓国済州島
- 年月日
  2011-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] 積層量子ドット構造を含む半導体マイクロチューブの作製と光学特性2011
- 著者名/発表者名
  伊藤祐輝, 西田博貴, 赤羽浩一, 細田誠, 大谷直毅
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] 積層量子ドット構造を含む半導体マイクロチューブの作製と光学特性2011
- 著者名/発表者名
  伊藤祐輝, 西田博貴, 赤羽浩一, 細田誠, 大谷直
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形
- 年月日
  2011-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] 半導体マイクロチューブの作製と光学特性2010
- 著者名/発表者名
  大谷直毅, 西田博貴, 吉川梨恵, 伊藤祐輝, 赤羽浩一, 細田誠
- 学会等名
  第48回同志社大学理工学研究所研究発表会
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2010-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] 量子ドットを含む半導体マイクロチューブの作製と光学特性2010
- 著者名/発表者名
  大谷直毅, 溝口裕一朗, 吉川梨恵, 西田博貴, 赤羽浩一, 細田誠
- 学会等名
  2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] 量子ドットを含む半導体マイクロチューブの作製と光学特性2010
- 著者名/発表者名
  大谷直毅, 溝口裕一朗, 吉川梨恵, 西田博貴, 赤羽浩一, 細田誠
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス(平塚市)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] Optical properties of semiconductor microtubes containing quantum wells and quantum dots2010
- 著者名/発表者名
  N. Ohtani, Y. Mizoguchi, R. Yoshikawa, H. Nishida, K. Akahane, and M. Hosoda
- 学会等名
  23rd General Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society(CMD23)
- 発表場所
  ポーランド、ワルシャワ
- 年月日
  2010-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] Optical properties of semiconductor microtubes containing quantum wells and quantum dots2010
- 著者名/発表者名
  N.Ohtani, Y.Mizoguchi, R.Yoshikawa, H.Nishida, K.Akahane, M.Hosoda
- 学会等名
  23rd General Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society (CMD23)
- 発表場所
  ポーランド、ワルシャワ大学
- 年月日
  2010-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] Influence of the number of turns and the distortion of the shape on the optical properties of semiconductor microtubes2009
- 著者名/発表者名
  Y. Mizoguchi, S. Hiratsuka, S. Takeda, S. Saravanan, M. Hosoda, and N. Ohtani
- 学会等名
  14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures(MSS14)
- 発表場所
  神戸
- 年月日
  2009-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] 量子井戸マイクロチューブとその発光特性2009
- 著者名/発表者名
  細田誠, 溝口裕一郎, 大谷直毅
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] Influence of the number of turns and the distortion of the shape on the optical properties of semiconductor microtubes2009
- 著者名/発表者名
  Y.Mizoguchi, S.Hiratsuka, S.Takeda, S.Saravanan, M.Hosoda, N.Ohtani
- 学会等名
  14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS14)
- 発表場所
  神戸国際会議場(神戸)
- 年月日
  2009-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] Influence of number of turns and uniformity of the internal strain distribution on the optical properties in semiconductor microtubes2009
- 著者名/発表者名
  Y.Mizoguchi, H.Nishida, R.Yoshikawa, S.Saravanan, M.Hosoda, N.Ohtani
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN)
- 発表場所
  Kaanapali, Maui, Hawaii, USA
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] Influence of number of turns and uniformity of the internal strain distribution on the optical properties in semiconductor microtubes2009
- 著者名/発表者名
  Y. Mizoguchi, H. Nishida, R. Yoshikawa, S. Saravanan, M. Hosoda, and N. Ohtani
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology(ISANN)
- 発表場所
  米国ハワイ、マウイ島
- 年月日
  2009-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560047
[学会発表] Electric field domain formation in multiple finite-superlattice systems2007
- 著者名/発表者名
  M. Hosoda S. Noma
- 学会等名
  Int. Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[学会発表] Electric field domain formation in multiplefinite-superlattice systems2007
- 著者名/発表者名
  M. Hosoda
- 学会等名
  Int.Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2007)
- 発表場所
  Osaka Japan
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013
[学会発表] Electric field domain for mation in multiple finite-superlattice systems2007
- 著者名/発表者名
  M.Hosoda and S. Noma
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Osaka,Japan
- 年月日
  2007-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560013

1. 赤羽浩一 (50359072)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 11件
2. 大谷直毅 (80359067)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
3. 溝口幸司 (10202342)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 金大貴 (00295685)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 中山正昭 (30172480)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

細田 誠 HOSODA Makoto

研究課題

研究成果

共同研究者

高効率な微小リング共振器を有するマイクロチューブレーザの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体超格子における電界ドメインの非線形ダイナミクスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体超格子における高位サブバンド間キャリア輸送ダイナミクスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

テラヘルツ領域コヒーレント現象マイクロプロービング

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Various photoluminescence properties due to Gamma-X resonance in type-I GaAs/AlAs multiple-quantum wells consisting of quantum wells with different thicknesses2008

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Various photoluminescence properties due to Gamma-X resonance in type-I GaAs/AIAs multiple-quantum wells consisting of quantum wells with different thicknesses2008

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Photoluminescence properties affected by carrier transport between X and different first excited states originating from interface imperfbction in GaAs/AIAs multiple-quantum wells2008

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Photoluminescence properties affected by carrier transport between X and different first excited states originating from interface imperfection in GaAs/AlAs multi-quantum wells2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Photoluminescence properties affected by carrier transport between X and different first excited states originating from interface imperfection in GaAs/AlAs multiple^quantum wells2008

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Various photoluminescence properties due to Gamma-X resonance in type-I GaAs/AlAs multi-quantum wells consisting of quantum wells with different thicknesses2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Various photoluminescence properties observed in a GaAs/AlAs asymmetric double-quantum-well superlattice2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Various photoluminescence properties observed in a GaAs/AIAs asymmetric double-quantum-well superlattice2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Formation of electric-field domains in a system of multiple finite superlattices2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Influence of L subband states on optical and electric properties in GaAs/AlAs type-I superlattices2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Various photoluminescence properties observed in a GaAs/AlAs asymmetric double-quantum-well superlattice2007

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Formation of electric-field domains in a system of Multiple finite superlattices2007

細田誠 HOSODA Makoto