鈴木寿一 Suzuki Toshi-kazu

研究者番号	80362028
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2024年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授 2015年度 – 2017年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授 2014年度 – 2016年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 学内共同利用施設等, 教授 2007年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 准教授 2006年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 結晶工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者分極エンジニアリング / 界面電荷エンジニアリング / 分極ドーピング / 界面固定電荷 / 閾値電圧制御 / 窒化物半導体電界効果トランジスタ / 低周波ノイズ / 低次元電子 / 異種材料融合技術 / InAs … もっと見る / 混合酸化物 / 固定電荷 / クーロン相互作用 / 低次元系 / 狭ギャップ半導体 / electron device / semiconductor physics / MBE. epitaxial / crystal growth / electronic materials / MBE、エゴタキシャル / 電子デバイス・機器 / 半導体物性 / MBE、エピタキシャル / 結晶工学 / 電子・電気材料 … もっと見る研究代表者以外絶縁体-半導体界面 / 格子緩和成長 / 分子線エピタキシー / InGaAs MIS構造 / タイプIIヘテロ構造 / 化合物半導体MOSFET / スタガード型ヘテロ構造 / 化合物半導体 / ヘテロ接合 / トンネルFET 隠す

界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御研究代表者
- 研究代表者
  
  鈴木寿一
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
狭ギャップ半導体における低次元鏡像電荷効果に基づく中赤外領域励起子制御研究代表者
- 研究代表者
  
  鈴木寿一
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
ヘテロ構造設計と微細化により低電圧・高速動作を目指した相補型縦型トンネルFET
- 研究代表者
  
  宮本恭幸
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
アンチモン系化合物半導体の結晶成長と高周波デバイス回路実装プロセス研究代表者
- 研究代表者
  
  鈴木寿一
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学

すべて 2022 2018 2017 2016 2015 2014 2008 2007 2006 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Insulator-semiconductor interface fixed charges in AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices with Al2O3 or AlTiO gate dielectrics2018
- 著者名/発表者名
  S. P. Le, D. D. Nguyen, and T. Suzuki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 3 ページ: 034504-034504
- DOI
  10.1063/1.5017668
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13348
[雑誌論文] An InAs/high-k/low-k structure: electron transport and interface analysis2017
- 著者名/発表者名
  T. Ui, R. Mori, S. P. Le, Y. Oshima, and T. Suzuki.
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 7 号: 5 ページ: 055303-055303
- DOI
  10.1063/1.4983176
- NAID
  120006584033
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046, KAKENHI-PROJECT-15K13348, KAKENHI-PROJECT-15H03522
[雑誌論文] Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors2016
- 著者名/発表者名
  S. P. Le, T. Ui, T. Q. Nguyen, H.-A. Shih, and T. Suzuki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 119 号: 20
- DOI
  10.1063/1.4952386
- NAID
  120006584035
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046, KAKENHI-PROJECT-15K13348
[雑誌論文] Low-frequency noise in InAs films bonded on low-k flexible substrates2015
- 著者名/発表者名
  S. P. Le, T. Ui, and T. Suzuki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 107 号: 19
- DOI
  10.1063/1.4935458
- NAID
  120006510328
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13348, KAKENHI-PROJECT-26249046
[雑誌論文] Gate-control efficiency and interface state density evaluated from capacitance-frequency-temperature mapping for GaN-based metal-insulator-semiconductor devices2014
- 著者名/発表者名
  H.-A. Shih, M. Kudo, and T. Suzuki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 116 号: 18
- DOI
  10.1063/1.4901290
- NAID
  120005650341
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[雑誌論文] Low-frequency noise in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices: a comparison with Schottky devices2014
- 著者名/発表者名
  S. P. Le, T. Q. Nguyen, H.-A. Shih, M. Kudo, and T. Suzuki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 116 号: 5 ページ: 0545101-8
- DOI
  10.1063/1.4892486
- NAID
  120005650340
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[雑誌論文] Spin-splitting analysis of a two-dimensional electron gas in almost strain-free In_<0.89> Ga_<0.11> Sb/In_<0.88> Al_<0.12>Sb by magnetoresistance measurements2008
- 著者名/発表者名
  M.Akabori, V.A.Guzenko, T.Sato, Th.Schaepers, T.Suzuki, and S.Yamada
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Epitaxial lift-off of InGaAs/InAlAs metamorphic high electron mobility heterostructures and their van der Waals bonding on AIN ceramic substrates2008
- 著者名/発表者名
  Y. Jeong, M. Shindo, M. Akabori, and T. Suzuki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 1
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Epitaxial lift-off of InGaAs/lnAIAs metamorphic high electron mobility heterostructures and their vander Waals bonding on AIN ceramic substrates2008
- 著者名/発表者名
  Y.Jeong, M.Shindo, M.Akabori, and T.Suzuki
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 1
  
  ページ: 21201-21201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Structural, optical, and electrical characterizations of epitaxial lifted-off InGaAs/InAlAs metamorphic heterostructures bonded on AIN ceramic substrates2008
- 著者名/発表者名
  Y. Jeong, M. Shindo, H. Takita, M. Akabori, and T. Suzuki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(c) (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Spin-splitting analysis of a two-dimensional electron gas in almost strain-free In_<o.89>Ga_<0.11>Sb/In_<0.88>Al_<0.12>Sb by magnetoresistance measurements2008
- 著者名/発表者名
  M. Akabori, V. A. Guzenko, T. Sato, Th. Schaepers, T. Suzuki, and S. Yamada
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 77
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Epitaxial lift-off of hiGaAs/InAlAs metamorphic high electron mobility heterostructures and their van der Waals bonding on AIN ceramic substrates2008
- 著者名/発表者名
  Y. Jeong, M. Shindo, M. Akabori, T. Suzuki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express vol. vol.1(referred)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Structural,optical,and electrical characterizations of epitaxial lifted-offInGaAs/lnAIAs metamorphic heterostructures bonded on AIN ceramic substrates2008
- 著者名/発表者名
  Y.Jeong, M.Shindo, H.Takita, M.Akabori, and T.Suzuki
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(c)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Structural, optical, and electrical characterizations of epitaxial lifted-off InGaAs/InAlAs metamorphic heterostructures bonded on AIN ceramic substrates2008
- 著者名/発表者名
  Y. Jeong, M. Shindo, H. Takita, M. Akabori, T. Suzuki
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol. (c) (in press)(referred)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Invalidity of graded buffers for InAs grown on GaAs(001)-a comparison between direct and graded-buffer growth2007
- 著者名/発表者名
  Y.Jeong, H.Choi, T.Suzuki
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 301-302
  
  ページ: 235-239
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Invalidity of graded buffers for InAs grown on GaAs(001) a comparison between direct and graded-buffer growth2007
- 著者名/発表者名
  Y. Jeong, H. Choi, T. Suzuki
- 雑誌名
  
  J.Cryst. Growth referred vol.301-302
  
  ページ: 235-239
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Invalidity of graded buffers for InAs grown on GaAs(001)-a comparison between direct and graded-buffer growth2007
- 著者名/発表者名
  Y. Jeong, H. Choi, and T. Suzuki
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 301-302
  
  ページ: 235-239
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Weak antilocalization measurements on a 2-dimensional electron gas in an InGaSb/InAlSb heterostructure2006
- 著者名/発表者名
  V. A. Guzenko, M. Akabori, Th. Schapers, S. Cabanas, T. Sato, T. Suzuki, and S. Yamada
- 雑誌名
  
  phys. stet. sol.(c) 3
  
  ページ: 4227-4230
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Impurity diffusion in InGaAs Esaki tunnel diodes of varied defect densities,2006
- 著者名/発表者名
  H.Ono, S.Taniguchi, T.Suzuki
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. on Electronics E89-C
  
  ページ: 1020-1024
- NAID
  110007538781
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Spin splitting in InGaSb/InAlSb 2DEG having high indium content2006
- 著者名/発表者名
  M,. Akabori, T. Sunouchi, T. Kakegawa, T. Sato, T. Suzuki, S. Yamada
- 雑誌名
  
  Physica E referred vol.34
  
  ページ: 413-416
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Weak antilocalization measurements on a 2-dimensional electron gas in an InGaSb/InAlSb heterostructure2006
- 著者名/発表者名
  V.A. Guzenko, M. Akabori, Th. Schapers, S. Cabanas, T. Sato, T. Suzuki, S. Yamada
- 雑誌名
  
  phys. stat sol. (c) referred vol.3
  
  ページ: 4227-4230
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Spin splitting in InGaSb/InAlSb 2DEG having high indium content2006
- 著者名/発表者名
  M.Akabori, T.Sunouchi, T.Kakegawa, T.Sato, T.Suzuki, S.Yamada
- 雑誌名
  
  Physica E 34
  
  ページ: 413-416
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Weak antilocalization measurements on a 2-dimensional electron gas in an InGaSb/InAlSb heterostructure2006
- 著者名/発表者名
  V.A.Guzenko, M.Akabori, Th.Schapers, S.Cabanas, T.Sato, T.Suzuki, S.Yamada
- 雑誌名
  
  Phys. stat. sol.(c) 3
  
  ページ: 4227-4230
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Dislocation-limited electron transport in InSb grown on GaAs (001)2006
- 著者名/発表者名
  T. Sato, T. Suzuki, S. Tomiya, S. Yamada
- 雑誌名
  
  Physica B referred vol.376-377
  
  ページ: 579-582
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Dislocation-limited electron transport in InSb grown on GaAs(001)2006
- 著者名/発表者名
  T. Sato, T. Suzuki, S. Tomiya, and S. Yamada
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 579-582
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Dislocation-limited electron transport in InSb grown on GaAs(001)2006
- 著者名/発表者名
  T.Sato, T.Suzuki, S.Tomiya, S.Yamada
- 雑誌名
  
  Physica B 376-377
  
  ページ: 579-582
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Spin splitting in InGaSb/InAlSb 2DEG having high indium content2006
- 著者名/発表者名
  M. Akabori, T. Sunouchi, T. Kakegawa, T. Sato, T. Suzuki, and S. Yamada
- 雑誌名
  
  Physica E 34
  
  ページ: 413-416
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[雑誌論文] Spin-splitting analysis of a two-dimensional electron gas in almost strain-free In^<0.89>Ga^<0.11>Sb/In^<0.88>Sb by magnetoresistance measurements
- 著者名/発表者名
  M. Akabori, V.A. Guzenko, T. Sato, Th. Schaepers, T.Suzuki, S. Yamada
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B referred vol.77
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560300
[学会発表] High-frequency and multi-probe-Hall characterizations for AlGaN/GaN heterostructures under Ohmic-metals2022
- 著者名/発表者名
  K. Uryu and T. Suzuki
- 学会等名
  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22815
[学会発表] Depletion width in AlGaN/GaN heterostructures under Ohmic-metals2022
- 著者名/発表者名
  K. Uryu and T. Suzuki
- 学会等名
  54th International Conference on Solid State Devices and Materials 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22815
[学会発表] ダブルリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN-GaN MOSFETのDIBL特性2018
- 著者名/発表者名
  佐藤拓, 瓜生和也, 岡安潤一, 君島正幸, 鈴木寿一
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13348
[学会発表] Threshold voltages of Al2O3/AlGaN/GaN and AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices2017
- 著者名/発表者名
  S. P. Le, D. D. Nguyen, and T. Suzuki
- 学会等名
  49th International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13348
[学会発表] Drain-induced barrier lowering in normally-off AlGaN-GaN MOSFETs with single- or double-recess overlapped gate2017
- 著者名/発表者名
  T. Sato, K. Uryu, J. Okayasu, M. Kimishima, and T. Suzuki
- 学会等名
  49th International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13348
[学会発表] Low-frequency noise exponents in InAs thin films on flexible or GaAs(001) substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. P. Le, T. Ui, and T. Suzuki
- 学会等名
  43rd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  富山国際会議場
- 年月日
  2016-06-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Fabrication and characterization of InAs/high-k/low-k structures2016
- 著者名/発表者名
  T. Ui, R. Mori, S. P. Le, Y. Oshima, and T. Suzuki
- 学会等名
  48th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center (茨城県つくば市)
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13348
[学会発表] Low-frequency noise exponents in InAs thin films on flexible or GaAs(001) substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. P. Le, T. Ui, and T. Suzuki
- 学会等名
  43rd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Toyama International Conference Center (富山県富山市)
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13348
[学会発表] Fabrication and characterization of InAs/high-k/low-k structures2016
- 著者名/発表者名
  T. Ui, R. Mori, S. P. Le, Y. Oshima, and T. Suzuki.
- 学会等名
  48th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2016-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors2015
- 著者名/発表者名
  S. P. Le, T. Ui, T. Q. Nguyen, H.-A. Shih, and T. Suzuki
- 学会等名
  47th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sapporo Convention Center
- 年月日
  2015-09-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046
[学会発表] Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors2015
- 著者名/発表者名
  S. P. Le, T. Ui, T. Q. Nguyen, H.-A. Shih, and T. Suzuki
- 学会等名
  47th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sapporo Convention Center (北海道札幌市)
- 年月日
  2015-09-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13348
[学会発表] Fabrication and characterization of AlTiO/InAlN/AlN/GaN metal-Insulator-semiconductor field-effect transistor2015
- 著者名/発表者名
  S. Yamaguchi, T. Ui, J. Liang, H.-A. Shih, and T. Suzuki
- 学会等名
  47th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sapporo Convention Center (北海道札幌市)
- 年月日
  2015-09-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13348
[学会発表] Low-frequency noise of intrinsic gated region in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
- 著者名/発表者名
  S. P. Le, T. Q. Nguyen, H.-A. Shih, M. Kudo, and T. Suzuki
- 学会等名
  2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2014-09-08 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26249046

1. 宮本恭幸 (40209953)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 金澤徹 (40514922)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 赤堀誠志 (50345667)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 15件

鈴木 寿一 Suzuki Toshi-kazu

研究課題

研究成果

共同研究者

界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

狭ギャップ半導体における低次元鏡像電荷効果に基づく中赤外領域励起子制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ヘテロ構造設計と微細化により低電圧・高速動作を目指した相補型縦型トンネルFET

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

アンチモン系化合物半導体の結晶成長と高周波デバイス回路実装プロセス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Insulator-semiconductor interface fixed charges in AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices with Al2O3 or AlTiO gate dielectrics2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] An InAs/high-k/low-k structure: electron transport and interface analysis2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Low-frequency noise in InAs films bonded on low-k flexible substrates2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Gate-control efficiency and interface state density evaluated from capacitance-frequency-temperature mapping for GaN-based metal-insulator-semiconductor devices2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Low-frequency noise in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices: a comparison with Schottky devices2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Spin-splitting analysis of a two-dimensional electron gas in almost strain-free In_<0.89> Ga_<0.11> Sb/In_<0.88> Al_<0.12>Sb by magnetoresistance measurements2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Epitaxial lift-off of InGaAs/InAlAs metamorphic high electron mobility heterostructures and their van der Waals bonding on AIN ceramic substrates2008

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Epitaxial lift-off of InGaAs/lnAIAs metamorphic high electron mobility heterostructures and their vander Waals bonding on AIN ceramic substrates2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Structural, optical, and electrical characterizations of epitaxial lifted-off InGaAs/InAlAs metamorphic heterostructures bonded on AIN ceramic substrates2008

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鈴木寿一 Suzuki Toshi-kazu