小野行徳 Ono Yukinori

研究者番号	80374073
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2024年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 2013年度 – 2016年度: 富山大学, 大学院理工学研究部(工学), 教授 2015年度: 富山大学, 大学院理工学研究科, 教授 2014年度 – 2015年度: 富山大学, その他の研究科, 教授 2014年度: 富山大学, 理工学研究部(工学), 教授 … もっと見る 2013年度 – 2014年度: 富山大学, 大学院理工学研究部, 教授 2012年度: 富山大学, 大学院・工学研究部, 教授 2012年度: 富山大学, 大学院・理工学研究部, 教授 2012年度: 富山大学, 理工学教育部, 教授 2012年度: 富山大学, 理工学研究部, 教授 2011年度: NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主幹研究員 2009年度 – 2011年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主幹研究員 2006年度 – 2008年度: NTT, 物性科学基礎研究所, 主任研究員 2004年度 – 2008年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 2007年度: NTT, 物性科学基礎研究所, 研究員 2005年度: NTT物性科学基礎研究所, 主任研究員 2004年度: NTT, 物性科学基礎研究所, 主任研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電気電子工学およびその関連分野 / ナノ構造物理 / マイクロ・ナノデバイス研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / ナノ構造物理 / ナノ構造科学 / 理工系
キーワード	研究代表者シリコン / MOSトランジスタ / エネルギー消費 / 単一ドーパント / 電子流体 / エネルギー散逸 / フォノン / ドーパント / 単一電子 / 電子スピン共鳴 … もっと見る / ドナー / チャージポンピング / 平坦バンド / ２次元超格子 / 超流動 / 超伝導 / 電子電子散乱 / 電子正孔２重層 / クーロンドラッグ / 金属絶縁体転移 / 電子流体効果 / 熱電変換 / 電子・電子散乱 / トランジスタ / 単一フォノン / シリコン酸化膜界面 / single-electron turnstile / acceptor / dopant / single electron / donor / 単電子ターンスタイル / アクセプタ / ドーパントエンジニアリング / 少数電子デバイス / マイクロナノデバイス / 電子デバイス・機器 / トンネル効果 / 局在準位 / 振動分光 / 再結合過程 / 電気的読み出しスピン共鳴 / 非弾性トンネル分光 / 不純物原子 / 電子正孔再結合 / 単一電子転送 / ナノ物性制御 / マイクロ・ナノデバイス / ナノ・マイクロ科学 / 単一電子制御 / シングルドーパント … もっと見る研究代表者以外シリコン / 電子デバイス・機器 / 電子スピン共鳴 / 界面欠陥 / MOSFET / EDMR / ドーパント原子 / トンネル現象 / 量子ドット / マイクロ・ナノデバイス / 少数電子素子 / ランダム・テレグラフ・ノイズ / シリコンMOSトランジスタ / ゲートパルス / 凝縮現象 / ゲート制御 / 電子正孔系 / 励起子 / 再結合 / 電子正孔共存系 / シリコンMOSFET / 不純物原子 / EDMR法 / 半導体物性 / 電子捕獲過程 / 局在準位 / シリコントランジスタ / 電子スピン共鳴法 / チャージポンピング法 / 量子準位 / 表面・界面物性 / 電子デバイス・電子機器 / 抵抗変化メモリ / 量子情報処理デバイス / フレキシブルデバイス / 揺らぎ許容デバイス / 省エネルギーデバイス / 先端機能デバイス / 抵抗変化素子 / 接合ダイオード / トランジスタ / ナノデバイス / シングルドーパント / シュタルク効果 / ELスペクトル / 不純物準位 / IV族半導体 / 谷分離効果 / ＥＬスペクトル / 第一原理計算 / ナノキャパシタ / 誘電率 / ＩＶ族半導体 / ナノ構造 / ナノ構造物性 / シリコンナノデバイス / 電子・電気材料 / マルチドット / 単電子デバイス / 走査プローブ顕微鏡隠す

高感度電子スピン共鳴法の開発とこれを用いたナノMOSトランジスタのRTN欠陥解析
- 研究代表者
  
  堀匡寛
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  静岡大学
シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生研究代表者
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  静岡大学
MOSトランジスタ構造を基盤としたシリコン超伝導研究代表者
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2026
- 研究種目
  
  挑戦的研究(開拓)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  静岡大学
電子流体効果を用いた新原理シリコンデバイスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  静岡大学
シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成と量子凝縮現象の発現
- 研究代表者
  
  堀匡寛
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  静岡大学
新原理エレクトロニクス創成に向けた電子系－格子系・高速エネルギー変換技術の確立研究代表者
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2021
- 研究種目
  
  挑戦的研究(開拓)
- 研究分野
  
  電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  静岡大学
シリコン中のドーパント原子を用いた単一フォノン制御研究代表者
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  静岡大学
高感度チャージポンピング・スピン共鳴法の開発と電子対再結合のスピン制御研究代表者
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  静岡大学
   富山大学
単一トラップの分離検出・電子物性評価技術の開発とトラップ物理の新展開
- 研究代表者
  
  土屋敏章
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  島根大学
シリコン中のドーパント原子を用いた高精度電荷制御の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  富山大学
単一原子非弾性トンネル分光と原子スケール・格子系/電子系エネルギー変換技術の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  ナノ構造物理
- 研究機関
  富山大学
ドーパント格子の実現とその磁性制御の研究
- 研究代表者
  
  堀匡寛
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  ナノ構造物理
- 研究機関
  静岡大学
   富山大学
多値ＲｅＲＡＭ搭載のナノドットアレイによる多入力多出力フレキシブルデバイスの研究
- 研究代表者
  
  高橋庸夫
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  北海道大学
シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発
- 研究代表者
  
  田部道晴
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  静岡大学
IV族半導体ナノ構造化による誘電関数制御
- 研究代表者
  
  影島博之
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ構造科学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
シリコン・シングルドーパント・エレクトロニクス研究代表者
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
ナノ多重接合系の輸送制御と新機能デバイスの研究
- 研究代表者
  
  田部道晴
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  静岡大学
シリコン単電子デバイスの時空間輸送制御と新機能の開発
- 研究代表者
  
  田部道晴
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  静岡大学
シリコン中のドナーレベルを用いた単一電子操作研究代表者
- 研究代表者
  
  小野行徳
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

[図書] Silicon Single-Electron Devices, in" Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures eds2009
- 著者名/発表者名
  Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and H. Inokaw, N. Koshida
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures(Silicon Single-Electron Devices)2009
- 著者名/発表者名
  Y.Takahashi, Y.Ono, A.Fujiwara, K.Nishiguchi, H.Inokawa
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[図書] Single-electron transistor and its logic application, in "Information Technology II(volume 4) of Nanotechnology"2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi and A. Fujiwara
- 出版者
  Wiley-VCH Verlag
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[図書] Information Technology II (volume 4) of Nanotechnology2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, A. Fujiwara
- 総ページ数
  23
- 出版者
  Wiley-VCH Verlag
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[図書] Information Technology II (volume 4) of Nanotechnology(Single-electron transistor and its logic application)2008
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, K.Nishiguchi, H.Inokawa, Y.Takahashi, A.Fujiwara
- 出版者
  Wiley-VCH Verlag
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces2023
- 著者名/発表者名
  Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Communications Physics
  
  巻: 6 号: 1
- DOI
  10.1038/s42005-023-01428-1
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294, KAKENHI-PROJECT-20H00241, KAKENHI-PROJECT-20H02203
[雑誌論文] Highly stable Fe/CeO2 catalyst for the reverse water gas shift reaction in the presence of H2S2023
- 著者名/発表者名
  Watanabe Ryo, Karasawa Fumiya, Yokoyama Chikamasa, Oshima Kazumasa, Kishida Masahiro, Hori Masahiro, Ono Yukinori, Satokawa Shigeo, Verma Priyanka, Fukuhara Choji
- 雑誌名
  
  RSC Advances
  
  巻: 13 号: 17 ページ: 11525-11529
- DOI
  10.1039/d3ra01323e
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K21326, KAKENHI-PROJECT-22K18294, KAKENHI-PROJECT-20H00241, KAKENHI-PROJECT-20H02203
[雑誌論文] Magnetometry of neurons using a superconducting qubit2023
- 著者名/発表者名
  Hiraku Toida, Koji Sakai, Tetsuhiko F. Teshima, Masahiro Hori, Kosuke Kakuyanagi, Imran Mahboob, Yukinori Ono & Shiro Saito
- 雑誌名
  
  Communications Physics
  
  巻: 6 号: 1
- DOI
  10.1038/s42005-023-01133-z
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294, KAKENHI-PROJECT-20H00241, KAKENHI-PROJECT-20H02203
[雑誌論文] Room-temperature single-electron tunneling in highly-doped silicon-on-insulator nanoscale field-effect transistors2022
- 著者名/発表者名
  T. Teja. Jupalli, A. Debnath, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, P. Jeevan Kumar, Y. Ono, D. Moraru
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 6 ページ: 065003-065003
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac68cf
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04216, KAKENHI-PROJECT-22K18294, KAKENHI-PROJECT-20H00241
[雑誌論文] Critical conductance of two-dimensional electron gas in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2021
- 著者名/発表者名
  M. Razanoelina, M. Hori, A. Fujiwara, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 10 ページ: 104003-104003
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac25c4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289, KAKENHI-PROJECT-18H05258, KAKENHI-PROJECT-20H00241, KAKENHI-PROJECT-20H02203
[雑誌論文] Detection of arsenic donor electrons using gate-pulse-induced spin-dependent recombination in silicon transistors2021
- 著者名/発表者名
  M. Hori, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 26
- DOI
  10.1063/5.0053196
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289, KAKENHI-PROJECT-20H00241, KAKENHI-PROJECT-20H02203
[雑誌論文] Single-charge band-to-band tunneling via multiple-dopant clusters in nanoscale Si Esaki diodes2019
- 著者名/発表者名
  G. Prabhudesai, M. Muruganathan, L. T. Anh, H. Mizuta, M. Hori, Y. Ono, M. Tabe, D. Moraru
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 114 号: 24
- DOI
  10.1063/1.5100342
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04529, KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-20K20289, KAKENHI-PROJECT-16H06087
[雑誌論文] Charge pumping under spin resonance in Si(100) metal-oxide-semiconductor transistors2019
- 著者名/発表者名
  M. Hori, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Physical Review Applied
  
  巻: 11 号: 6
- DOI
  10.1103/physrevapplied.11.064064
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-20K20289, KAKENHI-PROJECT-16H06087
[雑誌論文] Coulomb-blockade transport in selectively-doped Si nano-transistors2019
- 著者名/発表者名
  A. Afiff, A. Samanta, A. Udhiarto, H. Sudibyo, M. Hori, Y. Ono, M. Tabe, D. Moraru
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 12 号: 8 ページ: 085004-085004
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab2cd7
- NAID
  210000156539
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04529, KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-20K20289, KAKENHI-PROJECT-16H06087
[雑誌論文] Detection of single holes generated by impact ionization in silicon2018
- 著者名/発表者名
  Firdaus Himma、Watanabe Tokinobu、Hori Masahiro、Moraru Daniel、Takahashi Yasuo、Fujiwara Akira、Ono Yukinori
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 113 号: 16 ページ: 163103-163103
- DOI
  10.1063/1.5046865
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H05258, KAKENHI-PROJECT-15H01706, KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-16H06087, KAKENHI-PROJECT-20K20289
[雑誌論文] Detection and Characterization of Single Near-Interface Oxide Traps with the Charge Pumping Method2018
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Hori, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Proceedings of 2018 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA)
  
  巻: - ページ: 1-4
- DOI
  10.1109/ipfa.2018.8452495
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-16H06087, KAKENHI-PROJECT-20K20289
[雑誌論文] Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon2018
- 著者名/発表者名
  Firdaus Himma、Watanabe Tokinobu、Hori Masahiro、Moraru Daniel、Takahashi Yasuo、Fujiwara Akira、Ono Yukinori
- 雑誌名
  
  Nature Communications
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 48131-48131
- DOI
  10.1038/s41467-018-07278-8
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H05258, KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-16H06087, KAKENHI-PROJECT-20K20289
[雑誌論文] Time-domain charge pumping on silicon-on-indulator MOS devices2017
- 著者名/発表者名
  T.Watanabe, M.Hori, T.Tsuchiya, A.Fujiwara, Y.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 56 号: 1 ページ: 011303-011303
- DOI
  10.7567/jjap.56.011303
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-26289105, KAKENHI-PROJECT-15K13970
[雑誌論文] Manipulation of single charges using dopant atoms in silicon-Interplay with intervalley phonon emission-2017
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Hori, G.P.Lansbergen, A.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Springer Advances in intelligent system and computing
  
  巻: 519 ページ: 137-141
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[雑誌論文] Real-time Monitoring of Charge-pumping Process for SiO2/Si Interface Analysis2017
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Watanabe and Y. Ono
- 雑誌名
  
  Intl. Symp. Elec. and Com. Eng
  
  巻: - ページ: 52-56
- DOI
  10.1109/qir.2017.8168450
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-16H06087, KAKENHI-PROJECT-20K20289
[雑誌論文] EDMR on recombination process in silicon MOSFETs at room temperature2017
- 著者名/発表者名
  M.Hori, Y.Ono
- 雑誌名
  
  Springer Advances in intelligent system and computing
  
  巻: 519 ページ: 89-93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[雑誌論文] Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon - Interplay with Intervalley Phonon Emission2017
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, M. Hori, G. P. Lansbergen, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Springer Series Advances in Intelligent Systems and Computing, Recent Global Research and Education :Technological Challenges
  
  巻: 519 ページ: 137-141
- DOI
  10.1007/978-3-319-46490-9_20
- ISBN
  9783319464893, 9783319464909
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06087, KAKENHI-PROJECT-15K13970
[雑誌論文] Improvement of charge-pumping electrically detected magnetic resonance and its application to silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2017
- 著者名/発表者名
  M.Hori, T.Tsuchiya, Y.Ono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 10 号: 1 ページ: 015701-015701
- DOI
  10.7567/apex.10.015701
- NAID
  210000135738
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-16H06087, KAKENHI-PROJECT-26289105, KAKENHI-PROJECT-15K13970
[雑誌論文] Single-electron quantization at room temperature in a-few-donor quantum dot in silicon nano-transistors2017
- 著者名/発表者名
  A.Samanta, M.Muruganathan, M.Hori, Y.Ono, H.Mizuta, M.Tabe, D.Moraru
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 110 号: 9
- DOI
  10.1063/1.4977836
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339, KAKENHI-PROJECT-16H06087, KAKENHI-PROJECT-15K13970
[雑誌論文] EDMR on Recombination Process in Silicon MOSFET at Room Temperature2017
- 著者名/発表者名
  M. Hori, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Springer Series Advances in Intelligent Systems and Computing, Recent Global Research and Education :Technological Challenges
  
  巻: 519 ページ: 89-93
- DOI
  10.1007/978-3-319-46490-9_13
- ISBN
  9783319464893, 9783319464909
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H06087, KAKENHI-PROJECT-15K13970
[雑誌論文] Electrical activation and electron spin resonance measurements of arsenic implanted in silicon2015
- 著者名/発表者名
  M. Hori, M. Uematsu, A. Fujiwara, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 14
- DOI
  10.1063/1.4917295
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600015, KAKENHI-PROJECT-15K13970, KAKENHI-PROJECT-25289098, KAKENHI-PROJECT-25706003
[雑誌論文] Fabrication and single-electron-transfer operation of a triple-dot single-electron transistor2015
- 著者名/発表者名
  M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 118 号: 21
- DOI
  10.1063/1.4936790
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970, KAKENHI-PROJECT-15J01747, KAKENHI-PROJECT-26630141, KAKENHI-PROJECT-25286068, KAKENHI-PROJECT-25289098
[雑誌論文] Charge pumping current from single Si/SiO2 interface traps: Direct observation of Pb centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method2015
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 4S ページ: 04DC01-04DC01
- DOI
  10.7567/jjap.54.04dc01
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[雑誌論文] Evaluation of Accuracy of Charge Pumping Current in Time Domain2015
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics
  
  巻: E98.C 号: 5 ページ: 390-394
- DOI
  10.1587/transele.E98.C.390
- NAID
  130005067742
- ISSN
  0916-8524, 1745-1353
- 言語
  英語
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970, KAKENHI-PROJECT-25289098, KAKENHI-PROJECT-26289105, KAKENHI-PROJECT-25706003
[雑誌論文] Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method2015
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54(4S)
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[雑誌論文] Evaluation of accuracy of charge pumping current in time domain2015
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori T. Tsuchiya, Y. Ono
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. Electron.
  
  巻: Vol. E98-C, No. 5 ページ: 390-394
- NAID
  130005067742
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[雑誌論文] Direct observation of electron emission and recombination processes by time domain measurements of charge pumping current2015
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 4
- DOI
  10.1063/1.4906997
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128, KAKENHI-PROJECT-25289098, KAKENHI-PROJECT-25600015, KAKENHI-PROJECT-25706003, KAKENHI-PROJECT-26289105
[雑誌論文] Single-electron thermal noise2014
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 25 号: 27 ページ: 275201-275201
- DOI
  10.1088/0957-4484/25/27/275201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128
[雑誌論文] Analysis of electron capture process in charge pumping sequence using time domain measurements2014
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 105 号: 26
- DOI
  10.1063/1.4905032
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128, KAKENHI-PROJECT-25289098, KAKENHI-PROJECT-25600015, KAKENHI-PROJECT-25706003, KAKENHI-PROJECT-26289105
[雑誌論文] Electron and hole mobilities at a Si/SiO2 interface with giant valley splitting2013
- 著者名/発表者名
  Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama
- 雑誌名
  
  Appllied Physics Letters
  
  巻: 102 号: 19
- DOI
  10.1063/1.4803014
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128, KAKENHI-PROJECT-25289098, KAKENHI-PROJECT-25600015
[雑誌論文] Electron spin resonance study on pure single crystalline sapphire2013
- 著者名/発表者名
  M. Hori, N. Fukumoto, Y. Ono, R. Chikaoka, S. Moriwaki, N. Mio
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi C
  
  巻: 10 号: 12 ページ: 1681-1683
- DOI
  10.1002/pssc.201300321
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128, KAKENHI-PROJECT-25600015, KAKENHI-PROJECT-25706003
[雑誌論文] X-ray and photoluminescence properties of Sm3+ doped barium sulfide2012
- 著者名/発表者名
  Maeda, K., Kawaida, N.,Tsudome, R., Sakai, K., Ikari, T..
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (C)
  
  巻: 9(12) 号: 12 ページ: 93-96
- DOI
  10.1002/pssc.201200321
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560024, KAKENHI-PROJECT-25289098
[雑誌論文] Donor-Based Single Electron Pumps with Tunable Donor Binding Energy2012
- 著者名/発表者名
  G. P. Lansbergen, Y. Ono, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Nano Letters
  
  巻: Vol.12 ページ: 763-768
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Electrical measurements of terphenyl-based molecular devices2011
- 著者名/発表者名
  T. Goto, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Torimitsu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: Vol.50, No.7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, and A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: Vol. 98 号: 11
- DOI
  10.1063/1.3360224
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310062
[雑誌論文] Enhancing secondary electron detection efficiency by applying a substrate bias voltage for deterministic single-ion Doping2011
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Shinada, K. Taira, A. Komatsubara, Y. Ono, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: Vol.4, No.3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.98, No.3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Carrier transport in indium-doped p-channel silicon-on-insulator transistors doped with indium between 30 to 285 K2011
- 著者名/発表者名
  M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, J. Noborisaka, G. P. Lansbergen, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: Vol.110, No.19
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  Jin-ichiro Noborisaka, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono, Hiroyuki Kageshima, Akira Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310062
[雑誌論文] Impact of a few dopant positions controlled by deterministic single-ion doping on the transconductance of field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Shinada, Y. Ono, A. Komatsubara, K. Kumagai, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.99, No.6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Bound exciton photoluminescence from ion-implanted phosphorus in thin silicon layers2011
- 著者名/発表者名
  H. Sumikura, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, M. Notomi
- 雑誌名
  
  Optics Express
  
  巻: Vol.19, No.25 ページ: 2525-2562
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Single-electron counting statistics of shot noise in nanowire Si MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.98, No.19
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Significance of the interface regarding magnetic properties of Mn-nanosilicide in silicon2011
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, Y. Miyazaki, S. Yabuuchi, H. Kageshima, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.519, No.24 ページ: 8505-8508
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Strong Stark effect in electroluminescence from phosphorous-doped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  J.Noborisaka, K.Nishiguchi, Y.Ono, H.Kageshima, A.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Significance of the interface regarding magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon2011
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: Vol.519 号: 24 ページ: 8505-8508
- DOI
  10.1016/j.tsf.2011.05.027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Single-electron transport through single dopants in a dopant-rich environment Phys2010
- 著者名/発表者名
  M. Tabe, D. Moraru, M. Ligowski, M. Anwar, R. Jablonski, Y. Ono, T. Mizuno
- 雑誌名
  
  Rev. Lett
  
  巻: Vol.105, No.1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Tunneling spectroscopy of electron subbands in thin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2010
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, K. Nishiguchi, H. Kageshima, Y. Ono, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.96, No.11
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Single-electron transport through single dopants in a dopant-rich environment2010
- 著者名/発表者名
  M.Tabe, D.Moraru, M.Ligowski, M.Anwar,R.Jablonski, Y.Ono, T.Mizuno
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.Lett. Vol.105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Resonant escape over an oscillating barrier in a single-electron ratchet transfer2010
- 著者名/発表者名
  S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: Vol.82, No.3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Electrons and holes in a 40nm thick silicon slab at cryogenic temperatures2009
- 著者名/発表者名
  K.Takashina, K.Nishiguchi, Y.Ono, A.Fujiwara, T.Fujisawa, Y.Hirayama, K.Muraki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2009
- 著者名/発表者名
  M.A.H.Khalafalla, Y.Ono, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2009
- 著者名/発表者名
  M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.94, No.22
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Electrons and holes in a 40nm thick silicon slab at cryogenic temperatures2009
- 著者名/発表者名
  K. Takashina, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, Y. Hirayama, K. Muraki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.94, No.14
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Horizontal position analysis of single acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2009
- 著者名/発表者名
  M.A.H.Khalafalla, Y.Ono, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.94
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] First-principles study on origin of ferromagnetism of MnSil. 7 nanoparticles in Si2008
- 著者名/発表者名
  S. Yabuuchi, H. Kageshima, Y. Ono, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Vol.B78
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Silicon single-charge transfer devices2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Takahashi, and H. Inokawa
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. Solids 69
  
  ページ: 702-707
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Ferromagnetism of manganese-silicide nanopariticles in Silicon2008
- 著者名/発表者名
  S. Yabuuchi, Y. Ono, H. Kageshima, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: Vol.47, No.6 ページ: 4487-4450
- NAID
  40016110965
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] A gate-defined silicon quantum dot molecule2008
- 著者名/発表者名
  H. W. Liu, T. Fujisawa, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: Vol.92, No.22
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] A gate-defined silicon quantum dot molecule2008
- 著者名/発表者名
  H. W. Liu, T. Fujisawa, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol.92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Nanoampere charge pump by single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2008
- 著者名/発表者名
  A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Single-electron-resolution electrometer based on field-effect transistor2008
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguchi, C. Koechlin, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: Vol.47, No.11 ページ: 8305-8310
- NAID
  40016346937
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Escape dynamics of a few electrons in a single-electron ratchet using silicon nanowire metaloxide-semiconductor field-effect transistor2008
- 著者名/発表者名
  S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. Vol.93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Appl. Sur. Sci
  
  巻: Vol.254, No.19 ページ: 6252-6256
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Single-Electron-Resolution Electrometer Based on Field-Effect Transistor2008
- 著者名/発表者名
  2. K. Nishiguchi, C. Koechlin, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.47
  
  ページ: 8305-8310
- NAID
  40016346937
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Ferromagnetism of manganese-silicide nanopariticles in Silicon2008
- 著者名/発表者名
  S. Yabuuchi, Y. Ono, H. Kageshima, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. Vol.47
  
  ページ: 4487-4450
- NAID
  40016110965
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Pauli-spin-blockade transport through a silicon double quantum dot2008
- 著者名/発表者名
  H. W. Liu, T. Fujisawa, Y. Ono, H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Takashina, and Y. Hirayama
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 77
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] First-principles study on origin of ferromagnetism of MnSi1. 7 nanoparticles in Si2008
- 著者名/発表者名
  S. Yabuuchi, H. Kageshima, Y. Ono, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B
  
  巻: Vol.78, No.4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Why the long-term charge offset drift in Si single-electron tunneling transistors is much smaller(better) than in metal-based ones : Two-level fluctuator stability2008
- 著者名/発表者名
  N. M. Zimmerman, W. H. Huber, B. Simonds, E. Hourdakis, A. Fujiwara, Y. Ono, Y. Takahashi, H. Inokawa, M. Furlan, M. W. Keller
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: Vol.104, No.
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Silicon single-charge transfer devices2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 雑誌名
  
  J. Phys. Chem. Solids 69
  
  ページ: 702-707
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] First-principles study on origin of ferromagnetism of MnSi1.7 nanoparticles in Si2008
- 著者名/発表者名
  S.Yabuuchi, H.Kageshima, Y.Ono, M.Nagase, A.Fujiwara, E.Ohta
- 雑誌名
  
  Phys.Rev.B Vol.78
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Silicon single-charge transfer devices2008
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 雑誌名
  
  J.Phys.Chem.Solids 69
  
  ページ: 702-707
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Escape dynamics of a few electrons in a single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2008
- 著者名/発表者名
  S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: Vol.93, No.22
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Appl. Sur. Science Vol.254
  
  ページ: 6252-6256
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[雑誌論文] Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors2007
- 著者名/発表者名
  W. C. Zhang, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, and N. J. Wu
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. Electron. E-90C
  
  ページ: 943-948
- NAID
  110007519656
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Low-Temperature Characteristics of Ambipolar SiO_2/Si/SiO_2 Hall-Bar Devices2007
- 著者名/発表者名
  K. Takashina, B. Gaillaed, Y. Ono, and Y. Hirayama
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 2596-2598
- NAID
  10022546885
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters vol.90 No.10
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Infrared detection with silicon nano field-effect transistor2007
- 著者名/発表者名
  K. Nishiguch, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorous-doped silicon nanowires2007
- 著者名/発表者名
  D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, H. Ikeda, and M. Tabe
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B 76
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Impact of space-energy correlation on variable-range hopping in transistors2007
- 著者名/発表者名
  J.-F. Morizur, Y. Ono, H. Kageshima, H. Inokawa, and H. Yamaguchi
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Letts. 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Ltters Vol.90, No.10
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorous-doped silicon nanowires2007
- 著者名/発表者名
  D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa and M. Tabe
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B Vol.76, no.7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063010
[雑誌論文] Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorousdoped silicon nanowires2007
- 著者名/発表者名
  D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, M. Tabe
- 雑誌名
  
  Physical Review B Vol.76,no.7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063010
[雑誌論文] Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorous-doped silicon nanowires2007
- 著者名/発表者名
  D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa and M. Tabe
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B Vol.76, no.7
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16106006
[雑誌論文] Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, and A. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol. 90, No. 10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Effect of UV/Ozone Treatment on Nanogap Electrodes for Molecular Devices2007
- 著者名/発表者名
  T. Goto, H. Inokawa, M. Nagase, Y. Ono, K. Sumitomo, and K. Torimitsu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 1731-1733
- NAID
  10022547152
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Anomalous resistance ridges along filling factor v=4i2007
- 著者名/発表者名
  K. Takashima, M. Brun, T. Ota, D. K. Maude, A. Fujiwara, Y. Ono, Y. Takahashi, and Y. Hirayama
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Letts. 99
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K2006
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Physical Review B Vol.74,No.23
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K2006
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Physical Review B Vol. 74, No. 23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K2006
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Physical Review B Vol.74, No.23
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Charge-state control of phosphorus donors in silocon-on-insulator Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2005
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.4B
  
  ページ: 2588-2591
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Charge-state control of phosphorus donors in silicon-on-insulator metal- oxide- semiconductor field-effect transistors2005
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.4B
  
  ページ: 2588-2591
- NAID
  10015704970
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Manipulation and detection of single electrons for future information processing2005
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.97, No.3
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Manipulation and detection of single electrons for future information processing2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.97,No.3
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Manipulation and detection of single electrons for future information processing2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, A.Fujiwara, K.Nishiguchi, H.Inokawa, Y.Takahashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.97, No.3
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Charge-state control of phosphorus donors in silocon-on-insulator Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2005
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.4B
  
  ページ: 2588-2591
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Charge-state control of phosphorus donors in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, K.Nishiguchi, H.Inokawa, S.Horiguchi, Y.Takahashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.4B(to be published)
- NAID
  10015704970
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Error mechanisms and rates in tunable-barrier single-electron turnstiles and charge-coupled devices2004
- 著者名/発表者名
  N.M.Zimmerman, E.Hourdakis, Y.Ono, A.Fujiwara, Y.Takahashi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics Vol.96, No.9
  
  ページ: 5254-5266
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Real-time observation of single-electron movement through silicon single-electron transistor2004
- 著者名/発表者名
  S.-J Kim, Y.Ono, Y.Takahashi, J.B.Choi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.43, No.10
  
  ページ: 6863-6867
- NAID
  10013744830
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[雑誌論文] Multilevel memory using an electrically formed single-electron box2004
- 著者名/発表者名
  K.Nishiguchi, H.Inokawa, Y.Ono, A.Fujiwara, Y.Takahashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.85, No.7
  
  ページ: 1277-1279
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[産業財産権] 半導体発光素子2011
- 発明者名
  登坂仁一郎、西口克彦、小野行徳、影島博之、藤原聡
- 権利者名
  登坂仁一郎、西口克彦、小野行徳、影島博之、藤原聡
- 産業財産権番号
  2011-051146
- 出願年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310062
[産業財産権] 半導体発光素子2011
- 発明者名
  登坂仁一郎, 西口克彦, 小野行徳, 影島博之, 藤原聡
- 権利者名
  登坂仁一郎, 西口克彦, 小野行徳, 影島博之, 藤原聡
- 産業財産権番号
  2011-051146
- 出願年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310062
[産業財産権] 半導体装置2004
- 発明者名
  小野行徳, 他二名
- 権利者名
  NTT
- 産業財産権番号
  2004-238091
- 出願年月日
  2004-08-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[産業財産権] 半導体装置2004
- 発明者名
  小野行徳, 西口克彦, 猪川洋
- 権利者名
  NTT
- 産業財産権番号
  2004-238091
- 出願年月日
  2004-08-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (11) - 捕獲電子の再結合課程(Ⅳ) -2024
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成2024
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (10) -捕獲電子の再結合過程(Ⅲ)-2024
- 著者名/発表者名
  土屋敏章、堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (11) -捕獲電子の再結合過程(Ⅳ)-2024
- 著者名/発表者名
  土屋敏章、堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (10) - 捕獲電子の再結合課程(Ⅲ) -2024
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成2024
- 著者名/発表者名
  堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] Electrical formation of electron-hole bilayer system in Si MOS transistors2023
- 著者名/発表者名
  Masahiro Hori, Jinya Kume, Yukinori Ono
- 学会等名
  2023 International conference on solid state devices and materials (SSDM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) - 捕獲電子の再結合課程(Ⅰ) -2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] Silicon Electron Nano-Aspirator - Current enhancement based on electron-electron scattering -2023
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] シリコンMOS界面における電子正孔共存系の形成2023
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] 超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定2023
- 著者名/発表者名
  樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, Imran Mahboob, 小野行徳, 齊藤志郎
- 学会等名
  2023年日本物理学会春季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)-2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (10) - 捕獲電子の再結合課程(Ⅲ) -2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) - 捕獲電子の再結合課程(Ⅰ) -2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] Drag of Electron-Hole Bilayer in Silicon-on-Insulator at Low Temperature2023
- 著者名/発表者名
  Ahmed Nabil, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) - 捕獲電子の再結合課程(Ⅱ) -2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] 超伝導磁束量子ビットによるシリコン中ビスマス不純物の磁化測定2023
- 著者名/発表者名
  樋田啓、角柳孝輔、Leonid V. Abdurakhimov、堀匡寛、小野行徳、齊藤志郎
- 学会等名
  日本物理学会第78回年次大会（2023年）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] 超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定2023
- 著者名/発表者名
  樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, Imran Mahboob, 小野行徳, 齊藤志郎
- 学会等名
  2023年日本物理学会春季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (11) - 捕獲電子の再結合課程(Ⅳ) -2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] Electrical formation of electron-hole bilayer system in Si MOS transistors2023
- 著者名/発表者名
  Masahiro Hori, Jinya Kume, Yukinori Ono
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] Silicon Electron Nano-Aspirator - Current enhancement based on electron-electron scattering -2023
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) -捕獲電子の再結合過程(I)-2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章、堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] 超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定2023
- 著者名/発表者名
  樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, Imran Mahboob, 小野行徳, 齊藤志郎
- 学会等名
  2023年日本物理学会春季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用2023
- 著者名/発表者名
  小野行徳
- 学会等名
  第1回研究会「エネルギーの高効率利用を考える革新的システムナノ技術」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 -2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 -2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) - 捕獲電子の再結合課程(Ⅱ) -2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] Drag of Electron-Hole Bilayer in Silicon-on-Insulator at Low Temperature2023
- 著者名/発表者名
  Ahmed Nabil, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] Electrical formation of electron-hole bilayer system in Si MOS transistors2023
- 著者名/発表者名
  Masahiro Hori, Jinya Kume, Yukinori Ono
- 学会等名
  2023 International conference on solid state devices and materials (SSDM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] Drag of Electron-Hole Bilayer in Silicon-on-Insulator at Low Temperature2023
- 著者名/発表者名
  Ahmed Nabil, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) -捕獲電子の再結合過程(Ⅱ)-2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章、堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 -2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用2023
- 著者名/発表者名
  小野行徳
- 学会等名
  第1回研究会「エネルギーの高効率利用を考える革新的システムナノ技術」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)-2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用2023
- 著者名/発表者名
  小野行徳
- 学会等名
  共同プロジェクト研究(R02/S01) 先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用東北大学－静岡大学合同冬季研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用2023
- 著者名/発表者名
  小野行徳
- 学会等名
  共同プロジェクト研究(R02/S01) 先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用東北大学－静岡大学合同冬季研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)-2023
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2023年第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（1）-両性準位のDOS-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (5) -タイプ4と5の識別-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (5) -タイプ4と5の識別-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] Electrical formation of electron-hole coexisting system at Si MOS interfaces2022
- 著者名/発表者名
  Jinya Kume, Yukinori Ono, and Masahiro Hori
- 学会等名
  第24回高柳健次郎記念シンポジウム
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（3）-ドナー型準位-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Si MOSFETにおける電子スピン共鳴チャージポンピング2022
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  東北大学-静岡大学合同冬季研究会共同プロジェクト研究（R02/S01）先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] Si MOSFETにおける電子スピン共鳴チャージポンピング2022
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  東北大学-静岡大学合同冬季研究会共同プロジェクト研究（R02/S01）先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（3）-ドナー型準位-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (4) -欠陥構造緩和-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (4) -欠陥構造緩和-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（1）-両性準位のDOS-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] Electrical formation of electron-hole coexisting system at Si MOS interfaces2022
- 著者名/発表者名
  Jinya Kume, Yukinori Ono, and Masahiro Hori
- 学会等名
  第24回高柳健次郎記念シンポジウム
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（2）-アクセプタ型準位-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（3）-ドナー型準位-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] Control of Electronic Charges and Currents in Nano-scaled Silicon2022
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  ICTA 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] Control of Electronic Charges and Currents in Nano-scaled Silicon2022
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  ICTA 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] Si MOSFETにおける電子スピン共鳴チャージポンピング2022
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  東北大学-静岡大学合同冬季研究会共同プロジェクト研究（R02/S01）先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Electrical formation of electron-hole coexisting system at Si MOS interfaces2022
- 著者名/発表者名
  Jinya Kume, Yukinori Ono, and Masahiro Hori
- 学会等名
  第24回高柳健次郎記念シンポジウム
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (4) -欠陥構造緩和-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（1）-両性準位のDOS-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (5) -タイプ4と5の識別-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K18294
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（2）-アクセプタ型準位-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（2）-アクセプタ型準位-2022
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Electron-electron scattering in silicon and its impact on future emerging devices2021
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 学会等名
  6th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2021)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] 4端子シリコン・エサキダイオードの作製と低温特性評価2021
- 著者名/発表者名
  金原涼伽, 加藤拓也, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] ナノスケールシリコンにおける電荷と電流の制御2021
- 著者名/発表者名
  小野行徳
- 学会等名
  第23回高柳健次郎記念シンポジウム
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成手法の確立2021
- 著者名/発表者名
  久米仁也, 小野行徳, 堀匡寛
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング2021
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] 4端子シリコン・エサキダイオードの作製と低温特性評価2021
- 著者名/発表者名
  金原涼伽, 加藤拓也, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] チャージポンピングEDMRを用いたシリコントランジスタ中のヒ素ドナー電子の検出2021
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] チャージポンピングEDMRを用いたシリコントランジスタ中のヒ素ドナー電子の検出2021
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] Charge Pumping under Electron Spin Resonance in Si MOSFETs - Identification of Interface Defects and Detection of Donor Electrons -2021
- 著者名/発表者名
  M. Hori, Y. Ono
- 学会等名
  2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY （IWDTF 2021）
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター2021
- 著者名/発表者名
  小野行徳,フィルダウスヒンマ, 渡邉時暢, 堀匡寛, モラルダニエル, 高橋庸夫, 藤原聡
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon2021
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 学会等名
  東北大学電気通信研究所令和2年度共同プロジェクト研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] Charge Pumping under Electron Spin Resonance in Si MOSFETs - Identification of Interface Defects and Detection of Donor Electrons -2021
- 著者名/発表者名
  M. Hori, Y. Ono
- 学会等名
  2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY （IWDTF 2021）
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成手法の確立2021
- 著者名/発表者名
  久米仁也, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Charge pumping under electron spin resonance in Si MOSFETs-Identification of interface defects and detection of donor electrons-2021
- 著者名/発表者名
  M. Hori, Y. Ono
- 学会等名
  International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2021 IWDTF)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] 4端子シリコン・エサキダイオードの作製と低温特性評価2021
- 著者名/発表者名
  金原涼伽, 加藤拓也, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon2021
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 学会等名
  東北大学電気通信研究所令和2年度共同プロジェクト研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成手法の確立2021
- 著者名/発表者名
  久米仁也, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] ナノスケールシリコンにおける電荷と電流の制御2021
- 著者名/発表者名
  小野行徳
- 学会等名
  第23回高柳健次郎記念シンポジウム
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] チャージポンピングEDMRを用いたシリコントランジスタ中のヒ素ドナー電子の検出2021
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] Electron-electron scattering in silicon and its impact on future emerging devices2021
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 学会等名
  6th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2021)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00241
[学会発表] シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング2020
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] チャージポンピング法による単一Pb1センターの検出2020
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター2020
- 著者名/発表者名
  小野行徳, ヒンマフィルダス, 渡邉時暢, 堀匡寛, ダニエルモラル, 高橋庸夫, 藤原聡
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Performance and limitations of Si electron nano-aspirator2020
- 著者名/発表者名
  M. Razanoelina, H. Firdaus, Y. Ono
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Performance and limitations of Si electron nano-aspirator2020
- 著者名/発表者名
  M. Razanoelina, H. Firdaus, Y. Ono
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング2020
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング（再講演）2020
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター2020
- 著者名/発表者名
  小野行徳, ヒンマフィルダス, 渡邉時暢, 堀匡寛, ダニエルモラル, 高橋庸夫, 藤原聡
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] シリコンMOSトランジスタにおける電子スピン共鳴下のチャージポンピング2020
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] チャージポンピング法による単一Pb1センターの検出2020
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター2020
- 著者名/発表者名
  小野行徳,フィルダウスヒンマ, 渡邉時暢, 堀匡寛, モラルダニエル, 高橋庸夫, 藤原聡
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター（再講演）2020
- 著者名/発表者名
  小野行徳, フィルダスヒンマ, 渡邉時暢, 堀匡寛, モラルダニエル, 高橋庸夫, 藤原聡
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02203
[学会発表] Si Electron Nano-Aspirator towards Emerging Hydro-Electronics2019
- 著者名/発表者名
  M. Razanoelina, H. Firdaus, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  2019 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] 単一 MOS 界面トラップの2電子準位の相関 II -電子捕獲過程-2019
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Low-Temperature Transport Properties of SOI MOS Transistors2019
- 著者名/発表者名
  K. Zelenska, T. Watanabe, Y. Ono
- 学会等名
  Inter Academia2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Effect of dimensionality on the formation of dopant-induced quantum-dots in heavily doped Si Esaki diodes2019
- 著者名/発表者名
  G.Prabhudesai, M.Manoharan, M.Hori, Y.Ono, H.Mizuta, M.Tabe, D.Moraru
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Si Electron Nano-Aspirator towards Emerging Hydro-Electronics2019
- 著者名/発表者名
  M. Razanoelina, H. Firdaus, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  2019 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] シリコンMOS界面におけるチャージポンピングEDMR2019
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Charge pumping in silicon MOSFETs - towards ultimate control of charges and spins -2019
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] 単一 MOS 界面トラップの2電子準位の相関 I -準位密度分布-2019
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Electron-electron scattering in nano-scaled sillicon2019
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 学会等名
  5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] シリコンにおける電子-電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター2019
- 著者名/発表者名
  小野行徳
- 学会等名
  電子情報通信学会 ED・CPM・SDM 共催平成３１年度５月研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Si electron nano-aspirator en-route for energy-efficient hydro-electronic devices2019
- 著者名/発表者名
  M. Razanoelina, H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] シリコンMOS界面におけるチャージポンピングEDMR2019
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon2019
- 著者名/発表者名
  H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  The 21st Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon2019
- 著者名/発表者名
  H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  The 21st Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] シリコンMOS界面のチャージポンピングEDMRにおける信号強度の温度依存性2019
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Performance Limitations of Nanoscale Si Electron-Aspirator2019
- 著者名/発表者名
  H. Firdaus, M. Razanoelina, Y. Ono
- 学会等名
  Inter-Academia2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Charge pumping EDMR on silicon MOSFETs2019
- 著者名/発表者名
  M. Hori, Y. Ono
- 学会等名
  5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Electron-electron scattering in nano-scaled sillicon2019
- 著者名/発表者名
  Yukinori Ono
- 学会等名
  5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology(ICONN2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Charge pumping in silicon MOSFETs-towards ultimate control of charges and spins -2019
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Si electron nano-aspirator en-route for energy-efficient hydro-electronic devices2019
- 著者名/発表者名
  M. Razanoelina, H. Firdaus, T. Watanabe, M. Hori, D. Moraru, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Effect of dimensionality on the formation of dopant-induced quantum-dots in heavily doped Si Esaki diodes2019
- 著者名/発表者名
  G.Prabhudesai, M.Manoharan, M.Hori, Y.Ono, H.Mizuta, M.Tabe, D.Moraru
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Performance Limitations of Nanoscale Si Electron-Aspirator2019
- 著者名/発表者名
  H. Firdaus, M. Razanoelina,Y. Ono
- 学会等名
  Inter-Academia2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] シリコンにおける電子-電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター2019
- 著者名/発表者名
  小野行徳
- 学会等名
  電子情報通信学会 ED・CPM・SDM 共催平成３１年度５月研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] 単一 MOS 界面トラップの2電子準位の相関 II -電子捕獲過程-2019
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] シリコンMOS界面のチャージポンピングEDMRにおける信号強度の温度依存性2019
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] 2トラップ間のチャージポンピング相互作用2019
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Low-Temperature Transport Properties of SOI MOS Transistors2019
- 著者名/発表者名
  K. Zelenska, T. Watanabe, Y. Ono
- 学会等名
  Inter Academia2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Charge pumping EDMR on silicon MOSFETs2019
- 著者名/発表者名
  M. Hori, Y. Ono
- 学会等名
  5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] 単一 MOS 界面トラップの2電子準位の相関 I -準位密度分布-2019
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] 2トラップ間のチャージポンピング相互作用2019
- 著者名/発表者名
  土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] 身近な糖を燃料とするバイオ発電デバイスの開発2018
- 著者名/発表者名
  三宅丈雄、堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] ＰｔＨｆＳｉ/ｐ－Ｓｉ（100）ショットキー接合の低温特性2018
- 著者名/発表者名
  渡邉時暢、多胡友、杉浦史悦、堀匡寛、小野行徳、塚本裕也、大見俊一郎
- 学会等名
  平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] チャージポンピングEDMR法を用いたSiO2/Si界面の欠陥検出2018
- 著者名/発表者名
  堀匡寛,小野行徳
- 学会等名
  2018年日本表面真空学会中部支部研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Detection and Characterization of Single Near-Interface Oxide Traps with the Charge Pumping Method2018
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Hori, Y. Ono
- 学会等名
  International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] チャージポンピングEDMR法における信号強度の温度異存性評価2018
- 著者名/発表者名
  安藤克哉、堀匡寛、土屋敏章、小野行徳
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] チャージポンピング法によるSi/SiO2界面近傍酸化膜トラップの評価2018
- 著者名/発表者名
  土屋敏章、堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] チャージポンピングＥＤＭＲ法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出2018
- 著者名/発表者名
  堀匡寛、土屋敏章、小野行徳
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] チャージポンピングEDMR法を用いたSiO2/Si界面の欠陥検出2018
- 著者名/発表者名
  堀匡寛,小野行徳
- 学会等名
  2018年日本表面真空学会中部支部研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Remote Detection of Holes Generated by Impact Ionization2018
- 著者名/発表者名
  H.Firdaus,M.Hori,Y.Ono
- 学会等名
  17th International Conference on Global Research and Education Inter-Academia 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング2018
- 著者名/発表者名
  渡邉時暢、堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] チャージポンピング法によるSi/SiO2界面近傍酸化膜トラップの評価2018
- 著者名/発表者名
  土屋敏章、堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] 身近な糖を燃料とするバイオ発電デバイスの開発2018
- 著者名/発表者名
  三宅丈雄、堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Remote Detection of Holes Generated by Impact Ionization2018
- 著者名/発表者名
  H.Firdaus,M.Hori,Y.Ono
- 学会等名
  17th International Conference on Global Research and Education Inter-Academia 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] チャージポンピングEDMR法における信号強度の温度異存性評価2018
- 著者名/発表者名
  安藤克哉、堀匡寛、土屋敏章、小野行徳
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] チャージポンピングＥＤＭＲ法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出2018
- 著者名/発表者名
  堀匡寛、土屋敏章、小野行徳
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Detection and Characterization of Single Near-Interface Oxide Traps with the Charge Pumping Method2018
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, M. Hori, Y. Ono
- 学会等名
  International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] ＰｔＨｆＳｉ/ｐ－Ｓｉ（100）ショットキー接合の低温特性2018
- 著者名/発表者名
  渡邉時暢、多胡友、杉浦史悦、堀匡寛、小野行徳、塚本裕也、大見俊一郎
- 学会等名
  平成29年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Charge pumping EDMR towards ultimate charge/spin control at room temperature in silicon2017
- 著者名/発表者名
  M.Hori and Y.Ono
- 学会等名
  IV Bilateral Italy-Japan Seminar
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Charge pumping EDMR towards ultimate charge/spin control at room temperature in silicon2017
- 著者名/発表者名
  M.Hori and Y.Ono
- 学会等名
  IV Bilateral Italy-Japan Seminar
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Study of Electron Localization Effects in Donor-Acceptor Pairs in Low-Dimensional Si Tunnel Diodes2017
- 著者名/発表者名
  Prabhudesai Gaurang, Anh Le The, Shibuya Mitsuki, Manoharan Muruganathan, Hori Masahiro, Ono Yukinori, Mizuta Hiroshi, Tabe Michiharu, Moraru Daniel
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Silicon-on-insulatorデバイスにおける低温チャージポンピング2017
- 著者名/発表者名
  渡邉時暢、堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピングの応用2017
- 著者名/発表者名
  渡辺時暢，堀匡寛，土屋敏章，藤原聡，小野行徳
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] チャージポンピングＥＤＭＲ法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出2017
- 著者名/発表者名
  堀匡寛、土屋敏章、小野行徳
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] シリコンにおけるチャージポンプー電荷とスピンの室温極限操作に向けてー2017
- 著者名/発表者名
  小野行徳, 堀匡寛, 土屋敏章
- 学会等名
  第29回シリサイド系半導体研究会
- 発表場所
  八洲学園大学（神奈川県・横浜市）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Observation of Impact Ionization in Silicon at Low Temperature2017
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, H.Firdaus and M.Hori
- 学会等名
  IV Bilateral Italy-Japan Seminar
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Study of Electron Localization Effects in Donor-Acceptor Pairs in Low-Dimensional Si Tunnel Diodes2017
- 著者名/発表者名
  Prabhudesai Gaurang, Anh Le The, Shibuya Mitsuki, Manoharan Muruganathan, Hori Masahiro, Ono Yukinori, Mizuta Hiroshi, Tabe Michiharu, Moraru Daniel
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] SOI MOS p-i-nダイオードの低温チャージポンピング2017
- 著者名/発表者名
  渡邉時暢, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会
- 発表場所
  北海道大学（北海道・札幌市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Silicon-on-insulator MOS デバイスにおける実時間チャージポンピングの応用2017
- 著者名/発表者名
  渡邉時暢, 堀匡寛, 土屋敏章, 藤原聡, 小野行徳
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Charge pump in silicon-Physics and application of charge transfer-2017
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  16th International Conference on Global Research and Education
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Sensitive Detection of Holes Generated by Impact Lonization in Silicon2017
- 著者名/発表者名
  H.Firdaus,M.Hori, Y.Takahashi, A.Fujiwara and Y.Ono
- 学会等名
  2017 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] Study of Stability of A-few-donor Quantum Dots with Different Configurations for Room-Temperature Single-Electron Tunneling Operation2017
- 著者名/発表者名
  Hasan KM Tarik, Samanta Arup, Affiff Adnan, Anh Le The, Manoharan Muruganathan, Hori Masahiro, Ono Yukinori ,Mizuta Hiroshi,Tabe Michiharu, Moraru Daniel
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Sensitive Detection of Holes Generated by Impact Lonization in Silicon2017
- 著者名/発表者名
  H.Firdaus,M.Hori, Y.Takahashi, A.Fujiwara and Y.Ono
- 学会等名
  2017 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Silicon-on-insulator MOS デバイスにおける実時間チャージポンピングの応用2017
- 著者名/発表者名
  渡邉時暢, 堀匡寛, 土屋敏章, 藤原聡, 小野行徳
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Charge pump in silicon-Physics and application of charge transfer-2017
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  16th International Conference on Global Research and Education
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] シリコンにおけるチャージポンプー電荷とスピンの室温極限操作に向けてー2017
- 著者名/発表者名
  小野行徳, 堀匡寛, 土屋敏章
- 学会等名
  第29回シリサイド系半導体研究会
- 発表場所
  八洲学園大学（神奈川県・横浜市）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Real-time Monitoring of Charge-pumping Process for SiO2/Si Interface Analysis2017
- 著者名/発表者名
  M.Hori,T.Watanabe and Y.Ono
- 学会等名
  The 15th International Conference on QiR
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K20289
[学会発表] チャージポンピングＥＤＭＲ法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出2017
- 著者名/発表者名
  堀匡寛、土屋敏章、小野行徳
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Observation of Impact Ionization in Silicon at Low Temperature2017
- 著者名/発表者名
  Y.Ono,H.Firdaus,and M.Hori
- 学会等名
  IV Bilateral Italy-Japan Seminar
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Study of Stability of A-few-donor Quantum Dots with Different Configurations for Room-Temperature Single-Electron Tunneling Operation2017
- 著者名/発表者名
  Hasan KM Tarik, Samanta Arup, Affiff Adnan, Anh Le The, Manoharan Muruganathan, Hori Masahiro, Ono Yukinori ,Mizuta Hiroshi,Tabe Michiharu, Moraru Daniel
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] SOI MOS p-i-nダイオードの低温チャージポンピング2017
- 著者名/発表者名
  渡邉時暢, 堀匡寛, 小野行徳
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会
- 発表場所
  北海道大学（北海道・札幌市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Real-time Monitoring of Charge-pumping Process for SiO2/Si Interface Analysis2017
- 著者名/発表者名
  M.Hori,T.Watanabe and Y.Ono
- 学会等名
  The 15th International Conference on QiR
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] 高感度チャージポンピングEDMR法の開発2016
- 著者名/発表者名
  堀　匡寛，成松諒一，土屋敏章，小野行徳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Charge pumping EDMR for MOS interface analysis2016
- 著者名/発表者名
  M.Hori,Y.Ono
- 学会等名
  The 18th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
- 発表場所
  静岡大学（静岡県・浜松市）
- 年月日
  2016-11-15
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Silicon Single Boron Transistor2016
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Hori, A.Fujiwara
- 学会等名
  ICNERE EECCiS2016
- 発表場所
  マラン（インドネシア）
- 年月日
  2016-10-31
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method by the charge pumping method2016
- 著者名/発表者名
  土屋敏章,小野行徳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] 高感度チャージポンピングEDMR法の開発2016
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 成松諒一, 土屋敏章, 小野行徳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Time domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS transistors2016
- 著者名/発表者名
  T.Watanabe, M.Hori, Y.Ono
- 学会等名
  2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2016)
- 発表場所
  函館国際ホテル（北海道・函館市）
- 年月日
  2016-06-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] 高感度チャージポンピングEDMR法の開発2016
- 著者名/発表者名
  堀匡寛, 成松諒一, 土屋敏章, 小野行徳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Charge pumping EDMR for MOS interface analysis2016
- 著者名/発表者名
  M.Hori,Y.Ono
- 学会等名
  The 18th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
- 発表場所
  静岡大学（静岡県・浜松市）
- 年月日
  2016-11-15
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Novel application of the charge pumping process for charge and spin control2016
- 著者名/発表者名
  M.Hori,Y.Ono
- 学会等名
  EMN Meeting on Quantum 2016
- 発表場所
  プーケット (タイ)
- 年月日
  2016-04-08
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Charge pumping EDMR towards charge/spin manipulation in silicon at room temperature2016
- 著者名/発表者名
  M.Hori, R.Narimatsu, Y.Ono
- 学会等名
  2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW2016)
- 発表場所
  ホノルル（米国）
- 年月日
  2016-06-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] EDMR on recombination process in Silicon MOSFETs at room Temperature2016
- 著者名/発表者名
  M.Hori, Y.Ono
- 学会等名
  Inter Academia2016
- 発表場所
  ワルシャワ（ポーランド）
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング2016
- 著者名/発表者名
  渡辺時暢、堀匡寛、小野行徳
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会「機能ナノデバイスおよび関連技術」
- 発表場所
  北海道大学百年記念会館（北海道札幌市）
- 年月日
  2016-03-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] EDMR on recombination process in Silicon MOSFETs at room Temperature2016
- 著者名/発表者名
  M.Hori, Y.Ono
- 学会等名
  Inter Academia2016
- 発表場所
  ワルシャワ（ポーランド）
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method by the charge pumping method2016
- 著者名/発表者名
  土屋敏章,小野行徳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method2016
- 著者名/発表者名
  土屋敏章，小野行徳
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ，新潟
- 年月日
  2016-09-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Charge pumping EDMR towards charge/spin manipulation in silicon at room temperature2016
- 著者名/発表者名
  M.Hori, R.Narimatsu, Y.Ono
- 学会等名
  2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW2016)
- 発表場所
  ホノルル（米国）
- 年月日
  2016-06-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon-Interplay with Intervalley Phonon Emission2016
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Hori, G.P.Lansbergen, A.Fujiwara
- 学会等名
  Inter Academia2016
- 発表場所
  ワルシャワ（ポーランド）
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Silicon Single Boron Transistor2016
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Hori, A.Fujiwara
- 学会等名
  ICNERE EECCiS2016
- 発表場所
  マラン（インドネシア）
- 年月日
  2016-10-31
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Single-dopant transistor and pump-interplay with single phonon-2016
- 著者名/発表者名
  小野行徳
- 学会等名
  フォノンエンジニアリング講演会
- 発表場所
  早稲田大学（東京都・新宿区）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Time domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS transistors2016
- 著者名/発表者名
  T.Watanabe, M.Hori, Y.Ono
- 学会等名
  2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2016)
- 発表場所
  函館国際ホテル（北海道・函館市）
- 年月日
  2016-07-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Single-dopant transistor and pump-interplay with single phonon-2016
- 著者名/発表者名
  小野行徳
- 学会等名
  フォノンエンジニアリング講演会
- 発表場所
  早稲田大学（東京都・新宿区）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon-Interplay with Intervalley Phonon Emission2016
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Hori, G.P.Lansbergen, A.Fujiwara
- 学会等名
  Inter Academia2016
- 発表場所
  ワルシャワ（ポーランド）
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] Novel application of the charge pumping process for charge and spin control2016
- 著者名/発表者名
  M.Hori,Y.Ono
- 学会等名
  EMN Meeting on Quantum 2016
- 発表場所
  プーケット (タイ)
- 年月日
  2016-04-08
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H02339
[学会発表] ESR measurements of As donor electrons in silicon2015
- 著者名/発表者名
  M. Hori, M. Uematsu, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015)
- 発表場所
  TOKI MESSE Niigata Convention Center Niigata, Japan
- 年月日
  2015-06-16
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] ESR measurements of As donor electrons in silicon2015
- 著者名/発表者名
  M. Hori, M. Uematsu, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015)
- 発表場所
  TOKI MESSE Niigata Convention Center Niigata, Japan
- 年月日
  2015-06-16
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] Low Temperature Charge Pumping in SOI Gated PIN Diode2015
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, and Y. Ono
- 学会等名
  2015 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW-2015)
- 発表場所
  Rega Royal Hotel Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-06-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] Cryogenic Charge Pumping using Silicon on Insulators2015
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015)
- 発表場所
  Toyama International Conference Center, Toyama
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] Charge Puming in SOI Gated PIN Diode2015
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, T. Tsuchiya, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  2015 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2015)
- 発表場所
  Rega Royal Hotel Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-06-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] Charge pumping by point defects - Towards ultimate control of recombination in silicon2015
- 著者名/発表者名
  Y. Ono M. Hori
- 学会等名
  Silicon nanoelectronics for advanced applications
- 発表場所
  Campus Plaza Kyoto, Kyoto
- 年月日
  2015-06-16
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction2015
- 著者名/発表者名
  Y. Nishiuchi, K. Furuta, T. Mitani, M. Hori, Y. Ono
- 学会等名
  Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction
- 発表場所
  Jeju Island, Korea
- 年月日
  2015-07-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its turnstile operation2015
- 著者名/発表者名
  M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi
- 学会等名
  28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2015)
- 発表場所
  Toyama International Conference Center, Toyama
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] ESR measurements of As donor electrons in silicon2015
- 著者名/発表者名
  M. Hori, M. Uematsu, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015)
- 発表場所
  TOKI MESSE Niigata Convention Center Niigata, Japan
- 年月日
  2015-06-16
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its turnstile operation2015
- 著者名/発表者名
  M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi
- 学会等名
  28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2015)
- 発表場所
  Toyama International Conference Center, Toyama
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Cryogenic Charge Pumping using Silicon on Insulators2015
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, and Y. Ono
- 学会等名
  8th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2015)
- 発表場所
  Toyama International Conference Center, Toyama
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] Charge pumping by point defects - Towards ultimate control of recombination in silicon2015
- 著者名/発表者名
  Y. Ono M. Hori
- 学会等名
  Silicon nanoelectronics for advanced applications
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-06-16
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Cryogenic Charge Pumping using Silicon on Insulators2015
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, and Y. Ono
- 学会等名
  8th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2015)
- 発表場所
  Toyama International Conference Center, Toyama
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction2015
- 著者名/発表者名
  Y. Nishiuchi, K. Furuta, T. Mitani, M. Hori, Y. Ono
- 学会等名
  2015 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Jeju Island, Korea
- 年月日
  2015-07-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction2015
- 著者名/発表者名
  Y. Nishiuchi, K. Furuta, T. Mitani, M. Hori, Y. Ono
- 学会等名
  2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015)
- 発表場所
  Jeju Island, Korea
- 年月日
  2015-06-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] Charge pumping by point defects –Towards ultimate control of recombination in silicon-2015
- 著者名/発表者名
  Y. Ono and M. Hori
- 学会等名
  III Bilateral Italy-Japan Seminar
- 発表場所
  Campus Plaza Kyoto, Kyoto Japan
- 年月日
  2015-06-16
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] Low Temperature Charge Pumping in SOI Gated PIN Diode2015
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, A. Fujiwara, and Y. Ono
- 学会等名
  2015 Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW-2015)
- 発表場所
  Rega Royal Hotel Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-06-14
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13970
[学会発表] Electron pump by a single atom -Towards ultimate control of electronic charges-2014
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, G. P. Lansbergen, M. Hori, A. Fujiwara
- 学会等名
  2014 International Workshop on Advanced Nanovision Science
- 発表場所
  静岡大学　浜松キャンパス、浜松
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128
[学会発表] Time domain measurements of charge pumping current2014
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya and Y. Ono
- 学会等名
  2014 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Hilton Hawaiian Village, Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] Evaluation of accuracy of time-domain charge pumping method2014
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya and Y. Ono
- 学会等名
  2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2014)
- 発表場所
  Kanazawa Bunka Hall, Kanazawa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] ESR study on pure single crystalline sapphire2013
- 著者名/発表者名
  M. Hori, N. Fukumoto, Y. Ono, R. Chikaoka, Y. Hayakawa, S. Moriwaki, N. Mio
- 学会等名
  Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials
- 発表場所
  筑波大学、つくば
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128
[学会発表] ESR study of arsenic in silicon in low ion-implantation-dose regime2013
- 著者名/発表者名
  M. Hori, H. Tanaka, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
- 発表場所
  Ishikawa Ongakudo、金沢
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128
[学会発表] Electron spin resonance measurement of sapphire for KAGRA mirrors2013
- 著者名/発表者名
  N. Fukumoto, Y. Ono, M. Hori, R. Chikaoka, Y. Hayakawa, S. Moriwaki, and N. Mio
- 学会等名
  The 12th Asia Pacific Physics Conference
- 発表場所
  Makuhari Messe Chiba Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128
[学会発表] Electroluminescence study of phosphorous ionization in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  Jin-ichiro Noborisaka, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono, Hiroyuki Kageshima, Akira Fujiwara
- 学会等名
  The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology(ISNTT2011)
- 発表場所
  厚木市
- 年月日
  2011-01-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310062
[学会発表] Electroluminescence study of phosphorous ionization in silicon-on- insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2011
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, and A. Fujiwara
- 学会等名
  The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology
- 発表場所
  NTT 厚木研究開発センタ(厚木市)
- 年月日
  2011-01-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310062
[学会発表] Dopants in silicon transistors ; Transport and Photoemission2011
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  CMOS Emerging Technologies Workshop
- 発表場所
  Whistler, BC, Canada(Invited)
- 年月日
  2011-06-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Significance of the interface regarding magnetic properties of Mn nanosilicide in silicon2010
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related materials Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Strong Stark effect of electroluminescence in thin SOI MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, and A. Fujiwara
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京大学(東京都)
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310062
[学会発表] Si single-dopant FETs and observation of single-dopant potential by LT-KFM2010
- 著者名/発表者名
  M.Tabe, D.Moraru, M.Anwar, Y.Kawai, S.Miki, Y.Ono, T.Mizuno
- 学会等名
  5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Si Single-Dopant FETs and Observation of Single -Dopant Potential by LT-KFM2010
- 著者名/発表者名
  M. Tabe, D. Moraru, M. Anwar, Y. Kawai, S. Miki, Y. Ono, T. Mizuno
- 学会等名
  5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C))
- 発表場所
  Sendai
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063010
[学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  Single Dopant Control
- 発表場所
  Leiden, Netherlands(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  2010 International Symposium on Atom-scale Silicon HybridNanotechnologies for 'More-than-Moore'& 'Beyond CMOS' Era
- 発表場所
  Southampton, UK(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] 薄層SOI-MOSFET の電流注入発光における巨大Stark 効果2010
- 著者名/発表者名
  登坂仁一郎、西口克彦、小野行徳、影島博之、藤原聡
- 学会等名
  2010 年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎市)
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310062
[学会発表] Strong Stark effect of electroluminescence in thin SOI MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  Jin-ichiro Noborisaka, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono, Hiroyuki Kageshima, Akira Fujiwara
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
- 発表場所
  東京都
- 年月日
  2010-09-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310062
[学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  Single Dopant Control
- 発表場所
  Leiden, Netherlands
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single dopant effects in silicon nano transistors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for 'More-than-Moore' & 'Beyond CMOS' Era
- 発表場所
  southampton, UK
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] 薄層SOI-MOSFETの電流注入発光における巨大Stark効果2010
- 著者名/発表者名
  登坂仁一郎, 西口克彦, 小野行徳, 影島博之, 藤原聡
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎市
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310062
[学会発表] Significance of the interface regarding magnetic properties of Mn-nanosilicide in silicon2010
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related materials Science and Technology Towards Sustainable Ontoelectronies
- 発表場所
  Tsukuba
- 年月日
  2010-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier2009
- 著者名/発表者名
  K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, K. Muraki
- 学会等名
  International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2009)
- 発表場所
  Atsugi, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Asymmetric mobility of electrons and holes with respect to quantum-well potential in a double gate SIMOX MOSFET2009
- 著者名/発表者名
  Y. Niida, K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Hirayama, K. Muraki
- 学会等名
  International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2009)
- 発表場所
  Atsugi, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Detection and position analysis of sinle and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2009
- 著者名/発表者名
  M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara
- 学会等名
  International Symposium on Nanoscale Transport and Technology, (ISNTT-2009)
- 発表場所
  Atsugi, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Identification of single dopants in nanowire MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, S.Horiguchi, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Effect of δ-function-like boron charge sheet on p-channel ultra-thin SOI MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  M.Kawachi, Y.Ono, A.Fujiwara, S.Horiguchi
- 学会等名
  2009 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Identification of single dopants in nanowire MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, S.Horiguchi, K.Nishiguchi, A.Fujiwara :
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Detection and position analysis of sinle and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2009
- 著者名/発表者名
  M.A.H.Khalafalla, Y.Ono, K.Nishiguchi, A.Fujiwara
- 学会等名
  2009 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single boron detection in nano-scale SOI MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IEEE IMFEDK-2008)
- 発表場所
  Osaka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] New functional single-electron devices using nanodot array and multiple input gates2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takahashi, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa : (Invited)
- 学会等名
  The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single-electron devices and their circuit applications2008
- 著者名/発表者名
  A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi : (invited)
- 学会等名
  2008 Tera-level nanodevices (TND) Technical Forum
- 発表場所
  Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single-dopant effect in Si MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, M. Khalafalla, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, K. Takashina, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
- 学会等名
  IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier2008
- 著者名/発表者名
  K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa
- 学会等名
  IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single boron detection in nano-scale SOI MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Osaka, Japan(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Escape dynamics of electron in a single-electron ratchet using silicon nanowire MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Ito, A. Fujiwara
- 学会等名
  IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008 (NMDC-2008)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Single-dopant effect in Si MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  Y.Ono, M.Khalafalla, A.Fujiwara, K.Nishiguchi, K.Takashina, S.Horiguchi, Y.Takahashi, H.Inokawa
- 学会等名
  IEEE Nanotechonology Materials and Devices Conference 2008
- 発表場所
  Kyoto(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20241036
[学会発表] Hopping conduction in buried-channel SOI MOSFETs with shallow impurities2007
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction
- 発表場所
  Atsugi,Kanagawa
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs: Towards single-dopant electronics2007
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Tokyo
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] New functional single-electron devices using nanodot array and multiple input gates2007
- 著者名/発表者名
  Y. Takahashi, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, and H. Inokawa
- 学会等名
  3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Dopant-mediated charge transport in boron-doped nano MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Kyoto
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Hopping conduction in buried-channel SOI MOSFETs with shallow impurities2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction
- 発表場所
  Atsugi, Kanagawa
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Effects of Parameter Randomness on Quantized-electron transfer in 1D Multiple-Tunnel-Junction Arrays2007
- 著者名/発表者名
  D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, K. Yokoi, H. Ikeda, M. Tabe
- 学会等名
  2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Kyoto
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063010
[学会発表] A simple test structure for extracting capacitances in nanometer-scale MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, and H. Satoh
- 学会等名
  The 6-th annual International Conference on Global Research and Education
- 発表場所
  Inter-Academia, Hamamatsu
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Single-electron ratchet using silicon nanowie MOSFET2007
- 著者名/発表者名
  A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono
- 学会等名
  International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  Genova Magazzini del Cotone, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Observation of single-electron pump operation with one ac gate bias in phosphorous-doped Si wires2006
- 著者名/発表者名
  D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, K. Yokoi, R. Nuryadi, H. Ikeda, M. Tabe
- 学会等名
  Solid State Devices and Materials (SSDM 2006)
- 発表場所
  Yokohama
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063010
[学会発表] Impurity conduction and its control in phosphorus-doped SOI MOSFET2006
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Hawaii, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Single-eleclron transfer in silicon2006
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  The 3rd International Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Single-electron transfer in silicon2006
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  The 3^<rd> International Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment
- 発表場所
  Sapporo,Japan
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Impurity conduction and its control in phosphorus-doped SOI MOSFET2006
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Hawaii,USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Silicon single-electron pump and turnstile; Interplay with crystalline imperfection2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  2005 Material Research Society Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco,CA,USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Single-electron transfer in silicon2005
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  2005 International Workshop on the Physics semiconductor devices
- 発表場所
  NewDelhi, India
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Silicon single-electron pump and turnstile ; Interplay with crystalline imperfection2005
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  2005 Material Research Society Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, CA, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] ingle-electron manipulation Interplay with crystalline imperfection2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  2^<nd> International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry
- 発表場所
  Kaoshiung,Taiwan
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Single-electron transfer in silicon2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  2005 International Workshop on the Physics semiconductor devices
- 発表場所
  NewDelhi,India
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Single-electron manipulation in silicon; Towards single-dopant electronics2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  7^<th> International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Structures and 5^<th> International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices
- 発表場所
  Maui,USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Room- and low-temperature characteristics of phosphorus-doped SOI MOSFET2005
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction
- 発表場所
  Atsugi,Kanagawa
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Single-electron manipulation Interplay with crystalline imperfection2005
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry
- 発表場所
  Kaoshiung, Taiwan
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Single-electron transistor and its logic applications2004
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  ITRS Emerging research logic devices workshop
- 発表場所
  Leuven, Belgium
- 年月日
  2004-09-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Charge-state control of phosphorus donors in SOI MOSFET2004
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  2004 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Single-electron transistor and its logic applications2004
- 著者名/発表者名
  Y.Ono
- 学会等名
  ITRS Emerging research logic devices workshop
- 発表場所
  Leuven,Belgium
- 年月日
  2004-09-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Charge-state control of phosphorus donors in SOI MOSFET2004
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  2004 International Conference on Solid-State Devices and Materials
- 発表場所
  Tokyo
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Time domain measurement of the charge pumping current
- 著者名/発表者名
  Masahiro Hori, Tokinobu Watanabe, Toshiaki Tsuchiya, Yukinori Ono
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Hilton Hawaiian Village (Honolulu)
- 年月日
  2014-06-08 – 2014-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method by the charge pumping method
- 著者名/発表者名
  T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  2014 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba Japan
- 年月日
  2014-09-09 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] Time-domain measurements of charge pimping current
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  2014 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2014-06-08 – 2014-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] 単一Si/SiO2界面トラップのチャージポンピング(CP)特性：Pb0センターの電気的直接観測と従来CP理論の原理的改善
- 著者名/発表者名
  土屋敏章，小野行徳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Electron spin resonance measurement of sapphire for KAGRA mirrors
- 著者名/発表者名
  N. Fukumoto, Y. Ono, M. Hori, R. Chikaoka, Y. Hayakawa, S. Moriwaki, and N. Mio
- 学会等名
  12th Asia Pacific Physics Conference
- 発表場所
  Chiba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] チャージポンピング電流の実時間計測による電子捕獲過程の解析
- 著者名/発表者名
  堀　匡寛，渡辺時暢，土屋敏章，小野行徳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] Single-electron manipulation in silicon ; Towards single-dopant electronics
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  7th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Structures and 5th International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices
- 発表場所
  Maui, USA
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Evaluation of accuracy of time-domain charge pumping
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  2014 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Kanazawa, Japan
- 年月日
  2014-07-01 – 2014-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] ESR study of arsenic in silicon in low ion-implantation-dose regime
- 著者名/発表者名
  M. Hori, H. Tanaka, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
- 発表場所
  Kanazawa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600015
[学会発表] Time-domain measurements of charge pimping current
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  2014 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2014-06-08 – 2014-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600015
[学会発表] Single dopant physics and electronics
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  Silicon nanoelectronics for advanced applications
- 発表場所
  Verona, Italy
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600015
[学会発表] Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method
- 著者名/発表者名
  Toshiaki Tsuchiya, Yukinori Ono
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center
- 年月日
  2014-09-09 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] ESR Study of Arsenic in Silicon in Low Ion-implantation-dose Regime
- 著者名/発表者名
  M. Hori, H. Tanaka, A. Fujiwara, and Y. Ono
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013)
- 発表場所
  Ishikawa Ongakudo, Kanazawa, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] チャージポンピング電流の実時間計測による電子捕獲過程の解析
- 著者名/発表者名
  堀匡寛、渡辺時暢、土屋敏章、小野行徳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川県、東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] ESR study on pure single crystalline sapphire
- 著者名/発表者名
  M. Hori, N. Fukumoto, Y. Ono, R. Chikaoka, Y. Hayakawa, S. Moriwaki, N. Mio
- 学会等名
  Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials
- 発表場所
  Tsukuba Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] Room-and low-temperature characteristics of phosphorus-doped SOI MOSFET
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction
- 発表場所
  Atsugi, Kanagawa
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Electron pump by a single atom　-Towards ultimate control of electronic charges-
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, G. P. Lansbergen, M. Hori, A. Fujiwara
- 学会等名
  2014 International Workshop on Advanced Nanovision Science
- 発表場所
  Hamamatsu, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600015
[学会発表] チャージポンピング電流の実時間計測による電子放出，再結合過程の直接観察
- 著者名/発表者名
  堀　匡寛，渡辺時暢，土屋敏章，小野行徳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] ESR study on pure single crystalline sapphire
- 著者名/発表者名
  M. Hori, N. Fukumoto, Y. Ono, R. Chikaoka, Y. Hayakawa, S. Moriwaki, N. Mio
- 学会等名
  Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600015
[学会発表] ESR study on pure single crystalline sapphire
- 著者名/発表者名
  M. Hori, N. Fukumoto, Y. Ono, R. Chikaoka, Y. Hayakawa, S. Moriwaki, N. Mio
- 学会等名
  The Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013)
- 発表場所
  University of Tsukuba, Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] Electron pump by a single atom Towards ultimate control of electronic charges
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, G. P. Lansbergen, M. Hori, A. Fujiwara
- 学会等名
  2014 International Workshop on Advanced Nanovision Science
- 発表場所
  Shizuoka University, Shizuoka, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] Evaluation of accuracy of time-domain charge pumping
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  2014 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Kanazawa, Japan
- 年月日
  2014-07-01 – 2014-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  Tokyo
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16206038
[学会発表] Magnetoresistance and microstructure of Fe-MgF2 single layer granular films
- 著者名/発表者名
  Toshihiro Yokono, Eita Sato, Yosuke Murakami, Masashi Arita, and Yasuo Takahashi
- 学会等名
  The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference, (IEEE INEC 2014)
- 発表場所
  Hokkaido Univ., Japan
- 年月日
  2014-07-28 – 2014-07-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360128
[学会発表] Time-domain measurements of charge pimping current
- 著者名/発表者名
  M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  2014 Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii, USA
- 年月日
  2014-06-08 – 2014-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] Charge Puming in SOI Gated PIN Diode
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, T. Tsuchiya, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop 2015
- 発表場所
  Rega Royal Hotel Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-06-14 – 2015-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] 実時間チャージポンピングの精度評価
- 著者名/発表者名
  渡辺時暢、堀　匡寛、土屋敏章、小野行徳
- 学会等名
  電子情報通信学会研究会　シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  北海道、北海道大学
- 年月日
  2015-02-05 – 2015-02-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] Electron pump by a single atom　-Towards ultimate control of electronic charges-
- 著者名/発表者名
  Y. Ono, G. P. Lansbergen, M. Hori, A. Fujiwara
- 学会等名
  2014 International Workshop on Advanced Nanovision Science
- 発表場所
  Hamamatsu Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] Electron spin resonance measurement of sapphire for KAGRA mirrors
- 著者名/発表者名
  N. Fukumoto, Y. Ono, M. Hori, R. Chikaoka, Y. Hayakawa, S. Moriwaki, N. Mio
- 学会等名
  The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12)
- 発表場所
  Makuhari Messe, Chiba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] 実時間チャージポンピング法の開発
- 著者名/発表者名
  渡辺時暢，堀　匡寛，土屋敏章，小野行徳
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大、神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] Evaluation of accuracy of time-domain charge pumping
- 著者名/発表者名
  T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, Y. Ono
- 学会等名
  2014 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Kanazawa, Japan
- 年月日
  2014-07-01 – 2014-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600015
[学会発表] Single dopant physics and electronics
- 著者名/発表者名
  Y. Ono
- 学会等名
  Silicon nanoelectronics for advanced applications
- 発表場所
  Verona, Italy
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098
[学会発表] チャージポンピング電流の実時間計測による電子放出、再結合過程の直接観測
- 著者名/発表者名
  堀匡寛、渡辺時暢、土屋敏章、小野行徳
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川県、東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] シリコンPN接合における再結合電流のEDMR観察
- 著者名/発表者名
  古田慧梧、小野行徳、西内祐樹、三谷太希、堀匡寛
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川県、東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] ESR measurements of As donor electrons in silicon
- 著者名/発表者名
  M. Hori, M. Uematsu, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015)
- 発表場所
  TOKI MESSE Niigata Convention Center Niigata, Japan
- 年月日
  2015-06-16 – 2015-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25706003
[学会発表] Evaluation of Accuracy of Time Domain Charge Pumping
- 著者名/発表者名
  Tokinobu Watanabe, Masahiro Hori1, Toshiaki Tsuchiya, Yukinori Ono
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Kanazawa Bunka Hall
- 年月日
  2014-07-01 – 2014-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289105
[学会発表] ESR study of arsenic in silicon in low ion-implantation-dose regime
- 著者名/発表者名
  M. Hori, H. Tanaka, A. Fujiwara, Y. Ono
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
- 発表場所
  Kanazawa Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289098

1. 堀匡寛 (50643269)

共同の研究課題数: 9件

共同の研究成果数: 146件
2. 藤原聡 (70393759)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 30件
3. 土屋敏章 (20304248)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 18件
4. 田部道晴 (80262799)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 6件
5. 池田浩也 (00262882)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 2件
6. 西口克彦 (00393760)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 47件
7. Moraru Daniel (60549715)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 15件
8. ラトノヌルヤディ (70402245)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
9. 猪川洋 (50393757)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 17件
10. 影島博之 (70374072)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
11. 高橋庸夫 (90374610)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 12件
12. 雨宮好仁 (80250489)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 石川靖彦 (60303541)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 堀口誠二 (60375219)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
15. 山口徹 (30393763)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
16. モハメッドカラファラ (70463627)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 登坂仁一郎 (30515573)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
18. 品田賢宏 (30329099)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 水田博 (90372458)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 有田正志 (20222755)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
21. 碇哲雄

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
22. Verma Priyanka

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

小野 行徳 Ono Yukinori

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

MOSトランジスタ構造を基盤としたシリコン超伝導研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

電子流体効果を用いた新原理シリコンデバイスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新原理エレクトロニクス創成に向けた電子系－格子系・高速エネルギー変換技術の確立研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン中のドーパント原子を用いた単一フォノン制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高感度チャージポンピング・スピン共鳴法の開発と電子対再結合のスピン制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン中のドーパント原子を用いた高精度電荷制御の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

単一原子非弾性トンネル分光と原子スケール・格子系/電子系エネルギー変換技術の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

小野行徳 Ono Yukinori