永瀬成範 Nagase Masanori

… 別表記

永瀬正範ナガセマサノリ

研究者番号	80399500
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 2018年度 – 2023年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 2015年度 – 2017年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 2008年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 研究員 … もっと見る 2008年度: 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 研究員 2007年度: 産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 研究員 2005年度 – 2006年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器研究代表者以外理工系
キーワード	研究代表者窒化物半導体 / 超高速情報処理 / トンネル現象 / 量子井戸 / サブバンド間遷移 / 共鳴トンネルダイオード / サブバンド間遷移現象 / 電子デバイス・機器 / 集積型アンテナ / 双安定性メカニズム / 窒化ガリウム / 双安定性 / テラヘルツ波 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見るドーピング濃度 / 不均一広がり / 均一広がり / 位相緩和時間 / 歪補償 / 光閉じ込め / AlAsSb / AlAs / InGaAs / サブバンド間遷移スイッチ / 屈折率 / フォトリフレクタンス / 超高速全光スイッチ / 超高速光信号処理 / ピコ秒 / 周期構造 / 有効質量 / バンドオフセット / 歪補償量子井戸構造 / 超薄膜結合量子井戸 / 超高速ゲートスイッチ / MBE / 全光位相変調効果 / サブバンド間遷移 / 量子井戸隠す

N極性窒化物半導体成長技術を用いた高速サブバンド間遷移不揮発性メモリの高性能化研究代表者
- 研究代表者
  
  永瀬成範
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
次世代コンピューティング技術構築に向けた高速サブバンド間遷移不揮発メモリの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  永瀬成範
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
GaN系共鳴トンネルダイオードでのサブバンド間遷移を用いた高速不揮発メモリの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  永瀬成範
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
窒化ガリウム系共鳴トンネルダイオード作製とテラヘルツ波発振に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  永瀬成範
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
超高速全光スイッチの低エネルギー動作化と全光信号処理デバイスへの展開
- 研究代表者
  
  石川浩
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所

[雑誌論文] Nonvolatile memory operations using intersubband transitions in GaN/AlN resonant tunneling diodes grown on Si(111) substrates2024
- 著者名/発表者名
  Nagase Masanori、Takahashi Tokio、Shimizu Mitsuaki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 135 号: 14
- DOI
  10.1063/5.0198244
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02214
[雑誌論文] Enhancement of nonvolatile memory characteristics caused by GaN/AlN resonant tunneling diodes2023
- 著者名/発表者名
  Nagase Masanori、Takahashi Tokio、Shimizu Mitsuaki
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 38 号: 4 ページ: 045011-045011
- DOI
  10.1088/1361-6641/acbaf8
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02214
[雑誌論文] Growth and Characterization of GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes for High‐Performance Nonvolatile Memory2020
- 著者名/発表者名
  Nagase Masanori、Takahashi Tokio、Shimizu Mitsuaki
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a)
  
  巻: 218 号: 3 ページ: 2000495-2000495
- DOI
  10.1002/pssa.202000495
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409, KAKENHI-PROJECT-20H02214
[雑誌論文] Switching characteristics of nonvolatile memory using GaN/AlN resonant tunneling diodes2019
- 著者名/発表者名
  Nagase Masanori、Takahashi Tokio、Shimizu Mitsuaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: 9 ページ: 091001-091001
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1b58
- NAID
  210000156853
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409
[雑誌論文] Stabilization of nonvolatile memory operations using GaN/AlN resonant tunneling diodes by reducing structural inhomogeneity2018
- 著者名/発表者名
  Nagase Masanori、Takahashi Tokio、Shimizu Mitsuaki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 7 ページ: 070310-070310
- DOI
  10.7567/jjap.57.070310
- NAID
  210000149244
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409
[雑誌論文] Resistance switching memory operation using the bistabilitｙ in current-voltage characteristics of GaN/AlN resonant tunneling diodes2016
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 10 ページ: 1003011-1003014
- DOI
  10.7567/jjap.55.100301
- NAID
  210000147108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420332
[雑誌論文] Investigating the bistability characteristics of GaN/AlN resonant tunneling diodes for ultrafast nonvolatile memory2015
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Phｙsics
  
  巻: 54 号: 3 ページ: 0342011-0342018
- DOI
  10.7567/jjap.54.034201
- NAID
  210000144857
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420332
[雑誌論文] Bistability characteristics of GaN/AlN resonant tunneling diodes caused by intersubband transition and electron accumulation in quantum well2014
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、時崎高志
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 61 号: 5 ページ: 1321-1326
- DOI
  10.1109/ted.2014.2310473
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420332
[雑誌論文] Enhancement of all-optical cross phase modulation in InAlAs/AlAsSb coupled quantum ells using InAlAs coupling barrier2009
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, R. Akimoto, T. Simoyama, C. Guangwei, T. Mozume, T. Hasama, and H. Ishikawa
- 雑誌名
  
  IEEE J. Photonics Technol. Lett. vol.20, no.24
  
  ページ: 2183-2185
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[雑誌論文] Mechanism of ultrafast modulation of refractive index in photoexcited In_xGa_<1-x>/AlAs_ySb_<1-y> quantum well waveguides2008
- 著者名/発表者名
  G. W. Cong, R. Akimoto, M. Nagase, T. Mozume, T. Hasama, and H. Ishikawa
- 雑誌名
  
  Physical Rev. B vol.78, no.7
  
  ページ: 75308-75308
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[雑誌論文] Enhancement of all-optical cross phase modulation in InAlAs/AlAsSb coupled quantum wells using InAlAs coupling barrier2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, et al.
- 雑誌名
  
  IEEE J. Photonics Technol. Lett. 20
  
  ページ: 2183-2185
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[雑誌論文] Strain compensation for InGaAs-AlAs-AlAsSb coupled double quantum wells by controlling the barrier-layer composition2007
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, T. Mozume, T. Simoyama, T. Hasama, and H. Ishikawa
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth vol.301-302
  
  ページ: 240-243
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[雑誌論文] Photoreflectance study of InGaAs/AlAsSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Mozume, , J. Kasai, M. Nagase, T, Simoyama, T. Hasama, H. Ishikawa
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth vol.301-302
  
  ページ: 177-180
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[雑誌論文] Strain compensation for InGaAs-AlAs-AlAsSb coupled double quantum wells by controlling the barrier-layer composition2007
- 著者名/発表者名
  M.Nagase et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth vol. 301-302
  
  ページ: 240-243
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[雑誌論文] Ultrafast all-optical refractive index modulation in intersubband transition switch using InGaAs/AlAs/AlAsSb quantum well2007
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, H. Tsuchida, K. S. Abedin, T. Simoyama, T. Mozume, M. Nagase, R. Akimoto and T. Hasama
- 雑誌名
  
  Japan J. Appl. Phys. vol.46
- NAID
  10018902902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[産業財産権] 共鳴トンネルダイオード素子及び不揮発性メモリ2024
- 発明者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 権利者名
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2024-038382
- 出願年月日
  2024
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02214
[産業財産権] 共鳴トンネルダイオード素子2017
- 発明者名
  永瀬成範、清水三聡、時崎高志
- 権利者名
  永瀬成範、清水三聡、時崎高志
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2017
- 取得年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409
[産業財産権] 共鳴トンネルダイオード素子2017
- 発明者名
  永瀬成範、清水三聡、時崎高志
- 権利者名
  永瀬成範、清水三聡、時崎高志
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-234229
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409
[産業財産権] 結合量子井戸構造2007
- 発明者名
  永瀬成範、秋本良一、石川浩
- 権利者名
  産業技術総合研究所
- 出願年月日
  2007-08-17
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[産業財産権] 結合量子井戸構造2006
- 発明者名
  永瀬成範
- 権利者名
  産業技術総合研究所
- 産業財産権番号
  2006-222736
- 出願年月日
  2006-08-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリのエンデュランス特性の評価2024
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02214
[学会発表] Characterization of Nonvolatile Memory Operations Using GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes Fabricated on SOI Substrate2023
- 著者名/発表者名
  Nagase Masanori、Takahashi Tokio、Shimizu Mitsuaki
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2023 (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors/The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02214
[学会発表] Si(111)基板上に作製したGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの不揮発メモリ特性の評価2022
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02214
[学会発表] Si(111)基板上へのGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製2022
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02214
[学会発表] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性のON/OFF比増大2021
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02214
[学会発表] 高効率コンピューティングに向けた高速不揮発メモリの開発2020
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  InterOpto 2020（技術展示会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409
[学会発表] 窒化物半導体デバイスの開発2020
- 著者名/発表者名
  永瀬成範
- 学会等名
  文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム利用成果発表会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409
[学会発表] New nonvolatile memory using GaN-based resonant tunneling diodes2019
- 著者名/発表者名
  Nagase Masanori
- 学会等名
  The EMN Meeting on Epitaxy 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409
[学会発表] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性の評価2019
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409
[学会発表] Characterization of nonvolatile memory operations using GaN/AlN resonant tunneling diodes2018
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  The 45th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409
[学会発表] データセンターの省電力化を可能にする不揮発メモリ技術2018
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  InterOpto 2018（技術展示会)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409
[学会発表] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性を用いた不揮発メモリの安定動作化2017
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06409
[学会発表] 不揮発メモリ応用へ向けたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性の評価2017
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420332
[学会発表] GaN-Basd Resonant Tunneling Diodes and Their Application to THz Sources2016
- 著者名/発表者名
  永瀬成範
- 学会等名
  The EMN Meeting on Terahertz 2016
- 発表場所
  サン・セバスティアン（スペイン）
- 年月日
  2016-05-14
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420332
[学会発表] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードで生じる双安定性の評価2016
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420332
[学会発表] InGaAs/AlAs/AlAsSb 結合量子井戸サブバンド間遷移を用いた超高速全光スイッチの開発 (査読なし)2008
- 著者名/発表者名
  永瀬成範, 他
- 学会等名
  レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] InGaAs/InAlAs/AlAsSb結合量子井戸サブバンド間遷移を用いた超高速前光型スイッチの開発2008
- 著者名/発表者名
  永瀬成範, 他
- 学会等名
  レーザ・量子エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  機械振興
- 年月日
  2008-06-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] InAlAs結合障壁を用いたInGaAs/AlAsSb結合量子井戸におけるXPM効率改善2008
- 著者名/発表者名
  永瀬成範
- 学会等名
  第68回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  千葉
- 年月日
  2008-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Fabrication of all-optical switch based on intersubband transition in InGaAs/AlAsSb quantum wells with DFB structure2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, et al.
- 学会等名
  International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Versailles, France
- 年月日
  2008-05-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Fabrication of all-optical switch based on intersubband transition in InGaAs/AlAsSb quantum wells with DFB structure (査読あり)2008
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, R. Akimoto, K. Akita, H. Kawashima, T. Mozume, T. Hasama, and H. Ishikawa
- 学会等名
  Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Versailles France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] InAlAs 結合障壁を用いたInGaAs/AlAsSb結合量子井戸におけるXPM効率改善 (査読なし)2008
- 著者名/発表者名
  永瀬成範, 他
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Improvement of XPM efficiency in InGaAs/AIAsSb coupling barrier for intersubband transition optical switrh2007
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, et. al.
- 学会等名
  Conf.on Optical Fiber Communications
- 発表場所
  San Diego,USA
- 年月日
  2007-02-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] DFB構造を有するInGaAs/AlAsSb量子井戸サブバンド間遷移スイッチの製作 (査読なし)2007
- 著者名/発表者名
  永瀬成範, 他
- 学会等名
  第68回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] DFB構造を有するlnGaAs/AIAsSb量子井戸サブバンド問遷移スイッチの作製2007
- 著者名/発表者名
  永瀬成範, 他
- 学会等名
  第68回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Improvement of XPM efficiency in InGaAs/AlAsSb coupling barrier for intersubband transition optical switch (査読あり)2007
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, et al.
- 学会等名
  Conf. on Optical Communications
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Intersubband transitions in InGaAs/AIAsSb coupled double quantum wells with InAIAs counling barriers2007
- 著者名/発表者名
  M.Nagase, et. al.
- 学会等名
  Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Matsue,Japan
- 年月日
  2007-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Ultrafast all-optical switches using intersubband transition in quantum wells (査読なし)2006
- 著者名/発表者名
  H. Ishikawa, T. Simoyama, M. Nagase, R. Akimoto, B. Li, K. Akita, and T. Hasama
- 学会等名
  International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Princeton, NJ, USA (invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] InGaAs-based quantum wells for ultrafast all-optical switches using intersubband transitions (査読なし)2006
- 著者名/発表者名
  T. Mozume, M. Nagase, T. Simoyama, and H. Ishikawa
- 学会等名
  JSPS-UNT Joint Symposium on Nanoscale Materials for Optoelectronics and Biotechnology
- 発表場所
  Denton, Texas (invited)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Intersubband transitions in novel strained coupled quantum wells based on In_<0.53>Ga_<0.47>As grown by molecular beam epitaxy (査読あり)2006
- 著者名/発表者名
  M. Nagase, T. Mozume, T. Simoyama, T. Hasama, and H. Ishikawa
- 学会等名
  International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Princeton, NJ, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Temperature dependence of current-voltage characteristics of GaN/AlN resonant tunneling diodes
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  The 41st International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  モンペリエ(フランス)
- 年月日
  2014-05-11 – 2014-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420332
[学会発表] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードで生じる双安定性の劣化メカニズム
- 著者名/発表者名
  永瀬成範、高橋言緒、清水三聡
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420332

1. 石川浩 (50392585)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
2. 物集照夫 (20399497)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
3. 河島整 (90356840)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
4. 杉本喜正 (60415784)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 池田直樹 (10415771)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 秋本良一 (30356349)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
7. 牛頭信一郎 (90392729)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 挾間壽文 (90357765)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 鍬塚治彦 (40417150)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 秋田一路 (50470050)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
11. 小笠原剛 (00392598)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. GUAN Lim Cheng (10470048)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件

永瀬 成範 Nagase Masanori

永瀬 正範 ナガセ マサノリ

研究課題

研究成果

共同研究者

N極性窒化物半導体成長技術を用いた高速サブバンド間遷移不揮発性メモリの高性能化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

次世代コンピューティング技術構築に向けた高速サブバンド間遷移不揮発メモリの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

GaN系共鳴トンネルダイオードでのサブバンド間遷移を用いた高速不揮発メモリの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化ガリウム系共鳴トンネルダイオード作製とテラヘルツ波発振に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高速全光スイッチの低エネルギー動作化と全光信号処理デバイスへの展開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Nonvolatile memory operations using intersubband transitions in GaN/AlN resonant tunneling diodes grown on Si(111) substrates2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Enhancement of nonvolatile memory characteristics caused by GaN/AlN resonant tunneling diodes2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Growth and Characterization of GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes for High‐Performance Nonvolatile Memory2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Switching characteristics of nonvolatile memory using GaN/AlN resonant tunneling diodes2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Stabilization of nonvolatile memory operations using GaN/AlN resonant tunneling diodes by reducing structural inhomogeneity2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Resistance switching memory operation using the bistabilitｙ in current-voltage characteristics of GaN/AlN resonant tunneling diodes2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Investigating the bistability characteristics of GaN/AlN resonant tunneling diodes for ultrafast nonvolatile memory2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Bistability characteristics of GaN/AlN resonant tunneling diodes caused by intersubband transition and electron accumulation in quantum well2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Enhancement of all-optical cross phase modulation in InAlAs/AlAsSb coupled quantum ells using InAlAs coupling barrier2009

永瀬成範 Nagase Masanori

永瀬正範ナガセマサノリ