大垣武 OHGAKI Takeshi

研究者番号	80408731
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主任研究員 2020年度 – 2022年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員 2016年度 – 2017年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点電気・電子機能分野電子セラミックスグループ, 主任研究員 2015年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員 2014年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員 … もっと見る 2013年度 – 2014年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, その他 2012年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, 研究員 2012年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子機能G, 主任研究員 2012年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 環境・エネルギー材料部門, 主任研究員 2007年度 – 2010年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, 研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / 薄膜・表面界面物性 / 無機材料・物性研究代表者以外環境技術・環境材料 / 無機材料・物性 / 応用物性・結晶工学 / ナノ構造科学
キーワード	研究代表者薄膜 / 窒化スカンジウム / 電気特性 / 分子線エピタキシー / 光・電気特性 / 非化学量論的化合物 / 光・電子特性 / ドーピング / 結晶構造 / 窒化ガリウム … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る酸化物半導体 / 酸化亜鉛 / 光電子分光 / 自発分極 / 極性結晶 / 電子状態 / 極性表面 / 伝送線路 / 高周波デバイス / 酸化インジウム / 導波路 / マイクロ波 / ミリ波 / アンテナ / 高周波素子 / 透明導電体 / 高周波物性 / 透明導電性酸化物 / 表面構造 / 欠陥構造 / 半導体ウエファー / 固相拡散 / イオン注入 / 研磨 / 表面欠陥 / 単結晶ウエファー / エピタキシャル成長 / 圧電特性 / 精密研磨 / ウエファー / SIMS / 拡散 / 人工超格子 / 窒化物半導体 / フォノン / 同位体隠す

ドーピングによる非化学量論的化合物ScNの光・電気特性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  大垣武
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
高電子移動度を有する窒化スカンジウム薄膜へのキャリアドーピングに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大垣武
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(Ｃ)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
窒化スカンジウムの導入による閃亜鉛鉱型窒化ガリウムの合成に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  大垣武
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構
光励起キャリアの電荷分離と結晶内分極電場の相互作用に関する実証的検討
- 研究代表者
  
  大橋直樹
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  環境技術・環境材料
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構
透明酸化亜鉛薄膜の高周波物性評価とその高周波デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  羽田肇
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  無機材料・物性
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構
酸化亜鉛系混晶自立ウエファーの素子応用に向けた基礎研究
- 研究代表者
  
  大橋直樹
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構
同位元素分布を変調した化合物半導体超格子構造の創製とその物性
- 研究代表者
  
  羽田肇
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  ナノ構造科学
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Heteroepitaxial growth and electric properties of (110)-oriented scandium nitride films2017
- 著者名/発表者名
  Ohgaki Takeshi、Sakaguchi Isao、Ohashi Naoki、Haneda Hajime
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
  
  巻: 476 ページ: 12-16
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.08.002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04684
[雑誌論文] Electrical properties of scandium nitride epitaxial films grown on (100) magnesium oxide substrates by molecular beam epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Takeshi Ohgaki, Ken Watanabe, Yutaka Adachi, Isao Sakaguchi, Shunichi Hishita, Naoki Ohashi, Hajime Haneda
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 114 号: 9
- DOI
  10.1063/1.4820391
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820337
[雑誌論文] Influence of substrate nitridation on GaN and InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Yao, Y., Sekiguchi, T., Ohgaki, T., Adachi, Y., Ohashi, N.
- 雑誌名
  
  Nippon Seramikkusu Kyokai Gakujutsu Ronbunshi/Journal of the Ceramic Society of Japan
  
  巻: 120 (1407) ページ: 513-519
- NAID
  130004480114
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651081
[雑誌論文] Polarity-dependent photoemission spectra of wurtzite-type zinc oxide2012
- 著者名/発表者名
  J. Williams, H. Yoshikawa, S. Ueda, Y. Yamashita, K. Kobayashi, Y. Adachi, H. Haneda, T. Oogaki, H. Miyazaki, Takamasa Ishigaki, N. Ohash
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 100 号: 5 ページ: 51902-51902
- DOI
  10.1063/1.3673553
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560033, KAKENHI-PROJECT-23651081
[雑誌論文] Effect of Post-Annealing on Structural and Optical Properties, and Elemental Distribution in Heavy Eu-Implanted ZnO Thin Films2010
- 著者名/発表者名
  I.Sakaguchi, T.Ohgaki, Y.Adachi, S.Hishita, N.Ohashi, H.Haneda
- 雑誌名
  
  J.Ceram.Soc.Jpn. 118巻
  
  ページ: 1087-1089
- NAID
  130000420751
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[雑誌論文] Nitrogen isotopic effect in Ga15N epifilms grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  YZ Yao, T. Ohgaki, N. Fukata, 他4名
- 雑誌名
  
  Scripta Mater. 62
  
  ページ: 516-519
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[雑誌論文] Correlation Between Film Thickness and Zinc Defect Distribution along the Growth Direction in an Isotopic Multilayer ZnO Thin Film Grown By Pulsed Laser Deposition Analyzed Using the Internal Diffusion Method2010
- 著者名/発表者名
  K.Matsumoto, Y.Adachi, T.Ohgaki, N.Ohashi, H.Haneda, I.Sakaguchi
- 雑誌名
  
  Solid State Commun. 150巻
  
  ページ: 43-44
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[雑誌論文] Correlation Between Film Thickness and Zinc Defect Distribution along the Growth Direction in An Isotopic Multilayer ZnO Thin Film Grown By Pulsed Laser Deposition Analyzed Using The Internal Diffusion Method2010
- 著者名/発表者名
  K.Matsumoto, Y.Adachi, T.Ohgaki, N.Ohashi, H.Haneda, I.Sakaguchi
- 雑誌名
  
  Solid State Commun.
  
  巻: 150 ページ: 43-44
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[雑誌論文] Oxygen Tracer Diffusion in Magnesium-doped ZnO Ceramics2010
- 著者名/発表者名
  I.Sakaguch, K.Matsumoto, T.Ohgaki, Y.Adachi, K.Watanabe, N.Ohashi, H.Haneda
- 雑誌名
  
  J.Ceram.Soc.Jpn 118巻
  
  ページ: 362-365
- NAID
  130000304748
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[雑誌論文] Effect of Post-Annealing on Structural and Optical Properties, and Elemental Distribution in Heavy Eu-Implanted ZnO Thin Films2010
- 著者名/発表者名
  I.Sakaguchi, T.Ohgaki, Y.Adachi, S.Hishita, N.Ohashi, H.Haneda
- 雑誌名
  
  J.Ceram.Soc.Jpn.
  
  巻: 118 ページ: 1087-1089
- NAID
  130000420751
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[雑誌論文] Oxygen Tracer Diffusion in Magnesium-doped ZnO Ceramics2010
- 著者名/発表者名
  I.Sakaguch, K.Matsumoto, T.Ohgaki, Y.Adachi, K.Watanabe, N.Ohashi, H.Haneda
- 雑誌名
  
  J.Ceram.Soc.Jpn
  
  巻: 118 ページ: 362-365
- NAID
  130000304748
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[雑誌論文] Development of ZnO-based surface plasmon resonance gas sensor and analysis of UV irradiation effect on NO_2 desorption from ZnO thin films2010
- 著者名/発表者名
  K.Watanabe, K.Matsumoto, T.Ohgaki, I.Sakaguchi, N.Ohashi, S.Hishita, H.Haneda
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN 118
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[雑誌論文] Ion Implantation and Diffusion Behavior of Silver in Zinc Oxide2010
- 著者名/発表者名
  I.Sakaguchi, K.Watanabe, T.Ohgaki, T.Nakagawa, S.Hishita, Y.Adachi, N.Ohashi, H.Haneda
- 雑誌名
  
  J Ceram.Soc.Jpn 118巻
  
  ページ: 217-219
- NAID
  130000304716
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[雑誌論文] High-pressure phase transitions in BiMO_3(M=Al, Ga, and In) : In situ x-ray diffraction and Raman scattering experiments2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohgaki, et al.
- 雑誌名
  
  Physical Review B 80
  
  ページ: 214103-214103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[雑誌論文] Oxygen diffusion in zinc-oxide thin films prepared by pulsed-laser deposition2009
- 著者名/発表者名
  K. Matsumoto, Y. Adachi, T. Ohgaki, 他3名
- 雑誌名
  
  J. Ceram. Soc. Jpn. 117
  
  ページ: 666-670
- NAID
  10025967877
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[雑誌論文] Interface structure and polarity of GaN/ZnO heterostructure2009
- 著者名/発表者名
  T. Ohgaki
- 雑誌名
  
  J. Ceram. Soc. Jpn. 117
  
  ページ: 475-481
- NAID
  10025967123
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[雑誌論文] Interface structure and Polarity of GaN/ZnO heterostructure2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohgaki, et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Ceramics Society of Japan 117
  
  ページ: 475-481
- NAID
  10025967123
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[雑誌論文] Synthesis and Characterization of ZnO/Glass/ZnO Structures Showing Highly Nonlinear Current-Voltage Characteristics2009
- 著者名/発表者名
  N.Ohashi, K.Kataoka, T.Ohgaki, I.Sakaguchi, H.Haneda
- 雑誌名
  
  MATERIALS TRANSACTIONS 50
  
  ページ: 1060-1066
- NAID
  10024814653
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[雑誌論文] Positive Hall Coefficients Obtained from Contact Misplacement on Evident n-Type ZnO Films and Crystals2008
- 著者名/発表者名
  T.Ohgaki, N.Ohashi, S.Sugimura, H.Ryoken, I.Sakaguchi, Y.Adachi, H.Haneda
- 雑誌名
  
  J.Mater.Res. 23巻
  
  ページ: 2293-2295
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[雑誌論文] Positive Hall coefficients obtained from contact misplacement on evident n-type ZnO films and crystals2008
- 著者名/発表者名
  大垣武
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 23
  
  ページ: 2293-2295
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[雑誌論文] Positive Hall coefficients obtained from contact misplacement on evident n-type ZnO films and crystals2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohgaki, et al.
- 雑誌名
  
  J. Mater. Res. 23
  
  ページ: 2293-2295
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[産業財産権] 酸化亜鉛単結晶ウエファーの製造法2010
- 発明者名
  大橋直樹,羽田肇,大垣武,佐藤充,前田克己,杉村茂昭
- 権利者名
  独)物質・材料研究機構,東京電波株式会社
- 取得年月日
  2010-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[産業財産権] ウルツ鉱型III-V族窒化物薄膜結晶の製造法2009
- 発明者名
  大橋直樹,羽田肇,大垣武,佐藤充,前田克己,杉村茂昭
- 権利者名
  独)物質・材料研究機構,東京電波株式会社
- 取得年月日
  2009-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[産業財産権] 非晶質基材2008
- 発明者名
  安達裕,大垣武,坂口勲,大橋直樹
- 権利者名
  独)物質・材料研究機構
- 公開番号
  2010-050342
- 出願年月日
  2008-08-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[学会発表] MBE法で作製したScN薄膜の非化学量論的組成と電気特性2024
- 著者名/発表者名
  大垣武・坂口勲・大橋直樹
- 学会等名
  2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05335
[学会発表] MBE法によるGaN/ScNヘテロ構造の作製2022
- 著者名/発表者名
  大垣武・坂口勲・大橋直樹
- 学会等名
  日本セラミックス協会　2022年年会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05335
[学会発表] MBE法により成長させたScN薄膜へのプラズマ照射の影響2021
- 著者名/発表者名
  大垣武、坂口勲、大橋直樹
- 学会等名
  日本セラミックス協会　2021年年会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05335
[学会発表] サファイアr面上に成長したScN薄膜の構造と電子移動度2018
- 著者名/発表者名
  大垣　武、坂口　勲、大橋　直樹、羽田　肇
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04684
[学会発表] サファイアr面基板上へのScN薄膜のヘテロエピタキシャル成長2017
- 著者名/発表者名
  大垣武、坂口勲、大橋直樹、羽田肇
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜　（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04684
[学会発表] Heteroepitaxial growth and electric properties of (110)-oriented scandium nitride films2017
- 著者名/発表者名
  Ohgaki Takeshi、Sakaguchi Isao、Ohashi Naoki、Haneda Hajime
- 学会等名
  STAC-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04684
[学会発表] Molecular beam epitaxy growth of (100)-oriented ScN films2017
- 著者名/発表者名
  Ohgaki Takeshi、Sakaguchi Isao、Ohashi Naoki、Haneda Hajime
- 学会等名
  2017 E-MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04684
[学会発表] MBE Growth of Scandium Nitride Films on M-face Sapphire Substrates2016
- 著者名/発表者名
  Takeshi Ohgaki, Isao Sakaguchi, Naoki Ohashi, Hajime Haneda
- 学会等名
  The 10th Asian Meeting on Electroceramics
- 発表場所
  Taipei (Taiwan)
- 年月日
  2016-12-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04684
[学会発表] (100)配向ScN薄膜の光・電気特性2016
- 著者名/発表者名
  大垣武、坂口勲、大橋直樹、羽田肇
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス　（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K04684
[学会発表] サファイア基板上へのScN薄膜のヘテロ成長とその電気特性2014
- 著者名/発表者名
  大垣武, 渡邉賢, 坂口勲, 大橋直樹, 羽田肇
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス, 相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820337
[学会発表] Growth condition dependence of electric properties of ScN films on (100) MgO substrates prepared by molecular beam epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Takeshi Ohgaki, Ken Watanabe, Yutaka Adachi, Isao Sakaguchi, Shunichi Hishita, Naoki Ohashi, Hajime Haneda
- 学会等名
  17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  University of Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820337
[学会発表] MBE法により作製したScN薄膜の電気特性2013
- 著者名/発表者名
  大垣武, 渡邉賢, 坂口勲, 大橋直樹, 羽田肇
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス, 田辺市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820337
[学会発表] MBE法によるサファイア基板上へのScN薄膜のヘテロエピタキシャル成長2013
- 著者名/発表者名
  大垣武, 渡邉賢, 坂口勲, 菱田俊一, 大橋直樹, 羽田肇
- 学会等名
  第33回エレクトロセラミックス研究討論会
- 発表場所
  文部科学省研究交流センター, つくば市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820337
[学会発表] Molecular Beam Epitaxial Growth of ScN Films on Sapphire Substrates2013
- 著者名/発表者名
  Takeshi Ohgaki, Ken Watanabe, Yutaka Adachi, Isao Sakaguchi, Shunichi Hishita, Naoki Ohashi, Hajime Haneda
- 学会等名
  7th International Conference on the Science and Technology for Advance Ceramics
- 発表場所
  Mielparque-Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820337
[学会発表] MBE法によるサファイアr面基板上への窒化スカンジウム薄膜の作製2012
- 著者名/発表者名
  大垣武, 安達裕, 坂口勲, 菱田俊一, 大橋直樹, 羽田肇
- 学会等名
  日本セラミックス協会第25回秋季シンポジウム
- 発表場所
  名古屋市
- 年月日
  2012-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360277
[学会発表] ワイドギャップ材料の探索とその特性評価2012
- 著者名/発表者名
  大橋直樹, 島村清史, 谷口孝志, 渡邊賢司, 坂口勲, 大垣武, 菱田俊一, 北村健二, 羽田肇
- 学会等名
  学術振興第166委員会研究会
- 発表場所
  東京都
- 年月日
  2012-04-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360277
[学会発表] Defects and charge compensation in wide bandgap semiconductors2012
- 著者名/発表者名
  OHASHI Naoki, SAKAGUCHI Isao, WATANABE Ken, ADACHI Yutaka, TAKESHI OGAKI, HISHITA Shunichi, MIYAZAKI Hiroki, Jesse Willia, ISHIGAKI Takamasa
- 学会等名
  Solid State Chemistry 2012 (Invited)
- 発表場所
  University of Pardubice, Pardubice,チェコ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651081
[学会発表] Defects and charge compensation in wide bandgap semiconductors2012
- 著者名/発表者名
  N. Ohashi, I. Sakaguchi, K. Watanabe, Y. Adachi, T. Ohgaki, S. Hishita, H. Miyazaki, T. Ishigaki, H. Haneda
- 学会等名
  Solid State Chemistry 2012
- 発表場所
  Pardubice, Czech
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651081
[学会発表] ウルツ鉱型半導体薄膜の極性判定とその制御2011
- 著者名/発表者名
  大橋直樹, Jesse Williams, 安達裕, 吉川英樹, 山下良之, 上田茂典, 大垣武, 坂口勲, 菱田俊一, 小林啓介
- 学会等名
  日本金属学会2011年度秋期講演大会
- 発表場所
  沖縄コンベンションセンターおよびカルチャーリゾートフェストーネ,宜野湾
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23651081
[学会発表] Charge Compensation in Oxide Semiconductors2010
- 著者名/発表者名
  大橋直樹, 安達裕, 坂口勲, B.Li, J.Li, J.Williams, K.Matsumoto, T.Ohgaki, S.Ueda, H.Yoshikawa, K.Kobayashi, H.Okushi, J.Chen, T.Sekiguchi, H.Haneda
- 学会等名
  International Symposium On Compound Semiconductor 2010
- 発表場所
  高松
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[学会発表] ルツ鉱型ワイドギャンプ半導体中の欠陥の挙動2010
- 著者名/発表者名
  N.Ohashi, I.Sakaguchi, Y.Adachi, T.Ohgaki, H.Haneda
- 学会等名
  励起ナノプロセス研究会第6回研究会
- 発表場所
  障害者会館・堺市(大阪府)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[学会発表] Precipitations of ZnO particles from solutions and their chemical sensing properties2010
- 著者名/発表者名
  H.Haneda, K.Watanabe, K. Matsumoto, N. Saito(Shinjo), T.Ohgaki, Y.Moriura, I.Sakaguchi, Y.Adachi, N.Ohashi
- 学会等名
  2010 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Fransico USA
- 年月日
  2010-04-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360277
[学会発表] Nitrogen diffusion in AlN thin films deposited by a MBE method2010
- 著者名/発表者名
  H.Haneda, T.Ohgaki, T.Ogino, K.Watanabe, I.Sakaguchi, N.Ohashi
- 学会等名
  STAC-4
- 発表場所
  Tokohama Japan
- 年月日
  2010-06-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360277
[学会発表] Charge Compensation In Oxide Semiconductors2010
- 著者名/発表者名
  N.Ohashi, Y.Adachi, I.Sakaguchi, B.Li, J.Li, J.Williams, K.Matsumoto, T.Ohgaki, S.Ueda, H.Yoshikawa, K.Kobayashi, H.Okushi, J.Chen, T.Sekiguchi, H.Haneda
- 学会等名
  International Symposium On Compound Semiconductor 2010
- 発表場所
  高松国際会議場・高松市(香川県)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[学会発表] Self -Diffusion properties in ZnO thin films deposited by PLD Method2010
- 著者名/発表者名
  H.Haneda, I.Sakaguchi, K.Matsumoto, T.Ogino, S.Hishita, Y.Adachi, T.Ohgaki, N.Ohashi
- 学会等名
  The 27th International Korea-Japan Seminar on ceramics
- 年月日
  2010-11-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360277
[学会発表] Diffusion behavior in thin film with wurtzite crystal structure2010
- 著者名/発表者名
  H.Haneda, N.Ohashi, I.Sakaguchi, Y.Adachi, T.Ohgaki, K.Matsumoto
- 学会等名
  Electroceramics XII
- 発表場所
  Trondheim Norway
- 年月日
  2010-06-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360277
[学会発表] ルツ鉱型ワイドギャップ半導体中の欠陥の挙動2010
- 著者名/発表者名
  大橋直樹, 坂口勲, Y.Adachi, T.Ohgaki, H.Haneda
- 学会等名
  励起ナノプロセス研究会第6回研究会
- 発表場所
  堺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[学会発表] MBE法による窒化スカンジウム薄膜の作製2010
- 著者名/発表者名
  大垣武
- 学会等名
  日本セラミックス協会2010年年会
- 発表場所
  東京農工大学、小金井市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[学会発表] Diffusion Phenomena in ZnO Thin Films Deposited by PLD Method2010
- 著者名/発表者名
  H.Haneda, I.Sakaguchi, K.Matsumoto, T.Ogino, S.Hishita, Y.Adachi, T.Ohgaki, N.Ohashi
- 学会等名
  International Congress on ceramics(ICC3)
- 発表場所
  Osaka Japan
- 年月日
  2010-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360277
[学会発表] Molecular beam epitaxy growth of Al^<14>N/Al^<15>N isotope superlattices2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohgaki
- 学会等名
  The 26th International Japan-Korea Seminar on Ceramics
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[学会発表] Al^<14>N/Al^<15>N同位体人工超格子のラマンスペクトル2009
- 著者名/発表者名
  大垣武
- 学会等名
  日本セラミックス協会第22回秋季シンポジウム
- 発表場所
  愛媛大学、松山市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[学会発表] Defects in Wide Band Gap Semiconductors2008
- 著者名/発表者名
  N.Ohashi, I.Sakaguchi, Y.Adachi,, Y.Wada, T.Ohgaki, S.Ueda, H.Yoshikawa, T.Osawa, K.Matsumoto, K.Kobayashi, H.Haneda
- 学会等名
  2nd Intl.Conf.Sci.Tech.Adv.Ceramics
- 発表場所
  幕張
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20246007
[学会発表] Siとの接合を利用した酸化物半導体材料の局在準位の評価2008
- 著者名/発表者名
  大垣武
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学
- 年月日
  2008-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[学会発表] MBE法によるAl^<14>N/Al^<15>N同位体超格子の作製2008
- 著者名/発表者名
  大垣武
- 学会等名
  日本セラミックス協会第21回秋季シンポジウム
- 発表場所
  北九州国際会議場,福岡県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[学会発表] Synthesis of Al14N and Al15N Films by Molecular Beam Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohgaki
- 学会等名
  The 6th Asian Meeting on Electroceramics
- 発表場所
  NIMS and Tsukuba Center for Institutes, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[学会発表] Synthesis of Al^<14>N and Al^<15>N Films by Molecular Beam Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohgaki
- 学会等名
  The 6th Asian Meeting on Electroceramics
- 発表場所
  NIMS and Tsukuba Center for Institutes, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[学会発表] Synthesis of high crystalline InN/ZnO heterostructure by insertion of interface nanostructure2008
- 著者名/発表者名
  T. Ohgaki
- 学会等名
  INC4, Nanotech in Japan
- 発表場所
  Hitotsubashi Memorial Hall, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[学会発表] 窒素同位体を用いたAIN薄膜の作製2008
- 著者名/発表者名
  大垣武
- 学会等名
  日本セラミックス協会2008年年会
- 発表場所
  長岡技術科学大学
- 年月日
  2008-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19201019
[学会発表] MBE法で作製したScN薄膜の光・電気特性におけるSc/N比の影響
- 著者名/発表者名
  大垣武, 坂口勲, 大橋直樹, 羽田肇
- 学会等名
  日本セラミックス協会　第27回秋季シンポジウム
- 発表場所
  鹿児島大学郡元キャンパス, 鹿児島市
- 年月日
  2014-09-09 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820337
[学会発表] Heteroepitaxial growth and electric properties of scandium nitride films on m-face sapphire substrates
- 著者名/発表者名
  Takeshi Ohgaki, Ken Watanabe, Isao Sakaguchi, Shunichi Hishita, Naoki Ohashi, Hajime Haneda
- 学会等名
  E-MRS 2014 SPRING MEETING
- 発表場所
  Congress Center, Lille, France
- 年月日
  2014-05-26 – 2014-05-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820337
[学会発表] Heteroepitaxial growth of scandium nitride films on m-face sapphire substrates
- 著者名/発表者名
  Takeshi Ohgaki, Ken Watanabe, Isao Sakaguchi, Shunichi Hishita, Naoki Ohashi, Hajime Haneda
- 学会等名
  The 8th International Conference on the Science and Technolog
- 発表場所
  Mielparque-Yokohama, Yokohama, Japan
- 年月日
  2014-06-25 – 2014-06-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820337
[学会発表] MBE法で作製したScN薄膜のⅢ/Ⅴフラックス比依存性
- 著者名/発表者名
  大垣武, 坂口勲, 大橋直樹, 羽田肇
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス, 平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820337

1. 羽田肇 (70354420)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 23件
2. 大橋直樹 (60251617)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 26件
3. 坂口勲 (20343866)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 23件
4. 安達裕 (30354418)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 23件
5. 菱田俊一 (40354419)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 7件
6. 齋藤紀子 (20354417)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
7. 和田芳樹 (90343847)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 1件
8. 遊佐斉 (10343865)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 石岡邦江 (30343883)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 北島正弘 (00343830)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 石垣隆正 (40343842)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 吉川英樹 (20354409)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
13. 上田茂典 (20360505)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
14. 山下良之

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

大垣 武 OHGAKI Takeshi

研究課題

研究成果

共同研究者

ドーピングによる非化学量論的化合物ScNの光・電気特性制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高電子移動度を有する窒化スカンジウム薄膜へのキャリアドーピングに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化スカンジウムの導入による閃亜鉛鉱型窒化ガリウムの合成に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

光励起キャリアの電荷分離と結晶内分極電場の相互作用に関する実証的検討

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

透明酸化亜鉛薄膜の高周波物性評価とその高周波デバイスへの応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化亜鉛系混晶自立ウエファーの素子応用に向けた基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

同位元素分布を変調した化合物半導体超格子構造の創製とその物性

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Heteroepitaxial growth and electric properties of (110)-oriented scandium nitride films2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical properties of scandium nitride epitaxial films grown on (100) magnesium oxide substrates by molecular beam epitaxy2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Influence of substrate nitridation on GaN and InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy2012

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Polarity-dependent photoemission spectra of wurtzite-type zinc oxide2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effect of Post-Annealing on Structural and Optical Properties, and Elemental Distribution in Heavy Eu-Implanted ZnO Thin Films2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Nitrogen isotopic effect in Ga15N epifilms grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Correlation Between Film Thickness and Zinc Defect Distribution along the Growth Direction in an Isotopic Multilayer ZnO Thin Film Grown By Pulsed Laser Deposition Analyzed Using the Internal Diffusion Method2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Correlation Between Film Thickness and Zinc Defect Distribution along the Growth Direction in An Isotopic Multilayer ZnO Thin Film Grown By Pulsed Laser Deposition Analyzed Using The Internal Diffusion Method2010

大垣武 OHGAKI Takeshi