中野智 NAKANO SATOSHI

研究者番号	80423557
所属 (現在)	2025年度: 九州大学, 応用力学研究所, 技術班長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度: 九州大学, 応用力学研究所, 技術班長 2017年度: 九州大学, 応用力学研究所, その他 2012年度 – 2016年度: 九州大学, 応用力学研究所, 技術専門職員 2007年度 – 2009年度: 九州大学, 応用力学研究所, 技術職員
審査区分/研究分野	研究代表者以外結晶工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者以外結晶成長 / SiC / 転位 / 3次元解析 / 結晶工学 / 欠陥制御 / マルチフジックス / マルチフィジックス / シミュレーション / Al2O3 … もっと見る / Al203 / Aｌ203 / GaN / 結晶性長 / 残留応力 / シリコンカーバイド / ワイドバンドギャップ / 昇華法 / シリコン / Si / 電磁場隠す

マルチレベルフィジックスによる超高予測精度結晶成長シミュレータの実現
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  九州大学
ワイドバンドギャップ材料の欠陥定量解析手法の確立
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  九州大学
省エネ用半導体の実現に向けたマクロ・ナノ統合結晶成長法の構築
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州大学
動的電場・磁場を用いた新規結晶育成方法の創製
- 研究代表者
  
  柿本浩一
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州大学

すべて 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2010 2009 2008 2007 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Relationship between carbon concentration and carrier lifetime in CZ-Si crystals2018
- 著者名/発表者名
  Miyamura Y.、Harada H.、Nakano S.、Nishizawa S.、Kakimoto K.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 486 ページ: 56-59
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.01.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Effect of oxygen on dislocation multiplication in silicon crystals2018
- 著者名/発表者名
  Wataru Fukushima, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura Masato Imai, Satoshi Nakano, Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 486 ページ: 45-49
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.12.030
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Numerical analyses and experimental validations on transport and control of carbon in Czochralski silicon crystal growth2018
- 著者名/発表者名
  Liu Xin、Harada Hirofumi、Miyamura Yoshiji、Han Xue-feng、Nakano Satoshi、Nishizawa Shin-ichi、Kakimoto Koichi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 499 ページ: 8-12
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.07.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Silicon bulk growth for solar cells: Science and technology2017
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Bing Gao, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, and Yoshiji Miyamura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 (2) 号: 2 ページ: 020101-020101
- DOI
  10.7567/jjap.56.020101
- NAID
  210000147405
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Strain energy analysis of screw dislocations in 4H-SiC by molecular dynamics2016
- 著者名/発表者名
  Takahiro Kawamura, Mitsutoshi Mizutani, Yasuyuki Suzuki, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 3 ページ: 031301-031301
- DOI
  10.7567/jjap.55.031301
- NAID
  210000146126
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351, KAKENHI-PROJECT-16H03859
[雑誌論文] Total pressure-controlled PVT SiC growth for polytype stability during using 2D nucleation theory2016
- 著者名/発表者名
  S. Araki, B. Gao, S. Nishizawa, S. Nakano, and K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Cryst. Res. Technol.
  
  巻: 51, No. 5 号: 5 ページ: 344-348
- DOI
  10.1002/crat.201500344
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[雑誌論文] Molecular dynamics simulation of graphene growth by surface decomposition of 6H-SiC(0001).2014
- 著者名/発表者名
  Ryosuke Iguchi, Takahiro Kawamura, Yasuyuki Suzuki, Masato Inoue, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 065601 号: 6 ページ: 1-4
- DOI
  10.7567/jjap.53.065601
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Study of the effect of doped impurities on polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2014
- 著者名/発表者名
  T. Shiramomo, B. Gao, F. Mercier, S. Nishizawa, S. Nakano, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 385 ページ: 95-99
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2013.03.036
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Highly efficient and stable implementation of the Alexander-Haasen model for numerical analysis of dislocationin crystalgrowth2013
- 著者名/発表者名
  B. Gao n, S.Nakano,K.Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 369 ページ: 32-37
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2013.01.039
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Analysis of growth velocity of SiC growth and by the Physical vapor transport method2012
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Bing Gao, Takuya Shiramomo, Satoshi Nakano and Shin-ichi Nishizawa
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 717-720 ページ: 25-28
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Numerical analysis of the velocity of SiC growth by the top seeding method2012
- 著者名/発表者名
  F. Inui, B. Gao, S. Nakano, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 348 号: 1 ページ: 71-74
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.03.036
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] The impact of pressure and temperature on growth rate and layer uniformity in the sublimation growth of AIN crystals2012
- 著者名/発表者名
  B. Gao, S. Nakano, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 338 号: 1 ページ: 69-74
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.11.030
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Thermodynamical analysis of polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2012
- 著者名/発表者名
  T Shiramomo, B. Gao, F. Mercier, S. Nishizawa, S. Nakano Y Kangawa, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 352 号: 1 ページ: 177-180
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.01.023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[雑誌論文] Numerical Analysis of mc-Si Crystal Growth2010
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Hitoshi Matsuo, Syo Hisamatsu, Birava Ganesh, Gao Bing, X.J. Chen, Lijun Liu, Hiroaki Miyazawa, Yoshihiro Kangawa
- 雑誌名
  
  Solid State Phenomena 156-158,4
  
  ページ: 193-198
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Effect of crucible rotation on oxygen concentration in the p olycrystalline silicon grown by unidirectional solidification method2009
- 著者名/発表者名
  S. Nakano, et al
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (In press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Modeling and simulation of Si crystal growth from melt2009
- 著者名/発表者名
  Lijun Liu, Hiroaki Miyazawa, Satoshi Nakano, Xin Liu, Zaoyang Li, Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  Physica status solidi C6,3
  
  ページ: 645-652
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Effect of crucible rotation on oxygen concentration in the polycrystalline silicon grown by unidirectional solidification method2009
- 著者名/発表者名
  S.Nakano, et al
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 1051-1055
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Study on thermal stress in a silicon ingot during a unidirectional solidification process2008
- 著者名/発表者名
  X.J. Chen, S. Nakano, L.J. Liu, K. Kakimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4330-4335
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Numerical investigation of crystal growth process of bulk Si and nitrides-a review2007
- 著者名/発表者名
  K. Kakimoto, L. Liu, H. Miyazawa, S. Nakano, D. Kashiwagi, X.J. Chen, Y. Kangawa
- 雑誌名
  
  Cryst. Res. Technol. 42,12
  
  ページ: 1185-1189
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[雑誌論文] Numerical Analysis of Impurity Transport in a Unidirectional Solidification Furnace for Multicrystalline Silicon
- 著者名/発表者名
  Bing Gao, Satoshi Nakano, Koichi Kakimoto
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌 36
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Effect of oxygen on dislocation density in si single crystal for solar cells during solidification and cooling process2018
- 著者名/発表者名
  Tomoro Ide, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Masato Imai, and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Mass-flux Analysis of AlN Crystal Growth at a Seed Face in PVT Method2017
- 著者名/発表者名
  Yudai Maji, Satoshi Nakano, Koichi Kakimoto
- 学会等名
  7th International Workshop on Crystal Growth TechnologyPotsdam
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Effect of Oxygen on Dislocation Multiplication during Growth of Crystalline Silicon for Solar Cell2017
- 著者名/発表者名
  Tomoro Ide, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura and Koichi Kakimoto
- 学会等名
  7th International Workshop on Crystal Growth TechnologyPotsdam
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Numerical analysis of dislocation density in Si single crystal with oxygen diffusion2017
- 著者名/発表者名
  Wataru Fukushima, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura Koichi Kakimoto
- 学会等名
  7th International Workshop on Crystal Growth TechnologyPotsdam
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] AlN結晶成長の昇華法における物質流束解析2017
- 著者名/発表者名
  間地雄大，中野智，柿本浩一
- 学会等名
  第46回結晶成国内会議（JCCG-46）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] AlN結晶成長の昇華法におけるシード面近傍の物質流束解析2017
- 著者名/発表者名
  間地雄大、中野智、柿本浩一
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Effect of oxygen atoms on dislocation multiplication in a silicon crystal2016
- 著者名/発表者名
  W. Fukushima, B. Gao, S. Nakano, H. Harada, Y. Miyamura, and K. Kakimoto
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Nagoya Congress Center
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] Relationship between the Dislocation Density and Residual Stress in a GaN Crystal during the Cooling Process2016
- 著者名/発表者名
  S. Nakano, B. Gao, K. Kakimoto
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Sheraton Kona Resort & Spa at Keauhou Bay, Hawaii, USA
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] GaN 単結晶における基板と冷却速度の転位密度に与える影響2016
- 著者名/発表者名
  中野智、高冰、柿本浩一
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東工大大岡山キャンパス、東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] Crystal growth of AlN: from atomic scale to macro scale2016
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Satoshi Nakano, Yoshihiro Kangawa
- 学会等名
  E-MRS 2016 Fall Meeting
- 発表場所
  Central Campus of Warsaw University of Technology（Warsaw、Poland）
- 年月日
  2016-09-19
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] Numerical analysis of dislocation density and residual stress in a GaN single crystal during the cooling proces2016
- 著者名/発表者名
  S. Nakano, B. Gao, K. Kakimoto
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Nagoya Congress Center
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03859
[学会発表] ATOMIC AND MACRO SCALE CALCULATIONS ON CRYSTAL GROWTH OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS2015
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Shin-ichi NIshizawa, Bing Gao, Satoshi Nakano, Hirofumi Harada, Yoshiji Miyamura, Takashi Sekiguchi
- 学会等名
  ACCGE-20/OMVPE-17
- 発表場所
  Big Sky, Montana, USA
- 年月日
  2015-08-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] EFFECT OF COOLING RATE ON GROWN-IN DISLOCATION MULTIPLICATION ON PRISMATIC SLIP PLANES FOR GAN SINGLE CRYSTAL2015
- 著者名/発表者名
  Satoshi Nakano, Bing Gao, Koichi Kakimoto
- 学会等名
  ACCGE-20/OMVPE-17
- 発表場所
  Big Sky, Montana, USA
- 年月日
  2015-08-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] Numerical Analysis of the Effect of Substrate and Cooling Rate on Grown-in Dislocation Multiplication for GaN Single Crystal2015
- 著者名/発表者名
  S. Nakano, B. Gao, K. Kakimoto
- 学会等名
  The 8th International Workshop on Modeling in Crystal Growth
- 発表場所
  Spa, Belgium
- 年月日
  2015-11-15
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13351
[学会発表] 物理的気相輸送法を用いた4H-SiC 単結晶成長における基底面転位の3 次元2014
- 著者名/発表者名
  高　　冰，中野　智，柿本浩一
- 学会等名
  第61 回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] PVT を用いたSiC 結晶成長における不純物混入解析2014
- 著者名/発表者名
  柿本浩一，Bing Gao，中野　智，寒川義裕，西澤伸一
- 学会等名
  第61 回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] PVT 成長法を用いた4H-SiC 単結晶における基底面転位の低減に対するヒーター電力制御の最適化2014
- 著者名/発表者名
  高　　冰，中野　智，柿本浩一
- 学会等名
  第61 回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Study of the effect of doped nitrogen and aluminum on polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2013
- 著者名/発表者名
  Koichi Kakimoto, Takuya Shiramomo, Bing Gao, Frederic Mercier, Shin-ichi Nishizawa, Satoshi Nakano
- 学会等名
  17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] 昇華法成長SiC結晶中への不純物混入解析2013
- 著者名/発表者名
  柿本浩一，高冰，白桃拓哉，西澤伸一，中野智，寒川義裕
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] シリコン結晶系太陽電池の結晶成長と変換効率2012
- 著者名/発表者名
  柿本浩一, Bing Gao,中野智, 寒川義裕, 原田博文
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学(招待講演)
- 年月日
  2012-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] PVTを用いたSiCバルク結晶成長における転位および多結晶分布の非定常数値解析2012
- 著者名/発表者名
  高冰, 中野智, 西澤伸一, 柿本浩一
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議NCCG-42
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] シリコン多結晶育成時における結晶成長速度と炉の大きさの固液界面形状に与える影響2009
- 著者名/発表者名
  中野智
- 学会等名
  2009年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] 数値解析を用いた多結晶シリコン育成時における融液内酸素濃度に対する増蝸回転数依存性の考察2008
- 著者名/発表者名
  中野智
- 学会等名
  第38回結晶成長国内会議
- 発表場所
  仙台市戦災復興記念館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Effect of crucible rotation on oxygen concentration in the melt during crystallization of silicon for solar cells2008
- 著者名/発表者名
  S. Nakano
- 学会等名
  The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] Global Modeling of a Directional Solidification Process for Multi-Crystalline Silicon2007
- 著者名/発表者名
  K. Kakimoto, L. Liu, S. Nakano
- 学会等名
  2nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
- 発表場所
  FIERA MILANO/Rho in Milan, Italy
- 年月日
  2007-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360012
[学会発表] 二次元核形成理論を用いたSiC昇華法成長における多形安定性の非定常解析
- 著者名/発表者名
  荒木清道，高冰，中野智，西澤伸一，柿本浩一
- 学会等名
  NCCG-44
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] Three-dimensional modeling of basal plane dislocations in 4H-SiC
- 著者名/発表者名
  Bing Gao, Satoshi Nakano, Koichi Kakimoto
- 学会等名
  E-MRS 2014 SPRING MEETING
- 発表場所
  Congress Center,Lille, France
- 年月日
  2014-05-27 – 2014-05-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012
[学会発表] 二次元核形成理論を用いたSiC 昇華法成長における多形安定性の非定常解析
- 著者名/発表者名
  荒木清道，高　　冰，中野　智，西澤伸一，柿本浩一
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360012

1. 柿本浩一 (90291509)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 43件
2. 西澤伸一 (40267414)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 11件
3. 寒川義裕 (90327320)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 劉立軍 (00380535)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
5. 宇田聡 (90361170)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 黄新明 (80375104)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

中野 智 NAKANO SATOSHI

研究課題

研究成果

共同研究者

マルチレベルフィジックスによる超高予測精度結晶成長シミュレータの実現

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ワイドバンドギャップ材料の欠陥定量解析手法の確立

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

省エネ用半導体の実現に向けたマクロ・ナノ統合結晶成長法の構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

動的電場・磁場を用いた新規結晶育成方法の創製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Relationship between carbon concentration and carrier lifetime in CZ-Si crystals2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effect of oxygen on dislocation multiplication in silicon crystals2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Numerical analyses and experimental validations on transport and control of carbon in Czochralski silicon crystal growth2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Silicon bulk growth for solar cells: Science and technology2017

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[雑誌論文] Strain energy analysis of screw dislocations in 4H-SiC by molecular dynamics2016

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[雑誌論文] Total pressure-controlled PVT SiC growth for polytype stability during using 2D nucleation theory2016

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[雑誌論文] Molecular dynamics simulation of graphene growth by surface decomposition of 6H-SiC(0001).2014

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[雑誌論文] Study of the effect of doped impurities on polytype stability during PVT growth of SiC using 2D nucleation theory2014

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[雑誌論文] Highly efficient and stable implementation of the Alexander-Haasen model for numerical analysis of dislocationin crystalgrowth2013

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[雑誌論文] Analysis of growth velocity of SiC growth and by the Physical vapor transport method2012

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[雑誌論文] Numerical analysis of the velocity of SiC growth by the top seeding method2012

中野智 NAKANO SATOSHI