藤井克司 Fujii Katsushi

研究者番号	80444016
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人理化学研究所, 光量子工学研究センター, 研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2020年度: 国立研究開発法人理化学研究所, 光量子工学研究センター, 研究員 2016年度 – 2017年度: 北九州市立大学, 付置研究所, 教授 2015年度: 国立研究開発法人理化学研究所, 光量子工学研究領域, 研究員 2009年度 – 2011年度: 東北大学, 学際科学国際高等研究センター, 客員准教授
審査区分/研究分野	研究代表者以外中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者以外半導体 / 光触媒 / GaN / 光起電力 / 水素 / 水分解 / バンドアラインメント / 界面準位 / 半導体物理 / 分極 … もっと見る / エピタキシャル成長 / フェルミエネルギー / 表面構造 / 窒化ガリウム / 光電気化学 / 結晶成長 / 再生可能エネルギー / 有機金属気相成長 / 分極制御 / 化合物半導体 / 窒化 / ケミカルリフトオフ / CrN / InGaN / AlGaN / 発光ダイオード(LED) / ケミカル・リフト・オフ / 紫外LED / LED / 窒化物半導体隠す

光触媒におけるバンドアラインメントの究明と半導体物理的設計指針の構築
- 研究代表者
  
  杉山正和
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
分極制御による可視光応答・高耐久性窒化物半導体人工光合成デバイス
- 研究代表者
  
  杉山正和
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
ケミカル・リフト・オフを活用した縦型超高輝度紫外LEDへの展開
- 研究代表者
  
  八百隆文
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東北大学

すべて 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2011 2010 2009

すべて雑誌論文学会発表図書

[図書] 発光ダイオード2011
- 著者名/発表者名
  八百隆文、藤井克司、神門賢二
- 総ページ数
  352
- 出版者
  朝倉書店
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] First-principles modeling of GaN(0001)/water interface: Effect of surface charging2019
- 著者名/発表者名
  M. Sato, Y. Imazeki, K. Fujii, Y. Nakano, and M. Sugiyama
- 雑誌名
  
  The Journal of Chemical Physics
  
  巻: 150 号: 15 ページ: 154703-154703
- DOI
  10.1063/1.5086321
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K13784, KAKENHI-PROJECT-18H03772
[雑誌論文] Low-temperature growth of AlN and GaN by metal organic vapor phase epitaxy for polarization engineered water splitting photocathode2017
- 著者名/発表者名
  Akihiro Nakamura, Michihiro Suzuki, Katsushi Fujii, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  巻: 464 ページ: 180-184
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.12.005
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238, KAKENHI-PROJECT-14J08965
[雑誌論文] Photoelectrochemical Property Differences between NiO Dots and Layer on n-Type GaN for Water Splitting2017
- 著者名/発表者名
  K. Koike, K. Yamamoto, S. Ohara, M. Sugiyama, Y. Nakano, K. Fujii
- 雑誌名
  
  J. Electrochemical Soc.
  
  巻: 42 号: 13 ページ: 9493-9499
- DOI
  10.1149/2.1191613jes
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[雑誌論文] A 24.4% solar to hydrogen energy conversion efficiency by combining concentrator photovoltaic modules and electrochemical cells2015
- 著者名/発表者名
  Akihiro Nakamura, Yasuyuki Ota, Kayo Koike, Yoshihide Hidaka, Kensuke Nishioka, Masakazu Sugiyama, Katsushi Fujii
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 10 ページ: 107101-107101
- DOI
  10.7567/apex.8.107101
- NAID
  210000137684
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238, KAKENHI-PROJECT-14J08965
[雑誌論文] An empirical equation including the strain effect for optical transition energy of strained and fully relaxed GaN films2010
- 著者名/発表者名
  Lee, SW ; Ha, JS ; Lee, HJ ; Lee, HJ ; Goto, H ; Hanada, T ; Goto, T ; Fujii, K ; Cho, MW ; Yao, T
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
  
  巻: 43 ページ: 175101-175101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Correlation between structural and optical properties of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire by metal organic chemical-vapor deposition2010
- 著者名/発表者名
  Jung, M ; Chang, J ; Lee, H ; Ha, JS ; Park, JS ; Park, S ; Fujii, K ; Yao, T ; Kil, GS ; Lee, S ; Cho, M ; Whang, S
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
  
  巻: 28 ページ: 623-626
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] An empirical equation including the strain effect for optical transition energy of strained and fully relaxed GaN films2010
- 著者名/発表者名
  Lee, SW; Ha, JS; Lee, HJ; Lee, HJ; Goto, H; Hanada, T; Goto, T; Fujii, K; Cho, MW; Yao, T
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF PHYSICS D-APPHED PHYSICS
  
  巻: 43 ページ: 175101-175101
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文]2010
- 著者名/発表者名
  八百隆文、藤井克司、神門賢二
- 雑誌名
  
  発光ダイオード(朝倉書店)
  
  ページ: 1-352
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on the CrN surface grown on sapphire substrate to control the polarity of ZnO by plasma-assisted molecular beam epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Chang JH, Jung MN, Park JS, Park SH, Im IH, Lee HJ, Ha JS, Fujii K, Hanada T, Yao T, Murakami Y, Ohtsu N, Kil GS
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 255 ページ: 8582-8586
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template2009
- 著者名/発表者名
  Lee SW, Ha JS, Lee HJ, Lee HJ, Goto H, Hanada T, Goto T, Fujii K. Cho MW. Yao T
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
  
  ページ: 82105-82105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Leakage current improvement of nitride-based light emitting diodes using CrN buffer layer and its vertical type application by chemical lift-off process2009
- 著者名/発表者名
  Fujii K, Lee S, Ha JS, Lee HJ, Lee HJ, Lee SH, Kato T, Cho MW, Yao T
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 94 ページ: 2420108-2420108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Leakage current improvement of nitride-based light emitting diodes using CrN buffer layer and its vertical type application by chemical lift-off process2009
- 著者名/発表者名
  Fujii K, Lee S, Ha JS, Lee HJ, Lee HJ, Lee SH, Kato T, Cho MW, Yao T
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 94
  
  ページ: 242108-242108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template2009
- 著者名/発表者名
  Lee SW, Ha JS, Lee HJ, Lee HJ, Goto H, Hanada T, Goto T, Fujii K, Cho MW, Yao T
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 94 ページ: 82105-82105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on the CrN surface grown on sapphire substrate to control the polarity of ZnO by plasma-assisted molecular beam epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Chang JH, Jung MN, Park JS, Park SH, Im IH, Lee HJ, Ha JS, Fujii K, Hanada T, Yao T, Murakami Y, Ohtsu N, Kil GS
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 255
  
  ページ: 8582-8586
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[学会発表] Pt担持したSrTiO3(100)面の光電気化学特性2020
- 著者名/発表者名
  沈昊哉、今関裕貴、佐藤正寛、藤井克司、嶺岸耕、中野義昭、杉山正和
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03772
[学会発表] Comparison of Light-Intensity-Dependent Open-Circuit Potential among TiO2, SrTiO3 and GaN Single-Crystalline Photoanodes2019
- 著者名/発表者名
  Supawan Ngamprapawat, Yuki Imazeki, Tsutomu Minegishi, Masahiro Sato, Katsushi Fujii, Masakazu Sugiyama
- 学会等名
  MRS fall meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03772
[学会発表] Effect of Dissolved O2 on Band Alignment at n-GaN/NaOH Interface2019
- 著者名/発表者名
  Yuki Imazeki,Supawan Ngamprapawat, Masahiro Sato, Katsushi Fujii, Tsutomu Minegishi, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
- 学会等名
  MRS fall meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03772
[学会発表] n-GaN光電極/電解液界面バンドアライメントに及ぼす溶存酸素の影響2019
- 著者名/発表者名
  今関裕貴、ナーンプラパーワットスパワン、佐藤正寛、藤井克司、嶺岸耕、杉山正和、中野義昭
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03772
[学会発表] Material-dependent Photoresponse of quasi-Fermi Level in Single-crystalline Photoanodes2019
- 著者名/発表者名
  Supawan Ngamprapawat, Yuki Imazeki, Tsutomu Minegishi, Katsushi Fujii, Masakazu Sugiyama
- 学会等名
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03772
[学会発表] Impact of surface morphology of Al(Ga)N interlayer for polarization-engineered water splitting photocathode2018
- 著者名/発表者名
  Hiroaki Maruyama, Katsushi Fujii, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama
- 学会等名
  IWN 2018, Nov. 11-16, Kanazawa, Japan, OD13-7
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03772
[学会発表] The Effect of Illumination on the Geometric Structure of Water Molecules on GaN(0001) Surface2018
- 著者名/発表者名
  Masahiro Sato, Yuki Imazeki, Katsushi Fujii, Yoshiaki Nakano, Masakazu Sugiyama
- 学会等名
  MRS 2018 Fall Meeting, Nov. 25-30, 2018, Boston, USA, CM03.09.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H03772
[学会発表] Pt co-catalyst by photo-electrodeposition on tandem nitride semiconductor photocathode for zero-bias solar water splitting2017
- 著者名/発表者名
  H. Maruyama, A. Nakamura, Y. Nakano, K. Fujii, M. Sugiyama
- 学会等名
  Material and Device Innovations for the Practical Implementation of Solar Fuels (SolarFuel17), Sep 4-6, Barcelona, 2017, SF1.4.2-5
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] Photo-Induced Gain of Open-Circuit-Potential (OCP) in GaN Photoelectrodes for Characterizing Defects and Photoelectrochemical Activity2017
- 著者名/発表者名
  Y. Imazeki, Y. Iwai, A. Nakamura, K. Koike, K. Watanabe, K. Fujii , M. Sugiyama and Y. Nakano
- 学会等名
  MRS Spring Meeting, ES7.9.03
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] Band Alignment at n-GaN/Electrolyte Interface Explored by Photo-Induced Offset of Open-Circuit Potential for Efficient Water Splitting2017
- 著者名/発表者名
  Yuuki Imazeki, Yohei Iwai, Akihiro Nakamura, Kayo Koike, Shin-ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Katsushi Fujii, Masakazu Sugiyama and Yoshiaki Nakano
- 学会等名
  ECS Trans. 2017 volume 77, issue 4, 25-30, doi: 10.1149/07704.0025ecst
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] Polarization engineered photocathode using InGaN/AlN heterostructure for zero-bias solar water splitting2017
- 著者名/発表者名
  A. Nakamura, H. Maruyama, Y. Nakano, K. Fujii, M. Sugiyama
- 学会等名
  Material and Device Innovations for the Practical Implementation of Solar Fuels (SolarFuel17), Sep 4-6, Barcelona, 2017, SF1.4.1-7
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] Impact of surface modification on photo-induced Open-Circuit-Potential (OCP) of GaN anode2016
- 著者名/発表者名
  Y. Iwai, A. Nakamura, K. Koike, Y. Nakano, K. Fujii, and M. Sugiyama
- 学会等名
  21st International Conference on Photochemical Conversion and Storage of Solar Energy
- 発表場所
  Saint Petersburg, Russia
- 年月日
  2016-07-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] GaN キャップ層導入による低温成長 AlN 層の高品質化および水分解光電極の特性向上2016
- 著者名/発表者名
  中村亮裕, 藤井克司, 中野義昭, 杉山正和
- 学会等名
  第 8 回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学（京都府・京都市）
- 年月日
  2016-05-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] InGaN/GaN/AlN/GaN可視光応答型水分解光電極2016
- 著者名/発表者名
  中村亮裕, 杉山正和, 藤井克司, 中野義昭
- 学会等名
  第 77 回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] GaN における Open-Circuit-Potential (OCP) の光強度依存性と表面処理の効果2016
- 著者名/発表者名
  岩井耀平, 中村亮裕, 小池佳代, 中野義昭, 藤井克司, 杉山正和
- 学会等名
  第 77 回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] Superior Catalytic Activity of NiO Island on n-type GaN Photoanode Compared with NiO Protection Layer Structure2016
- 著者名/発表者名
  K. Koike, A. Nakamura, K. Yamamoto, S. Ohara, M. Sugiyama, Y. Nakano, and K. Fujii
- 学会等名
  21st International Conference on Photochemical Conversion and Storage of Solar Energy
- 発表場所
  Saint Petersburg, Russia
- 年月日
  2016-07-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] Low-Temperature Growth of Al(Ga)N/GaN Tunnel Junction with Abrupt Interfaces and Low Dislocation Density for Polarization Engineered Water Splitting Photocathode2016
- 著者名/発表者名
  A. Nakamura, M. Suzuki, K. Fujii, Y. Nakano, and M. Sugiyama
- 学会等名
  18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  San Diego, USA
- 年月日
  2016-07-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] InGaN/AlGaN/GaN Polarization Engineered Water Splitting Photocathode under Visible Light Irradiation2016
- 著者名/発表者名
  中村亮裕, 藤井克司, 中野義昭, 杉山正和
- 学会等名
  第 35 回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県・守山市）
- 年月日
  2016-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] Visible Light Responding InGaN/AlN/GaN Polarization Engineered Water Splitting Photocathode2016
- 著者名/発表者名
  A. Nakamura, K. Fujii, Y. Nakano and M. Sugiyama
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Orlando, Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] Enhanced photoelectrochemical properties of u-GaN/AlN/n-GaN photocathode with improved GaN/AlN interface abruptness2015
- 著者名/発表者名
  Akihiro Nakamura, Michihiro Suzuki, Katsushi Fujii, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
- 発表場所
  Hamamatsu, Japan
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] Numerical Investigation on a Novel +c-Plane InGaN Based Solar Cell with a Polarization Induced Tunnel Junction2015
- 著者名/発表者名
  Akihiro Nakamura, Katsushi Fujii, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano
- 学会等名
  11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
- 発表場所
  Beijing, China
- 年月日
  2015-08-31
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H02238
[学会発表] Growth of free-standing GaN substrates (Invited)2010
- 著者名/発表者名
  HJ Lee, SW Lee, JS Ha, C Kim, JH Chang, K. Fujii, and T. Yao
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  The Moscone Center, San Francisco, USA
- 年月日
  2010-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[学会発表] Photo-electro-chemical properties of GaN2010
- 著者名/発表者名
  Fujii, K., Goto, T., Yao, T.
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductor 2010
- 発表場所
  Tampa、Florida、USA.
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[学会発表] Growth of free-standing GaN substrates(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  HJ Lee, SW Lee, JS Ha, C Kim, JH Chang, K Fujii, T Yao
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  The Moscone Center, San Francisco, USA
- 年月日
  2010-01-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001
[学会発表] Photo-electro-chemical properties of GaN2010
- 著者名/発表者名
  Fujii, K, Goto, T, Yao, T
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductor 2010
- 発表場所
  Tampa、Florida、USA
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360001

1. 杉山正和 (90323534)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 24件
2. 八百隆文 (60230182)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 15件
3. 後藤武生 (10004342)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
4. 李賢宰 (10584063)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
5. 小池佳代 (80532423)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 佐藤正寛 (40805769)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件

藤井 克司 Fujii Katsushi

研究課題

研究成果

共同研究者

光触媒におけるバンドアラインメントの究明と半導体物理的設計指針の構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

分極制御による可視光応答・高耐久性窒化物半導体人工光合成デバイス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ケミカル・リフト・オフを活用した縦型超高輝度紫外LEDへの展開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 発光ダイオード2011

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[雑誌論文] First-principles modeling of GaN(0001)/water interface: Effect of surface charging2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Low-temperature growth of AlN and GaN by metal organic vapor phase epitaxy for polarization engineered water splitting photocathode2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Photoelectrochemical Property Differences between NiO Dots and Layer on n-Type GaN for Water Splitting2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] A 24.4% solar to hydrogen energy conversion efficiency by combining concentrator photovoltaic modules and electrochemical cells2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] An empirical equation including the strain effect for optical transition energy of strained and fully relaxed GaN films2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Correlation between structural and optical properties of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire by metal organic chemical-vapor deposition2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] An empirical equation including the strain effect for optical transition energy of strained and fully relaxed GaN films2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文]2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] X-ray photoelectron spectroscopy study on the CrN surface grown on sapphire substrate to control the polarity of ZnO by plasma-assisted molecular beam epitaxy2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Leakage current improvement of nitride-based light emitting diodes using CrN buffer layer and its vertical type application by chemical lift-off process2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Leakage current improvement of nitride-based light emitting diodes using CrN buffer layer and its vertical type application by chemical lift-off process2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

藤井克司 Fujii Katsushi

[学会発表] GaN キャップ層導入による低温成長 AlN 層の高品質化および水分解光電極の特性向上2016