竹内健 Takeuchi Ken

研究者番号	80463892
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 2020年度 – 2023年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 2014年度 – 2018年度: 中央大学, 理工学部, 教授 2012年度: 中央大学, 理工学部・電気電子情報通信工学科, 教授 2011年度: 中央大学, 理工学部, 教授 2008年度 – 2010年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分60040:計算機システム関連 / 電子デバイス・電子機器 / 合同審査対象区分:小区分60040:計算機システム関連、小区分60090:高性能計算関連 / 小区分60090:高性能計算関連
キーワード	研究代表者不揮発性メモリ / 3次元LSI / フラッシュメモリ / メモリ / ニューラルネットワーク / メモリシステム / Stochastic Resonance / 機械学習 / AI / Summing Network … もっと見る / ナノメモリデバイス / ハイパフォーマンスコンピューテイング / ハイパフォーマンスコンピューティング / 情報システム / マイクロナノデバイス / データストレージ / 電子デバイス / 低電圧動作 / 電源回路 / 新機能材料 / 3次元集積回路 / ナノデバイス / アダプティブ / ナノスケール / CMOS / 不揮発メモリ / 強誘電体 / 低消費電力 / 電源 / 3次元 LSI / SSD 隠す

研究課題
(4件)
研究成果
(138件)

デバイス・回路・エッジAIアルゴリズム融合による極低電力ハイブリッドCiMの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内健
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分60040:計算機システム関連
   小区分60090:高性能計算関連
   合同審査対象区分:小区分60040:計算機システム関連、小区分60090:高性能計算関連
- 研究機関
  東京大学
ハードソフト連携・精緻な電子制御による不揮発性メモリシステムのエラー最小化の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内健
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分60040:計算機システム関連
- 研究機関
  東京大学
ビッグデータのリアルタイム処理に向けた新機能材料を用いた集積回路システムの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内健
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  中央大学
シリコン単電子・量子・CMOS 融合3次元ナノ集積回路システムに関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  竹内健
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  中央大学
   東京大学

[図書] Inside Solid State Drives (SSDs)2012
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[雑誌論文] Stochastic Resonance Modeling of Floating Gate-based Neurons in Summing Networks for Accurate and Energy Efficient Operations2024
- 著者名/発表者名
  Akira Goda, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 71 号: 3 ページ: 1737-1744
- DOI
  10.1109/ted.2024.3354231
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[雑誌論文] Heterogeneous Integration of Precise and Approximate Storage for Error-Tolerant Workloads2023
- 著者名/発表者名
  Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences
  
  巻: E106.A 号: 3 ページ: 491-503
- DOI
  10.1587/transfun.2022VLP0001
- ISSN
  0916-8508, 1745-1337
- 年月日
  2023-03-01
- 言語
  英語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[雑誌論文] A Stochastic Leaky-Integrate-and-Fire Neuron Model With Floating Gate-Based Technology for Fast and Accurate Population Coding2022
- 著者名/発表者名
  Akira Goda, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 10 ページ: 861-869
- DOI
  10.1109/jeds.2022.3206317
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[雑誌論文] Adaptive Comparator Bias-Current Control of 0.6 V Input Boost Converter for ReRAM Program Voltages in Low Power Embedded Applications2016
- 著者名/発表者名
  Tomoya Ishii, Sheyang Ning, Masahiro Tanaka, Kota Tsurumi and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  IEEE J. of Solid-State Circuits
  
  巻: 51 ページ: 2389-2397
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[雑誌論文] Memory System Architecture for the Data Centric Computing2016
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146262
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[雑誌論文] 0.6-1.0 V Operation Set/Reset Voltage (3V) Generator for 3D-integrated ReRAM and NAND flash Hybrid Solid-State Drive2016
- 著者名/発表者名
  Masahiro Tanaka, Shogo Hachiya, Tomoya Ishii, Sheyang Ning, Kota Tsurumi and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[雑誌論文] Reset-Check-Reverse-Flag Scheme on NRAM with 50% Bit Error Rate or 35% Parity Overhead and 16% Decoding Latency Reductions for Read-Intensive Storage Class Memory2016
- 著者名/発表者名
  Sheyang Ning, Tomoko Ogura Iwasaki, Shuhei Tanakamaru, Darlene Viviani, Henry Huang, Monte Manning, Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  IEEE J. of Solid-State Circuits
  
  巻: 51 ページ: 1938-1951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[雑誌論文] Carbon Nanotube Memory Cell Array Program Error Analysis and Tradeoff between Reset Voltage and Verify Pulses2016
- 著者名/発表者名
  Sheyang Ning, Tomoko Ogura Iwasaki, Shogo Hachiya, Glen Rosendale, Monte Manning, Darlene Viviani, Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146314
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[雑誌論文] Understanding Relation Between Performance and Reliability of NAND Flash / SCM Hybrid Solid-State Drive (SSD)2015
- 著者名/発表者名
  Shuhei Tanakamaru, Shogo Hosaka, Koh Johguchi, Hirofumi Takishita and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on VLSI Systems
  
  巻: 99 ページ: 1-12
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[雑誌論文] Design Guidelines of Storage Class Memory Based Solid-State Drives to Balance Performance, Power, Endurance and Cost2015
- 著者名/発表者名
  Takahiro Onagi, Chao Sun and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54
- NAID
  210000144992
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[雑誌論文] Array-level Stability Enhancement of 50nm AlxOy ReRAM2015
- 著者名/発表者名
  Tomoko Ogura Iwasaki, Sheyang Ning, Hiroki Yamazawa and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 114 ページ: 1-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[雑誌論文] 50 nm AlxOy ReRAM program 31% energy, 1.6× endurance, and 3.6× speed improvement by advanced cell condition adaptive verify-reset2015
- 著者名/発表者名
  Sheyang Ning, Tomoko Ogura Iwasaki and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 103 ページ: 64-72
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[雑誌論文] Advanced Error-Prediction LDPC with temperature compensation for Highly Reliable SSDs2015
- 著者名/発表者名
  Tsukasa Tokutomi, Shuhei Tanakamaru, Tomoko Ogura Iwasaki and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 111 ページ: 129-140
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[雑誌論文] Investigation and Improvement of Verify-program in Carbon Nanotube Based Non-volatile Memory2015
- 著者名/発表者名
  Sheyang Ning, Tomoko Ogura Iwasaki, Kazuya Shimomura, Koh Johguchi, Eisuke Yanagizawa, Glen Rosendale, Monte Manning, Darlene Viviani, Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 62 ページ: 2837-2844
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[雑誌論文] Highly Reliable, High Speed and Low Power NAND Flash Memory-Based Solid State Drives (SSDs)2012
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  IEICE Electronics Express (ELEX)
  
  巻: vol. 9 ページ: 779-794
- NAID
  130001922730
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[雑誌論文] Scaling Trends and Tradeoffs between Short Channel Effect and Channel Boosting Characteristics in sub-20nm Bulk/SOI NAND Flash Memory2012
- 著者名/発表者名
  Kousuke Miyaji, Chinglin Hung and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
  
  巻: vol. 51, no. 4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[雑誌論文] Highly Reliable, High Speed and Low Power NAND Flash Memory-Based Solid State Drives (SSDs)2012
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi, Teruyoshi Hatanaka and Shuhei Tanakamaru
- 雑誌名
  
  IEICE Electronics Express (ELEX)
  
  巻: vol. 9, no. 8 ページ: 779-794
- NAID
  130001922730
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[雑誌論文] A 0.5V Operation VTH Loss Compensated DRAM Word-line Booster Circuit for Ultra-Low Power VLSI Systems2011
- 著者名/発表者名
  Shuhei Tanakamaru, Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  IEEE J.of Solid-State Circuits
  
  巻: 46 ページ: 2406-2415
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[雑誌論文] A 0.5-V 6-Transistor Static Random Access Memory with Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai and Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
  
  巻: 49 ページ: 121501-121509
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[雑誌論文] A 0.5-V 6-Transistor Static Random Access Memory with Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors2010
- 著者名/発表者名
  Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 49
  
  ページ: 121501-121509
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[雑誌論文] フラッシュメモリの最新技術動向 -SSDへの応用2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 雑誌名
  
  情報処理
  
  巻: vol.49,no.9 ページ: 1090-1098
- NAID
  110006884816
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[雑誌論文] フラッシュメモリの最新技術動向-SSDへの応用2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 雑誌名
  
  情報処理 vol.49, no.9
  
  ページ: 1090-1098
- NAID
  110006884816
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[産業財産権] 不揮発性半導体記憶装置2009
- 発明者名
  竹内健、他 4 名
- 権利者名
  東京大学
- 産業財産権番号
  2010-534730
- 出願年月日
  2009-04-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[産業財産権] 不揮発性半導体記憶装置2008
- 発明者名
  竹内健, 他4名
- 権利者名
  東京大学
- 出願年月日
  2008-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[産業財産権] 不揮発性半導体記憶装置2008
- 発明者名
  竹内健, 他、4名
- 権利者名
  東京大学
- 出願年月日
  2008-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 確率的FG 型ニューロンにおけるしきい値ばらつきと電子注入ノイズの確率共鳴特性に及ぼす効果2024
- 著者名/発表者名
  合田晃, 松井千尋, 竹内健
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] Revealing Unique Scaling Effects of Random Telegraph Noise and Electron Injection Stochasticity in Stochastic Resonance with Floating Gate-based Neurons2024
- 著者名/発表者名
  Akira Goda, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
- 学会等名
  8th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2024
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] A Beat Signal Processing System with Parabolic Frequency Chirp Radar and Computation-in-Memory2023
- 著者名/発表者名
  Kazuhide Higuchi and Ken Takeuchi
- 学会等名
  20th European Radar Conference (EuRAD 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] Stochastic Resonance Effects of Floating Gate Technology-based Leaky Integrate-and-Fire (FG LIF) Neurons in Summing Network2023
- 著者名/発表者名
  Akira Goda, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
- 学会等名
  7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] Stochastic Computing-based Computation-in-Memory (SC CiM) Architecture for DNNs and Hierarchical Evaluations of Non-volatile Memory Error and Defect Tolerance2023
- 著者名/発表者名
  Takuto Nishimura, Yuya Ichikawa, Akira Goda, Naoko Misawa, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Memory Workshop Poster
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] 確率的FG型ニューロンの内在ノイズモデル化と確率共鳴効果における信号検知精度への影響2023
- 著者名/発表者名
  合田晃, 松井千尋, 竹内健
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] 不均一量子化を適用した不揮発性メモリのComputation-in-Memory による量子誤り訂正デコーダ2023
- 著者名/発表者名
  市川裕也, 合田晃, 松井千尋, 竹内健
- 学会等名
  LSIとシステムのワークショップ2023, ポスターセッション
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] Non-volatile Memory Application to Quantum Error Correction with Non-uniformly Quantized CiM2022
- 著者名/発表者名
  Yuya Ichikawa, Akira Goda, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Memory Workshop Poster
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] 半導体長期保存メモリ2022
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  日本写真学会画像保存セミナー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] Inter Spike Interval and Stochasticity Engineering of Floating Gate Technology-based Neurons for Spiking Neural Network Hardware2022
- 著者名/発表者名
  Akira Goda, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
- 学会等名
  6th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] Spiking Neural Network (SNN) ハードウェア向けフローティングゲート型 Stochastic ニューロン2022
- 著者名/発表者名
  合田晃, 松井千尋, 竹内健
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] Inter Spike Interval and Stochasticity Engineering of Floating Gate Technology-based Neurons for Spiking Neural Network Hardware2022
- 著者名/発表者名
  Akira Goda, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
- 学会等名
  International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM) 2022
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] Error Suppression of Last-Programmed Word-Line for Real Usage of 3D-NAND Flash Memory2021
- 著者名/発表者名
  Daiki Kojima and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] BER Evaluation System Considering Device Characteristics of TLC and QLC NAND Flash Memories in Hybrid SSDs with Real Storage Workloads2021
- 著者名/発表者名
  Mamoru Fukuchi, Shun Suzuki, Kyosuke Maeda, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H04159
[学会発表] FET型ニューロモルフィック集積回路2018
- 著者名/発表者名
  上村公紀, 能美奨, 鈴木健太, 竹内健
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] 文字認識向けニューロモルフィック集積回路2018
- 著者名/発表者名
  坂東昭太郎, 鶴見洸太, 鈴木健太, 竹内健
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] 43 % Reduced Program Time, 23 % Energy Efficient ReRAM Boost Converter with PMOS Switching Transistor and Boosted Buffer Circuit for ReRAM and NAND Flash Hybrid SSDs2018
- 著者名/発表者名
  Kenta Suzuki, Masahiro Tanaka, Kota Tsurumi and Ken Takeuchi
- 学会等名
  International Conference on Electronic Packageing (ICEP)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] クロスバー型ReRAM向け書き込み電圧生成回路2018
- 著者名/発表者名
  能美奨, 鈴木健太, 鶴見洸太, 竹内健
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] A 6.8TOPS/W Energy Efficiency, 1.5μW Power Consumption, Pulse Width Modulation Neuromorphic Circuits for Near-Data Computing with SSD2018
- 著者名/発表者名
  Kota Tsurumi, Kenta Suzuki and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] 0.6 V operation, 16 % Faster Set/Reset ReRAM Boost Converter with Adaptive Buffer Voltage for ReRAM and NAND Flash Hybrid Solid-State Drives2017
- 著者名/発表者名
  Kota Tsurumi, Masahiro Tanaka and Ken Takeuchi
- 学会等名
  The International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] ハイブリッドSSD向け0.6V動作抵抗変化型メモリの書き込み電圧生成回路の高速化2017
- 著者名/発表者名
  鈴木健太, 鶴見洸太, 田中誠大, 竹内健
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京都目黒区　東京工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路2017
- 著者名/発表者名
  鶴見洸太, 田中誠大, 竹内健
- 学会等名
  集積回路研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] 0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路における書き込みデータサイズに応じたバッファ電圧最適化手法2017
- 著者名/発表者名
  鶴見洸太, 鈴木健太, 竹内健
- 学会等名
  LSIとシステムのワークショップ2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] NAND型フラッシュメモリとReRAMで構成されるハイブリッドSSD向け低電力動作可能な昇圧回路2017
- 著者名/発表者名
  鈴木健太, 鶴見洸太，竹内健
- 学会等名
  集積回路研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] カーボンナノチューブを用いた不揮発性メモリにおける書き換え電圧を変化させたときの耐久性評価2017
- 著者名/発表者名
  猪瀬貴史, Tomoko Ogura iwasaki, Sheyang Ning, Darlene Viviani, Monte Manning, X. M. Henry Huang, Thomas Rueckes, 竹内健
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京都目黒区　東京工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] カーボンナノチューブを用いた不揮発性メモリにおける書き換え電圧を変化させたときの耐久性評価2016
- 著者名/発表者名
  猪瀬貴史, Tomoko Ogura iwasaki, Sheyang Ning, Darlene Viviani, Monte Manning, X. M. Henry Huang, Thomas Rueckes, 竹内健
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] NRAM: high performance, highly reliable emerging memory2016
- 著者名/発表者名
  Sheyang Ning, Tomoko Ogura Iwasaki, Darlene Viviani, Henry Huang, Monte Manning, Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
- 学会等名
  Flash Memory Summit
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法2016
- 著者名/発表者名
  鶴見洸太，田中誠大，石井智也, 竹内健
- 学会等名
  集積回路研究会
- 発表場所
  東京都港区　機械振興会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] ReRAMの書き換え電圧昇圧回路の高速化2016
- 著者名/発表者名
  鈴木健太, 田中誠大, 鶴見洸太, 竹内健
- 学会等名
  集積回路研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路2016
- 著者名/発表者名
  田中誠大, 石井智也, 蜂谷尚悟, 寧渉洋, 竹内健
- 学会等名
  集積回路研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] ハイブリッドSSD向け0.6V動作抵抗変化型メモリの書き込み電圧生成回路の高速化2016
- 著者名/発表者名
  鈴木健太, 鶴見洸太, 田中誠大, 竹内健
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] ReRAM reliability characterization and improvement by machine learning2016
- 著者名/発表者名
  Tomoko Ogura Iwasaki, Sheyang Ning, Hiroki Yamazawa, Chao Sun, Shuhei Tanakamaru, Ken Takeuchi
- 学会等名
  集積回路研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] Heterogeneously Integrated Program Voltage Generator for 1.0V Operation NAND Flash with Best Mix & Match of Standard CMOS Process and NAND Flash Process2016
- 著者名/発表者名
  Masahiro Tanaka, Kota Tsurumi, Tomoya Ishii and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE European Solid-State Circuits Conference Conference (ESSCIRC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] Reliability Study of Carbon Nanotube Memory after Various Cycling Conditions2016
- 著者名/発表者名
  Takashi Inose, Tomoko Ogura Iwasaki, Sheyang Ning, Darlene Viviani, Monte Manning, X. M. Henry Huang, Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] A 1.0 V Operation, 65% Faster Set/Reset Voltage (3V) Generator for 3D-integrated ReRAM and NAND flash Hybrid Solid-State Drive2015
- 著者名/発表者名
  Masahiro Tanaka, Shogo Hachiya, Tomoya Ishii, Sheyang Ning and Ken Takeuchi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sapporo Convention Center
- 年月日
  2015-09-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] 0.6V Operation, 26% Smaller Voltage Ripple, 9% Energy Efficient Boost Converter with Adaptively Optimized Comparator Bias-Current for ReRAM Program in Low Power IoT Embedded Applications2015
- 著者名/発表者名
  Tomoya Ishii, Shogo Hachiya, Sheyang Ning, Masahiro Tanaka and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE Asian Solid-State Circuits Conference
- 発表場所
  Xia'men International Conference Center
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] 抵抗変化型メモリの書き込み特性の評価2015
- 著者名/発表者名
  西川進, 寧渉洋, 蜂谷尚悟, 竹内健
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] Investigation of Carbon Nanotube Memory Cell Array Program Characteristics2015
- 著者名/発表者名
  Sheyang Ning, Tomoko Ogura Iwasaki, Eisuke Yanagizawa, Shogo Hachiya, Glen Rosendale, Monte Manning, Darlene Viviani, Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Sapporo Convention Center
- 年月日
  2015-09-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] Machine Learning Prediction for 13× Endurance Enhancement in ReRAM SSD System2015
- 著者名/発表者名
  Tomoko Ogura Iwasaki, Sheyang Ning, Hiroki Yamazawa, Chao Sun, Shuhei Tanakamaru and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Memory Workshop
- 発表場所
  Hyatt Regency Hotel,Monterey,CA
- 年月日
  2015-05-20
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] カーボンナノチューブを用いた不揮発性メモリデバイスの信頼性評価2015
- 著者名/発表者名
  猪瀬貴史, Tomoko Ogura Iwasaki, Sheyang Ning, 竹内健
- 学会等名
  集積回路研究会
- 発表場所
  京都工芸繊維大学
- 年月日
  2015-12-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] ReRAM for Storage Class Memory Application from Memory Architecture Perspective2015
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  5th International Workshop on Resistive Memories
- 発表場所
  IMEC,Leuven,Belgium
- 年月日
  2015-09-25
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] 低電圧動作可能なReRAM向けプログラム電圧生成回路2014
- 著者名/発表者名
  田中誠大, 石井智也, 蜂谷尚悟, 竹内健
- 学会等名
  集積回路研究会
- 発表場所
  機械振興会館
- 年月日
  2014-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] Carbon nanotube(CNT)を用いた不揮発性メモリデバイスの信頼性評価2014
- 著者名/発表者名
  柳沢英祐, 寧渉洋, 竹内健
- 学会等名
  集積回路研究会
- 発表場所
  機械振興会館
- 年月日
  2014-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] 23% Faster Program and 40% Energy Reduction of Carbon Nanotube Non-volatile Memory with Over 10^11 Endurance2014
- 著者名/発表者名
  Sheyang Ning, Tomoko Ogura Iwasaki, Kazuya Shimomura, Koh Johguchi, Glen Rosendale, Monte Manning, Darlene Viviani, Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE Symp. on VLSI Technology
- 発表場所
  Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI
- 年月日
  2014-06-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] ＳＳＤコントローラーとミドルウェアの協調設計2014
- 著者名/発表者名
  荒川飛鳥, 孫超, 曽我あゆみ, 宮地幸祐, 竹内健
- 学会等名
  LSIとシステムのワークショップ2014
- 発表場所
  北九州国際会議場
- 年月日
  2014-05-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] 抵抗変化型メモリ(ReRAM)の書き込み特性の評価2014
- 著者名/発表者名
  西川進, 寧渉洋, 竹内健
- 学会等名
  集積回路研究会
- 発表場所
  機械振興会館
- 年月日
  2014-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289110
[学会発表] 不揮発性メモリを使いこなす2012
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  日経エレクトロニクスセミナー
- 発表場所
  東京都　化学会館
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] NAND & Controller Co-design for SSD2012
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Memory Workshop Short Course
- 発表場所
  ミラノ
- 年月日
  2012-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] BiCS型立体構造NANDフラッシュメモリーにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計指針2012
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  集積回路研究会, 信学技報,
- 発表場所
  東京工業大学　蔵前会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 不揮発メモリの低電圧・低電力化技術2012
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- 発表場所
  富山大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] バルクとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける微細化による短チャネル効果と書き込み禁止時チャネル昇圧リークへの影響2012
- 著者名/発表者名
  宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健
- 学会等名
  応用物理学会
- 発表場所
  東京都新宿区早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] NAND & Controller Co-design for SSD2012
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Memory Workshop Short Course
- 発表場所
  イタリア　ミラノ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Control Gate Length, Spacing and Stacked Layer Number Design for 3D-Stackable NAND Flash Memory2012
- 著者名/発表者名
  Yuki Yanagihara, Kousuke Miyaji and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Memory Workshop
- 発表場所
  ミラノ
- 年月日
  2012-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] SSDとストレージ・クラス・メモリを用いたメモリシステム2012
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  電気学会ナノエレクトロニクス集積化・応用技術調査専門委員会
- 発表場所
  早稲田大学研究開発センター
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] NAND Flash and Storage Class Memory-integrated Hybrid Solid-State Drive (SSD)2011
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
- 発表場所
  Rihga Royal Hotel Kyoto, Japan(招待講演)
- 年月日
  2011-06-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] ReRAM as High-Speed and High Capacity Storage Class Memory2011
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE Symp.on VLSI Circuits
- 発表場所
  Rihga Royal Hotel Kyoto, Japan(招待講演)
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] HyENEXSSを用いたバルクとFDSOI基板における極微細浮遊ゲート型NANDフラッシュメモリのスケーリング検討2011
- 著者名/発表者名
  宮地幸祐, 竹内健
- 学会等名
  TCAD研究会
- 発表場所
  神奈川県川崎市東芝研究開発センター
- 年月日
  2011-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討2011
- 著者名/発表者名
  宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健
- 学会等名
  集積回路研究会,信学技報
- 発表場所
  宮崎県宮崎市ニューウェルシティ宮崎
- 年月日
  2011-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Ferroelectric-gate FET for Flash Memory & SRAM application2011
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  ITRS Emerging Research Devices and Emerging Research Materials Meeting
- 発表場所
  ミラノ
- 年月日
  2011-04-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Green High Performance Storage Class Memory & NAND Flash Memory Hybrid SSD System2011
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan(招待講演)
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Highly reliable Low Power Storage Class Memory & NAND Flash Memory Hybrid Solid-State Drive (SSD)2011
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS)
- 発表場所
  Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,中国(招待講演)
- 年月日
  2011-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 不揮発性メモリを使いこなす～SSDからストレージ・クラス・メモリまで～2011
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  日経エレクトロニクスセミナー
- 発表場所
  東京都港区日経エレクトロニクス本社(招待講演)
- 年月日
  2011-04-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 強誘電体FETを用いた低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM技術2011
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  ゲートスタック研究会材料・プロセス・評価の物理(第16回研究会)
- 発表場所
  東京(招待講演)
- 年月日
  2011-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 3次元NANDフラッシュメモリ&SCM2011
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  Electronic Journal第771回Technical Seminar
- 発表場所
  東京都文京区東京大学(招待講演)
- 年月日
  2011-08-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Ferroelectric-gate FET for Flash Memory & SRAM application2011
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  ITRS Emerging Research Devices and Emerging Research Materials Meeting
- 発表場所
  ミラノ/イタリア
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] フラッシュメモリと抵抗変化型メモリの技術動向2011
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  新化学技術推進協会(JACI)電子情報技術部会講演会
- 発表場所
  東京都千代田区(社)新化学技術推進協会(招待講演)
- 年月日
  2011-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 高信頼・低電力SSD～メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化～2011
- 著者名/発表者名
  竹内健, 田中丸周平, 洪慶麟
- 学会等名
  集積回路研究会,信学技報
- 発表場所
  兵庫県神戸市神戸大学(招待講演)
- 年月日
  2011-04-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Storage Class Memory and Memory System Innovation-International Collaboration for Material, Device, Circuit, Signal Processing and OS Integration2011
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  The Seventh International Nanotechnology Conferenee on Communication and Cooperation (INC7)
- 発表場所
  College of Nanoscale Science and Engineering, Albany, New York, USA(招待講演)
- 年月日
  2011-05-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Ferroelectric-gate FET for Flash Memory & SRAM application2011
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  ITRS Emerging Research Devices and Emerging Research Materials Meeting
- 発表場所
  ミラノ、イタリア(招待講演)
- 年月日
  2011-04-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Pushing Scaling Limit Due to Short Channel Effects and Channel Boosting Leakage from 13nm to 8nm with SOI NAND Flash Memory Cells2011
- 著者名/発表者名
  Kousuke Miyaji, Chinglin Hung, Ken Takeuchi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 発表場所
  Nagoya University, Japan
- 年月日
  2011-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 0.5V動作強誘電体6T-SRAM2010
- 著者名/発表者名
  田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM2010
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  電気化学会第74回半導体・集積回路技術シンポジウム
- 発表場所
  東京(招待講演)
- 年月日
  2010-07-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Current Status and Future Challenge of Fe-NAND/SRAM Cell Technology2010
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Current Status and Future Challenge of Fe-NAND/SRAM Cell Technology2010
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京(招待講演)
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM2010
- 著者名/発表者名
  田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健
- 学会等名
  電子情報通信学会集積回路研究会
- 発表場所
  藤沢
- 年月日
  2010-04-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] ナノスケールメモリLSI:材料・デバイス・回路・システムを総動員し微細化を極限まで延命する2010
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  VDECデザイナーフォーラム
- 発表場所
  東京(招待講演)
- 年月日
  2010-05-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM2010
- 著者名/発表者名
  田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健
- 学会等名
  電子情報通信学会SDM研究会・応物シリコンテクノロジー分科会ULSIデバイス委員会共催IEDM特集講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] A Ferroelectric NAND Flash Memory for Low-Power and Highly Reliable Enterprise SSDs and a Ferroelectric 6T-SRAM for 0.5V Low-Power CPU and SoC2010
- 著者名/発表者名
  Kosuke Miyaji, Teruyoshi Hatanaka, Shuhei Tanakamaru, Ryoji Yajima, Shinji Noda, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi
- 学会等名
  Materials Research Society (MRS) Spring Meeting
- 発表場所
  サンフランシスコ、米国(招待講演)
- 年月日
  2010-04-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 3次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計2009
- 著者名/発表者名
  安福正, 石田光一, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健
- 学会等名
  電子情報通信学会集積回路研究会
- 発表場所
  静岡
- 年月日
  2009-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Effect of Resistance of TSV's on Performance of Boost Converter for Low Power 3D SSD with NAND Flash Memories2009
- 著者名/発表者名
  Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Conference on 3D System Integration (3D IC)
- 発表場所
  サンフランシスコ
- 年月日
  2009-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] A 1.8V 30nJ Adaptive Program-Voltage (20V) Generator for 3D-Integrated NAND Flash SSD2009
- 著者名/発表者名
  Koichi Ishida, Tadashi Yasufuku, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)
- 発表場所
  サンフランシスコ
- 年月日
  2009-02-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T-SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin2009
- 著者名/発表者名
  Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  ボルチモア、米国
- 年月日
  2009-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Effect of Resistance of TSV's on Performance of Boost Converter for Low Power 3D SSD with NAND Flash Memories2009
- 著者名/発表者名
  Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Conference on 3D System Integration (3D IC)
- 発表場所
  サンフランシスコ/USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T -SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin2009
- 著者名/発表者名
  Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  ボルチモア
- 年月日
  2009-12-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 不揮発性機能デバイスと新アプリケーション2009
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  新機能素子研究開発協会新機能トランジスタ調査委員会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2009-02-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Inductor Design of 20-V Boost Converter for Low Power 3D Solid State Drive with NAND Flash Memories2009
- 著者名/発表者名
  Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED)
- 発表場所
  サンフランシスコ/USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Inductor Design of 20-V BoostConverter for Low Power 3D Solid State Drive with NAND Flash Memories2009
- 著者名/発表者名
  Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai and Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED)
- 発表場所
  サンフランシスコ
- 年月日
  2009-08-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Memory System Innovation with SSD and Emerging Memories2009
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Memory Forum F-1
- 発表場所
  サンフランシスコ/USA(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 3D LSI Design for MEMS Application2009
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  Japan-Taiwan GMOS MEMS Workshop, pp.113-131
- 発表場所
  台湾、新竹
- 年月日
  2009-03-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] A 1.8V 30nJ Adaptive Program-Voltage (20V) Generator for 3D-Integrated NAND Flash SSD2009
- 著者名/発表者名
  Koichi Ishida, Tadashi Yasufuku, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), pp.238-239
- 発表場所
  サンフランシスコ/USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Memory System Innovation with SSD and Emerging Memories2009
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  IEEE International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)Memory Forum F-1
- 発表場所
  アメリカ、サンフランシスコ
- 年月日
  2009-02-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 三次元積層NAND型フラッシュSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路2009
- 著者名/発表者名
  安福正, 石田光一, 宮本晋示, 中井弘人, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健
- 学会等名
  システムLSIワークショップ
- 発表場所
  北九州
- 年月日
  2009-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T-SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin2009
- 著者名/発表者名
  Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  ボルチモア/USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Memory System Innovation with SSD and Emerging Memories2009
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)
- 発表場所
  サンフランシスコ
- 年月日
  2009-02-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Inductor Design of 20-V Boost Converter for Low Power 3D Solid State Drive with NAND Flash Memories2009
- 著者名/発表者名
  Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED)
- 発表場所
  サンフランシスコ、米国
- 年月日
  2009-08-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路2009
- 著者名/発表者名
  安福正, 石田光一, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健
- 学会等名
  電子情報通信学会集積回路研究会
- 発表場所
  仙台(招待講演)
- 年月日
  2009-04-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その1)(A Control Method of 20V Boost Converter for NAND Flash SSD)2009
- 著者名/発表者名
  石田光一, 安福正, 高官真, 桜井貴康, 竹内健
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会, C-12-20
- 発表場所
  北九州市
- 年月日
  2009-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その2)(A Control Method of 20V Boost Converter for NAND Flash SSD)2009
- 著者名/発表者名
  安福正, 石田光一, 高官真, 桜井貴康, 竹内健
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会, C-12-21
- 発表場所
  北九州市
- 年月日
  2009-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Effect of Resistance of TSV's on Performance of Boost Converter for Low Power 3D SSD with NAND Flash Memories2009
- 著者名/発表者名
  Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE International Conference on 3D System Integration (3D IC)
- 発表場所
  サンフランシスコ、米国
- 年月日
  2009-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Emerging 3D-Memory Device2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  2008 Taiwan & Japan Semiconductor Technology Forum
- 発表場所
  台湾、台北
- 年月日
  2008-10-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] SSD動向とNANDフラッシュメモリ2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  電子情報通信学会集積回路研究会, 信学技報, vol.108, no.6, ICD2008-6, pp.31-36
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-04-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] VLSI回路設計手法とMEMSモデリング2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  第7回ファインMEMSシステム化設計プラットフォーム検討委員会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Solid-State Drive(SSD)and Memory System Innovation2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  University of Tokyo-INRIA-Ecole des Mines Paris-INRETS Joint Symposium, pp.111-139
- 発表場所
  フランス、パリ
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Novel Co-design of NAND Flash Memory and NAND Flash Controller Circuits for sub-30nm Low-Power High-Speed Solid-State Drives (SSD)2008
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE Symp.on VLSI Circuits, pp.124-125
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Solid-State Drive(SSD)and Memory System Innovation2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  Shanghai Jino Tong University-University of Tolcyo Joint Symposium on Electronics, Information Technology, and Electrical Engineering
- 発表場所
  中国、上海
- 年月日
  2008-10-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Emerging Nanoscale Non-volatile Semiconductor Memories2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  Bilateral Workshop on Nanoscale Systems, pp.6-9
- 発表場所
  ドイツ、ミュンヘン
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] HDDの代替を目指すフラッシュメモリの現状と課題2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  Electronic Journal 第192回 Technical Symposium フラッシュメモリ/SSD徹底検証
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] SSDがもたらすメモリシステムの革新とPost NANDフラッシュメモリの技術動向2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  JEITAナノエレクトロニクス技術分科会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Novel Co-design of NAND Flash Memory and NAND Flash Controller Circuits for sub-30nm Low-Power High-Speed Solid-State Drives (SSD)2008
- 著者名/発表者名
  Ken Takeuchi
- 学会等名
  IEEE Symp. on VLSI Circuits
- 発表場所
  ホノルル
- 年月日
  2008-06-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] VLSI回路設計手法とMEMSモデリング2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  電気等価回路から考えるMEMS設計手法研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] 使い手のためのSSDのすべて2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  日経エレクトロニクスメモリ・システム・シンポジウム・モバイル新時代に向けたメモリ技術総覧
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152
[学会発表] Novel Co-design of NAND Flash Memory and NAND Flash Controller Circuits for sub-30nm Low-Power High-Speed Solid-State Drives(SSD)2008
- 著者名/発表者名
  竹内健
- 学会等名
  IEEE Symp.on VLSI Circuits, pp.124-125
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2008-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360152

竹内 健 Takeuchi Ken

研究課題

研究成果

デバイス・回路・エッジAIアルゴリズム融合による極低電力ハイブリッドCiMの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ハードソフト連携・精緻な電子制御による不揮発性メモリシステムのエラー最小化の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ビッグデータのリアルタイム処理に向けた新機能材料を用いた集積回路システムの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン単電子・量子・CMOS 融合3次元ナノ集積回路システムに関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Inside Solid State Drives (SSDs)2012

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Stochastic Resonance Modeling of Floating Gate-based Neurons in Summing Networks for Accurate and Energy Efficient Operations2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Heterogeneous Integration of Precise and Approximate Storage for Error-Tolerant Workloads2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

ISSN

年月日

言語

データソース

[雑誌論文] A Stochastic Leaky-Integrate-and-Fire Neuron Model With Floating Gate-Based Technology for Fast and Accurate Population Coding2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Adaptive Comparator Bias-Current Control of 0.6 V Input Boost Converter for ReRAM Program Voltages in Low Power Embedded Applications2016

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Memory System Architecture for the Data Centric Computing2016

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] 0.6-1.0 V Operation Set/Reset Voltage (3V) Generator for 3D-integrated ReRAM and NAND flash Hybrid Solid-State Drive2016

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Reset-Check-Reverse-Flag Scheme on NRAM with 50% Bit Error Rate or 35% Parity Overhead and 16% Decoding Latency Reductions for Read-Intensive Storage Class Memory2016

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Carbon Nanotube Memory Cell Array Program Error Analysis and Tradeoff between Reset Voltage and Verify Pulses2016

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Understanding Relation Between Performance and Reliability of NAND Flash / SCM Hybrid Solid-State Drive (SSD)2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Design Guidelines of Storage Class Memory Based Solid-State Drives to Balance Performance, Power, Endurance and Cost2015

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

竹内健 Takeuchi Ken