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井村 将隆  imura masataka

研究者番号 80465971
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-4236-9549
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2023年度 – 2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員
2022年度 – 2023年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主幹研究員
2016年度 – 2021年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員
2017年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料拠点, 主任研究員
2017年度: 物質材料研究機構, 主任研究員 … もっと見る
2015年度 – 2016年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニットワイドバンドギャップ機能材料グループ, 主任研究員
2015年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 環境エネルギー材料部門, 主任研究員
2015年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 環境・エネルギー材料部門, 主任研究員
2014年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニットワイドギャップ機能材料グループ, 主任研究員
2011年度 – 2014年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, 研究員
2013年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員
2012年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 研究員
2009年度 – 2010年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, ICYS-MANA研究員
2008年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 若手国際研究拠点, NIMSポスドク研究員
2007年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, NIMSポスドク研究員 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究代表者以外
構造・機能材料 / 小区分30010:結晶工学関連 / 中区分26:材料工学およびその関連分野 / 結晶工学 / 理工系 / 電子デバイス・電子機器
キーワード
研究代表者
窒化アルミニウム / ダイヤモンド / 電子デバイス・電子機器 / 電界効果トランジスタ / 高周波パワーデバイス / ヘテロ接合 / 電子デバイス / 窒化物半導体 / 有機金属化合物気相成長法 / 酸化アルミニウム … もっと見る / ノーマリオフ型 / 原子層体積成長法 / PIN接合 / 原子層堆積成長法 / 有機金属化合物化合物気相成長法 / 電子エミッタ / ダイオード / ワイドギャップ半導体 / マイクロ波プラズマ気相成長法 / 光デバイス / 酸化物半導体 / スパッタ堆積法 / MPCVD法 / MOCVD法 / パワースイッチングデバイス / 強誘電体 / 酸化ハフニウム / 酸化ジルコニウム / スパッタ法 / パワーデバイス / ゲート絶縁膜 / MOSFET / ヘテロエピタキシャル成長 / III族窒化物半導体 / 環境材料 / 光スイッチ / 電子電気材料 / デバイス設計 / 結晶成長 / 透過型電子顕微鏡 / 転位 / ヘテロ構造 … もっと見る
研究代表者以外
ダイヤモンド / ヘテロ接合 / ワイドギャップ半導体 / トランジスタ / III族窒化物 / ナノラミネート構造 / III族窒化物 / 電界効果トランジスタ / 窒化アルミニウム / 縦型素子 / 不純物ドーピング / ヘテロエピタキシャル成長 / 導電性 / MOCVD / 高品質結晶成長 / AlN / 縦型デバイス / 高温デバイス / 窒化物半導体 / パワーデバイス / ヘテロ構造 / 半導体物性 / 結晶成長 / 超ワイドギャップ半導体 / 酸化アルミニウムガリウム / 超格子 / 混晶 / 酸化ガリウム / II族窒化物 / ナノラミネート薄膜 / Ⅲ族窒化物 / 原子層堆積法 / 誘電率 / ゲート絶縁膜 / 誘電体 / 異種接合 / 高誘電ゲート / 窒化物ゲート / 酸化物ゲート / 分極 / ノーマリオフ動作 / 強誘電体 / ゲート酸化膜 / 論理回路 / 水素終端表面 / 2次元正孔伝導 / 微細構造解析 / 酸化物界面 / 酸化物 / バンド不連続 / p型ドーパント / バンド不連 / MOVPE / ヘテロ接 / 利得 / フォトディテクター / 光応答 / 永続的光伝導 / MSM型 / ショットキー型 / 深紫外線 隠す
  • 研究課題

    (13件)
  • 研究成果

    (239件)
  • 共同研究者

    (17人)
  •  AlGaN系窒化物半導体と金属性デラフォサイト型酸化物電極を用いたUVC-LEDの高効率化研究代表者

    • 研究代表者
      井村 将隆
    • 研究期間 (年度)
      2025 – 2028
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構
  •  縦型窒化アルミニウム素子の作製技術の確立

    • 研究代表者
      奥村 宏典
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      筑波大学
  •  異種接合ドーピング法に基づくダイヤモンドのキャリア制御法構築

    • 研究代表者
      小出 康夫
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分26:材料工学およびその関連分野
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構
  •  AlN/ダイヤモンドpin接合を用いたダイヤモンド電子デバイスの高性能化研究代表者

    • 研究代表者
      井村 将隆
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構
  •  Ⅲ族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたダイヤモンド電子デバイスの開発

    • 研究代表者
      小出 康夫
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2020
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構
  •  窒化物/酸化物積層構造による強誘電体特性の発現とダイヤモンドFETへの応用研究代表者

    • 研究代表者
      井村 将隆
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構
  •  7 eVのバンドギャップを持つ半導体の作製

    • 研究代表者
      大島 孝仁
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2017
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      佐賀大学
  •  巨大分極電荷を利用する新機能ダイヤモンド電子デバイスの開発

    • 研究代表者
      小出 康夫
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構
  •  省電力ノーマリオフ型pチャネルダイヤモンドFETの大電流動作化研究代表者

    • 研究代表者
      井村 将隆
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構
  •  窒化アルミニウム/ダイヤモンドヘテロ接合を用いた革新的電界効果トランジスタ研究代表者

    • 研究代表者
      井村 将隆
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2012
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      独立行政法人物質・材料研究機構
  •  ダイヤモンド・窒化アルミニウムを用いた紫外線ハイブリッド環境デバイスの実現研究代表者

    • 研究代表者
      井村 将隆
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2010
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      独立行政法人物質・材料研究機構
  •  ワイドギャップ半導体ヘテロ接合における電荷移送ドーピング法の開発

    • 研究代表者
      小出 康夫
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      独立行政法人物質・材料研究機構
  •  金属/ダイヤモンド接合界面における深紫外線センシング学理の構築

    • 研究代表者
      小出 康夫
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      独立行政法人物質・材料研究機構

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  • [図書] Study of Grain Boundary Character, Chapter 32017

    • 著者名/発表者名
      Banal Ryan G.、Imura Masataka、Koide Yasuo
    • 総ページ数
      15
    • 出版者
      IntechOpen
    • ISBN
      9789535128625
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [図書] Study of Grain Boundary Character, Chapter 32016

    • 著者名/発表者名
      Ryan G. Banal, Masataka Imura and Yasuo Koide
    • 出版者
      INTECH
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [図書] Study of Grain Boundary Character, Chapter 32016

    • 著者名/発表者名
      Ryan G. Banal, Masataka Imura and Yasuo Koide
    • 出版者
      INTECH open science/open minds
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [雑誌論文] Experimental Formation and Mechanism Study for Super-High Dielectric Constant AlOx/TiOy Nanolaminates2023

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Okamura, H. Mashiko, M. Imura, M.Y. Liao, R. Kikuchi, M. Suzuka, Y. Koide
    • 雑誌名

      Nanomaterials

      巻: 13 号: 7 ページ: 1256-1256

    • DOI

      10.3390/nano13071256

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [雑誌論文] Highly tolerant diamond Schottky barrier photodiodes for deep-ultraviolet xenon excimer lamp and protons detection2022

    • 著者名/発表者名
      Masataka Imura, Manabu Togawa, Masaya Miyahara, Hironori Okumura, Jiro Nishinaga, Meiyong Liao, Yasuo Koide
    • 雑誌名

      Functional Diamond

      巻: 2 号: 1 ページ: 167-174

    • DOI

      10.1080/26941112.2022.2150526

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313, KAKENHI-PROJECT-21K18635
  • [雑誌論文] Improvement of structural quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy using post-growth annealing with trimethylgallium2022

    • 著者名/発表者名
      Imura Masataka、Inaba Hideki、Mano Takaaki、Ishida Nobuyuki、Uesugi Fumihiko、Kuroda Yoko、Nakayama Yoshiko、Takeguchi Masaki、Koide Yasuo
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 12 号: 1 ページ: 015203-015203

    • DOI

      10.1063/5.0076706

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501, KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [雑誌論文] Thermal mismatch induced stress characterization by dynamic resonance based on diamond MEMS2021

    • 著者名/発表者名
      Sun Huanying、Shen Xiulin、Sang Liwen、Imura Masataka、Koide Yasuo、You Jianqiang、Li Tie-Fu、Koizumi Satoshi、Liao Meiyong
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 14 号: 4 ページ: 045501-045501

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abe7b0

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501, KAKENHI-PROJECT-20H02212
  • [雑誌論文] Temperature dependence of Young's modulus of single-crystal diamond determined by dynamic resonance2021

    • 著者名/発表者名
      Shen Xiulin、Wu Kongping、Sun Huanying、Sang Liwen、Huang Zhaohui、Imura Masataka、Koide Yasuo、Koizumi Satoshi、Liao Meiyong
    • 雑誌名

      Diamond and Related Materials

      巻: 116 ページ: 108403-108403

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2021.108403

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501, KAKENHI-PROJECT-20H02212
  • [雑誌論文] Integrated TbDyFe Film on a Single‐Crystal Diamond Microelectromechanical Resonator for Magnetic Sensing2021

    • 著者名/発表者名
      Shen Xiulin、Sun Huanying、Sang Liwen、Imura Masataka、Koide Yasuo、Koizumi Satoshi、Liao Meiyong
    • 雑誌名

      physica status solidi (RRL) Rapid Research Letters

      巻: 15 号: 9 ページ: 2100352-2100352

    • DOI

      10.1002/pssr.202100352

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501, KAKENHI-PROJECT-20H02212
  • [雑誌論文] Precise characterization of atomic-scale corrosion of single crystal diamond in H2 plasma based on MEMS/NEMS2020

    • 著者名/発表者名
      Wu Haihua、Zhang Zilong、Sang Liwen、Li Tiefu、You Jianqiang、Imura Masataka、Koide Yasuo、Liao Meiyong
    • 雑誌名

      Corrosion Science

      巻: 170 ページ: 108651-108651

    • DOI

      10.1016/j.corsci.2020.108651

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501, KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-20H02212
  • [雑誌論文] Charge-carrier mobility in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors2020

    • 著者名/発表者名
      Sasama Yosuke、Kageura Taisuke、Komatsu Katsuyoshi、Moriyama Satoshi、Inoue Jun-ichi、Imura Masataka、Watanabe Kenji、Taniguchi Takashi、Uchihashi Takashi、Takahide Yamaguchi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 127 号: 18 ページ: 185707-185707

    • DOI

      10.1063/5.0001868

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501, KAKENHI-PROJECT-20H05621, KAKENHI-PROJECT-19H02592, KAKENHI-PROJECT-19H02605, KAKENHI-PROJECT-19J12696, KAKENHI-PROJECT-19K15030, KAKENHI-PROJECT-20H02707
  • [雑誌論文] Threshold Voltage Instability of Diamond Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Based on 2D Hole Gas2019

    • 著者名/発表者名
      M. Yang, L. Sang, M. Y. Liao, M. Imura, H. Li, Y. Koide
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

      巻: 216 号: 24 ページ: 1900538-1900538

    • DOI

      10.1002/pssa.201900538

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [雑誌論文] Fabrication of coherent γ-Al_2O_3/Ga_2O_3superlattices on MgAl_2O_4substrates2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Kato, M. Imura, Y. Nakayama, M. Takeguchi, and T. Oshima
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 号: 6 ページ: 1-4

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab2196

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [雑誌論文] Energy‐Efficient Metal-Insulator-Metal‐Semiconductor Field‐Effect Transistors Based on 2D Carrier Gases2019

    • 著者名/発表者名
      Liao Meiyong、Sang Liwen、Shimaoka Takehiro、Imura Masataka、Koizumi Satoshi、Koide Yasuo
    • 雑誌名

      Advanced Electronic Materials

      巻: 1 号: 5 ページ: 1800832-1800832

    • DOI

      10.1002/aelm.201800832

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K14141, KAKENHI-PROJECT-15H03999, KAKENHI-PROJECT-19K04501, KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [雑誌論文] Surface and Bulk Electronic Structures of Unintentionally and Mg Doped In0.7Ga0.3N Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, H. Takeda, T. Nagata, R. G. Banal, H. Yoshikawa, A. Yang, Y. Yamashita, K. Kobayashi, Y. Koide, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 123 号: 9 ページ: 095701-1

    • DOI

      10.1063/1.5016574

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559, KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [雑誌論文] Effect of Boron Incorporation on Structural and Optical Properties of AlN Layers Grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2018

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, Y. Ota, R.G. Banal, M. Liao, Y. Nakayama, M. Takeguchi, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 215 号: 21 ページ: 1800282-8

    • DOI

      10.1002/pssa.201800282

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [雑誌論文] 窒化アルミニウム/ダイヤモンドヘテロ構造形成技術の開発と界面特異構造評価2018

    • 著者名/発表者名
      井村将隆,バナルライアン,廖梅勇,松本隆夫,熊本明仁,柴田直哉,幾原雄一,小出康夫
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 45 号: 1 ページ: n/a

    • DOI

      10.19009/jjacg.3-45-1-05

    • NAID

      130006727551

    • ISSN
      0385-6275, 2187-8366
    • 言語
      日本語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [雑誌論文] A density functional study of the effect of hydrogen on electronic properties and band discontinuity at anatase TiO2/diamond interface2018

    • 著者名/発表者名
      Kongping Wu, Meiyong Liao, Liwen Sang, Jiangwei Liu, Masataka Imura, Haitao Ye, Yasuo Koide
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 123 号: 16 ページ: 161599-161599

    • DOI

      10.1063/1.5002176

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K13806, KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-15H03999, KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [雑誌論文] Annealing effects on hydrogenated diamond NOR logic circuits2018

    • 著者名/発表者名
      Jiangwei Liu, Hirotaka, Oosato, Meiyong Liao, Masataka Imura, Eiichiro Watanabe, Yasuo Koide
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 112 号: 15 ページ: 153501-153501

    • DOI

      10.1063/1.5022590

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K13806, KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [雑誌論文] α-Al2O3/Ga2O3 superlattices coherently grown on r-plane sapphire2018

    • 著者名/発表者名
      Takayoshi Oshima, Yuji Kato, Masataka Imura, Yoshiko Nakayama, Masaki Takeguchi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 印刷中

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K13673
  • [雑誌論文] Direct observation of inversion capacitance in p-type diamond MOS capacitors with an electron injection layer2018

    • 著者名/発表者名
      T. Matsumoto, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, S. Yamasaki, M. Imura, A. Ueda, T. Inokuma, and N. Tokuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 4S ページ: 04FR01-04FR01

    • DOI

      10.7567/jjap.57.04fr01

    • NAID

      210000149007

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330, KAKENHI-PROJECT-17H02786
  • [雑誌論文] Deposition of TiO 2/Al 2O 3bilayer on hydrogenated diamond for electronic devices: Capacitors, field-effect transistors, and logic inverters2017

    • 著者名/発表者名
      J.W. Liu, M.Y. Liao, M. Imura, R.G. Banal, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 121 号: 22 ページ: 224502-11

    • DOI

      10.1063/1.4985066

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330, KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-16K18096
  • [雑誌論文] Logic Circuits With Hydrogenated Diamond Field-Effect Transistors2017

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, H. Ohsato, M. Liao, M. Imura, E. Watanabe, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Ieee Electron Device Letters

      巻: 38 号: 7 ページ: 922-925

    • DOI

      10.1109/led.2017.2702744

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330, KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-16K18096
  • [雑誌論文] Effect of Sputter Deposition Atmosphere of AlN on the Electrical Properties of Hydrogen-Terminated Diamond Field Effect Transistor with AlN/Al2O3 Stack Gate2017

    • 著者名/発表者名
      R.G. Banal, M. Imura, H. Ohata, M. Liao, J. Liu, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 214 号: 11 ページ: 1700463-1700463

    • DOI

      10.1002/pssa.201700463

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330, KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-16K18096
  • [雑誌論文] Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, R. G. Banal, H. Yoshikawa, A. Yang, Y. Yamashita, K. Kobayashi, Y. Koide, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 121 号: 9 ページ: 095703-095703

    • DOI

      10.1063/1.4977201

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03559, KAKENHI-PROJECT-26600090, KAKENHI-PROJECT-16K06330, KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [雑誌論文] Effect of off-cut angle of hydrogen-terminated diamond(111) substrate on the quality of AlN towards high-density AlN/diamond(111) interface hole channel2017

    • 著者名/発表者名
      Masataka Imura, Ryan G. Banal, Meiyong Liao, Jiangwei Liu, Takashi Aizawa, Akihiro Tanaka, Hideo Iwai, Takaaki Mano, and Yasuo Koide
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 121 号: 2 ページ: 025702-025702

    • DOI

      10.1063/1.4972979

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-25249054, KAKENHI-PROJECT-15H03999, KAKENHI-PROJECT-16K06330, KAKENHI-PROJECT-16K18096
  • [雑誌論文] Structural properties and transfer characteristics of sputter deposition AlN and atomic layer deposition Al2O3 bilayer gate materials for H-terminated diamond field effect transistors2016

    • 著者名/発表者名
      Ryan G. Banal, Masataka Imura, Jiangwei Liu, and Yasuo Koide,
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 120 号: 11 ページ: 115307-115307

    • DOI

      10.1063/1.4962854

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-25249054, KAKENHI-PROJECT-16K06330, KAKENHI-PROJECT-16K18096
  • [雑誌論文] High-k ZrO2/Al2O3 bilayer on hydrogenated diamond: Band configuration, breakdown field, and electrical properties of field-effect transistors2016

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y.Koide
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 120 号: 12 ページ: 124504-124504

    • DOI

      10.1063/1.4962851

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-25249054, KAKENHI-PROJECT-16K06330, KAKENHI-PROJECT-16K18096
  • [雑誌論文] Formation Mechanism and Elimination of Small‐Angle Formation Mechanism and Elimination of Small‐Angle Grain Boundary in AlN Grown on (0001) Sapphire Substrate2016

    • 著者名/発表者名
      R.G. Banal, M. Imura, Y. Koide
    • 雑誌名

      INTECH

      巻: Chapter3 ページ: 43-58

    • DOI

      10.5772/66177

    • ISBN
      9789535128618, 9789535128625
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [雑誌論文] Nanometer-thin ALD-Al2O3 for the improvement of structural quality of AlN grown on sapphire substrate by MOVPE2016

    • 著者名/発表者名
      Ryan G. Banal, Masataka Imura,1, Daiju Tsuya, Hideo Iwai, and Yasuo Koide
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi A

      巻: 217 号: 2 ページ: 1600727-1600727

    • DOI

      10.1002/pssa.201600727

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419, KAKENHI-PROJECT-25249054, KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [雑誌論文] Influence of surface structure of (0001) sapphire substrate on the elimination of small-angle grain boundary in AlN epilayer2015

    • 著者名/発表者名
      R. G. Banal, M. Imura, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Aip Advances

      巻: 5 号: 9 ページ: 0971431-8

    • DOI

      10.1063/1.4931159

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [雑誌論文] Control of normally on/off characteristics in hydrogenated diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors2015

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, T. Matsumoto, N. Shibata, Y. Ikuhara, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 118 号: 11 ページ: 1157041-6

    • DOI

      10.1063/1.4930294

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349, KAKENHI-PROJECT-26289234, KAKENHI-PLANNED-25106003, KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [雑誌論文] Impedance analysis of Al2O3/H-terminated diamond MOS structures2015

    • 著者名/発表者名
      M.Y. Liao, J.W. Liu, L. W. Sang. D. Coatchup, J. L. Li, M. Imura, Y. Koide, H. Ye
    • 雑誌名

      Appl.Phys. Lett

      巻: 106 号: 8 ページ: 083506-083506

    • DOI

      10.1063/1.4913597

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03999, KAKENHI-PROJECT-25420349, KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [雑誌論文] Electrical properties of atomic layer deposited HfO2/Al2O3 multilayer on diamond2015

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, H. Oosato, E. Watanabe, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Diamond and Related Materials

      巻: 54 ページ: 55-58

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2014.10.004

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349, KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [雑誌論文] Diamond field effect transistors with a high-dielectric constant Ta2O5 as gate material2014

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, E. Watanabe, H. Oosato, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 47 号: 24 ページ: 245102-15

    • DOI

      10.1088/0022-3727/47/24/245102

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [雑誌論文] Diamond logic inverter with enhancement-mode metal-insulator-semiconductor field effect transistor2014

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, E. Watanabe, H. Oosato, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 105 号: 8 ページ: 082110-14

    • DOI

      10.1063/1.4894291

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349, KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [雑誌論文] Low on-resistance diamond field effect transistor with high-k ZrO2 as dielectric2014

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, A. Tanaka, H. Iwai, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 4 号: 1 ページ: 6395-1

    • DOI

      10.1038/srep06395

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349, KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [雑誌論文] Diamond field effect transistors with a high-dielectric constant Ta2O5 as gate material2014

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, L. Meiyong, M. Imura, E. Watanabe, H. Oosato, Y. Koide
    • 雑誌名

      J. Phys. D: Appl. Phys.

      巻: 47 ページ: 245102-1

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2013.06.005

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [雑誌論文] Interfacial chemical bonding state and band alignment of CaF2/hydrogen-terminated diamond heterojunction2013

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, S. H. Cheng, M. Imura, and Y. Koide
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 113

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] Normally-off HfO2-gated diamond field effect transistors2013

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 103 号: 9 ページ: 929051-3

    • DOI

      10.1063/1.4820143

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054, KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [雑誌論文] AlN/ダイヤモンドヘテロ接合FETとMEMSスイッチ2013

    • 著者名/発表者名
      小出 康夫,廖 梅勇,井村 将隆
    • 雑誌名

      応用電子物性分科会誌

      巻: 第19巻 ページ: 7-13

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [雑誌論文] Electrical characteristics of hydrogen-terminated diamond metal-oxide-semiconductor with atomic layer deposited HfO2 as gate dielectric2013

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, H. Oosato, E. Watanabe, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 102 号: 11 ページ: 1129101-4

    • DOI

      10.1063/1.4798289

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319, KAKENHI-PROJECT-25249054, KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [雑誌論文] Interfacial band configuration and electrical properties of LaAlO3/Al2O3/hydrogenated-diamond metal-oxide-semiconductor field effect transistors2013

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, H. Oosato, E. Watanabe, A. Tanaka, H. Iwai, and Y. Koide
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 114 号: 8 ページ: 841081-7

    • DOI

      10.1063/1.4819108

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054, KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [雑誌論文] Analysis of Broken Symmetry in Convergent-Beam Electron Diffraction along <11-20> and <1-100> Zone-Axes of AlN for Polarity Determination2013

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, U. Gautam, K. Nakajima, Y. Koide, H. Amano, and K. Tsuda
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 53

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] ダイヤモンドを用いた光・電子デバイスの開発2013

    • 著者名/発表者名
      小出 康夫,廖 梅勇,井村 将隆
    • 雑誌名

      スマートプロセス学会誌

      巻: 第2巻 ページ: 224-229

    • NAID

      10031200069

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [雑誌論文] Electrical characteristics of hydrogen-terminated diamond metal-oxide-semiconductor with atomic layer deposited HfO2 as gate dielectric2013

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, H. Oosato, E. Watanabe, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 102

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] Analysis of Broken Symmetry in Convergent-Beam Electron Diffraction along <11-20> and <1-100> Zone-Axes of AlN for Polarity Determination2013

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, U. Gautam, K. Nakajima, Y. Koide, H. Amano, and K. Tsuda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] ダイヤモンドを用いた光・電子デバイスの開発2013

    • 著者名/発表者名
      小出康夫、廖梅勇、井村将隆
    • 雑誌名

      スマートプロセス学会誌

      巻: 2 ページ: 224-229

    • NAID

      10031200069

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [雑誌論文] Interfacial chemical bonding state and band alignment of CaF /hydrogen-terminated diamond heterojunction2013

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, S. H. Cheng, M. Imura, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 113 号: 12 ページ: 1237061-6

    • DOI

      10.1063/1.4798366

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319, KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [雑誌論文] 窒化アルミニウム/ダイヤモンドヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタ2012

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、廖梅勇、小出康夫
    • 雑誌名

      NEW DIAMOND 105

      巻: 28 ページ: 36-38

    • NAID

      40019318460

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] Band offsets of Al2O3 and HfO2 oxides deposited by atomic layer deposition technique on hydrogenated diamond2012

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 101 号: 25

    • DOI

      10.1063/1.4772985

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] Band offsets of Al2O3 and HfO2 oxides deposited by atomic layer deposition technique on hydrogenated diamond2012

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] Integration of high-dielectric constant Ta2O5 oxides on diamond for power devices2012

    • 著者名/発表者名
      S. H. Cheng, L. W. Sang, M. Y. Liao, J. W. Liu, M. Imura, H. D. Li, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 101 号: 23 ページ: 232907-232907

    • DOI

      10.1063/1.4770059

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319, KAKENHI-PROJECT-24760032
  • [雑誌論文] Integration of high-dielectric constant Ta2O5 oxides on diamond for power devices2012

    • 著者名/発表者名
      S. H. Cheng, L. W. Sang, M. Y. Liao, J. W. Liu, M. Imura, H. D. Li, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] Development of AlN/diamond heterojunction field effect transistors2012

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, T. Nagata, M. Y. Liao, Y. Koide, J. Yamamoto, K. Ban, M. Iwaya, and H. Amano
    • 雑誌名

      Diamond and Related Materials

      巻: 5 ページ: 206-209

    • DOI

      10.1016/j.diamond.2012.01.020

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] 窒化アルミニウム/ダイヤモンドヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタ2012

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、廖梅勇、小出康夫
    • 雑誌名

      NEW DIAMOND

      巻: 第105号, Vol. 28 No. 2 ページ: 36-38

    • NAID

      40019318460

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] Development of AlN/diamond heterojunction field effect transistors2012

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, T. Nagata, M. Y. Liao, Y. Koide, J. Yamamoto, K. Ban, M. Iwaya, and H. Amano
    • 雑誌名

      Diam. Relat. Mat.

      巻: 24 ページ: 206-209

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] Demonstration of Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, E. Watanabe, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (RRL)

      巻: 5 号: 3 ページ: 125-127

    • DOI

      10.1002/pssr.201105024

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] Demonstration of diamond field effect transistors by AlN/diamond heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, E. Watanabe, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi-Rapid Res. Lett.

      巻: 5 ページ: 125-127

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [雑誌論文] Demonstration of Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, R.Hayakawa, E.Watanabe, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (RRL) 3

      ページ: 125-127

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Demonstration of Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, R.Hayakawa, E.Watanabe, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (RRL)

      巻: 3 ページ: 125-127

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Analysis of polar direction of AlN grown on(0001)sapphire and 6H-Si C substrates by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy using coaxial impact collision ion scattering spectroscopy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, T.Ohnishi, M.Sumiya, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano, M.Lippmaa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) (In press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on(111)diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 312

      ページ: 1325-1328

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Analysis of polar direction of AlN grown on (0001) sapphire and 6H-SiC substrates by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy using coaxial impact collision ion scattering spectroscopy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, T.Ohnishi, M.Sumiya, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano, M.Lippmaa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)

      巻: 7 ページ: 2365-2367

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Microstructure of AlN with two-domain structure on(001)diamond substrate grown by metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials 10

      ページ: 131-133

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Growth mechanism of c-axis oriented AlN on(001)diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 312

      ページ: 368-372

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (111) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 312 ページ: 1325-1328

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Analysis of polar direction of AlN grown on (0001) sapphire and 6H-SiC substrates by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy using coaxial impact collision ion scattering spectroscopy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, T.Ohnishi, M.Sumiya, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano, M.Lippmaa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 7

      ページ: 2365-2367

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Growth mechanism of c-axis oriented AlN on (001) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 312

      ページ: 368-372

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Microstructure of AlN with two-domain structure on (001) diamond substrate grown by metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 雑誌名

      Diamond, Related Materials 10

      ページ: 131-133

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Microstructure of AlN with two-domain structure on (001) diamond substrate grown by metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials

      巻: 10 ページ: 131-133

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (111) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 312

      ページ: 1325-1328

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Growth mechanism of c-axis oriented AlN on (001) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 312 ページ: 368-372

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [雑誌論文] Ultraviolet Detectors Based on Ultraviolet- Ozone Modified Hydrogenated Diamond Surfaces2009

    • 著者名/発表者名
      Jose Alvarez, Meiyong Liao, Jean-Paul Kleider, Yasuo Koide, and Masataka Imura
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express vol. 2, No. 6

    • NAID

      10025086818

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [雑誌論文] Schottky-Barrier Photodiode using p-Diamond Epilayer Grown on p+-Diamond Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, M. Y. Liao, J. Alvarez, and Y. Koide.
    • 雑誌名

      Diamond Relat. Mater. vol. 18

      ページ: 296-298

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [雑誌論文] Schottky-Barrier Photodiode using p-Diamond Epilayer Grown on p+-Diamond Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Masataka Imura
    • 雑誌名

      Diamond Relat. Mater 18

      ページ: 296-298

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [雑誌論文] Vertical-type Schottky-Barrier Photodiode using p-Diamond Epilayer Grown on Heavily Boron-doped p+-Diamond Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      Masataka Imura
    • 雑誌名

      Diamond Relat. Mater 17

      ページ: 1234-1243

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [雑誌論文] Persistent positive and transient absolute negative photoconductivity observed in diamond photodetectors2008

    • 著者名/発表者名
      M. Y. Liao, Y. Koide, J. Alvarez, M. Imura, and J. P. Kleider
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B vol. 78

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [雑誌論文] Vertical-type Schottky-Barrier Photodiode using p-Diamond Epilayer Grown on Heavily Boron-doped p+-Diamond Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, M. Y. Liao, J. Alvarez, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Diamond Relat. Mater. vol. 17

      ページ: 1234-1243

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [雑誌論文] Submicron metal-semiconductor-metal dia- mond photodiodes toward improving the responsivity2007

    • 著者名/発表者名
      M. Y. Liao, J. Alvarez, M. Imura, and Y. Koide
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. vol. 91

      ページ: 163510-163510

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [雑誌論文] Growth mechanism of c-axis oriented AlN on (001) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy

    • 著者名/発表者名
      Masataka Imura
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19656183
  • [産業財産権] ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法2015

    • 発明者名
      劉江偉 小出康夫 リャオメイヨン 井村将隆
    • 権利者名
      劉江偉 小出康夫 リャオメイヨン 井村将隆
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2015-174571
    • 出願年月日
      2015-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [産業財産権] 電界効果トランジスタ及びその製造方法2010

    • 発明者名
      井村将隆、小出康夫、リャオメイヨン、早川竜馬、天野浩
    • 権利者名
      井村将隆
    • 産業財産権番号
      2010-231352
    • 出願年月日
      2010-10-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [産業財産権] 電界効果トランジスタ及びその製造方法2010

    • 発明者名
      井村将隆、早川竜馬、廖梅勇、小出康夫、天野浩
    • 権利者名
      物質・材料研究機構
    • 産業財産権番号
      2010-231352
    • 出願年月日
      2010-10-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] Super-High Dielectric Constant AlOx/TiOy Nanolaminates: Formation and Mechanism Discussion. STAC2024

    • 著者名/発表者名
      LIU, Jiangwei, Masayuki Okamura, Naonori Mashiko, IMURA, Masataka, LIAO, Meiyong, Ryousuke Kikuchi, Michio Suzuka, KOIDE, Yasuo.
    • 学会等名
      D2MatE 2024
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [学会発表] Deposition and mechanism study for super-high dielectric constant AlOx/TiOy nanolaminates2023

    • 著者名/発表者名
      LIU, Jiangwei, Masayuki Okamura, Naonori Mashiko, IMURA, Masataka, LIAO, Meiyong, Ryousuke Kikuchi, Michio Suzuka, KOIDE, Yasuo.
    • 学会等名
      6th International Conference on MATERIALS SCIENCE & NANOTECHNOLOGY.
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [学会発表] Effect of post-growth annealing with trimethylgallium on structural quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by MOVPE2023

    • 著者名/発表者名
      IMURA Masataka, INABA hideki, MANO, Takaaki, KOIDE, Yasuo
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [学会発表] TMGa添加ポストアニール処理によるc面サファイア基板上AlNの結晶品質改善.2022

    • 著者名/発表者名
      井村 将隆, 稲葉 英樹, 間野 高明, 石田 暢之, 上杉 文彦, 黒田 陽子, 中山 佳子, 竹口 雅樹, 小出 康夫.
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] TMGa添加ポストアニール処理によるc面サファイア基板上AlNの結晶品質改善2022

    • 著者名/発表者名
      井村 将隆, 稲葉 英樹, 間野 高明, 石田 暢之, 上杉 文彦, 黒田 陽子, 中山 佳子, 竹口 雅樹, 小出 康夫
    • 学会等名
      2022年第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [学会発表] Challenge to development of III-nitride Nanolaminates/Diamond Heterojunction devices.2021

    • 著者名/発表者名
      小出 康夫, 井村 将隆, 劉 江偉, 廖 梅勇.
    • 学会等名
      Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity. 2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] Development of Atomic Layer Deposition Technique of AlxGa1-xN for Hydrogen-terminated diamond MIS-FETs.2021

    • 著者名/発表者名
      井村 将隆, 小出 康夫.
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] Development of Atomic Layer Deposition Technique of AlxGa1-xN for Hydrogen-terminated diamond MIS-FETs2021

    • 著者名/発表者名
      Masataka Imura, Yasuo Koide
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [学会発表] Challenge to development of III-nitride Nanolaminates/Diamond Heterojunction devices2021

    • 著者名/発表者名
      小出 康夫, 井村 将隆, 劉 江偉, 廖 梅勇
    • 学会等名
      Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [学会発表] Three-dimensional Raman analysis of single crystal diamond cantilevers.2021

    • 著者名/発表者名
      シェン シウリン, 市川 公善, Zhaohui Huang, 小出 康夫, 井村 将隆, 小泉 聡, 廖 梅勇.
    • 学会等名
      The 14th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2020/2021) conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] Ⅲ族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたダイヤモンド電子デバイスの開発2021

    • 著者名/発表者名
      小出 康夫, 劉 江偉, 井村 将隆, 廖 梅勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [学会発表] Ⅲ族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたダイヤモンド電子デバイスの開発.2021

    • 著者名/発表者名
      小出 康夫, 劉 江偉, 井村 将隆, 廖 梅勇.
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] Ⅲ族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたダイヤモンド電子デバイスの開発2021

    • 著者名/発表者名
      小出康夫, 劉江偉, 井村将隆, 廖梅勇
    • 学会等名
      2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 シンポジウム「特異構造の結晶科学~学術とエレクトロニクス展開~」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [学会発表] Development of Atomic Layer Deposition Technique of AlxGa1-xN for Hydrogen-terminated diamond MIS-FETs2021

    • 著者名/発表者名
      井村 将隆, 小出 康夫
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology. 2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [学会発表] Ⅲ族窒化物ナノラミネート特異構造を用いたいたダイヤモンド電子デバイスの開発2021

    • 著者名/発表者名
      小出 康夫、劉 江偉、井村 将隆、廖 梅勇
    • 学会等名
      2021第68回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [学会発表] 真空紫外線及び70MeV陽子線に対して高い耐性を有すダイヤモンドSBD2020

    • 著者名/発表者名
      井村 将隆, 外川 学, 奥村 宏典, 西永 慈郎, 宮原 正也, 松木 武雄, 小出 康夫
    • 学会等名
      第39回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体異種接合とデバイス応用2020

    • 著者名/発表者名
      小出康夫,井村将隆,劉 江偉,廖 梅勇
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [学会発表] ワイドギャップ半導体異種接合とデバイス応用2020

    • 著者名/発表者名
      小出康夫,井村将隆,劉 江偉,廖 梅勇
    • 学会等名
      第81回応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム「第3世代異種材料接合と膜成長自在制御:界面ナノ・キベルネテス(舵手)」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00313
  • [学会発表] Challenge to development of III-nitride Nanolaminates/Diamond Heterojunciton devices2020

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, M. Imura, J. Liu, and M. Liao
    • 学会等名
      Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [学会発表] 高放射線耐性半導体検出器の開発2020

    • 著者名/発表者名
      井村 将隆
    • 学会等名
      茨城テックプランター2020
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] ダイヤモンド半導体のこれから2020

    • 著者名/発表者名
      井村 将隆
    • 学会等名
      第1回ダイヤモンド・DLC関連若手研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] InGaNの表面-バルク電子状態評価2019

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 小出康夫, 太田優一, 村田秀信, 山口智広, 金子昌充, 荒木努, 名西やすし
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] Electronic structures of InGaN alloys2019

    • 著者名/発表者名
      M. Imura and Y. Ota
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] メタルマスクを用いた(111)ダイヤモンド選択成長と水素終端ダイヤモンドFETへの応用2019

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 大里啓孝, 廖梅勇, 小出康夫
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] 原子配列に対するInGaNの電子状態依存性評価2019

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 太田優一
    • 学会等名
      第38回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] Selective growth of diamond (111) by metal mask and its application for hydrogen terminated diamond FET2019

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, H. Oosato, M. Y. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      13th Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04501
  • [学会発表] InGaN系窒化物半導体の表面ーバルク電子状態評価2018

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 小出康夫, 荒木努, 名西やすし
    • 学会等名
      第110回研究会・特別公開シンポジウム 「紫外発光デバイスの最前線と将来展望」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Enhancement-mode hydrogenated diamond MOSFETs,“29th International Conference on Diamond and Carbon Materials2018

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, M. Liao, M. Imura, Y. Koide
    • 学会等名
      ICDCM 2018
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [学会発表] コヒーレントα-Al2O3/Ga2O3超格子の作製2018

    • 著者名/発表者名
      加藤勇次,井村将隆,中山佳子,竹口雅樹,大島孝仁
    • 学会等名
      2018年第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K13673
  • [学会発表] 硬X線光電子分光法を用いたアンドープInxGa1-xN(0≦x≦1)の表面ーバルク電子状態評価2018

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 吉川英樹, 山下良之, 小林啓介, 小出康夫, 山口智広, 荒木努, 名西やすし
    • 学会等名
      第37回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Systematic investigation of surface and bulk electronic structures of unintentionally-doped InxGa1-xN (0≦x≦1) epilayers by hard X-ray photoelectron spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, R. G. Banal, H. Yoshikawa, Y. Anli, Y. Yamashita, K. Kobayashi, Y. Koide, T. Yamaguchi, M. Kaneko, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] 窒化アルミニウム成膜時のIn Situ測定2018

    • 著者名/発表者名
      井村将隆
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会ランチョンセミナー
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] 硬X線光電子分光法を用いたInGaN系窒化物半導体の表面ーバルク電子状態評価2018

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 小出康夫, 荒木努, 名西やすし
    • 学会等名
      第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] High-quality diamond epitaxial layer growth and electron devices application2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, J.W. Liu, M. Imura, and M.Y. Liao
    • 学会等名
      SSDM2018
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [学会発表] Development of AlN/Diamond heterostructure formation and unique interface property2018

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, M. Y. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      European Materials Research Society (E-MRS) 2018 Fall Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] III-nitride/diamond heterojunction2018

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, M. Y. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      4th JST Sakura Science Workshop
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Electrical properties of H-terminated diamond FETs with AlN gate2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, R. G. Banal, M. Imura, J.W. Liu, and M.Y. Liao
    • 学会等名
      4th E-MRS & MRS-J, Symposium
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [学会発表] Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面-バルク電子状態変化2018

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 小出康夫, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Microstructure of In0.20Ga0.80N nanowires on Si (111) substrate evaluated by aberration-corrected scanning transmission electron microscopy2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. G. Banal, Y. Koide, Y. Nakayama, M. Takeguchi, S. Mizutani, T. Tabata, S. Nakagawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano
    • 学会等名
      The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Effect of off-cut angle of hydrogen-terminated diamond(111) substrate on the quality of AlN towards high-density AlN/diamond(111) interface hole channel2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. G. Ryan, M. Liao, J. Liu, T. Aizawa, A. Tanaka, H. Iwai, T. Mano, Y. Koide
    • 学会等名
      The 11th Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] High-current triple-gate H-diamond MOSFET2017

    • 著者名/発表者名
      KOIDE, Yasuo, LIU, Jiangwei, LIAO, Meiyong, IMURA, Masataka.
    • 学会等名
      New Diamond and Nano Carbon Conference, (NDNC2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [学会発表] Vacuum-Ultra-Violet Diamond-based Photodetector for high-power excimer lamp2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, M. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Normally-on/off control of diamond FETs and logic circuit demonstration2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, J.W. Liu, M. Imura, and M.Y. Liao
    • 学会等名
      E-MRS, Symposium O, Diamond for electron devices II, (Warsaw, Poland)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [学会発表] Microstructure and electrical property of AlN/Diamond(111) heterojunction2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, M. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      OIST Diamond WS2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, A. L. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa,Y. Koide, K. Kobayashi, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Improvement on electrical properties of H-terminated diamond FETs using sputter deposition AlN/ atomic layer deposition Al2O3 stack gate structure2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. G. Banal, J. Liu, M. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      28th International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Microstructure of Boron-doped AlN Epitaxial Layer Grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, Y. Ota, R. G. Banal, and Y. Koide
    • 学会等名
      29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] III-nitride/diamond hybrid systems2017

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, M. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      3N-Lab Workshop Tsukuba-Grenoble for Diamond and GaN
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Structural Property of Boron-doped AlN grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, Y. Ota, R. G. Banal, Y. Koide
    • 学会等名
      International workshop on UV materials and devices (IWUMD-2016)
    • 発表場所
      Peking University, Beijing, China
    • 年月日
      2016-07-27
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Microstructure and Hole Accumulation Mechanism of AlN/Diamond(111) Het erojunctions Prepared by MOVPE2016

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. G. Banal, M. Y. Liao, J. W. Liu, Y. Koide, T. Matsumoto, N. Shibata, Y. Ikuhara
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016 (ICDCM2016)
    • 発表場所
      Le Corum, Montpellier, France
    • 年月日
      2016-09-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Microstructure and hole accumulation mechanism of AlN/Diamond(111) heterojunctions prepared by MOVPE2016

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R.G. Banal, M.Y. Liao, J. Liu, Y.Koide , T. Matsumoto, N. Shibata, Y. Ikuhara
    • 学会等名
      10th International International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016 (ICDCM 2016)
    • 発表場所
      Xi'an, China
    • 年月日
      2016-09-04
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [学会発表] MOVPE法により成長させたボロンドープAlNの構造評価2016

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 太田優一, R. G. Banal, 小出康夫
    • 学会等名
      第35回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2016-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06330
  • [学会発表] Sputter deposition AlN and atomic layer deposition Al2O3 as bilayer gate materials for Hterminated diamond field effect transistors2016

    • 著者名/発表者名
      R.G. Banal, M. Imura, J. Liu, M. Liao, and Y.Koide
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016 (ICDCM 2016)
    • 発表場所
      Montpelier, France
    • 年月日
      2016-09-04
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06419
  • [学会発表] Sputter deposition AlN and atomic layer deposition Al2O3 as bilayer gate materials for Hterminated diamond field effect transistors2016

    • 著者名/発表者名
      R.G. Banal, M. Imura, J. Liu, M. Liao, and Y.Koide
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016 (ICDCM 2016)
    • 発表場所
      Montpelier, France
    • 年月日
      2016-09-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [学会発表] Microstructure and hole accumulation mechanism of AlN/Diamond(111) heterojunctions prepared by MOVPE,2016

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R.G. Banal, M.Y. Liao, J. Liu, Y.Koide , T. Matsumoto, N. Shibata, Y. Ikuhara
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016 (ICDCM 2016)
    • 発表場所
      Montpelier, France
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [学会発表] ALD-Al2O3/SD-AlN as Bilayer Gate Material for Diamond FET2015

    • 著者名/発表者名
      R.G.Banal、井村将隆、劉江偉、小出康夫
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Effect of Boron incorporation on the structural quality of AlBN layer s grown by MOVPE2015

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, Y. Ota, R. G. Banal, and Y. Koide
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-6)
    • 発表場所
      Act City, Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Low-temperature AlN Buffer Layer Technique to Eliminate the Small-angle Grain Boundary in AlN Grown on Sapphire Substrate2015

    • 著者名/発表者名
      R. G. Banal, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-6)
    • 発表場所
      Act City, Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-11-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] AlN/ダイヤモンド及びダイヤモンド/AlN/サファイア上のヘテロエピタキシャル成長2015

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、R.G.Banal、劉江偉、廖梅勇、小出康夫
    • 学会等名
      第29回ダイヤモンドシンポジウム
    • 発表場所
      東京理科大学葛飾キャンパス
    • 年月日
      2015-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] 半導体の基礎II:窒化物半導体を用いた光・電子デバイス2015

    • 著者名/発表者名
      井村将隆
    • 学会等名
      ソディック-未踏科学技術協会 企業内セミナー(招待講演)
    • 発表場所
      ソディック株式会社
    • 年月日
      2015-11-24
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Control of normally-on/off in hydrogenated-diamond MISFET2015

    • 著者名/発表者名
      劉江偉、廖梅勇、井村将隆、小出康夫
    • 学会等名
      第29回ダイヤモンドシンポジウム
    • 発表場所
      東京理科大学葛飾キャンパス
    • 年月日
      2015-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] ZrO2 on hydrogenated-diamond: breakdown electric field interfacial band configuration and gate-drain distance scaling effect for electrical property of MISFET2015

    • 著者名/発表者名
      劉江偉、M.Y.Liao、井村将隆、小出康夫
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Impedance Spectroscopy of Diamond MOS Structure2015

    • 著者名/発表者名
      . Y. Liao, J. W. Liu, S. Liwen, D. Coatchup, J. L. Li, M. Imura, H. Ye, and Y. Koide
    • 学会等名
      9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2015)
    • 発表場所
      Shizuoka Granship, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2015-05-24
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Hydrogenated-diamond MISFET logic inverter2015

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2015)
    • 発表場所
      Shizuoka Granship, Shizuoka, Japan
    • 年月日
      2015-05-24
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Hole channel formation mechanism in AlN/diamond heterojunction and high-k oxide gate diamond FETs2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, M. Imura, J. W. Liu, M. Y. Liao, R. G. Banal, T. Matsumoto, N. Shibata, and Y. Ikuhara
    • 学会等名
      26th International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2015)
    • 発表場所
      Bad Homburg, Germany
    • 年月日
      2015-09-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Normally-off HfO2/diamond field effect transistors fabrication2014

    • 著者名/発表者名
      劉江偉、M.Y.Liao、井村将隆、小出康夫
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] MOVPE法による(111)面ダイヤモンド基板上のAlNの高品質化2014

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、劉江偉、廖梅勇、小出康夫
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Al2O3 および HfO2/水素終端ダイヤモンド界面の周波数分散特性2014

    • 著者名/発表者名
      小出康夫、劉江偉、M.Y.Liao、井村将隆、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Band Configuration of HfO2/hydrogen-terminated Diamond Heterojunction Correlated with Electrical Properties of Metal/HfO2/hydrogen-terminated Diamond Diodes2013

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, S. Cheng, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      New Diamond and Nano carbon conference (NDNC2013)
    • 発表場所
      National University, Singapore.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Atomic Layer Deposition Technique for Diamond-based Field Effect Transistors2013

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, J. W. Liu, M. Y. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      NIMS Confrence 2013
    • 発表場所
      Epochal Tsukuba, Japan.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Interfacial Electronic Band Alignment of Ta2O5/hydrogen-terminated Diamond Heterojunction Determined by X-ray Photoelectron Spectroscopy2013

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, S. Cheng, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      New Diamond and Nano carbon conference (NDNC2013)
    • 発表場所
      National University, Singapore
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] AlN/ダイヤモンドヘテロ接合FETとMEMSスイッチ2013

    • 著者名/発表者名
      小出康夫、廖梅勇、井村将隆
    • 学会等名
      応用物理学会応用電子物性分科会研究例会
    • 発表場所
      金沢工業大学大学院虎ノ門キャンパス
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Band configuration of HfO2/hydrogen-terminated diamond heterointerface correlated with electrical properties of metal/HfO2/hydrogen-terminated diamond diodes2013

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2013)
    • 発表場所
      Novotel Singapore Clarke Quay, Singapole
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [学会発表] nterfacial Electronic Band Alignment of Ta2O5/hydrogen-terminated Diamond Heterojunction Determined by X-ray Photoelectron Spectroscopy2013

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, S. Cheng, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      New Diamond and Nano carbon conference (NDNC2013)
    • 発表場所
      National University, Singapore.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Combination with Atomic Layer Deposition Technique for Fabrication of High-performance HfO2/diamond Metal-oxide-insulator Field Effect Transistors2013

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      NIMS conference 2013
    • 発表場所
      Epochal Tsukuba, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] 原子層堆積法による水素終端ダイヤモンド上のAl2O3とHfO2の電子構造2013

    • 著者名/発表者名
      劉. 江偉、廖梅勇、井村将隆、小出康夫
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Diamond Field Effect Transistors using Al2O3 Insulator/Surface p-Channel Diamond Prepared by Thermal Treatment with Hydrogen and Ammonia Atmosphere2013

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, J. Liu, M. Y. Liao, Y. Koide
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials 2013 (ICDCM 2013)
    • 発表場所
      Riva del Garda, Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [学会発表] 次世代パワーデバイス用ダイヤモンド電界効果トランジスタ2013

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、小出康夫
    • 学会等名
      Nano tech 2013
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] HfO2/Hydrogenated-diamond field effect transistors for power devices2013

    • 著者名/発表者名
      劉江偉、M.Y.Liao、井村将隆、小出康夫
    • 学会等名
      第13回 NIMSフォーラム
    • 発表場所
      東京国際フォーラム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] AlN/ダイヤモンドヘテロ接合を用いた電子デバイス2013

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、廖梅勇、小出康夫
    • 学会等名
      第43回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Interfacial electronic band alignment of Ta2O5/hydrogen-terminated diamond heterojunction determined by X-ray photoelectron spectroscopy2013

    • 著者名/発表者名
      J. W. Liu, S. H. Cheng, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2013)
    • 発表場所
      Novotel Singapore Clarke Quay, Singapole
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249054
  • [学会発表] 次世代パワーデバイス用ダイヤモンド電界効果トランジスタ2013

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、小出康夫
    • 学会等名
      つくばテクノロジー・ショーケース2013
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • 年月日
      2013-01-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] 原子層堆積法による水素終端ダイヤモンド上のAl2O3とHfO2の電子構造2013

    • 著者名/発表者名
      劉. 江偉、廖梅勇、井村将隆、小出康夫
    • 学会等名
      第 60 回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] HfO2/diamond電界効果トランジスタの作成2013

    • 著者名/発表者名
      劉江偉、M.Y.Liao、井村将隆、小出康夫
    • 学会等名
      第27回ダイヤモンドシンポジウム
    • 発表場所
      日本工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Diamond field effect transistors using Al2O3 insulator / surface p-channel diamond prepared by thermal treatment with hydrogen and ammonia atmosphere2013

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, J. W. Liu, M. Y. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials 2013 (ICDCM2013)
    • 発表場所
      Riva del Garda-Fierecongressi S.p.A.,Riva del Garda,Italy.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Band Configuration of HfO2/hydrogen-terminated Diamond Heterojunction Correlated with Electrical Properties of Metal/HfO2/hydrogen-terminated Diamond Diodes2013

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, S. Cheng, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      New Diamond and Nano carbon conference (NDNC2013)
    • 発表場所
      National University, Singapore
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Fabrication of HfO2/hydrogenated diamond metal-oxide-semiconductor field effect transistors2013

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials 2013 (ICDCM2013)
    • 発表場所
      Riva del Garda-Fierecongressi S.p.A.,Riva del Garda,Italy.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] 高濃度キャリアの電界制御を目指した強誘電体薄膜/ダイヤモンド接合2012

    • 著者名/発表者名
      小出康夫、G.C.Chen、廖梅勇、井村将隆
    • 学会等名
      第72回応用応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学&松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Metal/insulator/p-diamond Structure with Large-permittivity Insulator for Gate Field Controlling2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, M. Y. Liao, M. Imura, and G. C. Chen
    • 学会等名
      New Diamond and Nano Carbons 2012 (NDNC2012)
    • 発表場所
      Conrad San Juan Condado Plaza,San Juan,Puerto Rico
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] pチャネルAlN/Diamondヘテロ接合電界効果トランジスタ2012

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、MeiyongLiao、小出康夫、天野浩、松本翼、山崎聡
    • 学会等名
      第31回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Al2O3/Diamond Field Effect Transistors using Surface p-Channel Prepared by Thermal Treatment with Hydrogen and Ammonia Atmosphere2012

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano:
    • 学会等名
      IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
    • 発表場所
      Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] High dielectric constant oxide on diamond for high power devices2012

    • 著者名/発表者名
      S. H. Cheng, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
    • 発表場所
      Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] 次世代パワーデバイス用ダイヤモンド電界効果トランジスタ2012

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、小出康夫
    • 学会等名
      第12回NIMSフォーラム
    • 発表場所
      東京国際フォーラム
    • 年月日
      2012-10-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure - past & future -2012

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
    • 学会等名
      Hasselt Diamond Workshop 2012 SBDD XVII
    • 発表場所
      The cultuurcentrum Hasselt ,Hasselt,Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] TEM-CBED法を用いたAlNの極性決定評価2012

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、中島清美、小出康夫、天野浩、津田健治
    • 学会等名
      第31回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Electrical Transport Mechanism of Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure2012

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials (Diamond2012)
    • 発表場所
      The Granada Congress and Exhibitions Centre, Granada, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] High-k insulator/p-diamond structure for gate voltage controlling / High-k insulator/p-diamond structure for gate voltage controlling2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, G. C. Chen, M. Y. Liao and M. Imura
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials (Diamond2012)
    • 発表場所
      The Granada Congress and Exhibitions Centre, Granada, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Diamond-FET using AlN/diamond heterojunction2012

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, M. Y. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
    • 発表場所
      Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Electrical property of high-k insulator/p-diamond diodes for electric field controlling2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, G. C. Chen, M. Y. Liao, and M. Imura
    • 学会等名
      IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
    • 発表場所
      Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] 原子層堆積法により成膜したアルミナゲート表面チャネルダイヤモンドFETの特性評価2012

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、MeiyongLiao、小出康夫、天野浩、松本翼、山崎聡
    • 学会等名
      第26回ダイヤモンドシンポジウム
    • 発表場所
      青山学院大学青山キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] High-k insulator/p-diamond structure for gate voltage controlling / High-k insulator/p-diamond structure for gate voltage controlling2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, G. C. Chen, M. Y. Liao, and M. Imura
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials (Diamond2012)
    • 発表場所
      the Granada Congress and Exhibitions Centre, Granada, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] 高濃度キャリアの電界制御を目指した強誘電体薄膜/ダイヤモンド接合2012

    • 著者名/発表者名
      小出康夫、G.C.Chen、廖梅勇、井村将隆
    • 学会等名
      第72回応用応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学&松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Electrical Transport Mechanism of Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure2012

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials (Diamond2012)
    • 発表場所
      the Granada Congress and Exhibitions Centre, Granada, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure - past & future -.2012

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
    • 学会等名
      Hasselt Diamond Workshop 2012 SBDD XVII(招待講演)
    • 発表場所
      The cultuurcentrum Hasselt ,Hasselt,Belgium
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Polarity determination of AlN by convergent beam electron diffraction method based on transmission electron microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, K. Nakajima, Y. Koide, H. Amano, and K. Tsuda
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN 2012)
    • 発表場所
      Sapporo Convention Center,Sapporo,Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Development of Diamond Field Effect Transistors by AlN / Diamond Heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
    • 学会等名
      22nd European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides (Diamond2011)
    • 発表場所
      Garmisch - Partenkirchen,Bavaria,German
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Demonstration of AlN/Diamond Heterostructure Field Effect Transistors2011

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, H. Oosato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
    • 学会等名
      MANA International Symposium 2011 (MANA Sympo. 2011)
    • 発表場所
      Epochal Tsukuba, Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2011-03-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
    • 学会等名
      International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011 (NDNC2011)
    • 発表場所
      Kunibiki Messe, Matsue, Japan
    • 年月日
      2011-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Development of Diamond Field Effect Transistors by AlN / Diamond Heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, R. Hayakawa, H. Ohsato, E. Watanabe, D. Tsuya, M. Y. Liao, Y. Koide, and H. Amano
    • 学会等名
      22nd European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides(Diamond2011)
    • 発表場所
      Garmisch - Partenkirchen,Bavaria,German
    • 年月日
      2011-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Demonstration of AlN/Diamond Heterostructure Field Effect Transistors2011

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, R.Hayakawa, H.Oosato, E.Watanabe, D.Tsuya, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 学会等名
      MANA International Symposium 2011
    • 発表場所
      Epochal Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2011-03-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] AlN/ダイヤモンドヘテロ構造トランジスタ2011

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、廖梅勇、小出康夫、天野浩
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタ2011

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、廖梅勇、小出康夫、天野浩
    • 学会等名
      第72回応用応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Diamond Field Effect Transistors by AlN/Diamond Heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, R.Hayakawa, H.Oosato, E.Watanabe, D.Tsuya, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amanol.
    • 学会等名
      International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011 (NDNC2011)
    • 発表場所
      Kunibiki Nesse, Matsue, Japan.
    • 年月日
      2011-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] AlN/Diamondヘテロ接合型電界効果トランジスタの開発2011

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、廖梅勇、小出康夫、天野浩
    • 学会等名
      日本金属学会2011年秋
    • 発表場所
      沖縄コンベンセンションセンター
    • 年月日
      2011-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタの開発2011

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、早川竜馬、大里啓孝、渡辺英一郎、津谷大樹、廖梅勇、小出康夫、天野浩
    • 学会等名
      第25回ダイヤモンドシンポジウム
    • 発表場所
      産業技術総合研究所 共用講堂
    • 年月日
      2011-12-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23760319
  • [学会発表] Demonstration of AlN/Diamond Heterostructure Field Effect Transistors2011

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, R.Hayakawa, H.Oosato, E.Watanabe, D.Tsuya, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amanol.
    • 学会等名
      MANA International Symposium 2011 (MANA Sympo.2011)
    • 発表場所
      Epochal Tsukuba, Tsukuba, Japan.
    • 年月日
      2011-03-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] Microstructure of AlN layer on (001) and (111) diamond substrates by metal organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 学会等名
      MANA International Symposium 2010 (MANA Sympo.2010)
    • 発表場所
      Epochal Tsukuba, Tsukuba, Japan.
    • 年月日
      2010-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] 様々な面のダイヤモンド基板上への窒化アルミニウム結晶成長2010

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、中島清美、廖梅勇、小出康夫、天野浩
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学.
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] Microstructure of AlN layer on(001)and(111)diamond substrates by metal organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 中島清美, 廖梅勇, 小出康夫, 天野浩
    • 学会等名
      MANA International Symposium 2010(MANA Sympo.2010)
    • 発表場所
      Epochal Tsukuba, Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2010-03-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] 様々な面のダイヤモンド基板上への窒化アルミニウム結晶成長2010

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、中島清美、廖梅勇、小出康夫、天野浩
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] Growth of AlN on (001), (110), and (111) diamond substrates2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 学会等名
      The 4th International Conference on New Diamond and Nano Carbons
    • 発表場所
      Garden hotel, Suzhou, China
    • 年月日
      2010-05-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] Growth of AlN on (001), (110), and (111) diamond substrates2010

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 学会等名
      The 4th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2010)
    • 発表場所
      the Garden hotel, Suzhou, China.
    • 年月日
      2010-05-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] Growth of AlN on(001)diamond substrate by metal-organic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 中島清美, 廖梅勇, 小出康夫, 天野浩
    • 学会等名
      3rd International Conference on New Diamond and Nano Carbons(NDNC2009)
    • 発表場所
      Traverse City, Michigan, USA
    • 年月日
      2009-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] Microstructure analysis for growth process of AlN layer on (001) and (111) diamond substrates by a metal-organic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 学会等名
      The 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE17)
    • 発表場所
      Lake Geneva, Wisconsin, USA.
    • 年月日
      2009-08-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] Analysis of polar direction of AlN grown by metal-organic vapor phase epitaxy using coaxial impact collision ion scattering spectroscopy2009

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, T.Ohnishi, M.Sumiya, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano, M.Lippmaa
    • 学会等名
      The 36th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2009)
    • 発表場所
      University of California, Santa Barbara, USA.
    • 年月日
      2009-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] Microstructure analysis for growth process of AlN layer on(001)and(111)diamond substrates by a metal-organic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      井村将隆, 中島清美, 廖梅勇, 小出康夫, 天野浩
    • 学会等名
      The 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ACCGE17)
    • 発表場所
      Lake Geneva, Wisconsin, USA
    • 年月日
      2009-08-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] MOVPE法による(001)面ダイヤモンド基板上の窒化アルミニウムの成長2009

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、中島清美、廖梅勇、小出康夫、天野浩
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖.
    • 年月日
      2009-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] Analysis of polar direction of AlN grown by metal-organic vapor phase epitaxy using coaxial impact collision ion scattering spectroscopy2009

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, T.Ohnishi, M.Sumiya, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano, M.Lippmaa
    • 学会等名
      The 36th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2009)
    • 発表場所
      University of California, Santa Barbara, USA
    • 年月日
      2009-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] MOVPE法によるダイヤモンド基板上の窒化アルミニウムの成長2009

    • 著者名/発表者名
      井村将隆
    • 学会等名
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学,茨城県つくば市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19656183
  • [学会発表] MOVPE法による(001)面ダイヤモンド基板上の窒化アルミニウムの成長2009

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、中島清美、廖梅勇、小出康夫、天野浩
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2009-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] Growth of AlN on (001) diamond substrate by metal-organic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakajima, M.Y.Liao, Y.Koide, H.Amano
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2009)
    • 発表場所
      Traverse City, Michigan, USA.
    • 年月日
      2009-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760268
  • [学会発表] ダイヤモンド基板によるショットキーフォトダイオード特性への影響2008

    • 著者名/発表者名
      井村将隆
    • 学会等名
      第22回 ダイヤモンドシンポジウム
    • 発表場所
      早稲田大学 大久保キャンパス,東京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [学会発表] Vertical-type Schottky-Barrier Photodiode using p- / p+-Diamond Substrates2008

    • 著者名/発表者名
      井村将隆
    • 学会等名
      2nd International Conference on New Diamond and Nano Carbons
    • 発表場所
      Grand Hotel, Taipei, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [学会発表] Devices design in solar-blind diamond photodetectors2008

    • 著者名/発表者名
      M. Y. Liao, J. Alvarez, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      New Diamond and Nano Carbons (NDNC2008)
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan(Outstanding Poster Award)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [学会発表] Development of flame sensor using diamond visible-blind ultraviolet photo- diode2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, M. Y. Liao, J. Alvarez, M. Imura, K. Sueishi, and F. Yoshifusa
    • 学会等名
      New Diamond and Nano Carbons (NDNC2008)
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [学会発表] Diamond deep-UV photo- detector with high sensitivity and thermal stability2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, M. Y. Liao, M. Imura, and J. Alvarez
    • 学会等名
      The 19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide, (Diamond 2008), Abst. 13.1
    • 発表場所
      Sitges, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [学会発表] Schottky-barrier photodiode using p-diamond epilayer grown on p+-diamond substrates2008

    • 著者名/発表者名
      井村将隆
    • 学会等名
      EMS27
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺,静岡県伊豆市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [学会発表] Vertical-type Schottcky-Barrie Photodiode using p-Diamond Epilayer Grown on Heavily Boron-doped p+-Diamond Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, Y. Koide, M. Y. Liao, and J. Alvarez
    • 学会等名
      New Diamond and Nano Carbons (NDNC2008)
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [学会発表] 導電性p+-ダイヤモンド基板を用いたショットキーフォトダイオード2008

    • 著者名/発表者名
      井村将隆
    • 学会等名
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学,愛知県春日井市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360341
  • [学会発表] Fabrication of low on-resistance diamond field effect transistors

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2014)
    • 発表場所
      Hyatt Regency Chicago, Chicago, Illinois, USA,
    • 年月日
      2014-05-25 – 2014-05-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] ウェットアニールダイヤモンド(111)上 ALD-Al2O3 膜を用いたMOS キャパシタ の電気的特性

    • 著者名/発表者名
      上田諒浩、宮田大輔、徳田規夫、井村将隆、小出康夫、小倉政彦、山崎聡、猪熊孝夫
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス.
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Frequency dispersion properties at Al2O3 and HfO2/H-terminated diamond interfaces

    • 著者名/発表者名
      Y. Koide, J. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, H. Oosato, and E. Watanabe
    • 学会等名
      New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2014)
    • 発表場所
      Hyatt Regency Chicago, Chicago, Illinois, USA,
    • 年月日
      2014-05-25 – 2014-05-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] High-k/hydrogenated-diamond metal-insulator-semiconductor field effect transistors fabrication

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2014)
    • 発表場所
      Melia Castilla, Madrid, Spain.
    • 年月日
      2014-09-07 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Hydrogenated-diamond logic inverter fabrication with enhancement-mode metal-insulator-semiconductor field effect transistor

    • 著者名/発表者名
      劉江偉、M.Y.Liao、井村将隆、小出康夫
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス.
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] AlN/ (111)面ダイヤモンドヘテロ接合界面の微細構造観察と電気的特性評価

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、劉江偉、廖梅勇、小出康夫、松元隆夫、柴田直哉、幾原雄一
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス.
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Electrical properties of atomic layer deposited HfO2/Al2O3 multilayer on diamond

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2014)
    • 発表場所
      Hyatt Regency Chicago, Chicago, Illinois, USA,
    • 年月日
      2014-05-25 – 2014-05-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Energy-Band Offset of AlN/Diamond(111) Heterojunction Determined by X- ray Photoelectron Spectroscopy

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, J. W. Liu, M. Y. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials 2014 (SSDM2014)
    • 発表場所
      Epochal Tsukuba, Tsukuba, Japan.
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Recent progress of field effect transistors by AlN/Diamond Heterostructure

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, J. W. Liu, M. Y. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      The 15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014)
    • 発表場所
      Fukuoka University, Fukuoka, Japan.
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-30
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] 窒化物半導体の界面制御とナノラミネート特異構造を用いた電子デバイスの開発

    • 著者名/発表者名
      小出康夫、井村将隆、劉江偉、M.Y.Liao
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス.
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] X線光電子分光法によるAlN/(111)ダイヤモンドヘテロ接合のエネルギーバンド オフセット評価

    • 著者名/発表者名
      井村将隆、田中彰博、岩井秀夫、劉江偉、廖梅勇、小出康夫
    • 学会等名
      第33回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2014-07-07 – 2014-07-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Atomically controlled diamond surfaces and interfaces

    • 著者名/発表者名
      N. Tokuda, D. Miyata, A. Ueda, T. Chonan, T. Minamiyama, T. Inokuma, M. Imura, Y. Koide, M. Ogura, T. Makino, D. Takeuchi, and S. Yamsaki
    • 学会等名
      25th International Conference on Diamond and Carbon Materials
    • 発表場所
      Melia Castilla, Madrid, Spain., (2014),
    • 年月日
      2014-09-07 – 2014-09-11
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] HfO2 on hydrogenated-diamond for field effect transistors

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      The 15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014)
    • 発表場所
      Fukuoka University, Fukuoka, Japan.
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Atomic layer deposited Al2O3/diamond field effect transistors using surface p-channel prepared by thermal treatment with H2+NH3 gases

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, J. W. Liu, M. Y. Liao, and Y. Koide
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD2014)
    • 発表場所
      Hotel Granvia Kyoto, Kyoto, Japan.
    • 年月日
      2014-06-15 – 2014-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] “Diamond metal-insulator-semiconductor field effect transistor logic inverters

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      International Symposium on Single Crystal Diamond Electronics and the Fourth Chinese Vacuum Forum (SCDE 2014)
    • 発表場所
      Xian China high-speed Le Grand Large Hotel, Xian, China.
    • 年月日
      2014-06-12 – 2014-06-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • [学会発表] Atomic Layer Deposited HfO2/Al2O3 Multi-nano-layer on Diamond for Field Effect Transistor

    • 著者名/発表者名
      J. Liu, M. Y. Liao, M. Imura, and Y. Koide
    • 学会等名
      The 4th Annual World Congress of Nano-S&T
    • 発表場所
      Qingdao, Qingdao, China.
    • 年月日
      2014-10-29 – 2014-10-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420349
  • 1.  小出 康夫 (70195650)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 167件
  • 2.  廖 梅勇 (70528950)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 31件
  • 3.  天野 浩 (60202694)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 23件
  • 4.  劉 江偉 (30732119)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 22件
  • 5.  メイヨン リョオ (00425555)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 6.  津谷 大樹 (10469760)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 7.  大島 孝仁 (60583151)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 8.  高橋 和敏 (30332183)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  奥村 宏典 (80756750)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  堀田 昌宏 (50549988)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  ホセ アルバレッツ
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 9件
  • 12.  加藤 勇次
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 13.  名西 やす之
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 14.  山口 智広
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 15.  須田 淳
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 16.  荒木 努
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件
  • 17.  SANG Liwen
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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