分島彰男 WAKEJIMA Akio

研究者番号	80588575
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 熊本大学, 半導体・デジタル研究教育機構, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 熊本大学, 半導体・デジタル研究教育機構, 教授 2019年度 – 2021年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2015年度 – 2017年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者透過型電子顕微鏡 / 原子間力顕微鏡 / 転位 / 欠陥 / AlGaN/GaN HEMT / 電流AFM / AFM / リーク電流 / トランジスタ / 窒化物半導体 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る HEMT / モンテカルロシミュレーション / ドレイン電流密度 / 二次元電子ガス / GaN / 耐圧 / 電力増幅 / 高電子移動度トランジスタ / 高出力 / 窒化物半導体 / トランジスタ / 電力利得 / 破壊電界 / 無線電力伝送 / 電力増幅器 / AlGaN/GaN / 準ミリ波隠す

高Al組成GaN-HEMTのドレイン電流伝導機構に関する基礎研究
- 研究代表者
  
  葛原正明
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  関西学院大学
準ミリ波帯で動作する窒化物半導体トランジスタ増幅器の高耐圧・高出力化に関する研究
- 研究代表者
  
  葛原正明
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  関西学院大学
   福井大学
GaNトランジスタのリーク電流機構の解明に向けた局所リーク電流発生箇所の同定研究代表者
- 研究代表者
  
  分島彰男
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  名古屋工業大学

すべて 2021 2016

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Generalized Frequency Dependent Small Signal Model for High Frequency Analysis of AlGaN/GaN MOS-HEMTs2021
- 著者名/発表者名
  Aakash Jadhav, Takashi Ozawa, Ali Baratov, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara, Akio Wakejima, Shunpei Yamashita, Manato Deki, Yoshio Honda, Sourajeet Roy, Hiroshi Amano, Biplab Sarkar
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of Electron Devices
  
  巻: 9 ページ: 570-581
- DOI
  10.1109/jeds.2021.3081463
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PROJECT-19H00761
[雑誌論文] 1. Modified Small Signal Circuit of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Rational Functions2021
- 著者名/発表者名
  Aakash Jadhav, Takashi Ozawa, Ali Baratov, Joel T Asubar, Masaaki Kuzuhara, Akio Wakejima, Shunpei Yamashita, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Sourajeet Roy, Biplab Sarkar
- 雑誌名
  
  EEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 68 号: 12 ページ: 6059-6064
- DOI
  10.1109/ted.2021.3119528
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04528, KAKENHI-PROJECT-19H00761
[雑誌論文] Observation of 8600 K electron temperature in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si substrate2016
- 著者名/発表者名
  Tomotaka Narita, Yuichi Fujimoto, Akio Wakejima and Takashi Egawa
- 雑誌名
  
  Semicond. Sci. Technol.
  
  巻: 31 号: 3 ページ: 035007-035007
- DOI
  10.1088/0268-1242/31/3/035007
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06014
[雑誌論文] Local gate leakage current induced by inhomogeneous epitaxial growth in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors2016
- 著者名/発表者名
  Tomotaka Narita, Akio Wakejima and Takashi Egawa
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 9 号: 3 ページ: 031002-031002
- DOI
  10.7567/apex.9.031002
- NAID
  210000137805
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06014
[学会発表] Enhanced gain characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric2021
- 著者名/発表者名
  K. Shibata, K. C. Herbert, A. Baratov, J. T. Asubar, A. Wakejima, M. Kuzuhara
- 学会等名
  2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00761

1. 葛原正明 (20377469)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
2. ASUBAR JOEL (10574220)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
3. 只友一行 (10379927)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

分島 彰男 WAKEJIMA Akio

研究課題

研究成果

共同研究者

高Al組成GaN-HEMTのドレイン電流伝導機構に関する基礎研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

準ミリ波帯で動作する窒化物半導体トランジスタ増幅器の高耐圧・高出力化に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

GaNトランジスタのリーク電流機構の解明に向けた局所リーク電流発生箇所の同定研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Generalized Frequency Dependent Small Signal Model for High Frequency Analysis of AlGaN/GaN MOS-HEMTs2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 1. Modified Small Signal Circuit of AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Rational Functions2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Observation of 8600 K electron temperature in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si substrate2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Local gate leakage current induced by inhomogeneous epitaxial growth in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[学会発表] Enhanced gain characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

分島彰男 WAKEJIMA Akio