山根啓輔 Yamane Keisuke

研究者番号	80610815
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2019年度 – 2021年度: 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2014年度 – 2016年度: 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2012年度 – 2013年度: 山口大学, 理工学研究科, 助教 2011年度 – 2012年度: 山口大学, 大学院・理工学研究科, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 結晶工学 / 電子・電気材料工学研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者第一原理計算 / 結晶成長 / 点欠陥 / 化合物太陽電池 / 希薄窒化物結晶 / GaN基板 / 転位 / 非極性面 / ハイドライド気相成長 / ハフニウム … もっと見る / 希薄窒化物半導体 / ウエハ接合 / ヘテロ成長 / 分子線エピタキシー / GaAsPN / 太陽電池 / 結晶欠陥抑制 / 反り / 結晶欠陥 / ＧａＮ基板 / 窒化ガリウム(GaN) / 半極性面 / 窒化物半導体基板 / 窒化ガリウム基板 … もっと見る研究代表者以外 Nonlinear Material / Group-IV Nitride / Reactive Sputtering / Nonlinear Optics / Silicon Photonics / Nitride materials / 研磨 / GaN基板 / 積層欠陥 / サファイア基板 / 転位 / HVPE / MOVPE / 半極性面 / GaN 隠す

ワンチップ型赤外線分析システムに向けたIII-IV-V族系発光素子材料の開拓研究代表者
- 研究代表者
  
  山根啓輔
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
半導体への放射線照射により発現する超特異現象の解明と宇宙用デバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  山根啓輔
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
Novel group-IV nitride films by reactive sputtering as potential nonlinear optical materials in Si photonics
- 研究代表者
  
  PiedraLorenzana JoseAlberto
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
高効率フレキシブル太陽電池に向けたGaAsPN混晶の結晶成長研究代表者
- 研究代表者
  
  山根啓輔
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
高原料利用効率ハイドライド気相成長法による高品質大面積非極性面GaN基板の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山根啓輔
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  豊橋技術科学大学
サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性｛２０－２－１｝面ＧａＮ基板の作製
- 研究代表者
  
  只友一行
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  山口大学
ハイドライド気相成長法による低転位非極性面GaN基板の作製技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  山根啓輔
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  山口大学

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Enhancement in photoluminescence from GaPAsN/GaP alloys by 6-MeV electrons irradiation and rapid thermal annealing2024
- 著者名/発表者名
  Pavelescu E.-M., Ticos D., Ligor O., Romanitan C., Matei A., Comanescu F., Tucureanu V., Spanulescu S.I., Ticos C., Ohshima T., Nakamura T., Imaizumi M., Goldman R.S., Wakahara A., Yamane K.
- 雑誌名
  
  Optical Materials
  
  巻: 149 ページ: 115075-115075
- DOI
  10.1016/j.optmat.2024.115075
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17746
[雑誌論文] Improved crystallinity of GaP-based dilute nitride alloys by proton/electron irradiation and rapid thermal annealing2022
- 著者名/発表者名
  Yamane Keisuke、Futamura Ryo、Genjo Shigeto、Hamamoto Daiki、Maki Yuito、Pavelescu Emil Mihai、Ohshima Takeshi、Sumita Taishi、Imaizumi Mitsuru、Wakahara Akihiro
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 2 ページ: 020907-020907
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac4a06
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[雑誌論文] Growth of phosphide-based type-II stacked quantum dots for III-V/Si photovoltaic applications2021
- 著者名/発表者名
  Jose Alberto Piedra Lorenzana, Kesuke Yamane, Akihito Hori and Akihiro Wakahara
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[雑誌論文] Alternately double-sided growth of low-curvature GaN templates on sapphire substrates using hydride vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  N. Okada, H. Ihara, K. Yamane, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: 253 号: 5 ページ: 819-813
- DOI
  10.1002/pssb.201552783
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[雑誌論文] Growth of Semipolar {20-21} GaN and {20-2-1} GaN for GaN substrate2016
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, and K. Tadatomo,
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: 253 号: 1 ページ: 36-45
- DOI
  10.1002/pssb.201552271
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Growth of Semipolar {20-21} GaN and {20-2-1} GaN for GaN substrate2016
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, K. Yamane, N.Okada, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: 253 ページ: 36-44
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[雑誌論文] Positional dependence of defect distribution in semipolar (20-21) hydride vapor phase epitaxy-GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates2016
- 著者名/発表者名
  T. Uchiyama, S. Takeuchi, S. Kamada, T. Arauchi, Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadatomo, and A. Sakai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FA07-05FA07
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fa07
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Origin of lattice bowing of freestanding GaN substrates grown by HVPE2016
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, T. Matsubara, T. Yamamoto, N. Okada, A. Wakahara, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 119 ページ: 045707-045711
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[雑誌論文] Positional dependence of defect distribution in semipolar (20-21) HVPE-GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates2016
- 著者名/発表者名
  T. Uchiyama, S. Takeuchi, S. Kamada, T. Arauchi, Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadatomo, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Phyisics
  
  巻: 55
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[雑誌論文] Alternately-double-sided growth of low curvature GaN templates on sapphire substrate using hydride vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  N.Okada, T. Yamamoto, H. Ihara, K. Yamane, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 未定
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[雑誌論文] Thickness and Growth Condition Dependence of Crystallinity in Semipolar (20-21) GaN Films Grown on (22-43) Patterned Sapphire Substrate2015
- 著者名/発表者名
  S. Takeuchi, T. Uchiyama, T. Arauchi, Y. Nakamura, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: 未定号: 5 ページ: 1142-1148
- DOI
  10.1002/pssb.201451562
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044, KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction2015
- 著者名/発表者名
  T. Arauchi, S. Takeuchi, Y. Nakamura, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadatomo, A. Sakai
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b)
  
  巻: 未定号: 5 ページ: 1149-1154
- DOI
  10.1002/pssb.201451564
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044, KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Fabrication of free standing {20-21} GaN substrates by HVPE using SiO2 masked GaN templates2014
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, H. Furuya, T. Inagaki, N. Okada, and K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 11 号: 3-4 ページ: 401-404
- DOI
  10.1002/pssc.201300484
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Characterization of Structural Defects in Semipolar {20-21} GaN Layers Grown on {22-43} Patterned Sapphire Substrates2014
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, H. Furuya, T. Inagaki, N. Okada, and K. Tadatomo,
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 3 ページ: 035502-035502
- DOI
  10.7567/jjap.53.035502
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Evaluation of Heteroepitaxially Grown Semipolar {20-21} GaN on Patterned Sapphire Substrate2014
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, M. Koyama, T. Inagaki, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Lecture Notes in Electrical Engineering
  
  巻: 306 ページ: 23-30
- DOI
  10.1007/978-3-319-05711-8_3
- ISBN
  9783319057101, 9783319057118
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Characterization of Structural Defects in Semipolar {20-21} GaN Layers Grown on {22-43} Patterned Sapphire Substrates2014
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, H. Furuya, T. Inagaki, N. Okada, and K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[雑誌論文] Semipolar GaN growth on patterned sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamane
- 雑誌名
  
  Proc. of SPIE
  
  巻: 8625 ページ: 8625031-7
- DOI
  10.1117/12.2007376
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033, KAKENHI-PROJECT-24760012
[雑誌論文] Semipolar GaN growth on patterned sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, N. Okada, H. Furuya, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Proc. SPIE 8625 (2013)
  
  巻: 862503-1 ページ: 7-7
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[雑誌論文] Reduction in Dislocation Density of Semipolar GaN Layers on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  K. Yamane
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 9 ページ: 95503-95505
- DOI
  10.1143/apex.5.095503
- NAID
  40019425389
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[雑誌論文] Successful natural stress-induced separation of hydride vapor phase epitaxy-grown GaN layers on sapphire substrates2012
- 著者名/発表者名
  K. Yamane
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 358 ページ: 1-4
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.07.038
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[雑誌論文] Reduction in Dislocation Density of Semipolar GaN Layers on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, M. Ueno, K. Uchida, H. Furuya, N. Okada, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 5
  
  巻: 095503. ページ: 3-3
- NAID
  40019425389
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[雑誌論文] Successful natural stress-induced separation of hydride vapor phase epitaxy-grown GaN layers on sapphire substrates2012
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, M. Ueno, H. Furuya, N. Okada, K. Tadatomo
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 358
  
  巻: 1 ページ: 4-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[産業財産権] 縦型構造半導体の製造方法2023
- 発明者名
  山根啓輔, 若原昭浩, 餅田湖, 平井健登, 今泉充, 中村徹哉
- 権利者名
  山根啓輔, 若原昭浩, 餅田湖, 平井健登, 今泉充, 中村徹哉
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2023-188035
- 出願年月日
  2023
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17746
[産業財産権] 窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法2014
- 発明者名
  橋本健宏, 古家大士, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
- 権利者名
  国立大学法人山口大学, 株式会社トクヤマ
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-033208
- 出願年月日
  2014-02-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[産業財産権] 半導体装置の製造方法及びIII-IV族半導体の結晶成長方法2013
- 発明者名
  山根啓輔, 只友一行, 岡田成仁
- 権利者名
  山口大学
- 産業財産権番号
  2013-047175
- 出願年月日
  2013-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[産業財産権] 半導体装置の製造方法及びIII―V族半導体の結晶成長方法2013
- 発明者名
  山根啓輔, 只友一行, 岡田成仁
- 権利者名
  山口大学
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-047175
- 出願年月日
  2013-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[産業財産権] 自立基板の製造方法2013
- 発明者名
  古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔.
- 権利者名
  山口大学
- 出願年月日
  2013-02-26
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[産業財産権] 窒化ガリウム結晶自立基板およびその製造方法2013
- 発明者名
  古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
- 権利者名
  山口大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-03-13
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[産業財産権] 自立基板の製造方法2013
- 発明者名
  古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
- 権利者名
  山口大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-02-26
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[産業財産権] 窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法2013
- 発明者名
  橋本健宏, 古家大士, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
- 権利者名
  山口大学、株式会社トクヤマ
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-046913
- 出願年月日
  2013-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[産業財産権] 半導体装置の製造方法2013
- 発明者名
  古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
- 権利者名
  山口大学
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2013-02-26
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[産業財産権] 半導体装置の製造方法2012
- 発明者名
  只友一行、岡田成仁、山根啓輔、古家大士、東正信
- 権利者名
  株式会社トクヤマ,国立大学法人山口大学
- 出願年月日
  2012-02-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[産業財産権] 自立基板の製造方法2012
- 発明者名
  古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
- 権利者名
  山口大学・株式会社トクヤマ
- 産業財産権番号
  2012-039485
- 出願年月日
  2012-02-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[産業財産権] 自立基板の製造方法2012
- 発明者名
  只友一行、岡田成仁、山根啓輔、古家大士、東正信
- 権利者名
  株式会社トクヤマ,国立大学法人山口大学
- 出願年月日
  2012-02-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[学会発表] III-V希薄窒化物混晶の成長過程におけるアンチモンサーファクタント効果2024
- 著者名/発表者名
  山根啓輔, 彦坂昌志, 若原昭浩
- 学会等名
  第71 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17746
[学会発表] GaAsPN太陽電池材料中における窒素起因点欠陥の形成に関する第一原理計算2022
- 著者名/発表者名
  中川竜希, 山根啓輔, 大根駿, 若原昭浩
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[学会発表] 陽子線および電子線照射がリン系希薄窒化物太陽電池の光起電力特性に与える効果2022
- 著者名/発表者名
  山根啓輔, 大島武, 中村徹哉, 今泉充, 若原昭浩
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[学会発表] 陽子線・電子線照射されたGaAsPN太陽電池の光起電力特性の解析2022
- 著者名/発表者名
  平井健登, 山根啓輔, 今泉充, 大島武, 若原昭浩
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[学会発表] GaPN混晶中の空孔型欠陥と窒素起因点欠陥の反応・消滅メカニズムの理論的解析2022
- 著者名/発表者名
  大根駿, 山根啓輔, 牧唯人, 若原昭浩
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[学会発表] GaPN混晶でのリン空孔を介した窒素起因点欠陥の消滅に関する理論的解析(2)2021
- 著者名/発表者名
  大根駿、山根啓輔、若原昭浩
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[学会発表] Si基板上格子整合系GaAsPN太陽電池の作製(2)2021
- 著者名/発表者名
  新井智也、山根啓輔、江湖俊仁、濱本大輝、若原昭浩
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[学会発表] 高効率III-V/Si多接合太陽電池実現に向けたType II InP/GaAsPN量子ドットの設計2020
- 著者名/発表者名
  堀礼人, 山根啓輔, Jose A.Piedra-Lorenzana, 若原昭浩
- 学会等名
  第3回結晶工学xISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[学会発表] III-V/Siタンデム型太陽電池の実現に向けたGaAsPNサブセルの設計2020
- 著者名/発表者名
  江湖俊仁, 山根啓輔, 新井智也, 濱本大輝, 若原昭浩
- 学会等名
  第30回日本MRS年次大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[学会発表] 希薄窒化物混晶の新規n型ドーパント開拓に向けた窒素－IV族ドーパント結合に関する理論的検討2019
- 著者名/発表者名
  牧唯人, 山根啓輔, 若原昭浩
- 学会等名
  第2回結晶工学xISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[学会発表] Si基板上格子整合系GaAsPN太陽電池の作製2019
- 著者名/発表者名
  高地俊貴, 山根啓輔, 彦坂宗, 若原昭浩
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04488
[学会発表] HVPE-grown GaN substrate with overall low dislocation density and relation between lattice bowing and defects2017
- 著者名/発表者名
  N. Okada, K. Yamane, T. Matsubara, S. Goubara, H. Ihara, K. Yukizane, T. Ezaki, S. Fujimoto, R. Inomoto, K. Tadatomo
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductores
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2017-07-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] Structural origin of lattice bowing of freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, T. Matsubara, N. Okada, A. Wakahara, K. Tadatomo
- 学会等名
  European Materials Research Society 2016 Fall Meeting
- 発表場所
  Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland
- 年月日
  2016-09-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] Bulk GaN substrate with overall dislocation density in the order of 104-105/cm2 by Hydride Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  S. Goubara, K. Yukizane, N. Arita, T. Matsubara, K. Yamane, R. Inomoto, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Orlando Florida USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] PECVD法により成膜したSiO2マスクの品質がHVPE成長におけるGaNの選択成長に与える影響2015
- 著者名/発表者名
  板垣憲広, 河原慎, 山根啓輔, 岡田成仁, 井本良, 本山慎一, 小林貴之, 只友一行
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] X線マイクロ回折法による半極性面(20-21)GaN厚膜の欠陥分布評価2015
- 著者名/発表者名
  内山星郎，竹内正太郎，荒内琢士，橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，今井康彦，木村滋，只友一行，酒井朗
- 学会等名
  2015年秋季第76回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Growth of Semipolar GaN substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, T. Inagaki, N. Okada, K. Yamane, Y. Hashimoto, H. Furuya
- 学会等名
  The Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim 2015 (CLEO-PR2015)
- 発表場所
  韓国釜山
- 年月日
  2015-08-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] ハイドライド気相成長法におけるGaNファセット制御2015
- 著者名/発表者名
  河原慎, 井原洋, 傳寶裕晶, 岡田成仁, 山根啓輔, 只友一行
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] 半極性自立GaN基板の作製2015
- 著者名/発表者名
  只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔, 古家大士, 橋本健宏
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第７回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学（宮城県仙台市）
- 年月日
  2015-05-07
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Alternately-double-sided growth of low-curvature GaN template on sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  N.Okada, T. Yamamoto, H. Ihara, K. Yamane, K. Tadatomo
- 学会等名
  11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
- 発表場所
  中国北京
- 年月日
  2015-08-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] HVPEによるGaN非極性基板作製2015
- 著者名/発表者名
  只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
- 学会等名
  日本学術振興会第162委員会第94回研究会
- 発表場所
  主婦会館（東京都千代田区）
- 年月日
  2015-07-24
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Fabrication of semipolar free standing GaN substrate2015
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane
- 学会等名
  German-Japanese-Spanish Joint Workshop
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2015-07-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] Positional dependence of defect distribution in semipolar (20-21) HVPE-GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates2015
- 著者名/発表者名
  T. Uchiyama, S. Takeuchi, S. Kamada, T. Arauchi, Y. Hashimoto, K. Yamane, N. Okada, Y. Imai, S. Kimura, K. Tadatomo, A. Sakai
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  アクトシティ浜松、　静岡県浜松市
- 年月日
  2015-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] Fabrication of semipolar free standing GaN Substrate2015
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, and K. Yamane
- 学会等名
  German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices 2015
- 発表場所
  京都大学芝蘭会館（京都府京都市）
- 年月日
  2015-07-12
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] X線マイクロ回折法による半極性面(20-21)GaN厚膜の欠陥分布評価2015
- 著者名/発表者名
  内山星郎, 竹内正太郎, 荒内琢士, 橋本健宏, 山根啓輔, 岡田成仁, 今井康彦, 木村滋, 只友一行, 酒井朗
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] Growth of Semipolar GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy on Patterned Sapphire Substrate2015
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, and K. Yamane
- 学会等名
  CLEO-PR 2015
- 発表場所
  Busan, Korea
- 年月日
  2015-08-24
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] HVPEの成長条件が厚膜{20-21}GaNの結晶性に与える影響2014
- 著者名/発表者名
  橋本健宏, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス（相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Fabrication of semipolar freestanding GaN substrates2014
- 著者名/発表者名
  K.Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya, Y. hashimoto
- 学会等名
  Summer School of PolarCoN
- 発表場所
  Bensheim Germany
- 年月日
  2014-09-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] 流量変調法を用いたハイドライド気相成長によるGaNの平坦性の改善2013
- 著者名/発表者名
  山根啓輔
- 学会等名
  平成25年春季第60回応用物理学会関係連合学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学，神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[学会発表] Evaluation of Heteroepitaxially Grown Semipolar {20-21} GaN on Patterned Sapphire Substrate2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, M. Koyama, T. Inagaki, K. Yamane, N. Okada, and K. Tadatomo
- 学会等名
  International Symposium on Optomechatronic Technologies 2013 (ISOT2013)
- 発表場所
  Jeju Island, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Fabrication of freestanding {20-21} GaN substrates by HVPE and LED application2013
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, Y. Hashimoto, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Advancement in future applications with III-Nitrides by fusion technology between epitaxy and prosessing2013
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya, Y. Hashimoto
- 学会等名
  Workshop on Ultra-Precision Processing for III-Nitride (WUPP for III-Nitride)
- 発表場所
  Santa Barbara, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Improvement in semipolar {11-22} GaN grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hashimoto, H. Furuya, M. Ueno, K. Yamane, N. Okada, ａｎｄ K. Tadatomo
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington DC, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] サファイア加工基板上非極性面GaN厚膜のハイドライド気相成長2012
- 著者名/発表者名
  山根啓輔
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学，東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy growth of Semipolar GaN on Patterned Sapphire Substrates2012
- 著者名/発表者名
  K. Yamane
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[学会発表] Behavior of Hydride Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN Layers on Sapphire Substrates in Successful Natural Stress-Induced Separation2012
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, M. Ueno, H. Furuya, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  39th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  University of California, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[学会発表] Fabrication of large freestanding semipolar {11-22} GaN lms using r-plane patterned sapphire substrates2012
- 著者名/発表者名
  H. Furuya, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[学会発表] ハイドライド気相成長したGaNの熱応力を利用した自発分離2012
- 著者名/発表者名
  山根啓輔
- 学会等名
  第59回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  早稲田大学早稲田キャンパス(東京都)
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy growth of Semipolar GaN on Patterned Sapphire Substrates2012
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, M. Ueno, K. Uchida, H. Furuya, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[学会発表] n面サファイア加工基板上{10-11}GaNのハイドライド気相成長2011
- 著者名/発表者名
  山根啓輔
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス(山形市)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[学会発表] ハイドライド気相成長したサファイア加工基板上{10-11}GaNの結晶性評価2011
- 著者名/発表者名
  山根啓輔
- 学会等名
  結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23860033
[学会発表] Thickness and Growth Condition Dependence of Crystallinity in Semipolar (20-21) GaN Films Grown on (22-43) Patterned Sapphire Substrate
- 著者名/発表者名
  T. Uchiyama, S. Takeuchi, T Arauchi, Y. Nakamura, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo, A. Sakai
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)
- 発表場所
  WROCŁAW, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] 半極性面GaN基板のHVPE成長とLED応用
- 著者名/発表者名
  只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
- 学会等名
  第55回真空に関する連合講演会
- 発表場所
  大阪府立大学, 大阪
- 年月日
  2014-11-18 – 2014-11-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] Crystalline Property Analysis of Semipolar (20-21) GaN on (22-43) Patterned Sapphire Substrate by X-ray Microdiffraction
- 著者名/発表者名
  T. Arauchi, S. Takeuchi, Y. Nakamura, Y. Imai, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo, A. Sakai
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)
- 発表場所
  WROCŁAW, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] 周期溝加工(22-43)サファイア基板上半極性面(20-21)GaNの微視的結晶構造解析
- 著者名/発表者名
  [63]荒内琢士, 竹内正太郎, 橋本健宏, 中村芳明, 今井康彦, 山根啓輔, 岡田成仁, 木村滋, 只友一行, 酒井朗
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学, 北海道
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] Free standing GaN substrate grown on patterned sapphire substrate
- 著者名/発表者名
  K. Tadatomo K. Yamane, N. Okada
- 学会等名
  PolarCoN Summer Seminar 2014
- 発表場所
  Bensheim, Germany
- 年月日
  2014-09-24 – 2014-09-26
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] Origin of Lattice Bowing of Freestanding GaN Substrates
- 著者名/発表者名
  K. Yamane, T. Yamamoto, T. Inagaki, N. Okada, K. Tadatomo
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)
- 発表場所
  WROCŁAW, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] HVPE成長した半極性{20-21}面と{20-2-1}面GaNの結晶性比較
- 著者名/発表者名
  [62]橋本健宏，稲垣卓志, 中尾洸太, 山根啓輔，岡田成仁，只友一行
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学, 北海道
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] ハイドライド気相成長法を用いた両面成長によるGaNテンプレートの反り低減
- 著者名/発表者名
  山本健志, 井原洋, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学, 神奈川
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044
[学会発表] HVPE成長した半極性｛20-21｝面GaNと｛20-2-1｝面GaNの結晶性比較
- 著者名/発表者名
  橋本健宏，稲垣卓志，中尾洸太，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学, 札幌市, 北海道
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289088
[学会発表] X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価
- 著者名/発表者名
  内山星郎, 竹内正太郎, 荒内琢士, 橋本健宏, 中村芳明, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行, 酒井朗
- 学会等名
  2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学, 北海道
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790044

1. 石川靖彦 (60303541)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 只友一行 (10379927)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 18件
3. 山田陽一 (00251033)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 酒井朗 (20314031)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
5. 岡田成仁 (70510684)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 18件
6. PiedraLorenzana JoseAlberto (80909747)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

山根 啓輔 Yamane Keisuke

研究課題

研究成果

共同研究者

ワンチップ型赤外線分析システムに向けたIII-IV-V族系発光素子材料の開拓研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

半導体への放射線照射により発現する超特異現象の解明と宇宙用デバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

Novel group-IV nitride films by reactive sputtering as potential nonlinear optical materials in Si photonics

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高効率フレキシブル太陽電池に向けたGaAsPN混晶の結晶成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高原料利用効率ハイドライド気相成長法による高品質大面積非極性面GaN基板の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性｛２０－２－１｝面ＧａＮ基板の作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ハイドライド気相成長法による低転位非極性面GaN基板の作製技術 の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Enhancement in photoluminescence from GaPAsN/GaP alloys by 6-MeV electrons irradiation and rapid thermal annealing2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Improved crystallinity of GaP-based dilute nitride alloys by proton/electron irradiation and rapid thermal annealing2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Growth of phosphide-based type-II stacked quantum dots for III-V/Si photovoltaic applications2021

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Alternately double-sided growth of low-curvature GaN templates on sapphire substrates using hydride vapor phase epitaxy2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Growth of Semipolar {20-21} GaN and {20-2-1} GaN for GaN substrate2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Growth of Semipolar {20-21} GaN and {20-2-1} GaN for GaN substrate2016

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Positional dependence of defect distribution in semipolar (20-21) hydride vapor phase epitaxy-GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Origin of lattice bowing of freestanding GaN substrates grown by HVPE2016

山根啓輔 Yamane Keisuke

ハイドライド気相成長法による低転位非極性面GaN基板の作製技術の開発研究代表者