若林整 Wakabayashi Hitoshi

研究者番号	80700153
その他のID	https://orcid.org/0000-0001-5509-521X
所属 (現在)	2025年度: 東京科学大学, 総合研究院, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 2016年度 – 2023年度: 東京工業大学, 工学院, 教授 2013年度 – 2015年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 学術変革領域研究区分(Ⅱ) / 理工系
キーワード	研究代表者 MISFET / 二硫化モリブデン / 遷移金属ダイカルコゲナイド / ナノワイヤ / 半導体 / P/n vertical integration / Multi-input NOR / Self-heating effect / p/n vertical integration / Nanowire … もっと見る / 自己発熱効果 / FinFET / Nano-wire / MoS2 / 3D構造 / 2D FET / スパッタ法 / 核形成 / 2次元成長 / 3次元成長 / 2次元層状半導体膜 / ドーピング / 2次元層状半導体 / 第一原理計算 / スパッタ / 電子デバイス・集積回路 … もっと見る研究代表者以外半導体 / ファンデルワールス層状材料 / コンタクト / プラズマドーピング / ラマン分光 / 透過電子顕微鏡 / 熱電変換 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 半導体材料 / 蓄電池材料 / 蓄電材料 / 超秩序構造 / 電池 / ゼオライト / ガラス / ボロン / 半導体デバイス / 活性サイト / 半導体の不純物 / 硫化モリブデン / 二硫化モリブデン / 砒素 / シリコン / 半導体物性 / 電気・電子材料 / 二硫化モリブデン（MoS2） / ヒ素（As） / シリコン（Si） / 光電子回折 / 層状物質 / 電子状態 / 原子ホログラフィー / 電気的活性化 / 原子配列構造 / 二硫化モリブデン(MoS2) / ヒ素(As) / シリコン(Si) / 不純物 / 光電子ホログラフィー / 界面制御 / 不純物ドーピング隠す

遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の成膜機構と熱電変換特性因子の解明
- 研究代表者
  
  冨谷茂隆
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  奈良先端科学技術大学院大学
   東京工業大学
社会実装に向けた超秩序構造物質ライブラリーに基づく合成プロセス開発
- 研究代表者
  
  脇原徹
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2024
- 研究種目
  
  学術変革領域研究(A)
- 審査区分
  
  学術変革領域研究区分(Ⅱ)
- 研究機関
  東京大学
自己発熱効果フリー超高集積p/n積層NW/FinFETと6T-SRAM研究代表者
- 研究代表者
  
  若林整
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京工業大学
原子層状TMDCチャネル2D-MISFETの3D構造化への挑戦研究代表者
- 研究代表者
  
  若林整
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
半導体中不純物の3D構造制御と低損失・高効率デバイスの開発
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2018
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
高移動度・層状MoS2チャネルトランジスタの基礎的研究研究代表者
- 研究代表者
  
  若林整
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  研究活動スタート支援
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Conductivity Enhancement of PVD-WS2 Films Using Cl2-Plasma Treatment Followed by Sulfur-Vapor Annealing2024
- 著者名/発表者名
  Kurohara Keita、Imai Shinya、Hamada Takuya、Tatsumi Tetsuya、Tomiya Shigetaka、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Wakabayashi Hitoshi
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: Early Access ページ: 1-1
- DOI
  10.1109/jeds.2024.3378745
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04181
[雑誌論文] Positive Seebeck coefficient of niobium-doped MoS2 film deposited by sputtering and activated by sulfur vapor annealing2022
- 著者名/発表者名
  Horiguchi Taiga、Hamada Takuya、Hamada Masaya、Muneta Iriya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Tatsumi Tetsuya、Tomiya Shigetaka、Wakabayashi Hitoshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 7 ページ: 075506-075506
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac7621
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04181
[雑誌論文] 東京工業大学　工学院　電気電子系　若林整（ひとし）研究室2021
- 著者名/発表者名
  若林整
- 雑誌名
  
  エレクトロニクス実装学会誌
  
  巻: 24 号: 1 ページ: 162-162
- DOI
  10.5104/jiep.24.162
- NAID
  130007965242
- ISSN
  1343-9677, 1884-121X
- 年月日
  2021-01-01
- 言語
  日本語
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[雑誌論文] Self-heating-aware cell design for p/n-vertically-integrated nanowire on FinFET beyond 3 nm technology node2020
- 著者名/発表者名
  Tomohiko Yamagishi, Atsushi Hori, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SG ページ: SGGA09-SGGA09
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab6d83
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[雑誌論文] Relaxation of Self-Heating-Effect for Stacked-Nanowire FET and p/n-Stacked 6T-SRAM Layout2019
- 著者名/発表者名
  Eisuke Anju, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  IEEE, Journal of Electron Device Society
  
  巻: 6 ページ: 1239-1245
- DOI
  10.1109/jeds.2018.2882406
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[雑誌論文] Low-Temperature MoS2 Film Formation Using Sputtering and H2S Annealing2019
- 著者名/発表者名
  Shimizu Jun'ichi、Ohashi Takumi、Matsuura Kentaro、Muneta Iriya、Kuniyuki Kakushima、Tsutsui Kazuo、Ikarashi Nobuyuki、Wakabayashi Hitoshi
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 7 ページ: 2-6
- DOI
  10.1109/jeds.2018.2854633
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Sputter-Deposited-MoS2 nMISFETs With Top-Gate and Al2O3 Passivation Under Low Thermal Budget for Large Area Integration2018
- 著者名/発表者名
  Matsuura Kentaro、Shimizu Jun'Ichi、Toyama Mayato、Ohashi Takumi、Muneta Iriya、Ishihara Seiya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Ogura Atsushi、Wakabayashi Hitoshi
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 6 ページ: 1246-1252
- DOI
  10.1109/jeds.2018.2883133
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
[雑誌論文] Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization2018
- 著者名/発表者名
  K. Matsuura, J. Shimizu, M. Toyama, T. Ohashi, I. Muneta, S. Ishihara, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, and H. Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: －号: 7 ページ: 1-5
- DOI
  10.1007/s11664-018-6191-z
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16J11377, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Ohmic contact between titanium and sputtered MoS2 films achieved by forming-gas annealing2018
- 著者名/発表者名
  Toyama Mayato、Ohashi Takumi、Matsuura Kentaro、Shimizu Jun’ichi、Muneta Iriya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Wakabayashi Hitoshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 7S2 ページ: 07MA04-07MA04
- DOI
  10.7567/jjap.57.07ma04
- NAID
  210000149377
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
[雑誌論文] Individual Atomic Imaging of Multiple Dopant Sites in As-Doped Si Using Spectro-Photoelectron Holography2017
- 著者名/発表者名
  Tsutsui Kazuo、Matsushita Tomohiro、Natori Kotaro、Muro Takayuki、Morikawa Yoshitada、Hoshii Takuya、Kakushima Kuniyuki、Wakabayashi Hitoshi、Hayashi Kouichi、Matsui Fumihiko、Kinoshita Toyohiko
- 雑誌名
  
  Nano Letters
  
  巻: 17 号: 12 ページ: 7533-7538
- DOI
  10.1021/acs.nanolett.7b03467
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105007, KAKENHI-PLANNED-26105013, KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-PROJECT-15KK0167, KAKENHI-PLANNED-26105010, KAKENHI-PROJECT-17H02911
[雑誌論文] Quantitative analysis of sputter-deposited MoS2 properties on SiO2 substrate roughness2017
- 著者名/発表者名
  Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express (APEX)
  
  巻: 10
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Introducing Residual Sulfur during Low-Temperature in 3%-H2 Annealing for 3D-ICs2017
- 著者名/発表者名
  Jun’ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness2017
- 著者名/発表者名
  Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 4 ページ: 0412021-0412024
- DOI
  10.7567/apex.10.041202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16J11377, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT2016
- 著者名/発表者名
  J. Chen, T. Kawanago, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, D. Nohata, H. Nohira, K. Kakushima
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability
  
  巻: 60 ページ: 16-19
- DOI
  10.1016/j.microrel.2016.02.004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Dependence of ohmic contact properties on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN high electron mobility transistors2016
- 著者名/発表者名
  Y. Takei, K. Tsutsui, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55-4 号: 4 ページ: 040306-040306
- DOI
  10.7567/jjap.55.040306
- NAID
  210000146222
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Multi-layered MoS2 film formed by high-temperature sputtering for enhancement-mode nMOSFETs2015
- 著者名/発表者名
  Takumi Ohashi, Kohei Suda, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Shimpei Yamaguchi, Kentaro Matsuura, Kuniyuki Kakushima, Nobuyuki Sugii, Akira Nishiyama, Yoshinori Kataoka, Kenji Natori, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 4S ページ: 04DN08-04DN08
- DOI
  10.7567/jjap.54.04dn08
- NAID
  210000145087
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25889022, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Reduction of Contact Resistance on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers2014
- 著者名/発表者名
  Y. Takei, M. Kamiya, K. Tsutsui, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: - 号: 5 ページ: 1104-1109
- DOI
  10.1002/pssa.201431645
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures2014
- 著者名/発表者名
  Y. Takei, M. Okamoto, W. Saito, K. Tsutsui, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 61 ページ: 265-270
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] アモルファスSiO2 上のスパッタMoS2 膜に対する平面電子顕微鏡解析2024
- 著者名/発表者名
  今井慎也，川那子高暢，宗田伊理也，角嶋邦之，辰巳哲也，冨谷茂隆，若林整
- 学会等名
  第71回　応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04181
[学会発表] Sheet Resistance Reduction of Sputtered WS2Film by Cl2Plasma Treatment for Thermoelectric Devices2023
- 著者名/発表者名
  Kurohara Keita、Imai Shinya、Hamada Takuya、Tatumi Tetsuya、Tomiya Shigetaka、Wakabayashi Hitoshi
- 学会等名
  2023 21st International Workshop on Junction Technology (IWJT 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04181
[学会発表] スパッタWS2膜へのCl2プラズマ処理によるドーピングとエッチングの効果2023
- 著者名/発表者名
  黒原啓太、今井慎也、冨谷茂隆、辰巳哲也、若林整
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04181
[学会発表] Improvement of MoS2 film quality by solid-phase crystallization from PVD amorphous MoSx film2023
- 著者名/発表者名
  Ryo Ono, Shinya Imai, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  The 7th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (IEEE EDTM 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04181
[学会発表] スパッタMoS2膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性2023
- 著者名/発表者名
  今井慎也, 梶川亮介, 川那子高暢, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 筒井一生, 若林整
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04181
[学会発表] Grain-size enlargement of MoS2 film by low-rate sputtering with molybdenum grid2023
- 著者名/発表者名
  Shinya Imai, Ryo Ono, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui,　Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  The 7th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (IEEE EDTM 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04181
[学会発表] 将来の Natural Human I/F デバイスの実現に向けた実装技術2021
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  実装フェスタ関西 2020
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] Self-Heating-Aware Cell Design for Multi-Stacked Circuits with p/n-Vertically-Integrated Nanowires on FinFET2019
- 著者名/発表者名
  T. Yamagishi, A. Hori, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, and H. Wakabayashi
- 学会等名
  N-1-02, pp. 557-558, Solid State Devices and Materials, Japan Society of Applied Physics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] 光電子ホログラフィーによる半導体中の不純物の3Ｄ原子イメージング2019
- 著者名/発表者名
  筒井一生、松下智裕、名取鼓太朗、小川達博、室隆桂之、森川良忠、星井拓也、角嶋邦之、若林整、林好一、松井文彦、木下豊彦
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] High Hall-Effect Mobility of Atomic-Layered Polycrystalline-ZrS2 Film using Sputtering and Sulfur Annealing2019
- 著者名/発表者名
  Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  3rd Electron Devices Technology and Manufactureing Conference (EDTM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Current Progress on 2D Materials and their FETs for Future LSIs2019
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  SEMI China, IEEE, CSTIC 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] 光電子ホログラフィー法によるシリコン中にドープされた不純物の三次元原子配列構造の解析2019
- 著者名/発表者名
  筒井一生, 松下智裕, 室隆桂之, 森川良忠, 名取鼓太郎, 小川達博, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦, 木下豊彦
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 大面積集積化に向けたスパッタMoS2薄膜を用いたTop-Gate nMISFETs2019
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、大橋匠、宗田伊理也、石原聖也、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] F.G.アニールによるMoSi2/スパッタMoS2界面コンタクト抵抗低減2019
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗、濱田昌也、坂本拓朗、谷川晴紀、宗田伊理也、石原聖也、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第66回応用物理学会春期学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 横型p/n積層ナノワイヤによるNORとNANDセルの省面積設計2019
- 著者名/発表者名
  山岸朋彦、堀敦、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会、18a-B11-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] Current Progress on 2D Materials and their FETs for Future LSIs2019
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  IEEE, CSTIC 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 光電子分光ホログラフィーによるAsドープSi中のドーパント複数サイトの原子配列イメージング2019
- 著者名/発表者名
  筒井一生、松下智裕、名取鼓太朗、室隆桂之、森川良忠、星井拓也、角嶋邦之、若林整、林好一、松井文彦、木下豊彦
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] IoT社会を拓く集積回路向けデバイス技術2018
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  芝浦工業大学第5回グリーンイノベーションシンポジウム日の丸半導体ルネサンス ― IoT・パワエレが切り拓く新時代―
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] スパッタの低パワー化によるMoS2薄膜のキャリヤ濃度低減2018
- 著者名/発表者名
  坂本拓朗、大橋匠、松浦賢太朗、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] 絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによるスパッタMoS2膜の結晶性改善2018
- 著者名/発表者名
  濱田昌也、松浦賢太郎、谷川晴紀、大橋匠、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Advanced Device Technologies beyond FinFET era for Logic Chip2018
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  SEMI STS
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 総論：Si ULSIの現状と今後の動向2018
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  JSPS, 145委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタ成膜MoS2の酸化により形成される酸化Moの評価2018
- 著者名/発表者名
  小林進大、武田さくら、米田允俊、大門寛、若林整
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS2成膜2018
- 著者名/発表者名
  大橋匠、坂本拓朗、松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、石原聖也、日比野祐介、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] Benchmark on Advanced Logic Devices and Predictive Discussion on Future LSIs2018
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  the 40th anniversary of DPS 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS2 膜の結晶性改善2018
- 著者名/発表者名
  五十嵐智、松浦賢太朗、濱田昌也、谷川晴紀、坂本拓朗、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] ウィグナー変換による光電子分光スペクトル中の電子格子相互作用情報の抽出2018
- 著者名/発表者名
  武田さくら, 米田允俊, 小林進大, 大門寛, 南谷英美, 若林整
- 学会等名
  第12回物性科学領域横断研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS2 Thin Channel Passivated by Al2O3 Film and TiN Top Gate2018
- 著者名/発表者名
  Kentaro Matsuura, Jun’ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Advanced 3D-CMOS-Device Benchmark and Sputtered-MoS2 2D-FET Operation2018
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  22nd International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] スパッタMoS2膜の HfO2膜越し硫化における表面残留硫黄除去2018
- 著者名/発表者名
  谷川晴紀、松浦賢太朗、濱田昌也、坂本拓朗、宗田伊理也、星井拓也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] MoS2 膜のスパッタ合成とトランジスタ応用2018
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] Advanced 3D-CMOS-Device Benchmark and Sputtered-MoS2 2D-FET Operation2018
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  22nd International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Discussion on LSI Configurations and Performances from Process to Upper Levels2018
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  IEEE ISSM 2019, Tutorial
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] Atomic Sites of Dopants in Si Visualized by Spectro-Photoelectron Holography2018
- 著者名/発表者名
  Kazuo Tsutsui, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Yoshitada Morikawa, Kotaro Natori, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, Toyohiko Kinoshita
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタ成膜MoS2の酸化により形成される酸化Moの評価2018
- 著者名/発表者名
  小林進大、武田さくら、米田允、大門寛、若林整
- 学会等名
  第２回フォノンエンジニアリング研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] MoS2膜のスパッタ合成とトランジスタ応用2018
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS2成膜2018
- 著者名/発表者名
  大橋匠、坂本拓朗、松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、石原聖也、日比野祐介、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] フラッシュランプアニールおよびポストアニールで活性/不活性化したSi中Asの軟X線光電子分光による評価2018
- 著者名/発表者名
  小川達博、名取鼓太郎、星井拓也、仲武昌史、渡辺義夫、永山勉、樋口隆弘、加藤慎一、谷村英昭、角嶋邦之、若林整、筒井一生
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 2D Materialsで広がる世界2018
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  日本学術振興会シリコン超集積システム第165委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] IEDM 2017参加報告2018
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会SDRJ委員会More Moore (MM) WG 第3回会議
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] Analyses of 3D Atomic Arrangements of Impurity Atoms Doped in Silicon by Spectro-Photoelectron Holography Technique2018
- 著者名/発表者名
  Kazuo Tsutsui, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Yoshitada Morikawa, Kotaro Natori, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, and Toyohiko Kinoshita
- 学会等名
  18th Int. Workshop on Junction Technology (IWJT2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] ACTIVE-PERFORMANCE BENCHMARK FOR ADVANCED 3D-CMOS DEVICES2018
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  CSTIC 2018, Symposium I: Device Engineering And Memory Technology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] Vertically-Stacked Nanowire/FinFETs and Following 2D FETs for Logic Chips2018
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  IEEE S3S Conference
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Status of photoelectron holography at SPring-8:Experimental setup for time- and space-resolved technique and application to individual atomic imaging of multiple dopant sites2018
- 著者名/発表者名
  Toyohiko Kinoshita, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Takuo Ohkochi, Hitoshi Osawa, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, Kazuo Tsutsui, Kotaro Natori, Yoshitada Morikawa, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, 他12名
- 学会等名
  14th Int. Conf. on Electron Spectroscopy and Structure (ICEESS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 2D Materialsで広がる世界2018
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  日本学術振興会シリコン超集積システム第165委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Hall-Effect Mobility Enhancement of Sputtered MoS2 Film by Vapor Phase Sulfurization through Al2O3 Passivation Film2018
- 著者名/発表者名
  M. Hamada, K. Matsuura, T. Sakamoto, H. Tanigawa, T. Ohashi, I. Muneta, T. Hoshii, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi
- 学会等名
  IEEE S3S Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Vertically-Stacked Nanowire/FinFETs and Following 2D FETs for Logic Chips2018
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  IEEE, EDS, S3S 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] 大面積集積化に向けたスパッタMoS2薄膜を用いたTop-Gate nMISFETs2018
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、大橋匠、宗田伊理也、石原聖也、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタの低パワー化によるMoS2薄膜のキャリヤ濃度低減2018
- 著者名/発表者名
  坂本拓朗、大橋匠、松賢太朗、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Advanced Device Technologies beyond FinFET era for Logic Chip2018
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  SEMI Japan 2018, STS
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] Mechanism for High Hall-Effect Mobility in Sputtered-MoS2 Film Controlling Particle Energy2018
- 著者名/発表者名
  T. Sakamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, Y. Suzuki, N. Ikarashi H. Wakabayashi
- 学会等名
  IEEE S3S Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Benchmark on Advanced Logic Devices and Predictive Discussion on Future LSIs2018
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  The 40th anniversary of DPS 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] 総論：Si ULSIの現状と今後の動向、招待講演2018
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  JSPS, 145委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04258
[学会発表] スパッタ堆積MoS2膜の下地材料依存性2017
- 著者名/発表者名
  大橋匠、宗田伊理也、石原聖也、日比野祐介、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Si結晶中にドープされたAsの異なる原子配列構造と深さ分布2017
- 著者名/発表者名
  小川達博、名取鼓太郎、星井拓也、仲武昌史、渡辺義夫、角嶋邦之、若林整、筒井一生
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] IoT向けスパッタMoS2チャネルMOSFETの研究2017
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタ堆積MoS2膜の下地材料依存性2017
- 著者名/発表者名
  大橋匠、宗田伊理也、石原聖也、日比野祐介、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] スパッタリング法で堆積したMoS2薄膜へのコンタクト抵抗と熱処理依存性2017
- 著者名/発表者名
  外山真矢人、大橋匠、松浦賢太朗、清水淳一、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] SiにドープされたAsの光電子ホログラフィー評価と電気的活性化との関係2017
- 著者名/発表者名
  名取鼓太郎、筒井一生、松下智裕、室隆桂之、星井拓也、角嶋邦之、若林整、林好一、松井文彦、森川良忠、下村勝、木下豊彦
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] MoS2ターゲット高温スパッタ法のロングスロー化によるMoS2膜結晶性向上2017
- 著者名/発表者名
  坂本拓朗、大橋匠、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] nMOSFET応用に向けた窒化ハフニウムの硫化による二硫化ハフニウム膜の作製2017
- 著者名/発表者名
  篠原健朗、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] IoT向けスパッタMoS2チャネルMOSFETの研究2017
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] AlGaN/GaN HEMT構造におけるドット形凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減の検討2017
- 著者名/発表者名
  渡部拓巳、久永真之祐、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタMoS2膜のMISFET応用2017
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  グラフェンコンソーシアム第14回研究講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Crystallinity Improvement using Migration-Enhancement Methods for Sputtered-MoS2 Films2017
- 著者名/発表者名
  Shin Hirano, Jun’ichi Shimizu, Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM) 2017, P-28
- 発表場所
  富山国際会議場
- 年月日
  2017-03-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] Resistivity Reduction of Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film using Fluorine Gas2017
- 著者名/発表者名
  Yasunori Okada, Shimpei Yamaguchi, Takumi Ohashi,Iriya Muneta, Kuniyuki Kasushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  The 17th International Workshop on Junction Technology 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Crystallinity Improvement using Migration Enhancement Method for Sputtered-MoS2 Film2017
- 著者名/発表者名
  Shin Hirano, Jun’ichi Shimizu, Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  Electron Devices Technoogy and Manufuctureing Conference (EDTM2017)
- 発表場所
  富山国際会議場（富山市）
- 年月日
  2017-02-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Low-carrier density sputtered-MoS2 film by H2S annealing for normally-off accumulation-mode FET2017
- 著者名/発表者名
  Jun’ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi and Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  Electron Devices Technoogy and Manufuctureing Conference (EDTM2017)
- 発表場所
  富山国際会議場（富山市）
- 年月日
  2017-02-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Sputtered TMDC 2D Materials and their Electrical Properties2017
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  21st International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] スパッタ MoS2 膜の MISFET 応用2017
- 著者名/発表者名
  若林整
- 学会等名
  グラフェンコンソーシアム第14回研究講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] スパッタMoS2膜上ALD-Al2O3膜の成長過程観察2017
- 著者名/発表者名
  谷川晴紀、大橋匠、松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、早川直希、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] トンネル電極を形成したスパッタMoS2膜における電流の障壁膜厚依存性2017
- 著者名/発表者名
  早川直希、宗田伊理也、大橋匠、松浦賢太朗、清水淳一、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Transmission electron microscopy structural analysis of sputtered MoS2 for 3D-LSI2017
- 著者名/発表者名
  Yuuta Suzuki, Jun'ichi Shimizu, Iriya Muneta, Masahiro Nagao, Hitoshi Wakabayashi, and Nobuyuki Ikarashi
- 学会等名
  International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] TiN/Ti Ohmic Contact for Sputtered-MoS2 Film using Forming-Gas Annealing2017
- 著者名/発表者名
  M. Toyama, T. Ohashi, K. Matsuura, J. Shimizu, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, and H. Wakabayashi
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Atomic scale analyses of As doped in Si by soft X-ray photoelectron spectroscopy and spectro-photoelectron holography2017
- 著者名/発表者名
  Kotaro Natori, Tatsuhiro Ogawa, Takuya Hoshii, Tomohiro Matsushia, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Yoshitada Morikawa, Kuniyuki Kakushima, Fumihiko Matsui, Kouichi Hayashi, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui
- 学会等名
  11th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’17
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] MoS2ターゲット高温スパッタ法のロングスロー化によるMoS2膜結晶性向上2017
- 著者名/発表者名
  坂本拓朗、大橋匠、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14247
[学会発表] IoTのセンサ～通信～ビッグデータ処理過程を支えるデバイス・周辺技術2016
- 著者名/発表者名
  若林　整
- 学会等名
  日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会第8回講習会
- 発表場所
  東京大学（東京）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] SiにドープされたAsの光電子ホログラフィーによる評価2016
- 著者名/発表者名
  名取鼓太郎、筒井一生、松下智裕、室隆桂之、木下豊彦、星井拓也、角嶋邦之、若林整、松井文彦、下村勝
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] MoS2のデバイス応用2016
- 著者名/発表者名
  若林　整
- 学会等名
  物性研究所短期研究会「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」
- 発表場所
  東京大学物性研究所（柏市）
- 年月日
  2016-12-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] CMOS-Device Benchmark and Sputtered MoS2 Film for Monolithic Transistor2016
- 著者名/発表者名
  H. Wakabayashi
- 学会等名
  20th International Symposium on Chemical-Mechanical Planarization
- 発表場所
  Lake Placid, NY, USA
- 年月日
  2016-08-07
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] デバイス高性能化に向けたSi中ドーパントサイトの研究2016
- 著者名/発表者名
  筒井一生, 松下智裕, 名取鼓太郎, 室隆桂之, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦, 木下豊彦
- 学会等名
  物性研究所短期研究会「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」
- 発表場所
  東京大学物性研究所（柏市）
- 年月日
  2016-12-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Sulfurization in Sulfur Vapor for Sputtered-MoS2 Film2016
- 著者名/発表者名
  K. Matsuura, T. Ohashi, I. Muneta S. Ishihara, N. Sawamoto, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura and H. Wakabayashi
- 学会等名
  47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2016)
- 発表場所
  San Diego, USA
- 年月日
  2016-12-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成2016
- 著者名/発表者名
  大橋匠、松浦賢太朗、石原聖也、日比野裕介、澤本直美、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  電子情報通信学会　シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  キャンパス・イノベーションセンター（東京）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Low-Temperature Forming- Gas Annealing for 3D-IC2016
- 著者名/発表者名
  J. Shimizu, T. Ohashi, K. Matsuura, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi
- 学会等名
  2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2016)
- 発表場所
  つくば国際会議場（つくば市）
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 光電子ホログラフィーによる Si 中ドーパントサイトの研究2016
- 著者名/発表者名
  筒井一生, 松下智裕, 名取鼓太郎, 室隆桂之, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦, 木下豊彦
- 学会等名
  第10回物性科学領域横断研究会
- 発表場所
  神戸大学（神戸市）
- 年月日
  2016-12-09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタMoS2膜のフォーミングガス雰囲気ポストアニーリングによる電気特性向上2016
- 著者名/発表者名
  清水淳一、大橋匠、松浦賢太朗、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明2016
- 著者名/発表者名
  武井優典、下田智裕、高橋昌靖、筒井一生、齋藤渉、角嶋邦之、若林整、岩井洋
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] S/Mo比増加によるMoS2膜の低キャリア濃度化2016
- 著者名/発表者名
  大橋匠、松浦賢太朗、石原聖也、日比野祐介、澤本直美、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Two dimensional material device technologies2015
- 著者名/発表者名
  H. Wakabayashi
- 学会等名
  IEEE EDS Mini-Colloquium: WIMNACT 45
- 発表場所
  東京工業大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-02-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造サイズ依存性2015
- 著者名/発表者名
  下田智裕、武井優典、筒井一生、齋藤渉、角嶋邦之、若林整、岩井洋
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Lowering Contact Resistances on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers: Effects of Configuration and Size of Lateral Patterns2015
- 著者名/発表者名
  Yusuke Takei, Tomohiro Shimoda, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai
- 学会等名
  2015 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2015-11-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 硫黄粉末アニールの減圧化によるスパッタMoS2薄膜の結晶性向上2015
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗、大橋匠、石原聖也、澤本直美、日比野祐介、須田耕平、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Two dimensional material device technologies2015
- 著者名/発表者名
  H. Wakabayashi
- 学会等名
  IEEE EDS Mini-Colloquium: WIMNACT 45
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2015-02-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25889022
[学会発表] Advanced CMOS Device Technologies Discussed Also with Transition-Metal Di-Chalcogenide (TMDC) Channel2015
- 著者名/発表者名
  H. Wakabayashi
- 学会等名
  228th the Electrochemical Society (ECS) meeting 2015
- 発表場所
  Phoenix, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Advanced-CMOS Device Benchmarks and following Transition-Metal Dichalcogenides (TMDs) for 2D FETs2014
- 著者名/発表者名
  H. Wakabayashi
- 学会等名
  QNERC Workshop on Nano Devices and Materials
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2014-11-04
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25889022
[学会発表] Progress and Benchmarking of CMOS-Device Technologie2014
- 著者名/発表者名
  H. Wakabayashi
- 学会等名
  International Conference on Electronics Packaging
- 発表場所
  富山国際会議場
- 年月日
  2014-04-24
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25889022
[学会発表] Advanced-CMOS Device Benchmarks and following Transition-Metal Dichalcogenides (TMDs) for 2D FETs2014
- 著者名/発表者名
  H. Wakabayashi
- 学会等名
  QNERC Workshop on Nano Devices and Materials
- 発表場所
  （東京都）
- 年月日
  2014-11-04
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Progress and Benchmarking of CMOS-Device Technologies2014
- 著者名/発表者名
  Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  International Conference on Electronics Packaging 2014
- 発表場所
  富山
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25889022
[学会発表] Advanced Scaling and Wiring Technology2014
- 著者名/発表者名
  H. Wakabayashi
- 学会等名
  ADMETA Plus 2014
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2014-10-22
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25889022
[学会発表] Sputtered MoS2 Film for Future High-Performance Nanoelectronic Devices2014
- 著者名/発表者名
  T. Ohashi, Hitoshi Wakabayashi, et. al
- 学会等名
  Thailand-Japan International Academic Conference
- 発表場所
  東京大学
- 年月日
  2014-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25889022
[学会発表] Multi-Layered MoS2 Thin Film Formed by High- Temperature Sputtering for Enhancement-Mode nMOSFETs2014
- 著者名/発表者名
  T. Ohashi, H. Wakabayashi, et. al.
- 学会等名
  Solid State Device and Materials, 2014
- 発表場所
  エポカルつくば
- 年月日
  2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25889022
[学会発表] Advanced Scaling and Wiring Technology
- 著者名/発表者名
  H. Wakabayashi
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference (ADMETA Plus 2014)
- 発表場所
  東京大学（東京都）
- 年月日
  2014-10-22 – 2014-10-24
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 金属ゲート電極材料のAlGaN/GaN HEMT のリーク電流への影響
- 著者名/発表者名
  大賀一樹、川那子高暢、角嶋邦之、片岡好則、西山彰、杉井信之、若林整、筒井一生、名取研二、岩井洋
- 学会等名
  第62回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 高温スパッタリング法によるMoS2膜の形成と電気特性
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗，大橋匠，山口晋平，須田耕平，石原聖也，澤本直美，角嶋邦之，杉井信之，西山彰，片岡好則，名取研二，筒井一生，岩井洋，小椋厚志，若林整
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] AlGaN/GaN HEMT構造への凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗の低減
- 著者名/発表者名
  武井優典、下田智裕、筒井一生、齋藤渉、角嶋邦之、若林整、片岡好則、岩井洋
- 学会等名
  第62回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 硬Ｘ線光電子分光を用いた金属/AlGaN/GaN のバンド構造の解析
- 著者名/発表者名
  大賀一樹，陳江寧，川那子高暢，角嶋邦之，野平博司，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名取研二，岩井洋
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] AlGaN/GaN HEMT 構造のAlGaN層内部の電子トラップ解析
- 著者名/発表者名
  馬場俊之、永久雄一、川那子高暢、角嶋邦之、片岡好則、西山彰、杉井信之、若林整、筒井一生、名取研二、岩井洋
- 学会等名
  第62回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのノンアロイコンタクトにおけるコンタクト抵抗のAlGaN層厚依存性による抵抗成分分析
- 著者名/発表者名
  武井優典，岡本真里，シンマン，萱沼玲，下田智裕，三井陽平，齋藤渉，筒井一生，角嶋邦之，若林整，片岡好則，岩井洋
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタ堆積MoS2膜の下地平坦化による電気特性向上
- 著者名/発表者名
  大橋匠、山口晋平、松浦賢太朗、須田耕平、石原聖也、澤本直美、角嶋邦之、杉井信之、西山彰、片岡好則、名取研二、筒井一生、岩井洋、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第62回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Dependence of Ti/C Ratio on Ohmic contact with TiC electrode for AlGaN/GaN structure
- 著者名/発表者名
  M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, K. Natori, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, W. Saito
- 学会等名
  IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA 2014)
- 発表場所
  Knoxville, Tennessee, USA
- 年月日
  2014-10-13 – 2014-10-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 大面積MoS2膜形成に向けたMoの硫化プロセスの検討
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗、大橋匠、山口晋平、須田耕平、石原聖也、澤本直美、角嶋邦之、杉井信之、西山彰、片岡好則、名取研二、筒井一生、岩井洋、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第62回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 高温スパッタリング法におけるMoS2薄膜化と電気特性
- 著者名/発表者名
  大橋匠，山口晋平，松浦賢太朗，須田耕平，石原聖也，澤本直美，角嶋邦之，杉井信之，西山彰，片岡好則，名取研二，筒井一生，岩井洋，小椋厚志，若林整
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Low-resistive Contact Formation on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers
- 著者名/発表者名
  Kazuo Tsutsui, Masayuki Kamiya, Yusuke Takei, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, and Hiroshi Iwai
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
- 発表場所
  Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Multi-Layered MoS2 Thin Film Formed by High- Temperature Sputtering for Enhancement-Mode nMOSFETs
- 著者名/発表者名
  T. Ohashi, K. Suda, S. Ishihara, N. Sawamoto, S. Yamaguchi, K. Matsuura, K. Kakushima, N. Sugii, A. Nishiyama, Y. Kataoka, K. Natori, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura and H. Wakabayashi
- 学会等名
  Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県）
- 年月日
  2014-09-08 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014

1. 筒井一生 (60188589)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 67件
2. 武田さくら (30314537)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
3. 角嶋邦之 (50401568)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 60件
4. 宗田伊理也 (90750018)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
5. 脇原徹 (70377109)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 増野敦信 (00378879)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 北村尚斗 (10453812)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 小野円佳 (20865224)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 伊與木健太 (50782174)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 冨谷茂隆 (40867016)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
11. 佐藤信太郎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 森大輔

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
13. 星井拓也

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 17件
14. 岩井洋

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 17件
15. 川村朋晃

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 森川良忠

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
17. 松井文彦

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
18. 若林裕助

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 6件
19. 林好一

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
20. 松下智裕

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
21. 木下豊彦

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

若林 整 Wakabayashi Hitoshi

研究課題

研究成果

共同研究者

遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の成膜機構と熱電変換特性因子の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

社会実装に向けた超秩序構造物質ライブラリーに基づく合成プロセス開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

自己発熱効果フリー超高集積p/n積層NW/FinFETと6T-SRAM研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

原子層状TMDCチャネル2D-MISFETの3D構造化への挑戦研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体中不純物の3D構造制御と低損失・高効率デバイスの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高移動度・層状MoS2チャネルトランジスタの基礎的研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Conductivity Enhancement of PVD-WS2 Films Using Cl2-Plasma Treatment Followed by Sulfur-Vapor Annealing2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Positive Seebeck coefficient of niobium-doped MoS2 film deposited by sputtering and activated by sulfur vapor annealing2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 東京工業大学 工学院 電気電子系 若林整（ひとし）研究室2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

ISSN

年月日

言語

データソース

[雑誌論文] Self-heating-aware cell design for p/n-vertically-integrated nanowire on FinFET beyond 3 nm technology node2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Relaxation of Self-Heating-Effect for Stacked-Nanowire FET and p/n-Stacked 6T-SRAM Layout2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Low-Temperature MoS2 Film Formation Using Sputtering and H2S Annealing2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Sputter-Deposited-MoS2 nMISFETs With Top-Gate and Al2O3 Passivation Under Low Thermal Budget for Large Area Integration2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization2018

若林整 Wakabayashi Hitoshi

[雑誌論文] 東京工業大学　工学院　電気電子系　若林整（ひとし）研究室2021