焦賽 JIAO Sai

研究者番号	80710475
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2013年度 – 2015年度: 東北大学, 電気通信研究所, 教育研究支援者
審査区分/研究分野	研究代表者以外薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者以外表面化学反応 / 転位 / 積層欠陥 / グラフェン / ヘテロエピタキシ / 3C-SiC

グラフェンエレクトロニクス実現を加速するＳｉ基板上エピグラフェンの革新的高品質化
- 研究代表者
  
  末光眞希
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東北大学

すべて 2016 2015 2014 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Evaluations of crystal defects of 3C-SiC(-1-1-1) film on Si(110) substrate2016
- 著者名/発表者名
  Shota Sambonsuge, Shun Ito, Sai Jiao, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Sergey N. Filimonov, and Maki Suemitsu
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi A
  
  巻: 印刷中号: 5 ページ: 1125-1129
- DOI
  10.1002/pssa.201532675
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
[雑誌論文] Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110)2015
- 著者名/発表者名
  Shota Sambonsuge, Sai Jiao, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Sergey N. Filimonov, Maki Suemitsu
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials
  
  巻: 67 ページ: 51-53
- DOI
  10.1016/j.diamond.2016.02.020
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-23000008
[雑誌論文] Orbital-specific Tunability of Many-Body Effects in Bilayer Graphene by Gate Bias and Metal Contact2014
- 著者名/発表者名
  Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Kosuke Nagashio, Ryo Sato, Takuo Ohkochi, Takashi Itoh, Akira Toriumi, Maki Suemitsu, and Toyohiko Kinoshita
- 雑誌名
  
  Scientific Report
  
  巻: 4 号: 9 ページ: 37131-5
- DOI
  10.1088/0022-3727/47/9/094016
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000008, KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-25600091
[雑誌論文] High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AIN/Si heterostructure2014
- 著者名/発表者名
  Sai Jiao, Yuya Murakami, Hiroyuki Nagasawa, Hirokazau Fukidome, Isao Makabe, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi, Maki Suemitsu
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 806 ページ: 89-93
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.806.89
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053, KAKENHI-PROJECT-25600091, KAKENHI-PROJECT-23000008
[学会発表] Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates
- 著者名/発表者名
  S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, and M. Suemitsu
- 学会等名
  The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  宮崎
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] Surface Energy Anisotropy of Clean and Hydrodgen Covered 3C-SiC Surfaces
- 著者名/発表者名
  S.N. Filimonov, Yu.Yu. Hervieu, S. Jiao, S. Sambonsuge and M. Suemitsu
- 学会等名
  ACSIN-12&ICSPM21
- 発表場所
  つくば
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates: Current Status and Perspective
- 著者名/発表者名
  Sai JIAO, Maki Suemitsu
- 学会等名
  Energy Materials Nanotechnology(EMN) East Workshop
- 発表場所
  Beijing, China
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AlN/Si heterostructure
- 著者名/発表者名
  S. Jiao, Y. Murakami, Y. Tateno, T. Nakabayashi, H. Fukidome, and M. Suemitsu
- 学会等名
  HeteroSic-WASMPE2013
- 発表場所
  Nice, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053
[学会発表] From 3C-SiC growth to graphene formation using 4H-AlN(0001)/Si(111) heterostructure
- 著者名/発表者名
  Sai Jiao, Hirokazu Fukidome, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi and Maki Suemitsu
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286053

1. 末光眞希 (00134057)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
2. 吹留博一 (10342841)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
3. 長澤弘幸 (60649367)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
4. 末光哲也

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

焦 賽 JIAO Sai

研究課題

研究成果

共同研究者

グラフェンエレクトロニクス実現を加速するＳｉ基板上エピグラフェンの革新的高品質化

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Evaluations of crystal defects of 3C-SiC(-1-1-1) film on Si(110) substrate2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110)2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Orbital-specific Tunability of Many-Body Effects in Bilayer Graphene by Gate Bias and Metal Contact2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AIN/Si heterostructure2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Surface Energy Anisotropy of Clean and Hydrodgen Covered 3C-SiC Surfaces

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Epitaxial Graphene on Silicon Substrates: Current Status and Perspective

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AlN/Si heterostructure

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] From 3C-SiC growth to graphene formation using 4H-AlN(0001)/Si(111) heterostructure

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

焦賽 JIAO Sai