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呉 研  WU Yan

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 80736455
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2016年度 – 2017年度: 日本大学, 理工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器
キーワード
研究代表者
Parasitic bipolar effect / SOI / Single event effect / ソフトエラー / 寄生バイポーラ効果 / SOI構造 / 重イオン照射 / TFET
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (5件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  耐放射線照射性に優れた新規トンネルFETの動作実証研究代表者

    • 研究代表者
      呉 研
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2017
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      日本大学

すべて 2017

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] 微細SOIデバイスの重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果抑制2017

    • 著者名/発表者名
      和田雄友、呉研、高橋芳浩
    • 雑誌名

      日本信頼性学会誌

      巻: 39 ページ: 145-153

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18094
  • [学会発表] The Impact of Tunnel FET on Heavy Ion Induced Transient Effect2017

    • 著者名/発表者名
      Yan Wu
    • 学会等名
      232nd ECS Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18094
  • [学会発表] トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性2017

    • 著者名/発表者名
      呉 研
    • 学会等名
      第64回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜 神奈川県 横浜市
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18094
  • [学会発表] Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si based Tunnel FET by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks2017

    • 著者名/発表者名
      Yan Wu
    • 学会等名
      IWJT 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18094
  • [学会発表] LDD構造を用いたトンネルFET ベースCMOS回路においての耐放射線性評価2017

    • 著者名/発表者名
      呉 研
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K18094
  • 1.  岩波 悠太
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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