Zhang Kexiong Zhang Kexiong

研究者番号	80774463
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2022年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 産総研特別研究員 2017年度 – 2018年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 産総研特別研究員 2016年度: 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者光工学・光量子科学研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者結晶成長 / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / 量子井戸 / エピタキシャル / 2-dimensional hole gas / Semiconductor Device / Polarization Effect / Long Wavelength / tunneling junction … もっと見る / polarization / Tunneling Junction / Polarization Engineering / LED / GaN … もっと見る研究代表者以外 MOCVD / InGaN / 有機金属化学気相成長法 / 有機金属気相成長法 / 選択成長 / マイクロLED / 窒化物半導体隠す

ボトムアップによる指向性マイクロLEDの実現
- 研究代表者
  
  熊谷直人
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
High brightness yellow and red LEDs with p-side down structure by using polarization-induced tunneling junction研究代表者
- 研究代表者
  
  Zhang Kexiong
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  光工学・光量子科学
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
   名古屋工業大学

すべて 2019 2018 2017 2016

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Demonstration of fully vertical GaN-on-Si Schottky diode2017
- 著者名/発表者名
  Zhang K.、Mase S.、Nakamura K.、Hamada T.、Egawa T.
- 雑誌名
  
  Electronics Letters
  
  巻: 53 号: 24 ページ: 1610-1611
- DOI
  10.1049/el.2017.3166
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17533
[雑誌論文] The investigation of interfacial chemical state and band alignment in sputter-deposited CaF2/p-GaN heterojunction by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy2016
- 著者名/発表者名
  Kexiong Zhang, Meiyong Liao, Masatomo Sumiya, Yasuo Koide, Liwen Sang
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 120 号: 18 ページ: 185305-185305
- DOI
  10.1063/1.4967394
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17533
[雑誌論文] Electrical hysteresis in p-GaN metal-oxide- semiconductor capacitor with atomic-layer-deposited Al2O3 as gate dielectric2016
- 著者名/発表者名
  Kexiong Zhang, Meiyong Liao, Masataka Imura, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Masatomo Sumiya, Yasuo Koide, and Liwen Sang
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 12 ページ: 121002-121002
- DOI
  10.7567/apex.9.121002
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17533
[雑誌論文] P-Channel InGaN/GaN heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on polarization-induced two-dimensional hole gas2016
- 著者名/発表者名
  Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Liwen Sang
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 6 号: 1
- DOI
  10.1038/srep23683
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17533
[学会発表] Fabrication of InGaN/GaN Nanopillars byNeutral Beam Etching: Towards Directional Micro-LED in Top-down Structure2019
- 著者名/発表者名
  Kexiong Zhang
- 学会等名
  JSAP 2019 spring meeting
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17533
[学会発表] Nanocolumns of InGaN/GaN MQWs Fabricated by Neutral Beam Etching for Directional Micro-LEDs2018
- 著者名/発表者名
  Kexiong Zhang
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17533
[学会発表] Nanocolumns of InGaN/GaN MQWs Fabricated by Neutral Beam Etching for Directional Micro-LEDs2018
- 著者名/発表者名
  Kexiong Zhang
- 学会等名
  JSAP 2018 autumn meeting
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17533
[学会発表] InGaN/GaN Heterostructure P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor by Using Polarization-Induced Two-Dimensional Hole Gas2016
- 著者名/発表者名
  Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, and Liwen Sang
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Orlando, Florida, USA
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17533
[学会発表] The investigation of GaN-based P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor2016
- 著者名/発表者名
  Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, and Liwen Sang
- 学会等名
  The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2016)
- 発表場所
  Peking University, Beijing, China.
- 年月日
  2016-07-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K17533

1. 熊谷直人 (40732152)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 王学論 (80356609)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 山田寿一 (20358261)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

Zhang Kexiong Zhang Kexiong

研究課題

研究成果

共同研究者

ボトムアップによる指向性マイクロLEDの実現

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

High brightness yellow and red LEDs with p-side down structure by using polarization-induced tunneling junction研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Demonstration of fully vertical GaN-on-Si Schottky diode2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] The investigation of interfacial chemical state and band alignment in sputter-deposited CaF2/p-GaN heterojunction by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical hysteresis in p-GaN metal-oxide- semiconductor capacitor with atomic-layer-deposited Al2O3 as gate dielectric2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] P-Channel InGaN/GaN heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on polarization-induced two-dimensional hole gas2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] Fabrication of InGaN/GaN Nanopillars byNeutral Beam Etching: Towards Directional Micro-LED in Top-down Structure2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Nanocolumns of InGaN/GaN MQWs Fabricated by Neutral Beam Etching for Directional Micro-LEDs2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Nanocolumns of InGaN/GaN MQWs Fabricated by Neutral Beam Etching for Directional Micro-LEDs2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] InGaN/GaN Heterostructure P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor by Using Polarization-Induced Two-Dimensional Hole Gas2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] The investigation of GaN-based P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース