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新田 州吾  Nitta Shugo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 80774679
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 三重大学, 研究基盤推進機構, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2022年度 – 2024年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授
2016年度 – 2018年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
研究代表者以外
中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
キーワード
研究代表者
半導体物性 / 表面・界面物性 / 電子・電気材料 / 結晶成長 / V/III比 / NH3/アンモニア / MOVPE/MOCVD / LD / 窒化物半導体 / 長波長 … もっと見る / MOCVD / LED / 分解 / アンモニア / NH3 / MOVPE / InGaN … もっと見る
研究代表者以外
反応経路探索 / 表面プロセス / 化学気相成長 / SJダイオード / Mgのメモリー効果 / Mgの偏析 / 高速エピタキシャル成長 / パワーデバイス / SJ / HVPE / GaN / SJ構造 / Mgドーピング / HVPE法 / pn接合 / 窒化物半導体 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (9件)
  • 共同研究者

    (10人)
  •  半導体化学気相成長の科学

    • 研究代表者
      寒川 義裕
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2027
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      九州大学
  •  HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製

    • 研究代表者
      本田 善央
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2023
    • 研究種目
      挑戦的研究(萌芽)
    • 審査区分
      中区分21:電気電子工学およびその関連分野
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  アンモニア分解率向上による高In組成InGaN結晶の高品質化のための反応炉設計研究代表者

    • 研究代表者
      新田 州吾
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学

すべて 2024 2019 2018 2017 2016

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm-3 grown by halide vapor phase epitaxy2024

    • 著者名/発表者名
      Hamasaki Kansuke、Ohnishi Kazuki、Nitta Shugo、Fujimoto Naoki、Watanabe Hirotaka、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 628 ページ: 127529-127529

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2023.127529

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K13672, KAKENHI-PROJECT-22K18808
  • [雑誌論文] Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation2019

    • 著者名/発表者名
      Liu Zhibin、Nitta Shugo、Robin Yoann、Kushimoto Maki、Deki Manato、Honda Yoshio、Pristovsek Markus、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 508 ページ: 58-65

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06260
  • [雑誌論文] Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      Liu Zhibin、Nitta Shugo、Usami Shigeyoshi、Robin Yoann、Kushimoto Maki、Deki Manato、Honda Yoshio、Pristovsek Markus、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 509 ページ: 50-53

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.12.007

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06260
  • [学会発表] The effect of the environment temperature around the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018

    • 著者名/発表者名
      Zhibin Liu, Shugo Nitta, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06260
  • [学会発表] Direct observation of ammonia decomposition and interaction with trimethylgallium in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor2018

    • 著者名/発表者名
      Shugo Nitta, Kentaro Nagamatsu, Zheng Ye, Hirofumi Nagao, Shinichi Miki, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06260
  • [学会発表] Direct observation of ammonia decomposition and interaction with trimethylgallium in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor2018

    • 著者名/発表者名
      Shugo Nitta
    • 学会等名
      19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06260
  • [学会発表] Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018

    • 著者名/発表者名
      Zhibin Liu, Shugo Nitta, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06260
  • [学会発表] In situ and ex situ optical characterization of nitride semiconductor crystal for advanced optical and power electronic devices2017

    • 著者名/発表者名
      Shugo Nitta
    • 学会等名
      Optics 2017 - Photonic Conferences - Laser Technology Applications
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06260
  • [学会発表] In-line NH3 Reactant Analysis on Nitride Semiconductor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy via High-Resolution Mass Spectrometry2016

    • 著者名/発表者名
      S. Nitta, K. Nagamatsu, R. Miyagoshi, Z. Ye, H. Nagao, S. Miki, H. Y. Honda and H. Amano
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
    • 発表場所
      Orlando, Florida
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06260
  • 1.  本田 善央 (60362274)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 6件
  • 2.  田中 敦之 (30774286)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  寒川 義裕 (90327320)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  草場 彰 (70868926)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  杉山 佳奈美 (70974377)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  天野 浩
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 7.  宇佐美 茂佳
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 8.  永松 謙太郎
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 9.  出来 真斗
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件
  • 10.  大西 一生
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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