新田州吾 Nitta Shugo

研究者番号	80774679
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 三重大学, 研究基盤推進機構, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2024年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授 2016年度 – 2018年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者半導体物性 / 表面・界面物性 / 電子・電気材料 / 結晶成長 / V/III比 / NH3/アンモニア / MOVPE/MOCVD / LD / 窒化物半導体 / 長波長 … もっと見る / MOCVD / LED / 分解 / アンモニア / NH3 / MOVPE / InGaN … もっと見る研究代表者以外反応経路探索 / 表面プロセス / 化学気相成長 / SJダイオード / Mgのメモリー効果 / Mgの偏析 / 高速エピタキシャル成長 / パワーデバイス / SJ / HVPE / GaN / SJ構造 / Mgドーピング / HVPE法 / pn接合 / 窒化物半導体隠す

半導体化学気相成長の科学
- 研究代表者
  
  寒川義裕
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  九州大学
HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製
- 研究代表者
  
  本田善央
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2023
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  名古屋大学
アンモニア分解率向上による高In組成InGaN結晶の高品質化のための反応炉設計研究代表者
- 研究代表者
  
  新田州吾
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  名古屋大学

すべて 2024 2019 2018 2017 2016

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm-3 grown by halide vapor phase epitaxy2024
- 著者名/発表者名
  Hamasaki Kansuke、Ohnishi Kazuki、Nitta Shugo、Fujimoto Naoki、Watanabe Hirotaka、Honda Yoshio、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 628 ページ: 127529-127529
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2023.127529
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K13672, KAKENHI-PROJECT-22K18808
[雑誌論文] Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation2019
- 著者名/発表者名
  Liu Zhibin、Nitta Shugo、Robin Yoann、Kushimoto Maki、Deki Manato、Honda Yoshio、Pristovsek Markus、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 508 ページ: 58-65
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06260
[雑誌論文] Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  Liu Zhibin、Nitta Shugo、Usami Shigeyoshi、Robin Yoann、Kushimoto Maki、Deki Manato、Honda Yoshio、Pristovsek Markus、Amano Hiroshi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 509 ページ: 50-53
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.12.007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06260
[学会発表] The effect of the environment temperature around the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Zhibin Liu, Shugo Nitta, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06260
[学会発表] Direct observation of ammonia decomposition and interaction with trimethylgallium in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor2018
- 著者名/発表者名
  Shugo Nitta, Kentaro Nagamatsu, Zheng Ye, Hirofumi Nagao, Shinichi Miki, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06260
[学会発表] Direct observation of ammonia decomposition and interaction with trimethylgallium in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor2018
- 著者名/発表者名
  Shugo Nitta
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06260
[学会発表] Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Zhibin Liu, Shugo Nitta, Yoann Robin, Maki Kushimoto, Manato Deki, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, and Hiroshi Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06260
[学会発表] In situ and ex situ optical characterization of nitride semiconductor crystal for advanced optical and power electronic devices2017
- 著者名/発表者名
  Shugo Nitta
- 学会等名
  Optics 2017 - Photonic Conferences - Laser Technology Applications
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06260
[学会発表] In-line NH3 Reactant Analysis on Nitride Semiconductor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy via High-Resolution Mass Spectrometry2016
- 著者名/発表者名
  S. Nitta, K. Nagamatsu, R. Miyagoshi, Z. Ye, H. Nagao, S. Miki, H. Y. Honda and H. Amano
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)
- 発表場所
  Orlando, Florida
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06260

1. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 6件
2. 田中敦之 (30774286)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 寒川義裕 (90327320)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 草場彰 (70868926)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 杉山佳奈美 (70974377)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 天野浩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
7. 宇佐美茂佳

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
8. 永松謙太郎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
9. 出来真斗

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
10. 大西一生

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

新田 州吾 Nitta Shugo

研究課題

研究成果

共同研究者

半導体化学気相成長の科学

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

アンモニア分解率向上による高In組成InGaN結晶の高品質化のための反応炉設計研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm-3 grown by halide vapor phase epitaxy2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] The effect of the environment temperature around the wafer on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Direct observation of ammonia decomposition and interaction with trimethylgallium in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Direct observation of ammonia decomposition and interaction with trimethylgallium in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] In situ and ex situ optical characterization of nitride semiconductor crystal for advanced optical and power electronic devices2017

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] In-line NH3 Reactant Analysis on Nitride Semiconductor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy via High-Resolution Mass Spectrometry2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

新田州吾 Nitta Shugo