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栗原 由紀子  KURIHARA Yukiko

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90013200
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1989年度 – 1990年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手
1986年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者以外
応用物性 / 電子材料工学
キーワード
研究代表者以外
Gallium Arsenide / Focused Ion Beam / AlGaAs / Alloy Semiconductor / New Functional Device / Submicron Device / Transient Anneal / Ion Source / フォトルミネッセンス法 / 混晶 … もっと見る / イオン源 / 超微細ドーピング / 集束イオンビーム / フォトルミネセンス / 混晶半導体 / ガリウムヒ素 / 新機能デバイス / サブミクロンデバイス / トランジェントアニール / 集束イオンビーム;イオン源 / Electron Scattering / Interference of Electron Waves / Quantum Wire / 電子-電子散乱 / 低相緩和機構 / 弱局在効果 / Al Ga As / 電子散乱 / 砒化ガリウム / 電子波干渉効果 / 量子細線 / 集束イオンビ-ム / X線光電子分光法 / ヘテロ接合バンド不連続 / 半導体ヘテロ接合 / 分子線エピタキシ- 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  光電子分光法による半導体ヘテロ接合バンド不連続量に与える界面双極子効果の解明

    • 研究代表者
      平川 一彦
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  集束イオンビ-ムを用いた量子細線の試作と電子波干渉効果に関する研究

    • 研究代表者
      生駒 俊明
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  集束イオンビームを用いた超微細ドーピングの研究

    • 研究代表者
      生駒 俊明
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1986
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  • 1.  斎藤 敏夫 (90170513)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  生駒 俊明 (80013118)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  平川 一彦 (10183097)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件

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