加藤孝正 KATO Takamasa

研究者番号	90020479
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2012年度: 山梨大学, 医学工学総合研究部, 教授 2010年度 – 2012年度: 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 教授 1997年度: 山梨大学, 工学部, 教授 1991年度: 山梨大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子材料工学
キーワード	研究代表者 ZnO誘明導電膜 / In2S3 / In2Se3 / CuInS2 / 太陽電池 / カルコパイライト半導体 / 薄膜太陽電池 / タンデム型太陽電池 / 静電スプレー堆積法 / 温度差法 … もっと見る / IIIーV半導体 / 量子井戸構造 / 薄膜多層構造 / LPE成長 / 可視光レ-ザ … もっと見る研究代表者以外原子層ドープ / MBE成長 / 超格子 / 量子構造 / 希薄磁性半導体 / 磁性半導体隠す

低コスト・省エネルギープロセスによる高効率タンデム構造型太陽電池研究代表者
- 研究代表者
  
  加藤孝正
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  山梨大学
磁性イオン原子層ドープ量子構造の局在励起子による微小領域磁性の研究
- 研究代表者
  
  松本俊
- 研究期間 (年度)
  1997
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  山梨大学
短波長可視光レ-ザ用半導体の液相エピタキシアル成長と量子井戸構造の作成研究代表者
- 研究代表者
  
  加藤孝正
- 研究期間 (年度)
  1991
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  山梨大学

すべて 2012 2011 2010 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] 静電スプレー法による太陽電池用薄膜の作製2012
- 著者名/発表者名
  加藤孝正、中西　哲、堀本　海、福井慎一、小野島紀夫
- 雑誌名
  
  表面技術
  
  巻: 63 ページ: 362-364
- NAID
  10030764607
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[雑誌論文] 静電スプレー法による太陽電池用薄膜の作製2012
- 著者名/発表者名
  加藤孝正、中西哲、堀本海、福井慎一、小野島紀夫
- 雑誌名
  
  表面技術
  
  巻: 63 ページ: 362-362
- NAID
  10030764607
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[雑誌論文] Growth of γ-In2Se3thin films by electrostatic spray deposition2011
- 著者名/発表者名
  T. Kato, T. Hiramatsu, N. Onojima
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[雑誌論文] Growth of γ-In2Se3 Thin Films by Electrostatic Spray Pyrolysis Deposition2011
- 著者名/発表者名
  T.Kato, T.Hiramatsu, N.Onojima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 5S2 ページ: 05FB11-05FB11
- DOI
  10.1143/jjap.50.05fb11
- NAID
  210000070522
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[産業財産権] 薄膜形成装置及び薄膜形成方法2012
- 発明者名
  加藤孝正、成島正樹、原謙一
- 権利者名
  山梨大学、東京エレクトロン
- 出願年月日
  2012-01-13
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[産業財産権] 薄膜形成装置及び薄膜形成方法2012
- 発明者名
  加藤孝正, 成島正樹, 原謙一
- 権利者名
  山梨大学東京エレクトロン
- 出願年月日
  2012-01-13
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[産業財産権] 薄膜形成装置及び薄膜形成方法2011
- 発明者名
  加藤孝正
- 権利者名
  山梨大学、東京エレクトロン
- 産業財産権番号
  2011-005310
- 出願年月日
  2011-01-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[産業財産権] 太陽電池用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法2011
- 発明者名
  加藤孝正、成島正樹、原謙一
- 権利者名
  山梨大学、東京エレクトロン
- 産業財産権番号
  2011-005310
- 出願年月日
  2011-12-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[産業財産権] 太陽電池用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法2011
- 発明者名
  加藤孝正, 成島正樹, 原謙一
- 権利者名
  山梨大学東京エレクトロン
- 産業財産権番号
  2011-005310
- 出願年月日
  2011-12-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] Growth of Thin In2S3for Buffer Layer of Solar Cells Prepared by Electrostatic Spray Pyrolysis Deposition Method2012
- 著者名/発表者名
  T. Kato, U. Horimoto, S. Fukui, N. Onojima
- 学会等名
  ICAMSE-12
- 発表場所
  コロンボ、スリランカ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] Incorporation of n-type dopants Zn, Sn and Ge into CuInS2grown by electrostatic spray pyrolysis deposition method2012
- 著者名/発表者名
  T. Kato, U. Horimoto, N.Onojima, K. Hara
- 学会等名
  ICTMC-18
- 発表場所
  ザルツブルグ、オーストリア
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] 静電スプレー法による Zn ドープp形 In2Se3薄膜及び pn 積層膜の成長2012
- 著者名/発表者名
  伊坪正貴、小野島紀夫、加藤孝正
- 学会等名
  日本結晶成長学会 NCCG-42
- 発表場所
  九州大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] 静電スプレー法による太陽電池バッファ層薄膜In_2S_3の成長2011
- 著者名/発表者名
  堀本海, 福井慎一, 小野島紀夫, 加藤孝正
- 学会等名
  日本結晶成長学会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] 静電スプレー法による太陽電池バッファ層薄膜 In2S3の成長2011
- 著者名/発表者名
  堀本海、福井慎一、小野島紀夫、加藤孝正
- 学会等名
  日本結晶成長学会 NCCG-41
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] Electrostatic spray pyrolysis deposition of CuInS2thin films2010
- 著者名/発表者名
  T. Kato, A. Nakanishi, N. Onojima
- 学会等名
  ICCG-16/ICVGE-13
- 発表場所
  北京、中国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] Growth of γ-In2Se3thin films by electrostatic spray deposition2010
- 著者名/発表者名
  T. Kato, T. Hiramatsu, N. Onojima
- 学会等名
  ICTMC-17
- 発表場所
  バクー、アゼルバイジャン
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] Low-temperature preparation of ZnO films by electrostatic spray pyrolysis deposition for transparent conductive oxide, ZnO, transparent conductive film, electrostatic spray pyrolysis deposition2010
- 著者名/発表者名
  N. Onojima, S. Fukui, U. Horimoro, T. Kato
- 学会等名
  ICCG-16/ICVGE-13
- 発表場所
  北京、中国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] Growth ofγ-In_2Se_3 thin films by electrostatic spray pyrolysis deposition2010
- 著者名/発表者名
  加藤孝正
- 学会等名
  三元・多元化合物国際会議(ICTMC-17)
- 発表場所
  バクー(アゼルバイジャン)
- 年月日
  2010-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] Electrostatic spray pyrolysis deposition of CulnS_2 thin films2010
- 著者名/発表者名
  加藤孝正
- 学会等名
  国際結晶成長学会(ICCG-16)
- 発表場所
  北京
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] Incorporation of n-type dopants Zn, Sn and Ge into CuInS2 grown by electrostatic spray pyrolysis deposition method
- 著者名/発表者名
  T. Kato, U. Horimoto, N.Onojima, K. Hara
- 学会等名
  ICTMC-18
- 発表場所
  ザルツブルグ大学（ザルツブルグ市、オーストリア）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] 静電スプレー法によるZnドープｐ形In2Se3薄膜及びpn積層膜の成長
- 著者名/発表者名
  伊坪正貴、小野島紀夫、加藤孝正
- 学会等名
  日本結晶成長学会NCCG-42
- 発表場所
  九州大学(福岡県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293
[学会発表] Growth of thin In2S3 for buffer layer of solar cells prepared by electrostatic spray pyrolysis deposition method
- 著者名/発表者名
  T. Kato, U. Horimoto, S. Fukui, N. Onetime
- 学会等名
  ICAMSE-12
- 発表場所
  ゴールフェイスホテル（コロンボ市、スリランカ）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560293

1. 松本俊 (00020503)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
2. 鍋谷暢一 (30283196)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 安井勝 (30020481)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

加藤 孝正 KATO Takamasa

研究課題

研究成果

共同研究者

低コスト・省エネルギープロセスによる高効率タンデム構造型太陽電池研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

磁性イオン原子層ドープ量子構造の局在励起子による微小領域磁性の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

短波長可視光レ-ザ用半導体の液相エピタキシアル成長と量子井戸構造の作成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] 静電スプレー法による太陽電池用薄膜の作製2012

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] 静電スプレー法による太陽電池用薄膜の作製2012

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Growth of γ-In2Se3thin films by electrostatic spray deposition2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Growth of γ-In2Se3 Thin Films by Electrostatic Spray Pyrolysis Deposition2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[産業財産権] 薄膜形成装置及び薄膜形成方法2012

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] 薄膜形成装置及び薄膜形成方法2012

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] 薄膜形成装置及び薄膜形成方法2011

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 太陽電池用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法2011

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 太陽電池用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法2011

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[学会発表] Growth of Thin In2S3for Buffer Layer of Solar Cells Prepared by Electrostatic Spray Pyrolysis Deposition Method2012

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Incorporation of n-type dopants Zn, Sn and Ge into CuInS2grown by electrostatic spray pyrolysis deposition method2012

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] 静電スプレー法による Zn ドープp形 In2Se3薄膜及び pn 積層膜の成長2012

加藤孝正 KATO Takamasa