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更家 淳司  SARAIE Junji

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

実家 淳司  サライエ ジュンジ

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研究者番号 90026154
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1999年度 – 2000年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授
1997年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授
1995年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授
1988年度 – 1992年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授
1987年度: 京都工芸繊維大学, 工業短期大学部, 教授
1986年度: 京工繊大, 大学併設短期大学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子材料工学 / 応用物理学一般
研究代表者以外
応用物性 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
MBE法 / 格子整合 / ヘテロエピタキシャル成長 / 堆積速度 / 有機金属原料 / アルミナ膜 / 光CVD / アルキルひ素・燐 / ZnSe / ワイドギャップ材料 … もっと見る / Dielectric loss factor / Deposition rate / Photo-CVD method / Al_2O_3 films / 屈折率 / 誘電特性 / 誘電損失 / 光CVD法 / MBE / Nitrogen doping / GaAs substrate / Lattice-matching / ZnSSe mixed crystal / 短波長半導体レーザ材料 / 窒素ドーピング / GaAs基板 / ZnSSe混晶 / nano structure / photoluminescence image / piezo actuator / electronic structure / confocal microscope / low temperature / high spatial resolution / photoluminescence / 半導体特性マッピング / ピエゾアクチュエータ / 半導体極微構造 / レーザー顕微鏡 / 極微領域電子構造 / 極低温測定 / 極微領域ホトルミネセンス像 / 半導体混晶 / 界面準位 / 窒化アルミニウム / OMVPE法 / ALE成長 / 光照射MBE成長 / Liアクセプタ / Nアクセプタ / ZnSSe / tandδ / 低圧水銀灯 / ALE法 / GaP / AlN / OMーVPE法 … もっと見る
研究代表者以外
結晶成長 / プラズマCVD / 3C-SiC / 立方晶SiC / ヘテロエピタキシ- / 3CーSiC / 単結晶SiC / ZnSe / ヘテロ接合 / 結晶多形 / 昇華法 / 低温成長 / 光CVD / エピタキシヤル成長 / 減圧CVD / CuGaS_2 / AlN / MBE法 / VPE法 / 化合物半導体 / molecular beam epitaxy / silicon nitride / X-ray photoemission spectroscopy / band-offset / crystal growth / silicon / heterojunction / indium nitride / 窒化イリジウム / 分子線ユピタキシー / 窒化シリコン / 光電子分光法 / バンドオフセット / 分子線エピタキシー / シリコン / 窒化インジウム / Crystal Growth, / Heteroepitaxy, / Low Temperature Growth / Cubic sic / LPCVD / Photo-CVD, / Plsama CVD / Si / SiC / β-SiC / 混晶半導体 / ZnS / GaN / MO-CVP法 / エピタキシャル成長 / バクル成長 / 近接法 / シリコンカーバイド / 多形制御 / 6H-SiC / 炭化珪素 / バルク成長 / GaP超格子 / AlP / アルキルV族OMVPE / MOCVD / 窒化アルミニウム / 光援助MBE法 / セレン化亜鉛 / CdSe超格子 / 原子層エピタキシー / ラジカルビ-ム / 常結晶SiC / 低界面準位密度 / GaAsMIS構造 / SiMIS構造 / 高量子収率 / アルミナ膜 / βーSiC / SiC on Si / ヘテロエピタキシャル / p型GaN / MOーCVD法 隠す
  • 研究課題

    (20件)
  • 共同研究者

    (14人)
  •  超高速デバイス用低干渉型III-V族半導体・シリコンヘテロ接合の製作と電子物性制御

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  半導体ナノ構造電子エネルギートポグラフ解析装置研究代表者

    • 研究代表者
      更家 淳司, 吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物理学一般
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
      京都大学
  •  昇華法による立方晶SiCインゴットの単結晶成長

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  結晶成長の原子レベル制御

    • 研究代表者
      松本 俊
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      山梨大学
  •  バルク状単結晶SiCの育成と結晶多形の制御

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  結晶成長の原子レベル制御研究代表者

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  光CVD法によるアルミナ絶縁膜の低温堆積の研究

    • 研究代表者
      松村 信男
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  ラジカムビ-ル励起による半導体SiCの結晶成長

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  結晶成長の原子レベル制御研究代表者

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  光CVP法によるアルミナ絶緑膜の低温堆積の研究研究代表者

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  MBE法による青色発光用格子整合混晶へのアクセプタ添加の研究研究代表者

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  化合物半導体薄膜結晶の成長とその制御に関する研究

    • 研究代表者
      御子柴 宣夫
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  光・プラズマ2重励起による半導体SiCの低温エピタキシヤル成長

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  化合物半導体薄膜結晶の成長とその制御に関する研究

    • 研究代表者
      御子柴 宣夫
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  光CVD法によるAl_2O_3絶縁膜の低温作製研究代表者

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  短波長発光用II-VI族半導体混晶のMBE成長研究代表者

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  MBE法による短波半導体レーザ材料の結晶成長研究代表者

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  • 1.  松村 信男 (60107357)
    共同の研究課題数: 16件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  西野 茂弘 (30089122)
    共同の研究課題数: 12件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  坪内 和夫 (30006283)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  松本 俊 (00020503)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  吉本 昌広 (20210776)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  御子柴 宣夫 (70006279)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  飯田 誠之 (90126467)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  今井 哲二 (50143714)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  赤崎 勇 (20144115)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  若原 昭浩 (00230912)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  野田 進 (10208358)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  木本 恒暢 (80225078)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  冬木 隆 (10165459)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  松波 弘之 (50026035)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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