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山賀 重來  YAMAGA Shigeki

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山賀 重来

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研究者番号 90158080
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1989年度 – 1991年度: 千葉大学, 工学部, 助手
1986年度 – 1987年度: 千葉大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者以外
電子材料工学 / 応用物性
キーワード
研究代表者以外
化合物半導体 / MOCVD / 青色発光素子 / ZnSe / II-VI族化合物 / MOMBE / セレン化亜鉛 / GaAs / ホトルミネッセンス / 塩素添加ZnS … もっと見る / アルミ添加ZnS / リチウム添加ZnSe / P型ZnSe / Chlorine-doped ZnS / Aluminium-doped ZnS / Low-Resistivity ZnS / Lithium-doped Znse / p-type ZnSe / Blue Light-Emitting-Devices / 有機金属化学気相成長法 / 【II】-【VI】族化合物 / 低抵抗ZnS / II-VI Compounds / Blue light Emitting Devices / Growth Kinetics Cracking / Growth of ZnSe Films / Metalorganic Molecular Beam Epitaxy / 分子線エピタキシー / 【II】-【VI】族化合物半導体 / 表面モフォロジー / II-V1化合物 / クラッキング特性 / ZnSeの成長機構 / ZnSeの結晶成長 / 有機金属分子線エピタキシー / SPA / Atomic layer epitaxy / Photocatalysis / Compound semiconductors / Superlattices / (III-V)-(II-VI)超格子 / 有機金属分子線エピタキシ- / 有機金属分子線エピキシ- / 原子層エピタキシ- / 光励起CVD / (IIIーV)ー(IIーVI)超格子 / 超格子 / チッ素添加ZnSe / 太陽電池 / ヘテロ接合 / 格子緩和 / 表面マイグレーション / クラッキング / 成長機構 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  光励起原子層エピタキシ-による(IIIーV)ー(IIーVI)系超格子の作製とその物性制御

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1991
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  超格子薄膜を窓層に持つ高効率化合物半導体太陽電池の開発

    • 研究代表者
      葛西 晴雄
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      千葉大学
  •  MOCVDによる青色発光素子用II-VI族化合物半導体の結晶成長と伝導型制御

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      千葉大学
  •  青色発光素子用II-VI族化合物半導体の物性制御

    • 研究代表者
      吉川 明彦
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      千葉大学
  •  有機金属分子線エピキタシー法(MOMBE法)によるZnSe青色発光素子の開発

    • 研究代表者
      葛西 晴雄
    • 研究期間 (年度)
      1985 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      千葉大学
  • 1.  吉川 明彦 (20016603)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  葛西 晴雄 (00009226)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件

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