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山本 あき勇  Yamamoto Akio

ORCIDORCID連携する *注記
… 別表記

山本 〓勇  YAMAMOTO Akio

山本 [アキ]勇  ヤマモト アキオ

山本 あき男  YAMAMOTO Akio

山本 嵩勇  YAMAMOTO Akio

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研究者番号 90210517
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 福井大学, 学術研究院工学系部門, 客員教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2018年度: 福井大学, 学術研究院工学系部門, 特命教授
2017年度: 福井大学, 工学(系)研究科(研究院), その他
2016年度: 福井大学, 産学官連携本部, 客員教授
2014年度: 福井大学, 産学官連携本部, 客員教授
2013年度: 福井大学, 工学(系)研究科(研究院), 特命教授 … もっと見る
2012年度: 福井大学, 大学院・工学研究科, 教授
2012年度: 福井大学, 工学(系)研究科(研究院), その他
2011年度: 福井大学, 工学研究科, 教授
2007年度 – 2010年度: 福井大学, 大学院・工学研究科, 教授
2006年度 – 2008年度: 福井大学, 工学研究科, 教授
2006年度: 福井大学, 大学院工学研究科, 教授
2005年度: 福井大学, 工学部, 教授
2002年度 – 2003年度: 福井大学, 工学部, 教授
1994年度 – 1999年度: 福井大学, 工学部, 教授
1996年度 – 1997年度: 福井大学, 工学部・電子工学科, 教授
1991年度 – 1992年度: 福井大学, 工学部, 教授
1990年度: 福井大学, 工学部, 助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系
研究代表者以外
電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
GaN / タンデム太陽電池 / GaAs / 窒化インジウム(InN) / InN / 窒化物半導体 / アンモニア / Mg doping / MOVPE / 有機金属気相成長(OMVPE) … もっと見る / ヘテロエピタキシャル成長 / シリコン(Si) / キャリア濃度 / InAs / 窒化 / Si / MOCVD / Mgドーピング / 光電変換効率 / Si substrate / two-dimensional electron gas / indium nitride (InN) / III比 / V / 残留キャリア濃度 / N面劣化 / twist / tilt / 電子移動度 / 抵抗率 / CP_2Mg / Si基板 / 二次元電子ガス / Selective area growth / Low temperature growth / Photolysis / Ammonia(NH_3) / ArF excier laser / Indium nitride(InN) / エピタキシー / トリメチルインジウム(TMI) / 光分解 / エキシマレーザ / 光化学反応 / 選択成長 / 低温成長 / 光分解反応 / アンモニア(NH_3) / ArFエキシマレーザ / detection of dislocations / needle-like hillocks / photo-electrochemistry / hole injection / electrochemical etching / 結晶欠陥 / 紫外光照射 / 正孔 / 電流密度-電解電位曲線 / サファイア基板 / 剥離 / 紫外線照射効果 / 陽極溶解反応 / 光電気化学エッチング / 転位 / 貫通転位 / 針状ヒロック / 光電気化学的エッチング / 不均一性 / 電気化学的エッチング / Ga metal / SSD method / ammonia / GaP / Nitridation / GaAs基板 / SSD法 / ウルツ鉱構造 / 閃亜鉛鉱構造 / 金属ガリウム / 合成溶質拡散(SSD)法 / CaAs / バルク結晶 / tandem solar cell / MOCVD growth / heteroepitaxy / nitridation / MOCVD成長 / MOCVD / MOVPE成長 / アンモニア分解触媒 / 触媒 / 窒化インジウム / フォトルミネッセンス / X線ロッキングカーブ半値幅 / 相分離 / SNOM / Raman scattering / Parasitic reaction / Growth pressure / 半導体物性 / 結晶成長 / Pt catalyst / NH3 cracking / hetero-structure / 白金族触媒援用MOVPE / 光起電力 / Cp_2Mg / InAlN/InGaNヘテロ構造 / ヘテロ構造 / InGaN / InAlN / 高効率太陽光発電材料・素子 / ヘテロエピタキシャル成津 … もっと見る
研究代表者以外
窒化物半導体 / GaN / 耐圧 / トランジスタ / HEMT / 電界効果トランジスタ / 電子デバイス・機器 / 高電子移動度トランジスタ / 基板 / パワーデバイス / 漏れ電流 / 破壊電界 / 半絶縁性 / 抵抗率 / バッファ層 / 半絶縁性基板 / リーク電流 / 絶縁破壊 / on resistance / breakdown voltage / p-type semiconductor / field effect transistor / diode / p-n junction / nitride semiconductor / アニール / 正孔濃度 / 高耐圧 / pnダイオード / オン抵抗 / p形半導体 / ダイオード / pn接合 / Indium Nitride / Gallium Nitride / Indium Gallium Phosphide / Indium Gallium Arsenide / Gallium Arsenide / Photovoltaic Effect / Solar Cell / Quantum Well Structure / 窒化ガリウム / 窒化インジウム / リン化インジウムガリウム / ヒ化インジウムガリウム / ヒ化ガリウム / 光起電力効果 / 太陽電池 / 量子井戸構造 / HIGHLY LATTICE MISMATCHED HETEROEPITAXY / Si / InGaN / III-V NITRIDES / ALTERNATING SOURCE SUPPLY MBE / 格子不整合ヘテロエピタクシー / 格子不整合ヘテロエピタキシ- / シリコン / 窒化インジウムガリウム / III族窒化物半導体 / 交互供給MBE法 / 絶縁膜 / FET / MIS / 電子デバイス・集積回路 / 電子デバイス・電子機器 / 集積回路 / 電子デバイス / A1N単結晶薄膜 / 固相C60薄膜 / AlN単結晶薄膜 / SiC基板 / 炭素系デバイス / グラフェン / 固相C_<60>薄膜 / 電気・電子材料(半導体、誘電体、磁性体、超誘電体、有機物、絶縁体、超伝導体など) / フォトニックバンドギャップ / 非周期性 / 強局在状態 / 光バンドギャップ / メソスコピック光導波路 / 光局在 隠す
  • 研究課題

    (17件)
  • 研究成果

    (122件)
  • 共同研究者

    (13人)
  •  窒化物半導体トランジスタの横方向破壊電界強度の向上に関する研究

    • 研究代表者
      葛原 正明
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      福井大学
  •  窒化インジウム系半導体のアンモニア分解触媒援用MOCVD法に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      山本 あき勇
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      福井大学
  •  高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究

    • 研究代表者
      葛原 正明
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      福井大学
  •  固相C_<60>及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究

    • 研究代表者
      橋本 明弘
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      福井大学
  •  InAlN系多接合タンデム太陽電池の研究研究代表者

    • 研究代表者
      山本 あき勇
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      福井大学
  •  MOVPE成長InNの高品質化と電子輸送特性の解明研究代表者

    • 研究代表者
      山本 あき勇
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      福井大学
  •  PN接合GaN低リーク高耐圧ダイオードの研究

    • 研究代表者
      葛原 正明
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      福井大学
  •  ArFエキシマレーザを用いたInNのMOCVD成長研究代表者

    • 研究代表者
      山本 あき勇
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      福井大学
  •  低次元構造による超高効率光起電力変換に関する研究

    • 研究代表者
      山口 真史
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      豊田工業大学
  •  窒化物半導体バルク結晶の作製に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      山本 あき男 (山本 あき勇)
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      福井大学
  •  窒化物半導体の電気化学的エッチングの研究研究代表者

    • 研究代表者
      山本 あき男 (山本 あき勇)
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      福井大学
  •  交互供給MBE法を用いたSi基板上へのInGaN結晶成長に関する研究

    • 研究代表者
      橋本 明弘
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      福井大学
  •  光の局在領域における電子及び光子の量子相互作用に関する理論的研究

    • 研究代表者
      大高 眞人
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      福井大学
  •  InNの薄膜成長とその太陽電池応用研究代表者

    • 研究代表者
      山本 あき勇 (山本 あき男)
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      福井大学
  •  InN/Siモノリシックタンデム太陽電池の研究研究代表者

    • 研究代表者
      山本 あき男
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      福井大学
  •  InN/Siモノリシックタンデム太陽電池の研究研究代表者

    • 研究代表者
      山本 あき勇
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      福井大学
  •  InN/Siモノリシックタンデム太陽電池の研究研究代表者

    • 研究代表者
      山本 〓勇
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      福井大学

すべて 2018 2017 2015 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] 日本学術振興会第175委員会監修 小長井、山口、近藤編著「太陽電池の基礎と応用」2010

    • 著者名/発表者名
      山本あき勇
    • 総ページ数
      484
    • 出版者
      (株)培風館
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [図書] 太陽電池の基礎と応用(分担執筆)(日本学術振興会第175委員会監修 小長井 誠・山口真史・近藤道雄 編著)2010

    • 著者名/発表者名
      山本あき勇
    • 出版者
      培風館
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文] AlGaN/GaN heterostructures with an AlGaN layer grown directly on reactive-ion-etched GaN showing a high electron mobility (>1300 cm2/Vs)2018

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto, S. Makino, K. Kanatani, and M. Kuzuhara
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57 号: 4 ページ: 045502-045502

    • DOI

      10.7567/jjap.57.045502

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04347
  • [雑誌論文] Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (~1 μm) InxGa1-xN (x = 0.2~0.4)2015

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto, Tanvir Md Hasan, K. Kodama, N. Shigekawa, M. Kuzuhara
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 419 ページ: 64-68

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2015.02.100

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560370
  • [雑誌論文] A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate2013

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto, A. Mihara, Y. Zheng, N. Shigekawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JB19-08JB19

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jb19

    • NAID

      210000142613

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560370
  • [雑誌論文] Catalyst Temperature Dependence of NH3 Decomposition for InN Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      K. Sugita, D. Hironaga, A. Mihara, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JD04-08JD04

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jd04

    • NAID

      210000142639

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560370
  • [雑誌論文] Superior DC and RF Performance of AlGaN-Channel HEMT at High Temperatures2012

    • 著者名/発表者名
      M. Hatano, N. Yafune, H. Tokuda, Y. Yamamoto, S. Hashimoto, K. Akita, and M. Kuzuhara
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron.

      巻: Vol.E95-C ページ: 1332-1336

    • NAID

      10031126695

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560327
  • [雑誌論文] Superconducting Properties of InN with Low Carrier Density near the Mott Transition2012

    • 著者名/発表者名
      T.Inushima, S.Kimura, 他6名
    • 雑誌名

      Journal of the Physical Society of Japan

      巻: 81 号: 4 ページ: 44704-44704

    • DOI

      10.1143/jpsj.81.044704

    • NAID

      210000109495

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22340107, KAKENHI-PROJECT-22560304, KAKENHI-PROJECT-24560370
  • [雑誌論文] MOVPE growth of InAlN/InGaN heterostructures with an intermediate range of In content2011

    • 著者名/発表者名
      K.Sugita, M.Tanaka, K.Sasamoto, A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth Vol.318

      ページ: 505-508

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文] Platinum-catalyst- assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Sasamoto, K.Sugita, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth Vol.314

      ページ: 62-65

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文] Recent Advances in InN-based Solar Cells ; Status and Challenges in InGaN and InAlN Solar Cells2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yamamoto, Md.R.Islam, T.T.Kang, A.Hashimoto
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) Vol.7

      ページ: 1309-1316

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文] Recent Advances in InN-based Solar Cells ; Status and Challenges in InGaN and InAiN Solar Cells2010

    • 著者名/発表者名
      A.Yamamoto
    • 雑誌名

      Physics Status Solidi (c) 7

      ページ: 1309-1316

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文] High Al composition AlGaN-channel high-electron-mobility transistor on AlN substrate2010

    • 著者名/発表者名
      H. Tokuda, M. Hatano, N. Yafune, S. Hashimoto, K. Akita, Y. Yamamoto, and M. Kuzuhara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 3 ページ: 121003-121003

    • NAID

      10027618216

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560327
  • [雑誌論文] Elucidation of factors obstructing quality improvement of MOVPE-grown InN2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yamamoto
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 4636-4640

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      A. Hashimoto, H. Terasaki, A. Yamamoto, S. Tanaka
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials 18

      ページ: 388-391

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Electron Beam Irradiation Effect for Solid C_<60> Epitaxy on Graphene2009

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Hashimoto, Hiromitsu Terasaki, Akio Yamamoto, Satoru Tanaka
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials 18

      ページ: 388-391

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Raman scattering of In-rich AlxIn1-xN : Unexpected two-mode behavior of A1(LO)2009

    • 著者名/発表者名
      T.T.Kang, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B Vol.79

      ページ: 33301-33301

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      M. Horie, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Solar Energy Materials and Solar Cells 93

      ページ: 1013-1015

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Raman scattering of In-rich Al_xIn_<1-x>N : Unexpected two-mode behavior of A_1(LO)2009

    • 著者名/発表者名
      T. T. Kang, A, Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Physical revew B 79

      ページ: 33301-33301

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文] MOVPE growth and Mg doping of InxGa1-xN (x-0.4) for solar cell2009

    • 著者名/発表者名
      M.Horie, K.Sugita, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 雑誌名

      Solar Energy Materials and solar cells Vol.93

      ページ: 1013-1015

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      T.T. Kang, M. Yamamoto, M. Tanaka, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys 106

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Elucidation of factors obstructing quality improvement of MOVPE-grown InN2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yamamoto, K.Sugita, A.Hashimoto
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth Vol.311

      ページ: 4636-4640

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      T.T. Kang, M. Yamamoto, M. Tanaka, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Optics Letters 34

      ページ: 2507-2509

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Terahertz characterization of semiconductor alloy AlInN : negative imaginary conductivity and its meaning2009

    • 著者名/発表者名
      T.T.Kang, M.Yamamoto, M.Tanaka, A.Hashimoto, A.Yamamoto, R.Sudo, A.Noda, D.W.Liu, K.Yamamoto
    • 雑誌名

      OPTICSLETTER Vol.34

      ページ: 2507-2509

    • NAID

      120001493899

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys. Status Sol 6

      ページ: 389-392

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Effect of gas flow on the growth of In-rich AlInN films by metal-organic chemical vapor deposition2009

    • 著者名/発表者名
      T.T.Kang, M.Yamamoto, M.Tanaka, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. Vol.106

      ページ: 53525-53525

    • NAID

      120001631795

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文] Mg doping behavior of MOVPE InxGa1-xN (x-0.4)2009

    • 著者名/発表者名
      Md.R.Islam, K.Sugita, M.Horie, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth Vol.311

      ページ: 2817-2820

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys. Status Sol 6

      ページ: 393-396

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      T.T. Kang, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 79

      ページ: 33301-33301

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      Md. R. Islam, K. Sugita, M. Horie, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth 31

      ページ: 2817-2820

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文]2008

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto, K. Sugita, Y. Nagai, A. Hashimoto
    • 雑誌名

      Phys. Sta. Sol. 5

      ページ: 1762-1764

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Marked improvements in electrical and optical properties for MOVPE InN annealed at a low temperature (300℃) in O_2 atmosphere2008

    • 著者名/発表者名
      K. Sugita, Y. Nagai, D. Matsuoka, A. Hashimoto, H. Harima, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      physica status solidi (c) 5

      ページ: 1765-1767

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [雑誌論文]2008

    • 著者名/発表者名
      T.T. Kang, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

      ページ: 110902-110902

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Etching and optical deterioration of nitrogen-face of wurtzite InN in NH_3 ambient2008

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto
    • 雑誌名

      physica status solidi c 5

      ページ: 1762-1764

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文] Two dimensional electron gas in InN-based heterostructures : Effects of spontaneous and piezoelectric polarization2008

    • 著者名/発表者名
      Md. Tanvir, Hasan, Ashraful, G. Bhuiyan, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Solid-State Electronics 52

      ページ: 134-139

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [雑誌論文]2008

    • 著者名/発表者名
      A. Hashimoto, K. Iwao, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys. Status Sol. 5

      ページ: 1876-1878

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文]2008

    • 著者名/発表者名
      K. Sugita, Y. Nagai, D. Matsuoka, A. Hashimoto, H. Harima, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys. Status Sol 5

      ページ: 1765-1767

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Atmospheric-pressure MOVPE growth of In-rich InAlN2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Houchin, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) Vol.5

      ページ: 1571-1574

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文] Atmospheric-pressure MOVPE growth of In-rich InAlN2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      physica status solidi (c) 5

      ページ: 1571-1574

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文]2008

    • 著者名/発表者名
      K. Iwao, A. Yamamoto, A. Hashimoto
    • 雑誌名

      Phys. Status Sol. 5

      ページ: 1771-1773

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文]2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys. Status Sol 5

      ページ: 1571-1574

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] New nitridation technique for mosaicity control in RF-MBE InN growth2008

    • 著者名/発表者名
      K.Iwao, A.Yamamoto, A.Hashimoto
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) Vol.5

      ページ: 1771-1773

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [雑誌論文]2008

    • 著者名/発表者名
      A. Hashimoto, K. Iwao, S. Tanaka, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials 17

      ページ: 1622-1624

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文]2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagai, H. Niwa, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys. Status Sol. 4

      ページ: 2457-2460

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Characterization of MOVPE InN films grown on 3_c-SiC/Si(LLL) templates2007

    • 著者名/発表者名
      M. S. Cho, N. Sawazaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
    • 雑誌名

      physica status solidi (c) 4

      ページ: 2441-2444

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [雑誌論文] High-resolution X-ray diffraction analysis of InN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      W. J. Wang, K. Sugita, Y. Nagai, Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Powder Diffraction 22

      ページ: 219-222

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [雑誌論文]2007

    • 著者名/発表者名
      K. Sugita, Y. Nagai, Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys. Sta. Sol. 4

      ページ: 2461-2464

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文]2007

    • 著者名/発表者名
      M.S. Cho, N. Sawazaki, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys. Status Sol. 4

      ページ: 2441-2444

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文]2007

    • 著者名/発表者名
      A. Hashimoto, K. Matsumoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth 301/302

      ページ: 1021-1024

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文]2007

    • 著者名/発表者名
      K. Iwao, A. Yamamoto, A. Hashimoto
    • 雑誌名

      Phys. Status Sol. 4

      ページ: 2453-2456

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Electrical and optical properties of MOVPE InN doped with Mg using CP_2Mg2007

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto, Y. Nagai, H. Niwa, H. Miwa, A. Hashimoto
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 399-402

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [雑誌論文]2007

    • 著者名/発表者名
      A. Hashimoto, K. Iwao, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth 301/302

      ページ: 500-503

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文]2007

    • 著者名/発表者名
      W.J. Wang, K. Sugita, Y. Nagai, Y. Houchin, A. Hashi-moto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Powder Diffraction 22

      ページ: 219-222

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] Electrical and optical properties of MOVPE InN doped with Mg using CP_2Mg2007

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 399-402

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [雑誌論文] Phys. Status Sol.2007

    • 著者名/発表者名
      K. Sugita, Y. Nagai, Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      4

      ページ: 2461-2464

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文]2007

    • 著者名/発表者名
      W.J. Wang, Y. Nagai, Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys. Status Sol. 4

      ページ: 2415-2418

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [雑誌論文] A comparative study on MOVPE InN films grown on 3_c-SiC/Si(LLL) and sapphire2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kobayashi, M. S. Cho, N. Sawazaki, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
    • 雑誌名

      physica status solidi (a) 203

      ページ: 127-130

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [雑誌論文] The most possible donor in InN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy2006

    • 著者名/発表者名
      A.Yamamoto ほか3名
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 464

      ページ: 74-78

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [雑誌論文] MOVPE InN on a 3_c-SiC/Si(LLL) template formed by C^+-ion implantation into Si(LLL)2005

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto, T. Kobayashi, T. Yamauchi, M. Sasase, A. Hashimoto, Y. Ito
    • 雑誌名

      physica status solidi (c) 2

      ページ: 2281-2284

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [雑誌論文] MOVPE InN on a 3c-SiC/Si(111)template formed by C^+-ion implantation into Si(111)2005

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto
    • 雑誌名

      physica status solidi(c) 2

      ページ: 2281-2284

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [雑誌論文] Low temperature growth of GaN using catalyst-assisted MOVPE

    • 著者名/発表者名
      K.Sasamoto, T.Hotta, M.Tanaka, K.Sugita, A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) in press

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [産業財産権] In系III族元素窒化物の製造方法およびその装置2009

    • 発明者名
      山本あき勇, 橋本明弘
    • 権利者名
      福井大学
    • 産業財産権番号
      2009-077643
    • 出願年月日
      2009-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [産業財産権] In系III族元素窒化物の製造方法及びその装置2009

    • 発明者名
      山本あき勇、橋本明弘
    • 権利者名
      福井大学
    • 産業財産権番号
      2009-077643
    • 出願年月日
      2009-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Characterization of AlGaN/GaN HEMTs with directly regrown AlGaN barrier layer2017

    • 著者名/発表者名
      K. Kanatani, S. Yoshida, A. Yamamoto, and M. Kuzuhara
    • 学会等名
      IMFEDK2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H04347
  • [学会発表] Reduction of In incorporation by Si-doping in MOVPE-grown InxGa1-xN (x~0.3)2013

    • 著者名/発表者名
      A. Mihara, N. Shigekawa, A. Yamamoto
    • 学会等名
      10th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Washington DC (USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560370
  • [学会発表] Growth of InN by the conventional, ArF excimer laser-assisted, and Pt catalyst-assisted MOCVD methods2012

    • 著者名/発表者名
      Akio Yamamoto and Ken-ichi Sugita
    • 学会等名
      Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560370
  • [学会発表] Catalyst temperature (RT-1000ºC) dependence of NH3 decomposition for MOVPE growth of InN2012

    • 著者名/発表者名
      K. Sugita, D. Hironaga, A. Mihara, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560370
  • [学会発表] Catalyst-assisted MOVPE growth of InN and GaN2011

    • 著者名/発表者名
      A.Yamamoto, K.Sasamoto, K.Sugita, A.Hashimoto
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2011 Spring Meeting
    • 発表場所
      Nice, France(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] High-Temperature RF Characterization of AlGaN-Channel HEMTs2011

    • 著者名/発表者名
      M. Hatano, J. Yamazaki, N. Yafune, S. Hashimoto, K. Akita, Y. Yamamoto, and M. Kuzuhara
    • 学会等名
      9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2011)
    • 発表場所
      Gifu
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560327
  • [学会発表] RF-MBE法によるHOPG基板上InN成長2010

    • 著者名/発表者名
      小竹弘倫, 田畑裕行, 下辻康広, 朴木博則, 山本嵩勇, 橋本明弘
    • 学会等名
      2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学、平塚、日本
    • 年月日
      2010-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] MOVPE growth of InAlN/InGaN heterostructures with an intermediate In composition range2010

    • 著者名/発表者名
      K.Sugita, M.Tanaka, K.Sasamoto, A.G.Bhuiyan, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 学会等名
      16th International Conference on Crystal Growth
    • 発表場所
      Beijing, China
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Growth temperature dependence of Cp_2Mg supply effects on MOVPE InN growth2010

    • 著者名/発表者名
      K.Sugita, K.Sasamoto, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 学会等名
      2010 International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Tampa, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Comparative hightemperature DC characterization of HEMTs with GaN and AlGaN channel layers2010

    • 著者名/発表者名
      M. Hatano, N. Kunishio, H. Chikaoka, J. Yamazaki, Z. B. Makhzani, N. Yafune, K. Sakuno, S. Hashimoto, K. Akita, Y. Yamamoto, and M. Kuzuhara
    • 学会等名
      CS-MANTECH
    • 発表場所
      Portland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560327
  • [学会発表] ZnO基板上皿面GaN成長の低温MEEバッファ層による効果2010

    • 著者名/発表者名
      下辻康広, 朴木博則, 田畑裕行, 山本嵩勇, 橋本明弘
    • 学会等名
      2010年春季・第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学、平塚、日本
    • 年月日
      2010-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Adducts formation in MOCVD growth of InAlN : Growth pressure dependence2009

    • 著者名/発表者名
      M.Tanaka, M.Yamamoto, T.T.Kang, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 学会等名
      The 51st TMS Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      Pennsylvania, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Characterization of InN grown by Pt catalyst-assisted MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      K. Sasamoto, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Abstract book of 8th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Step-graded Interlayers for the improvement of MOVPE InxGa1-xN (x ~ 0. 4) Epi-layer Quality2009

    • 著者名/発表者名
      Md. R. Islam, Y. Ohmura, A. Hashimoto, A. Yamamoto, K. Kinoshita, Y. Koji
    • 学会等名
      Abstract book of 8th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] 招待講演:Recent Advances in InN-based Solar Cells ; Status and Challenges in InGaN and InAiN Solar Cells2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yamamoto
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2009 Fall Meeting
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 年月日
      2009-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Gas flow engineering in metalorganic chemical vapor deposition growth of In-rich AlInN2009

    • 著者名/発表者名
      M.Yamamoto
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Pt catalyst-assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InN2009

    • 著者名/発表者名
      K.Sasamoto, K.Sugita, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 学会等名
      The 51st TMS Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      Pennsylvania, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Recent Advances in InN-based Solar Cells2009

    • 著者名/発表者名
      A.Yamamoto, Md R.Islam, T.- T.Kang, A.Hashimoto
    • 学会等名
      Status and Challenges in InGaN and InAlN Solar Cells, European Materials Research Society 2009 Fall Meeting Warsaw
    • 発表場所
      Poland(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] RF-MBE Growth on Vicinal Sapphire Substrate using Migration Enhanced Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      下辻康広, 山本嵩勇, 橋本明弘
    • 学会等名
      Abstract book of 8th Int'l Conference of NitrideSemicon ductors (ICNS8), ThP-32
    • 発表場所
      ICC Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] RF-MBE Growth on Vicinal Sapphire Substrate using Migration Enhanced Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      M. Yamamoto, Ting-Ting Kang, M. Tanaka, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Abstract book of 8th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS8)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Recent advances in MOVPE growth of InN: status and difficulties2008

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto
    • 学会等名
      2008 International Symposium on the Physics of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • 年月日
      2008-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Direct Measurements of Van der Waals Force in HOPG H. Terasaki2008

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto, T. Honda, A. Hashi-moto
    • 学会等名
      Program Book of 2nd Conference on New Diamond & Nano Carbons 2008 (NDNC2008)
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Elucidation of obstructing factors in improving MOVPE-grown InN quality2008

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto, K. Sugita, A. Hashimoto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
    • 発表場所
      Montreux, Suitzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Elucidation of obstracting factors in improving MOVPE-grown InN quality2008

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Electron Beam Irradiation Effect for Solid C60 Epitaxy on Graphene2008

    • 著者名/発表者名
      A. Hashimoto, H. Terasaki, A. Yamamoto, S. Tanaka
    • 学会等名
      Program Book of 2nd Conference on New Diamond & Nano Carbons 2008 (NDNC2008)
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Λ study on near-field photoluminescence inhomogeneity in In-rich InAlN2008

    • 著者名/発表者名
      T. T. Kang, Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 発表場所
      Montreux Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] A Study of Mg-doping Behaviour of RF-MBE InN using Homo-junction Structure2008

    • 著者名/発表者名
      A. Hashi- moto, K. Iwao H. Honoki, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Abstract Book of 15th Int'l Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008)
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] RF-MBE Growth of In-rich InGaN for Tandem Solar Cell2008

    • 著者名/発表者名
      A. Hashimoto, K. Iwao H. Hohnoki, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Abstract Book of 15th Int'l Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008)
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Recent advances in MOVPE growth of InN : status and difficulties2008

    • 著者名/発表者名
      A.Yamamoto
    • 学会等名
      2008 International Symposium on the Physics of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Status and substrate-related issues for MOVPE InN2007

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2007 Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2007-05-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] RF-MBE Growth of In-rich InGaN for Tandem Solar Cell2007

    • 著者名/発表者名
      A. Hashimoto, K. Iwao, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Extended Abstract of 17th Int'l Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] A Trade-off Relation between Tilt and Twist Angle Fluctuations in InN Grown by RF-MBE2007

    • 著者名/発表者名
      A. Hashimoto, A. Yamamoto, K. Iwao
    • 学会等名
      Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Low-temperature annealing effects of MOVPE InN : Improvement of photoluminescence properties (in Japanese)2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagai, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      The 54th Spring Meeting of the Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2007-03-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] MOVPE GROWTH OF In-RICH InAlN FOR InAlN TANDEM SOLAR CELL2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      17th Internatoinal Photovoltaic Science and Engineering Conference
    • 年月日
      2007-12-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] Van der Waals Epitaxy of Solid Fullerene on Graphene Sheet2007

    • 著者名/発表者名
      A. Hashimoto, K. Iwao, S. Tanaka, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Abstract book of The 18th Europian Diamond and Related Mterials
    • 発表場所
      Berlin
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure MOVPE Growth of In-Rich InAlN2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Mosaicity Control of In-rich InGaN in RF-MBE Growth by Template Technique2007

    • 著者名/発表者名
      K. Iwao, Y. Yamada, A. Yamamoto, A. Hashimoto
    • 学会等名
      Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] MOVPE growth of In-rich InAlN for InAlN tandem solar cell2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Houchin, A.Hashimoto, A.Yamamoto
    • 学会等名
      17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] MOVPE Growth and Mg-doping of InxGa1-xN (x~0. 4) for Tandem Solar Cell2007

    • 著者名/発表者名
      M. Horie, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Extended Abstract of 17th Int'l Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Marked Improvements in Electrical and Optical Properties for MOVPE InN Annealed at a Low Temperature (~300 C) in O2 Atmosphere2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagai, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Status and substrate-related issues for MOVPE InN2007

    • 著者名/発表者名
      A.Yamamoto, K.Sugita, A.Hashimoto
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2007 Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, France(招待講演)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069005
  • [学会発表] The Importanve of Reducing Strain for the Improvement of Crystalline Quality of MOVPE InN2007

    • 著者名/発表者名
      K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Etching and Optical Deterioration of Nitrogen-Fa Face of Wultzite InN in NH3 Ambient2007

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto, K. Sugita, Y. Nagai, A. Hashimoto
    • 学会等名
      Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] New Nitridation Technique for Mosaicity Control in RF-MBE InN Growth2007

    • 著者名/発表者名
      K. Iwao, A. Yamamoto, A. Hashimoto
    • 学会等名
      Abstract book of 7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS7)
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] A New Formation Method of Large Area Graphene on SiO2/Si Substrate2007

    • 著者名/発表者名
      A. Hashimoto, K. Iwao, S. Tanaka, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Abstract book of The 18th Europian Diamond and Related Mterials
    • 発表場所
      Berlin
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] MOVPE Growth of In-rich InAlN for InAlN Tandem Solar Cell2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Houchin, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Extended Abstract of 17th Int'l Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360141
  • [学会発表] Mg-doping of MOVPE InN using CP_2Mg (LL) (in Japanese)2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagai, K. Niwa, H. Miwa, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      The 53th Spring Meeting of the Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2006-03-22
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] Mg-doping of MOVPE InN using CP_2Mg (L)"(in Japanese)2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagai, K. Niwa, H. Miwa, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      The 53th Spring Meeting of the Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2006-03-22
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] Adduct Formation of CP_2Mg with NH_3 in MOVPE Growth of Mg-doped InN2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagai, H. Miwa, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2006-10-22
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] Crystalline quality of MOVPE InN grown on 3_c-SiC/Si(LLL) substrates(in Japanese)2006

    • 著者名/発表者名
      M.S. Cho, N. Sawazaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
    • 学会等名
      The 67th Fall Meeting of the Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Kusatsu, Japan
    • 年月日
      2006-08-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] Electrical and optical properties of MOVPE InN doped with Mg using CP_2Mg2006

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto
    • 学会等名
      13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Miyazaki, Japan
    • 年月日
      2006-05-26
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] Characterization of MOVPE InN films grown on 3_c-SiC/Si(LLL) templates2006

    • 著者名/発表者名
      M. S. Cho, N. Sawazaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2006-10-22
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] Metalorganic vapor phase epitaxial (MOVPE) growth of InN2005

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto, H. Miwa, A. Hashimoto
    • 学会等名
      INTERNATIONAL CONFERENCE ON METALLURGICAL COATINGS AND THIN FILMS 2005
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 年月日
      2005-05-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] MOVPE growth of high quality InN on 3_c-SiC/Si(LLL) substrates(in Japanese)2005

    • 著者名/発表者名
      M.S. Cho, N. Sawazaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
    • 学会等名
      Technical Reports of the Institute of Electronics, Information and CommunicationEngineers
    • 発表場所
      Fukui, Japan
    • 年月日
      2005-11-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] "Mg-doping effects of MOVPE InN using CP_2Mg" (in Japanese)2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Nagai, K. Niwa, H. Miwa, A. Hashimoto, A. Yamamoto
    • 学会等名
      Technical Reports of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
    • 発表場所
      Fukui, Japan
    • 年月日
      2005-11-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] "MOVPE growth of high quality InN on Si(LLL) substrates" (in Japanese)2005

    • 著者名/発表者名
      M.S. Cho, N. Sawazaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y, Ito
    • 学会等名
      The 67th Fall Meeting of the Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Tokushima, Japan
    • 年月日
      2005-09-09
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] Metalorganic vapor phase epitaxial(MOVPE)growth of InN2005

    • 著者名/発表者名
      A. Yamamoto
    • 学会等名
      INTERNATIONAL CONFERENCE ON METALLURGICAL COATINGS AND THIN FILMS 2005
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 年月日
      2005-05-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] A comparative study on MOVPE InN films grow on 3c-SiC/Si(LLL) and sapphire substrates2005

    • 著者名/発表者名
      T. Kobayashi, M. S. Cho, N. Sawazaki, A. Hashimoto, A. Yamamoto, Y. Ito
    • 学会等名
      European Materials Research Society 2005 FALL MEETING
    • 発表場所
      Warsaw, Poland
    • 年月日
      2005-09-05
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560278
  • [学会発表] アンモニア分解触媒援用MOVPE法によるInNの低温成長

    • 著者名/発表者名
      山本あき勇,児玉和樹,野村裕之,葛原正明
    • 学会等名
      第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
    • 発表場所
      仙台市
    • 年月日
      2015-05-07 – 2015-05-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560370
  • 1.  橋本 明弘 (10251985)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 86件
  • 2.  葛原 正明 (20377469)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 6件
  • 3.  福井 一俊 (80156752)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  塩島 謙次 (70432151)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  大久保 貢 (80260561)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  山口 真史 (50268033)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  大高 眞人 (60108248)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  只友 一行 (10379927)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  ASUBAR JOEL (10574220)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  BARNHAM Keit
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  高岡 英俊
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  KEITH Barnha
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  木村 真一
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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