広瀬信光 HIROSE Nobumitsu

研究者番号	90212175
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人情報通信研究機構, ネットワーク研究所, 嘱託
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2021年度: 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所企画室, エキスパート
審査区分/研究分野	研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者以外量子効果デバイス / 半導体 / RTD / ラマン分光法 / 結晶成長 / ヘテロ接合 / スパッタエピタキシー / Sn析出 / Sn拡散 / スパッタエピタキシー法 … もっと見る / GeSn / GeSiSn / 電子デバイス・機器 / 共鳴トンネルダイオード / 量子エレクトロニクス / 電子デバイイス・機器隠す

GeSiSn/GeSn量子井戸を用いた高周波発振素子の開発
- 研究代表者
  
  塚本貴広
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  電気通信大学
スパッタ法による高Ｇｅ組成の完全圧縮歪ＳｉＧｅを用いた高性能Ｓｉ／ＳｉＧｅＲＴＤ
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京農工大学

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Hole-tunneling S♪i_<0.82>♪G♪e_<0.18>♪/Si triple-barrier resonant tunneling diodes with high peak current of 297 kA/c♪m^2♪ fabricated by sputter epitaxy2024
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Nobumitsu Hirose, Takahiro Tsukamoto, Minoru Wakiya, Ayaka Shinkawa, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 124 号: 9
- DOI
  10.1063/5.0180934
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[雑誌論文] Evaluation of crystallinity of lattice-matched Ge/GeSiSn heterostructure by Raman spectroscopy2021
- 著者名/発表者名
  Tsukamoto Takahiro、Hirose Nobumitsu、Kasamatsu Akifumi、Matsui Toshiaki、Suda Yoshiyuki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 726 ページ: 138646-138646
- DOI
  10.1016/j.tsf.2021.138646
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[雑誌論文] Direct Growth of Patterned Ge on Insulators Using Graphene2021
- 著者名/発表者名
  Tsukamoto Takahiro、Hirose Nobumitsu、Kasamatsu Akifumi、Matsui Toshiaki、Suda Yoshiyuki
- 雑誌名
  
  The Journal of Physical Chemistry C
  
  巻: 125 号: 25 ページ: 14117-14121
- DOI
  10.1021/acs.jpcc.1c03567
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[雑誌論文] Effects of Low-Temperature GeSn Buffer Layers on Sn Surface Segregation During GeSn Epitaxial Growth2020
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Electronic Materials Letters
  
  巻: 16 号: 1 ページ: 9-13
- DOI
  10.1007/s13391-019-00179-y
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245, KAKENHI-PROJECT-19K04487
[雑誌論文] Increase in Current Density at Metal/GeO2/n-Ge Structure by Using Laminated Electrode2020
- 著者名/発表者名
  Tsukamoto Takahiro、Kurihara Shota、Hirose Nobumitsu、Kasamatsu Akifumi、Matsui Toshiaki、Suda Yoshiyuki
- 雑誌名
  
  Electronic Materials Letters
  
  巻: 16 号: 1 ページ: 41-46
- DOI
  10.1007/s13391-019-00185-0
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[産業財産権] Manufacturing Method for Semiconductor Laminated Film, and Semiconductor Laminated Film2022
- 発明者名
  須田良幸、塚本貴広、本橋叡、出蔵恭平、大久保克己、八木拓馬、笠松章史、広瀬信光、松井敏明
- 権利者名
  東京農工大学、情報通信研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 取得年月日
  2022
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] スパッタエピタキシー法により作製したGe/GeSnヘテロ構造におけるSn拡散2022
- 著者名/発表者名
  塚本貴広, 池野憲人, 広瀬信光, 笠松章史, 松井敏明, 須田良幸
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] グラフェンを用いた絶縁膜上におけるGe選択形成技術2021
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] Direct growth of patterned Ge on insulators using graphene2021
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  ISSS-9
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] スパッタエピキシー法を用いた Ge/GeSiSnヘテロ構造形成2020
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたGe/GeSiSnヘテロ構造形成2020
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] Lattice-matched GeSiSn/Ge double-barrier resonant tunneling diodes2019
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Minoru Wakiya, Kazuaki Haneda, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  E-MRS Conference Fall meeting 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] Lattice-matched GeSiSn/Ge double-barrier resonant tunneling diodes2019
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Shota Kurihara, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  The 17th E-MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] スパッタエピタキシー法を&用いたSiGe HEMTの製造技術と特性制御2019
- 著者名/発表者名
  青柳耀介、本橋叡、出蔵恭平、大久保克己、広瀬信光、笠松章史、松井敏明、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いた完全圧縮歪SiGe薄膜形成技術2019
- 著者名/発表者名
  野崎翔太、青柳耀介、広瀬信光、笠松章史、松井敏明、須田良幸
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] Epitaxial growth of GeSn and GeSiSn by sputter epitaxy method2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  Energy Materials Nanotechnology Meeting on Epitaxy
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] Formation of Lattice-Matched GeSiSn/Ge Quantum Well Structure by Sputter Epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Kazuaki Haneda, Hiroto Iwamori, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  2017 Material Research Society Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] Effects of low-temperature GeSn buffer layer on Sn surface segregation during GeSn epitaxial growth2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  10th. International Conference On Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245

1. 須田良幸 (10226582)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 17件
2. 塚本貴広 (50640942)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 16件

広瀬 信光 HIROSE Nobumitsu

研究課題

研究成果

共同研究者

GeSiSn/GeSn量子井戸を用いた高周波発振素子の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

スパッタ法による高Ｇｅ組成の完全圧縮歪ＳｉＧｅを用いた高性能Ｓｉ／ＳｉＧｅＲＴＤ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Hole-tunneling S♪i_<0.82>♪G♪e_<0.18>♪/Si triple-barrier resonant tunneling diodes with high peak current of 297 kA/c♪m^2♪ fabricated by sputter epitaxy2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Evaluation of crystallinity of lattice-matched Ge/GeSiSn heterostructure by Raman spectroscopy2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Direct Growth of Patterned Ge on Insulators Using Graphene2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effects of Low-Temperature GeSn Buffer Layers on Sn Surface Segregation During GeSn Epitaxial Growth2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Increase in Current Density at Metal/GeO2/n-Ge Structure by Using Laminated Electrode2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[産業財産権] Manufacturing Method for Semiconductor Laminated Film, and Semiconductor Laminated Film2022

発明者名

権利者名

産業財産権種類

取得年月日

データソース

[学会発表] スパッタエピタキシー法により作製したGe/GeSnヘテロ構造におけるSn拡散2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] グラフェンを用いた絶縁膜上におけるGe選択形成技術2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Direct growth of patterned Ge on insulators using graphene2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] スパッタエピキシー法を用いた Ge/GeSiSnヘテロ構造形成2020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたGe/GeSiSnヘテロ構造形成2020

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Lattice-matched GeSiSn/Ge double-barrier resonant tunneling diodes2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Lattice-matched GeSiSn/Ge double-barrier resonant tunneling diodes2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] スパッタエピタキシー法を&用いたSiGe HEMTの製造技術と特性制御2019

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いた完全圧縮歪SiGe薄膜形成技術2019

広瀬信光 HIROSE Nobumitsu