安田哲二 Yasuda Tetsuji

研究者番号	90220152
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 部長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2019年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 部長 2017年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究部門長 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究部門長 2013年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 副研究部門長 2012年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員(部門付) … もっと見る 2012年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員(部門付き) 2011年度: 産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員(部門付) 2011年度: 産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス部門, 研究員(部門付) 2009年度 – 2010年度: 産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長 2008年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究グループ長 2008年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長 2007年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス研究部門, 研究グループ長隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外電子・電気材料工学 / 薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者電子・電気材料 / 表面・界面物性 / 量子コンピュータ / スピンカプラ- / 量子コンピューター / 等電子トラップ / シリコン / トンネルFET / スピンカプラー / 量子ビット … もっと見る / エピタキシャル / マイクロ・ナノデバイス / 半導体物性 / Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体 / エピタキシャル成長 / MOSFET / Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / 半導体超微細化 / 光物性 / 電気材料 / 電子 / 界面物性 / 表面 … もっと見る研究代表者以外ハフニウム窒化物 / 窒化膜ゲートスタック / 窒化ハフニウム / スパッタリング / 窒化膜 / 高移動度チャネル材料 / 非酸化物 / 窒化物 / ゲートスタック / ゲルマニウム / 高移動度チャネル / 超分子化学 / マイクロ・ナノデバイス / 超薄膜 / 光物性 / 表面・界面物性隠す

シリコン量子ビット集積化に向けたスピン結合基本技術の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  安田哲二
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御研究代表者
- 研究代表者
  
  安田哲二
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所
次世代高移動度チャネル材料向け全窒化膜ゲートスタック技術の研究
- 研究代表者
  
  前田辰郎
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所
In-situリアルタイム分光法による有機極薄膜の電荷移動計測と制御
- 研究代表者
  
  田中正俊
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  横浜国立大学
真空紫外RDS測定装置の開発と新チャネル材料上に形成した絶縁膜界面の秩序状態評価研究代表者
- 研究代表者
  
  安田哲二
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2018 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal–oxide–semiconductor structures2015
- 著者名/発表者名
  Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, and Tatsuro Maeda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 2 ページ: 021201-021201
- DOI
  10.7567/jjap.54.021201
- NAID
  210000144768
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] 金属性HfN/絶縁性HfNxによる全窒化膜Geゲートスタックの研究2014
- 著者名/発表者名
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- 雑誌名
  
  第19回ゲートスタック研究会（主催　応用物理学会薄膜・表面物理分科会，シリコンテクノロジー分科会）
  
  巻: 19 ページ: 163-166
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[雑誌論文] Heteroepitaxy of GaSb on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors2014
- 著者名/発表者名
  A. Ohtake, T. Mano, N. Miyata, T. Mori, and T. Yasuda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 3
- DOI
  10.1063/1.4862542
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] Electrical characteristics and thermal stability of HfO2 metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on clean reconstructed GaSb surfaces2014
- 著者名/発表者名
  Noriyuki Miyata, Akihiro Ohtake, Masakazu Ichikawa, Takahiro Mori, and Tetsuji Yasuda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 23
- DOI
  10.1063/1.4882643
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] 窒素組成制御による　金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究2013
- 著者名/発表者名
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- 雑誌名
  
  第18回ゲートスタック研究会
  
  巻: 18 ページ: 159-162
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[雑誌論文] 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響2013
- 著者名/発表者名
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 113 ページ: 37-42
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] Vacuum-ultraviolet reflectance difference spectroscopy for characterizing dielectrics-semiconductor interfaces2011
- 著者名/発表者名
  S. Ogata, S. Ohno, M. Tanaka, T. Mori, T. Horikawa and T. Yasuda
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 519 ページ: 2830-2833
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[雑誌論文] SiO^2/Si interfaces on high-index surfaces : Re-evaluation of trap densities and characterization of bonding structures2011
- 著者名/発表者名
  S.Ogata, S.Ohno, M.Tanaka, T.Mori, T.Horikawa, T.Yasuda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[雑誌論文] Reflectance Difference Spectroscopy in Vacuum-Ultraviolet Range : Developing Measurement System and Applying to Characterization of SiO_2/Si Interfaces2010
- 著者名/発表者名
  S.Ogata, S.Ohno, M.Tanaka, T.Horikawa, T.Yasuda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[産業財産権] 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/S1（111）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス2013
- 発明者名
  宮田典幸, 安田哲二, 大竹晃浩, 真野高明
- 権利者名
  産業技術総合研究所, 国立研究開発法人物質・材料研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-195290
- 出願年月日
  2013-09-20
- 取得年月日
  2017-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[産業財産権] 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外検出デバイス2013
- 発明者名
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、安田哲二
- 権利者名
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、安田哲二
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-195290
- 出願年月日
  2013-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] シリコントンネルトランジスタのスピン量子ビット応用2018
- 著者名/発表者名
  森貴洋、森山悟士、松川貴、安田哲二、大野圭司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H01276
[学会発表] Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討2014
- 著者名/発表者名
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates2013
- 著者名/発表者名
  Takahiro Goto, Sachie Fujikawa, Hiroki Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, Tatsuro Maeda
- 学会等名
  44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, VA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Electrical Characteristics and Thermal Stability of HfO2/GaSb MOS Interfaces Formed on Clean GaSb(100)-c(2×6) Surfaces2013
- 著者名/発表者名
  N. Miyata, A. Ohtake, M. Ichikawa, T. Yasuda
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証2013
- 著者名/発表者名
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響2013
- 著者名/発表者名
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- 学会等名
  電子情報通信学会 ED研
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Si高指数面熱酸化過程における温度依存性の解析2012
- 著者名/発表者名
  安部壮祐, 大野真也, 兼村瑠威, 吉越章隆, 寺岡有殿, 尾形祥一, 安田哲二, 田中正俊
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学,東京
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[学会発表] 超音速分子線を用いたSi初期酸化促進反応における面方位依存性の解析2012
- 著者名/発表者名
  大野真也, 井上慧, 百瀬辰哉, 兼村瑠威, 吉越章隆, 寺岡有殿, 尾形祥一, 安田哲二, 田中正俊
- 学会等名
  第25回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム
- 発表場所
  鳥栖市民文化会館・中央公民館,佐賀
- 年月日
  2012-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[学会発表] 超音速分子線を用いたSi高指数面初期酸化過程の解析II2012
- 著者名/発表者名
  大野真也, 兼村瑠威, 安部壮祐, 井上慧, 百瀬辰哉, 吉越章隆, 寺岡有殿, 尾形祥一, 安田哲二, 田中正俊
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学,東京
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[学会発表] 超音速分子線を用いたSi高指数面初期酸化過程の解析2011
- 著者名/発表者名
  大野真也, 井上慧, 百瀬辰哉, 兼村瑠威, 吉越章隆, 寺岡有殿, 尾形祥一, 安田哲二, 田中正俊
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[学会発表] Si高指数面上に形成した酸化膜における界面準位密度の再検討2010
- 著者名/発表者名
  尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 森貴洋, 堀川剛, 安田哲二
- 学会等名
  ゲートスタック研究会 (第15回研究会)
- 発表場所
  東レ総合研修センター
- 年月日
  2010-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[学会発表] Vacuum-Ultraviolet Reflectance Difference Spectroscopy for Characterizing Dielectrics-Semiconductor Interfaces2010
- 著者名/発表者名
  S.Ogata, S.Ohno, M.Tanaka, T.Mori, T.Horikawa, T.Yasuda
- 学会等名
  5th Int.Conf.Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)
- 発表場所
  アルバニー(アメリカ)
- 年月日
  2010-05-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[学会発表] Si高指数面上に形成した酸化膜界面構造の真空紫外RDS 評価2009
- 著者名/発表者名
  尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 安田哲二
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-第14回研究会
- 発表場所
  東レ総合研修センター
- 年月日
  2009-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360025
[学会発表] Si高指数面上に形成したSiO2界面の真空紫外RDS評価 : ウエット酸化とドライ酸化の比較2009
- 著者名/発表者名
  尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 堀川剛, 安田哲二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360020
[学会発表] 真空紫外RDSによるSi高指数面上の酸化膜界面構造の評価2008
- 著者名/発表者名
  尾形祥一, 大野真也, 田中正俊, 安田哲二
- 学会等名
  69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360025
[学会発表] 窒素プラズマ処理を施したAl2O3/GaSb MOS構造の特性評価
- 著者名/発表者名
  後藤高寛、藤川紗千恵、藤代博記、小倉睦郎、安田哲二、前田辰郎
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] GaSb表面の純窒化プロセスの検討
- 著者名/発表者名
  後藤高寛、藤川紗千恵、藤代博記、小倉睦郎、安田哲二、前田辰郎
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学　湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] 金属性HfN/絶縁性HfNxによる全窒化膜Geゲートスタックの研究
- 著者名/発表者名
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- 学会等名
  第19回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原（静岡県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[学会発表] 窒素組成制御による　金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究
- 著者名/発表者名
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- 学会等名
  第18回ゲートスタック研究会（主催　応用物理学会薄膜・表面物理分科会，シリコンテクノロジー分科会）
- 発表場所
  ニューウェルシティー湯河原（静岡県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[学会発表] Metal and Insulator HfNx films for Ge MIS structure by controlling nitrogen composition
- 著者名/発表者名
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- 学会等名
  European Materials Research Society, 2013 Spring Meeting
- 発表場所
  Congress Center - Strasbourg, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[学会発表] 窒素組成制御によるGe向け金属性HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
- 著者名/発表者名
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[学会発表] Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製
- 著者名/発表者名
  大竹晃浩、間野高明、宮田典幸、森貴洋、安田哲二
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] 窒素組成制御による高移動度チャネル材料向け金属HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究
- 著者名/発表者名
  三浦　脩, 田中　正俊, 安田　哲二, 前田　辰郎
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学（愛媛県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560390
[学会発表] Si(100)上のGaSbナノコンタクトへテロエピ成長とHfO2/GaSb MOS特性
- 著者名/発表者名
  宮田典幸、大竹晃浩、市川昌和、森貴洋、安田哲二
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058

1. 田中正俊 (90130400)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 19件
2. 大野真也 (00377095)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 12件
3. 前田辰郎 (40357984)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 15件
4. 藤原裕之 (40344444)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 大野かおる (40185343)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
6. 横山崇 (80343862)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 鈴木隆則 (60124369)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 宮田典幸 (40358130)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
9. 大竹晃浩 (30267398)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
10. 奈良純 (30354145)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 藤代博記 (60339132)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
12. 市川昌和 (20343147)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
13. 大野圭司 (00302802)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
14. 森山悟士 (00415324)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
15. 伊藤公平 (30276414)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 森貴洋 (70443041)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件

安田 哲二 Yasuda Tetsuji

研究課題

研究成果

共同研究者

シリコン量子ビット集積化に向けたスピン結合基本技術の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

次世代高移動度チャネル材料向け全窒化膜ゲートスタック技術の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

In-situリアルタイム分光法による有機極薄膜の電荷移動計測と制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

真空紫外RDS測定装置の開発と新チャネル材料上に形成した絶縁膜界面の秩序状態評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal–oxide–semiconductor structures2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] 金属性HfN/絶縁性HfNxによる全窒化膜Geゲートスタックの研究2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Heteroepitaxy of GaSb on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical characteristics and thermal stability of HfO2 metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on clean reconstructed GaSb surfaces2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 窒素組成制御による 金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Vacuum-ultraviolet reflectance difference spectroscopy for characterizing dielectrics-semiconductor interfaces2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] SiO^2/Si interfaces on high-index surfaces : Re-evaluation of trap densities and characterization of bonding structures2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Reflectance Difference Spectroscopy in Vacuum-Ultraviolet Range : Developing Measurement System and Applying to Characterization of SiO_2/Si Interfaces2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[産業財産権] 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/S1（111）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス2013

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

安田哲二 Yasuda Tetsuji

[雑誌論文] 窒素組成制御による　金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge MIS構造の研究2013