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下村 和彦  Shimomura Kazuhiko

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90222041
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 上智大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2015年度 – 2023年度: 上智大学, 理工学部, 教授
2008年度 – 2013年度: 上智大学, 理工学部, 教授
2002年度 – 2006年度: 上智大学, 理工学部, 教授
2001年度: 上智大学, 理工学部, 助教授
2000年度: 上智大, 理工学部, 助教授
1997年度 – 1998年度: 上智大学, 理工学部, 助教授
1995年度: 上智大学, 理工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 理工系
研究代表者以外
電子デバイス・電子機器
キーワード
研究代表者
有機金属気相成長 / 量子ドット / InP / 選択成長 / 光スイッチ / 集積化技術 / 半導体レーザ / シリコンフォトニクス / MOVPE / 自己組織化 … もっと見る / InP基板 / アレイ導波路 / 量子井戸構造 / InAs / Selective Area Growth / InAs Quantum Dots / Low Dimensional Quantum Well / 低次元量子井戸構造 / 光デバイス / 有機金属気相成長法 / 屈折率変化 / 光偏向器 / 集積化 / 集積技術 / 直接貼付 / シリコン / 変調器 / Refractive Index Change / InP Substrate / Self-Organized / Wavelength Switching / 光クロスコネクト / 波長スイッチング / InAs量子ドット / Mach-Zehnder / All optical switch / Stranski-Krastanow / Self-assembled / InP substrate / Quantum dots / 二モード干渉型 / マッハツェンダー干渉型 / 全光スイッチ / Stranski-Krastanow成長 / Nonlinear Optical Effect / Self-Assembled / Wavelength Converter / 半導体光増幅器 / 並列導波路 / 非線形効果 / Stranski-Kranstanowモード / 波長変換 / 非線形光学効果 / InAsドット / 波長変換器 / 広帯域光通信 / 光増幅器 / 波長スイッチ / 光回路 / 多モード干渉導波路 / 波長分割 / 量子井戸 / 波長多重通信 / 波長分波器 / 多重量子井戸構造 / GaInAs / 四光波混合 / 半導体増幅器 / 有限差分法 / FFT / ビーム伝搬法 / 並列処理 / 半導体 … もっと見る
研究代表者以外
国際研究者交流(ドイツ) / 国際情報交換(ドイツ) / ドイツ / 国際情報交換 / 電子デバイス・機器 / 化合物半導体 / ナノワイヤ / 半導体超微細化 / 集積回路 / 先端機能デバイス 隠す
  • 研究課題

    (13件)
  • 研究成果

    (336件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  ハイブリッドシリコン集積回路による光通信用送信サブシステム構築に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      上智大学
  •  シリコンプラットフォーム上ハイブリッド集積技術構築と接合基板上結晶成長機構の解明研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      上智大学
  •  シリコンフォトニクス回路へのIII-V族量子ドットレーザ集積化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      上智大学
  •  量子ドットアレイ導波路を用いた広帯域光デバイス開発に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      上智大学
  •  InAsナノワイヤを用いた超高速アナログ/デジタル集積回路

    • 研究代表者
      和保 孝夫
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      上智大学
  •  光増幅再生機能を有する波長制御型光分岐挿入多重ノードに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      上智大学
  •  量子ドット構造を用いた新機能光クロスコネクトに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      上智大学
  •  量子ドット構造を用いた全光スイッチに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      上智大学
  •  半導体光偏向器の波長分割光スイッチへの応用に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      上智大学
  •  低次元量子井戸構造を用いた広帯域全光一括波長変換器に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      上智大学
  •  低次元量子井戸構造を用いた超並列光導波路の作製と全光交換器への応用に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      2000
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      上智大学
  •  自己組織化低次元量子井戸構造の作製と波長変換素子への応用に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      上智大学
  •  半導体面型光偏向素子に関する基礎研究研究代表者

    • 研究代表者
      下村 和彦
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      上智大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書

  • [図書] 次世代高速通信に対応する光回路実装、デバイスの開発2022

    • 著者名/発表者名
      下村 和彦、並木 周、小田 拓弥、村上 雅之、辻川 恭三、佐藤 昭、乗木 暁博、村田 博司、冨木 政宏、那須 秀行、牧 英之、梶 貴博、庄司 雄哉、岡田 修司、松本 怜典、平山 智之、神野 正彦、鈴木 浩文、磯野 秀樹、平尾 朋三 他
    • 総ページ数
      628
    • 出版者
      技術情報協会
    • ISBN
      9784861049019
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [図書] 量子ドット材料の技術と応用展開2017

    • 著者名/発表者名
      長谷川雅樹, 村瀬至生, 福田武司, 中村彰一, 伊藤義文, 小俣孝久, 磯由樹, 磯部徹彦, 森良平, 杉本泰, 藤井稔, 立間徹, 北原洋明, 齋藤健一, 大庭英樹, 下村和彦, 岡田至崇
    • 総ページ数
      210
    • 出版者
      株式会社 情報機構
    • ISBN
      9784865021349
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [図書] 「量子ドットエレクトロニクスの最前線」第2章第5節分担2011

    • 著者名/発表者名
      下村和彦
    • 出版者
      株式会社エヌ・ティー・エス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [図書] 量子ドットエレクトロニクスの最前線(第2章第5節)2011

    • 著者名/発表者名
      下村和彦
    • 出版者
      株式会社エヌ・ティー・エス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [雑誌論文] Gain coefficient comparison between Silicon and InP laser diode substrate2024

    • 著者名/発表者名
      G.K. Periyanayagam and K. Shimomura
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 2300677 号: 9

    • DOI

      10.1002/pssa.202300677

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [雑誌論文] Numerical analysis and lasing characteristics of GaInAsP double heterostructure lasers on InP/Si substrate2022

    • 著者名/発表者名
      G.K. Perlyanayagam and K. Shimomura
    • 雑誌名

      J. Electronic Materials

      巻: 51 号: 9 ページ: 5110-5119

    • DOI

      10.1007/s11664-022-09737-x

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [雑誌論文] Characteristics of multi-quantum-well laser diodes with surface electrode structure directly bonded to InP template on SiO2/Si substrate2021

    • 著者名/発表者名
      X. Han, K. Tsushima, T. Shirai, T. Ishizaki, and K. Shimomura
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 218 号: 10 ページ: 20007671-6

    • DOI

      10.1002/pssa.202000767

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503, KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [雑誌論文] MOVPE grown GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW laser diode on directly- bonded InP/Si substrate2019

    • 著者名/発表者名
      H. Sugiyama, K. Uchida, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, M.Aikawa, N. Hayasaka, K. Shimomura
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: 507 ページ: 93-97

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.10.024

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [雑誌論文] Lasing characteristics of 1.2 μm GaInAsP LD on InP/Si substrate2018

    • 著者名/発表者名
      P. Gandhi Kallarasan, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, and K. Shimomura
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 215 号: 8

    • DOI

      10.1002/pssa.201700357

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [雑誌論文] Bonding temperature dependence of GaInAsP/InP laser diode grown on hydrophilically directly bonded InP/Si substrate2018

    • 著者名/発表者名
      M. Aikawa, Y. Onuki, N. Hayasaka, T. Nishiyama, N. Kamada, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, K. Uchida, H. Sugiyama and K. Shimomura
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57 号: 2S1 ページ: 02BB04-02BB04

    • DOI

      10.7567/jjap.57.02bb04

    • NAID

      210000148623

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [雑誌論文] 化合物半導体と異種材料との接合技術2016

    • 著者名/発表者名
      下村和彦
    • 雑誌名

      O plus E

      巻: 38 ページ: 139-147

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [雑誌論文] Novel integration method for III-V semiconductor devices on silicon platform2016

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki, and K. Shimomura
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 11 ページ: 1122011-7

    • DOI

      10.7567/jjap.55.112201

    • NAID

      210000147227

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [雑誌論文] Emission wavelength control of self-catalytic InP/GaInAs/InP core-multishell nanowire on InP substrate grown by MOVPE2016

    • 著者名/発表者名
      T. Ogino, K. Asakura, K. Takano, T. Waho, and K. Shimomura
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 55 号: 3 ページ: 031201-031201

    • DOI

      10.7567/jjap.55.031201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [雑誌論文] Room-temperature operation of GaInAsP lasers epitaxially grown on wafer-bonded InP/Si substrate2016

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, T. Kanke, Y. Onuki, and K. Shimomura
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 9 号: 6 ページ: 0627011-3

    • DOI

      10.7567/apex.9.062701

    • NAID

      210000137931

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [雑誌論文] Au-assisted growth of InAs nanowires on GaAs(111)B, GaAs(100), InP(111)B, InP(100) by MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      S. Murakami , H. Funayama , K. Shimomura and T. Waho
    • 雑誌名

      Phys. Staus Solidi C

      巻: 10 号: 5 ページ: 761-764

    • DOI

      10.1002/pssc.201200593

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Current injected spectrum change in flat-topped InAs/InP QDs arrayed waveguide LED with different QD heights2013

    • 著者名/発表者名
      S. Yoshikawa, M. Yamauchi, Y. Yamamoto, K. Shimomura
    • 雑誌名

      Phys. Staus Solidi C

      巻: vol.10, no.11 ページ: 1438-1441

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Growth of GaInAs/InP MQW using MOVPE on directly-bonded InP/Si substrate2013

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, T. Makino, K. Kimura, K. Shimomura
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: 370 ページ: 133-135

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Selective MOVPE growth of GaInAs/InP MQW on directly-bonded InP/Si substrate2013

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, X. Zhang, Y. Kanaya, and K. Shimomura
    • 雑誌名

      Phys. Staus Solidi C

      巻: 10 号: 11 ページ: 1357-1360

    • DOI

      10.1002/pssc.201300227

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Growth of GaInAs/InP MQW using MOVPE on directly-bonded InP/Si substrate2013

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, T. Makino, K. Kimura, and K. Shimomura
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: 10 ページ: 133-135

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.09.063

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Current injected spectrum change in flat-topped InAs/InP QDs arrayed waveguide LED with different QD heights2013

    • 著者名/発表者名
      S. Yoshikawa, M. Yamauchi, Y. Yamamoto, and K. Shimomura
    • 雑誌名

      Phys. Staus Solidi C

      巻: 10 号: 11 ページ: 1438-1441

    • DOI

      10.1002/pssc.201300226

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Extremely improved InP template and GaInAsP system growth on directly- bonded InP/SiO2-Si and InP/glass substrate2013

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, T. Makino, K. Kimura, K. Shimomura
    • 雑誌名

      Phys. Staus Solidi C

      巻: 10 号: 5 ページ: 782-785

    • DOI

      10.1002/pssc.201200592

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] InAs/InP QDs grown by selective MOVPE growth using double-cap procedure for broadband LED improved p-cladding layer2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Iwane, F. Kawashima, M. Hirooka, T. Saegusa, and K. Shimomura
    • 雑誌名

      Phys. Staus Solidi C

      巻: 9 ページ: 210-213

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Numerical calculation of wavelength demultiplexd light switching using variable index arrayed waveguide2012

    • 著者名/発表者名
      T. Makino, T. Tanimura, S. Yanagi, K. Shimomura
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron.

      巻: vol.E95-C, no. 7 ページ: 1258-1264

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Switching characteristics in variable index arrayed waveguides using thin film heater2012

    • 著者名/発表者名
      S. Yanagi, Y. Murakami, Y. Yamazaki, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron.

      巻: vol.E95-C, no. 7 ページ: 1265-1271

    • NAID

      10031023386

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Flat-topped emission with spectral width above 500 nm from InAs/InP QD waveguide array light-emitting diode2012

    • 著者名/発表者名
      S.Yoshikawa, T.Saegusa, Y.Iwane, M.Yamauchi, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.5 ページ: 92103-92103

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Flat-topped emission with spectral width above 500 nm from InAs/InP QD waveguide array light-emitting diode2012

    • 著者名/発表者名
      S. Yoshikawa, T. Saegusa, Y. Iwane, M. Yamauchi and K. Shimomura
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 号: 9 ページ: 092103-092103

    • DOI

      10.1143/apex.5.092103

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Numerical calculation of wavelength demultiplexd light switching using variable index arrayed waveguide2012

    • 著者名/発表者名
      T. Makino, T. Tanimura, S. Yanagi, and K. Shimomura
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron.

      巻: E95-C ページ: 1258-1264

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] InAs/InP QDs grown by selective MOVPE growth using double-cap procedure for broadband LED improved p-cladding layer2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Iwane, F. Kawashima, M. Hirooka, T. Saegusa, K. Shimomura
    • 雑誌名

      Phys. Staus Solidi C

      巻: vol.9, no.2 ページ: 210-213

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Switching characteristics in variable index arrayed waveguides using thin film heater2012

    • 著者名/発表者名
      S. Yanagi, Y. Murakami, Y. Yamazaki and K. Shimomura
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron.

      巻: E95-C ページ: 1265-1271

    • NAID

      10031023386

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure2011

    • 著者名/発表者名
      F.Kawashima, R.Kobie, Y.Suzuki, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth

      巻: 318 ページ: 1109-1112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [雑誌論文] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure2011

    • 著者名/発表者名
      F.Kawashima, R.Kobie, Y.Suzuki, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth vol.318

      ページ: 1109-1112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [雑誌論文] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure2011

    • 著者名/発表者名
      F. Kawashima, R. Kobie, Y. Suzuki, K. Shimomura
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: Vol.318 ページ: 1109-1112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure2011

    • 著者名/発表者名
      F. Kawashima, R. Kobie, Y. Suzuki, and K. Shimomura
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: 318 ページ: 1109-1112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [雑誌論文] Wideband wavelength electroluminescence from InAs/InP QDs using double-cap procedure by MOVPE selective area growth2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Saito, T.Okawa, M.Akaishi, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth vol.310 issue 23

      ページ: 5073-5076

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [雑誌論文] Wavelength switching using GaInAs/InP MQW variable refractive-index arrayed waveguides by thermo-optic effect2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimizu, S. Kawabe, H. Iwasaki, T. Sugio, K. Shimomura
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron E91-C

      ページ: 1110-1116

    • NAID

      10026818682

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [雑誌論文] InAs/InP QDs with GaxInl-xAs cap layer by a double-cap procedure using MOVPE selective area growth2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akaishi, T. Okawa, Y. Saito, K. Shimomura
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 310

      ページ: 5069-5072

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [雑誌論文] Wide emission wavelength InAs/InP quantum dots grown by double-capped procedure using MOVPE selective area growth2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akaishi, T. Okawa, Y. Saito, K. Shimomura
    • 雑誌名

      IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 14

      ページ: 1197-1203

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [雑誌論文] InAs/InP QDs with GaxIn1-xAs cap layer by a double-cap procedure using MOVPE selective area growth2008

    • 著者名/発表者名
      M.Akaishi, T.Okawa, Y.Saito, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth vol.310, issue 23

      ページ: 5069-5072

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [雑誌論文] Wide emission wavelength InAs/InP quantum dots grown by double-capped procedure using MOVPE selective area growth2008

    • 著者名/発表者名
      M.Akaishi, T.Okawa, Y.Saito, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics vol.14, no.4

      ページ: 1197-1203

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [雑誌論文] Wavelength switching using GaInAs/InP MQW variable refractive-index arrayed waveguides by thermo-optic effect2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimizu, S.Kawabe, H.Iwasaki, T.Sugio, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEICE Trans.Electron. vol.E91-C, no.7

      ページ: 1110-1116

    • NAID

      10026818682

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [雑誌論文] Wideband wavelength electroluminescence from InAs/InP QDsusing double-cap procedure by MOVPE selective area growth2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Saito, T. Okawa, M. Akaishi, K. Shimomura
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 310

      ページ: 5073-5076

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [雑誌論文] Controlling emission wavelength of double-capped InAs quantum dots by selective MOVPE employing stripe mask array2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamauchi, S.Okamoto, T.Okawa, Y.Kawakita, J.Yoshida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Journal Crystal Growth 298

      ページ: 578-581

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Simple estimation of strain distribution in narrow-stripe waveguide array fabricated by selective MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      T.Yoshioka, Y.Kawakita, A.Kawai, T.Okawa, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 298

      ページ: 676-681

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Growth temperature and InAs supply dependences of InAs quantum dots on InP (0 0 1) substrate2007

    • 著者名/発表者名
      T.Okawa, Y.Yamauchi, J.Yamamoto, J.Yoshida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth vol.298

      ページ: 562-566

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Growth temperature and InAs supply dependences of InAs quantum dots on InP (001) substrate2007

    • 著者名/発表者名
      T.Okawa, Y.Yamauchi, J.Yamamoto, J Yoshida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 298

      ページ: 562-566

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Simple estimation of strain distribution in narrow-stripe waveguide array fabricated by selective MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      T.Yoshioka, Y.Kawakita, A.Kawai, T., Okawa, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth vol.298

      ページ: 676-681

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Controlling emission wavelength of double-capped InAs quantum dots by selective MOVPE employing stripe mask array2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamauchi, S.Okamoto, T.Okawa, Y.Kawakita, J.Yoshida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth vol.298

      ページ: 578-581

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Simple estimation of strain distribution in narrow-stripe waveguide array fabricated by selective MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      T.Yoshiokaa, Y.Kawakita, A.Kawai, T.Okawa, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Journal Crystal Growth 298

      ページ: 676-681

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Controlling emission wavelength of double-capped InAs quantum dots by selective MOVPE employing stripe mask array2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamauchi, S.Okamoto, T.Okawa, Y.Kawakita, J.Yoshida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 298

      ページ: 578-581

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Growth temperature and InAs supply dependences of InAs quantum dots on InP (0 0 1) substrate2007

    • 著者名/発表者名
      T.Okawa, Y.Yamauchi, J.Yamamoto, T.Yoshida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Journal Crystal Growth 298

      ページ: 562-566

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Controlling emission wavelength of double-capped InAs quantum dots by selective MOVPE employing stripe mask array2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamauchi, S.Okamoto, T.Okawa, Y.Kawakita, J.Yoshida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Controlling emission wavelength of double-capped InAs quantum dots by selective MOVPE employing stripe mask array2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamauchi, S.Okamoto, T.Okawa, Y.Kawakita, J.Yoshida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Tu-P.90

      ページ: 225-225

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Size fluctuation dependence on growth temperature and supply of InAs quantum dots on InP(001) substrates2006

    • 著者名/発表者名
      T.Okawa, Y.Yamauchi, J.Yamamoto, J.Yoshida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Tu-P.86

      ページ: 217-217

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Improvements of crosstalk in variable-refractive index waveguide array demultiplexer2006

    • 著者名/発表者名
      T.Yoshioka, Y.Kawakita, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2006) (Long Beach, California, USA) CWK4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Improvements of crosstalk in variable-refractive index waveguide array demultiolexer2006

    • 著者名/発表者名
      T.Yoshioka, Y.Kawakita, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2006)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Improvements of crosstalk in variable-refractive index waveguide array demultiplexe2006

    • 著者名/発表者名
      T.Yoshioka, Y.Kawakita, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2006) CWK4(CD-ROM)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Controlling emission wavelength of double-capped InAs quantum dots by selective MOVPE employing stripe mask array2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamauchi, S.Okamoto, T.Okawa, Y.Kawakita, J.Yoshida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (Miyazaki, Japan) Tu-P.90

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Wavelength demultiplexer using GaInAs-InP MQW-based variable refractive-index arrayed waveguides fabricated by selective MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, A.Kawai, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics Vol.11,no1

      ページ: 211-215

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Size and Density Control of InAs Quantum Dots by Selective MOVPE Growth Employing Stripe Mask Array and Composition-Varied GaInAs Layer2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamauchi, Y.Kawakita, S.Okamoto, J.Yoshida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Proceeding of LEOS 2005

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Size and Density Control of InAs Quantum Dots by Selective MOVPE Growth Using Narrow Stripe Mask Array2005

    • 著者名/発表者名
      S.Okamoto, Y.Kawakita, K.Hirose, Y.Yamauchi, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Proceeding of IQEC and CLEO-PR 2005

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Wavelength selective switch using arrayed waveguides with linearly varing refractive index distribution2005

    • 著者名/発表者名
      K.Shimomura, Y.Kawakita
    • 雑誌名

      Photonics Based on Wavelength Integration and Manipulation, IPAP Books 2

      ページ: 341-354

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] 組成変化GaInAs層を用いた選択成長InAs量子ドットの形状・密度に関する検討2005

    • 著者名/発表者名
      山内 雄介, 川北 泰雅, 岡本 理志, 吉田 順自, 下村 和彦
    • 雑誌名

      第65回応用物理学学術講演会講演予稿集

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Wavelength demultiplexer using GaInAs-InP MQW-based variablel refractive-index arrayed waveguides fabricated by slective MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, A.Kawai, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics vol.11 no.1

      ページ: 211-216

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Wavelength demultiplexing and optical deflector in variable refractive-index waveguide array based on selectively grown GaInAs/InP MQW structure2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron E88-C

      ページ: 1013-1019

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Wavelength demultiplexer using GaInAs-InP MQW-based variable refractive-index arrayed waveguides fabricated by selective MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, A.Kawai, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 11

      ページ: 211-216

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Wavelength demultiplexer using GaInAs-InP MQW-based variable refractive-index arrayed waveguides fabricated by selective MOVPE2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, A.Kawai, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics vol.11, no.1

      ページ: 211-216

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Wavelength demultiplexing and optical deflector in variable refractive-index waveguide array based on selectively grown GaInAs/InP MQW structure2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEICE Trans.Electron. vol.E88-C, no.5,

      ページ: 1013-1019

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Wavelength demultiplexing and optical deflector in variable refractive-index waveguide array based on selectively grown GaInAs/InP MQW structure,2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEICE Trans.Electron. vol.E88-C, no.5

      ページ: 1013-1019

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360169
  • [雑誌論文] Arrayed waveguides with linearly varying refractive index distribution and its application for wavelength demultiplexer2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, T.Saitoh, A.Kawai, S.Shimotaya, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth vol.272

      ページ: 582-587

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Selective MOVPE growth of tilted arrayed waveguides from [011] direction2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, A.Kawai, S.Shimotaya, K.Shimomura
    • 雑誌名

      12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Lahaina, Maui, Hawaii Growth Issues Poster Session (30)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Four-channel wavelength demultiplexing with 25-nm spacing in variable refractive-index arrayed waveguides2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Electron.Lett vol.40,no.14

      ページ: 900-901

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] A novel straight arrayed waveguide grating with linearly varying refractive indexdistribution2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, T.Saitoh, S.Shimotaya, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEEE Photon.Tech.Lett. vol.16 no.1

      ページ: 144-146

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Flatsurface growth conditions of InP capping layer over InAs Quantum Dots on(001)InP Substrate2004

    • 著者名/発表者名
      K.Hirose, S.Okamoto, J.Yamamoto, T.Shioda, K.Shimomura
    • 雑誌名

      12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Lahaina, Maui, Hawaii Quantum Structures Poster Session (11)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Four-channel wavelength demultiplexing with 25-nm spacing in variable refractive-index arrayed waveguides2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Electron.Lett 40

      ページ: 900-901

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Wavelength demultiplexer using arrayed waveguides with linearly varying refractiveindex distribution2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, T.Saitoh, K.Shimomura
    • 雑誌名

      2004 Conference on Lasers & Electro-Optics, San Francisco, California, USA CThT8

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Wavelength demultiplexing characteristic in Two-mode interference opticaldevice by MOVPE selective area growth2004

    • 著者名/発表者名
      H.Fukuda, T.Yuuki, T.Kurihashi, Y.Iwabuchi, K.Shimomura
    • 雑誌名

      9th OptoElectronics and Communications Conference / 3rd Conference on Optical Internet (OECC/C01N2004) Kanagawa, Japan 13P-17

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Arrayed waveguides with linearly varying refractive index distribution and its application for wavelength demultiplexer2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, T.Saitoh, A.Kawai, S.Shimotaya, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 272

      ページ: 582-587

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] A novel straight arrayed waveguide grating with linearly varying refractive index distribution2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, T.Saitoh, S.shimotaya, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEEE Photon.Tech.Lett. vol.16,no.1

      ページ: 144-146

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Arrayed waveguides with linearly varying refractive index distribution and its a plication far wavelength demultiplexer2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, T.Saitoh, A.Kawai, S.Shimotaya, K.Shimomura
    • 雑誌名

      2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Kagoshima, Japan WA2-5

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Selective MOVPE growth of tilted arrayed waveguides from [011] direction2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, A.Kawai, S.Shimotaya, K.Shimomura
    • 雑誌名

      12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Opticaldeflector using arrayed waveguides fabricated by MOVPE selective area growth2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      9th OptoElectronics and Communications Conference / 3rd Conference on Optical Internet (OECC/COIN2004) Kanagawa, Japan 13P-118

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Flat surface growth conditions of InP capping layer over InAs Quantum Dots on (001)InP Substrate2004

    • 著者名/発表者名
      K.Hirose, S.Okamoto, J.Yamamoto, T.Shioda, K.Shimomura
    • 雑誌名

      12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] 4-channel wavelength demultiplexing in GaInAs/1nP MQW based arrayed waveguides2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      9th OptoElectronics and Communications Conference / 3rd Conference on Optical Internet (OECC/COIN2004) Kanagawa, Japan 14F1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] A novel straight arrayed waveguide grating with linearly varying refractive index distribution2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, T.Saitoh, S.Shimotaya, K.Shimomura
    • 雑誌名

      IEEE Photon.Tech.Lett. 16

      ページ: 144-146

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Four-channel wavelength demultiplexing with 25-nm spacing in variable refractive-indexarrayed waveguides2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, S.Shimotaya, D.Machida, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Electron.Lett. vol.40 no.14

      ページ: 900-901

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Numerical analysis of 1.55 um wavelength optical deflector using arrayed waveguide with staircaselike refractive index distribution2003

    • 著者名/発表者名
      K.Miki, Y.Kawakita, T.Kihara, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Electronics and Communications in Japan, Part2 vol.86 no.4

      ページ: 1-9

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] High growth enhancement factor in arrayed waveguides by MOVPE selective area growth2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Moriguchi, T.Kihara, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 248

      ページ: 395-399

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Numerical analysis of 1.55 um wavelength optical deflector using arrayed waveguide with staircase like refractive index distribution2003

    • 著者名/発表者名
      K.Miki, Y.Kawakita, T.Kihara, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Electronics and Communications in Japan, Part2 86

      ページ: 1-9

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] Wavelength demultiplexing in straight arrayed waveguides with staircase-like refractive index distribution2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakita, Y.Moriguchi, K.Shimomura
    • 雑誌名

      Conference on Lasers and Electro-Optics(CLEO 2003), Baltimore, Maryland, USA CWA44

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [雑誌論文] High growth enhancement factor in arrayed waveguides by MOVPE selective areagrowth2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Moriguchi, T.Kihara, K.Shimomura
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth vol.248

      ページ: 395-399

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15560304
  • [学会発表] ガスアウトチャネルを有する直接貼付InP/Si基板上GaInAsP系半導体レーザの発振特性(Ⅱ)2024

    • 著者名/発表者名
      趙亮, G.K.Periyanayagam, Zhang Junyu, 矢田涼介, 下村和彦
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] InP/Si基板上GaInAsP半導体レーザの利得特性の測定2024

    • 著者名/発表者名
      Junyu Zhang, G.K.Periyanayagam, 趙亮, 下村和彦
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] InP/Si基板上SCH - MQW レーザの散乱損失を考慮した低しきい値構造の検討2024

    • 著者名/発表者名
      黒井瑞生, 趙 亮, 下村和彦
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] ガスアウトチャネルを有する直接貼付InP/Si基板上GaInAsP系半導体レーザの発振特性2024

    • 著者名/発表者名
      趙 亮, G.K. Periyanayagam, Zhang Junyu, 矢田涼介, 下村和彦
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] Numerical simulation of waveguide propagation loss on directly bonded InP/Si substrate2023

    • 著者名/発表者名
      L. Zhao, K. Agata, R. Yada, J. Zhang, and K. Shimomura
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2023 (CSW 2023)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] 直接貼付 InP/Si基板上 GaInAsP/GaInAsP MQWレーザの歪量依存性の検討Ⅱ2022

    • 著者名/発表者名
      阿形幸二, 渋川航大, 趙 亮, 佐藤元就, 伊藤慎吾, 下村和彦
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] 直接貼付 InP/Si基板上 GaInAsP SCH-MQW埋込レーザの発振特性改善2022

    • 著者名/発表者名
      青木彩絵, 澁川航大, 韓 旭, 佐藤元就, 伊藤慎吾, 阿形幸二, 矢田涼介, 下村和彦
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] 自己触媒VLS法を用いた再成長InPコアシェルナノワイヤのフォトルミネッセンス特性2022

    • 著者名/発表者名
      香取祐太, 陳 深, 下村和彦
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板のボイドによる導波損失の数値計算(Ⅱ)2022

    • 著者名/発表者名
      趙 亮, 阿形幸二, 伊藤慎吾, 矢田涼介, 下村和彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] 直接貼付 InP/Si基板の加熱処理シーケンスの依存性について2022

    • 著者名/発表者名
      趙 亮, 佐藤元就, 澁川航大, 伊藤慎吾, 阿形幸二, 下村和彦
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP SCH-MQWレーザの井戸層厚と閾値電流密度に関する検討2022

    • 著者名/発表者名
      矢田涼介, 阿形幸二, 趙亮,伊藤慎吾,青木彩絵, 下村和彦
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板のボイドによる導波損失の数値計算2022

    • 著者名/発表者名
      趙 亮, 阿形幸二, 伊藤慎吾,矢田涼介,下村和彦
    • 学会等名
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] Annealing sequence dependence of directly bonded InP/Si substrate for GaInAsP LDs on silicon platform2022

    • 著者名/発表者名
      L. Zhao, M. Sato, K. Shibukawa, S. Ito, K. Agata, and K. Shimomura
    • 学会等名
      Conference on Lasers and Electro-Optics PacificRim 2022
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] 選択成長MOVPEによる直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP MQW構造のフォトルミネッセンス特性2021

    • 著者名/発表者名
      澁川航大, 対馬幸樹, 伊藤慎吾, 石崎隆浩, 阿形幸二, 白井琢人, 佐藤元就, 小谷桃子, 韓旭, 下村和彦
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] ガスアウトチャネルを用いた直接貼付InP/Si基板のボイド占有率比較2021

    • 著者名/発表者名
      佐藤元就, 韓旭, 白井琢人, 石﨑隆浩, 対馬幸樹, 澁川航大, 小谷桃子, 伊藤慎吾, 阿形幸二, 下村和彦
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Buried hetero structure laser diode on directly bonded InP/Si substrate2021

    • 著者名/発表者名
      X. Han, K. Tsushima, M. Sato, T. Shirai, M. Sato, S. Ito, T. Ishizaki, K. Shibukawa, K. Agata and K. Shimomura
    • 学会等名
      27th International Semiconductor Laser Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] 直接貼付 InP/Si 基板上 GaInAsP/GaInAsP MQW レーザの歪量依存性の検討2021

    • 著者名/発表者名
      阿形幸二, 石崎隆浩, 韓旭, 対馬幸樹, 白井琢人, 佐藤元就, 渋川航大, 伊藤慎吾,下村和彦
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Selective regrown core-shell nanowires using self-catalytic VLS mode2021

    • 著者名/発表者名
      K. Kuwahara, R. Ishihara, Y. Katori, and K. Shimomura
    • 学会等名
      26th Optoelectronics and Communications Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] MQW laser with surface electrodes on directly bonded InP/SiO2/Si substrates2021

    • 著者名/発表者名
      X. Han, K. Tsushima, T. Shirai, M. Sato, S. Ito, T. Ishizaki, K. Shibukawa, K. Agata, M. Kotani and K. Shimomura
    • 学会等名
      26th Optoelectronics and Communications Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP SCH-MQW埋込レーザの発振特性改善2021

    • 著者名/発表者名
      澁川航大,韓旭,対馬幸樹,石崎隆浩,白井琢人,佐藤元就,伊藤慎吾, 阿形幸二, 小谷桃子, 青木彩絵, 矢田涼介, 下村和彦
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04199
  • [学会発表] 直接貼付 InP/SiO2/Si 基板上 GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの電界分布特性2021

    • 著者名/発表者名
      伊藤慎吾, 韓旭, 澁川航大, 対馬幸樹, 石崎隆浩, 白井琢人, 佐藤元就, 阿形幸二, 小谷桃子, 下村和彦
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付 InP/SiO2/Si 基板上表面二電極構造 MQW レーザの発振特性2021

    • 著者名/発表者名
      韓旭, 対馬幸樹, 石崎隆浩, 白井琢人, 佐藤元就, 澁川航大, 伊藤慎吾, 阿形幸二, 小谷桃子, 下村和彦
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW埋込レーザ構造の室温発振特性2020

    • 著者名/発表者名
      対馬幸樹, 韓旭,石崎隆浩,松浦正樹,白井琢人,澁川航大,藤原啓太,佐藤元就,下村和彦
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Selective MOVPE growth of GAInAsP MQW structure on wafer bonded InP/Si and InP/SiO2/Si substrate2020

    • 著者名/発表者名
      K. Shibukawa, X. Han, T. Ishizaki, K. Tsushima, T. Shirai, M. Matsuura, K. Fujiwara, M. Sato, and K. Shimomura
    • 学会等名
      25th Optoelectronics and Communications Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP歪MQWレーザの発振特性2020

    • 著者名/発表者名
      石崎隆浩, 韓旭, 松浦正樹, 対馬幸樹, 白井琢人, 藤原啓太, 佐藤元就, 渋川航大, 下村和彦
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板の加熱処理プロセスの依存性について2020

    • 著者名/発表者名
      佐藤元就, 韓旭, 松浦正樹, 白井琢人, 石﨑隆浩, 対馬幸樹, 澁川航大, 藤原啓太, 下村和彦
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Buried heterostructure laser diodes using directly bonded InP thin film on silicon substrate2020

    • 著者名/発表者名
      K. Tsushima, T. Shirai, K. Fujiwara, X. Han, M. Matsuura, M. Sato, T. Ishizaki, K. Shibukawa, and K. Shimomura
    • 学会等名
      25th Optoelectronics and Communications Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上選択成長GaInAsP/GaInAsP MQW構造のフォトルミネッセンス特性2020

    • 著者名/発表者名
      澁川航大, 対馬幸樹, 石崎隆浩,白井琢人,佐藤元就,藤原啓太,韓旭,松浦正樹,下村和彦
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Double capped InAs Quantum Dots with strain compensation layer grown on InP/Si substrate2020

    • 著者名/発表者名
      T. Shirai, X. Han, T. Ishizaki, K. Tsushima, M. Matsuura, K. Shibukawa, K. Fujiwara, M. Sato, and K. Shimomura
    • 学会等名
      25th Optoelectronics and Communications Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 歪み緩衝層を導入したInP/Si基板上InAs量子ドット構造2020

    • 著者名/発表者名
      白井琢人, 韓旭, 石崎隆浩, 対馬幸樹, 佐藤元就, 下村和彦
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/SiO2/Si基板上表面二電極構造MQW レーザの発振特性2020

    • 著者名/発表者名
      韓旭, 松浦正樹, 対馬幸樹, 石崎隆浩, 白井琢人, 下村和彦
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQWレーザ構造のX線回折評価2019

    • 著者名/発表者名
      対馬幸樹, 杉山滉一, 内田和希, 韓旭, 相川政輝, 早坂夏樹, 松浦正樹, 石崎隆浩, 白井琢人, 下村和彦
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの発振特性2019

    • 著者名/発表者名
      石崎隆浩, 杉山滉一, 内田和希, 韓旭, 相川政輝, 早坂夏樹, 松浦正樹, 対馬幸樹, 白井琢人, 下村和彦
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上MQWレーザにおける電流電圧特性のInP膜厚依存性について2019

    • 著者名/発表者名
      白井琢人, 早坂夏樹, 相川政輝, 韓 旭, 杉山滉一, 内田和希, 松浦正樹, 石崎隆浩, 対馬幸樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Lasing characteristics of GaInAsP SCH-MQW laser diode on directly-bonded InP/Si substrate2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ishizaki, K. Uchida, H. Sugiyama, X. Han, N. Hayasaka, M. Aikawa, M. Matsuura, K. Tsushima, T. Shirai, and K. Shimomura
    • 学会等名
      24th OptoElectronics and Communications Conference (OECC/PSC 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Template thickness dependence of GaInAsP MQW laser diode grown on directly bonded InP/Si substrate2019

    • 著者名/発表者名
      T. Shirai, X. Han, M. Matsuura, T. Ishizaki, K. Tsushima, and K. Shimomura
    • 学会等名
      24th OptoElectronics and Communications Conference (OECC/PSC 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザの温度依存性2019

    • 著者名/発表者名
      石崎隆浩, 韓旭, 松浦正樹, 対馬幸樹, 白井琢人, 下村和彦
    • 学会等名
      第80回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上表面二電極構造MQWレーザの発振特性2019

    • 著者名/発表者名
      韓旭, 松浦正樹, 対馬幸樹, 石崎隆浩, 白井琢人, 下村和彦
    • 学会等名
      第80回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板における発振特性のアニール時間依存性2019

    • 著者名/発表者名
      松浦正樹, 早坂夏樹, 韓旭,相川政輝,内田和希,杉山滉一, 石崎隆浩, 対馬幸樹, 白井琢人,下村和彦
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上MQWレーザにおける発振特性のInPテンプレート膜厚依存性2019

    • 著者名/発表者名
      韓旭, 内田和希,相川政輝,杉山滉一, 早坂夏樹,松浦正樹, 対馬幸樹, 石崎隆浩, 白井琢人,下村和彦
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上選択成長GaInAs/InP MQW構造のフォトルミネッセンス解析2019

    • 著者名/発表者名
      対馬幸樹, 石崎隆浩, 韓旭, 松浦正樹, 白井琢人, 下村和彦
    • 学会等名
      第80回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Lasing characteristics of GaInAsP SCH MQW high-mesa laser on silicon substrate2019

    • 著者名/発表者名
      K. Tsushima, K. Uchida, X. Han, H. Sugiyama, M. Aikawa, N. Hayasaka, M. Matsuura, T. Ishizaki, T. Shirai, and K. Shimomura
    • 学会等名
      24th OptoElectronics and Communications Conference (OECC/PSC 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] InP基板及び直接貼付InP/Si基板上自己形成InAs量子ドットのPL特性について2019

    • 著者名/発表者名
      白井琢人, 韓旭, 松浦正樹, 石崎隆浩, 対馬幸樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第80回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Hybrid integration of GaInAsP LD on silicon platform by epitaxial growth using directly bonded InP/Si substrate2018

    • 著者名/発表者名
      K. Shimomura
    • 学会等名
      SPIE Photonics Europe 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 親水性直接貼付InP/Si基板のInP膜厚の検討2018

    • 著者名/発表者名
      矢田拓夢, 相川政輝 , 早坂夏樹, P. Gandhi Kallarasan, 韓旭, 内田和希, 杉山滉一, 下村和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] MOVPE grown GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW laser diode on directly-bonded InP/Si substrate2018

    • 著者名/発表者名
      H. Sugiyama, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, M. Aikawa, N. Hayasaka, K. Uchida, and K. Shimomura
    • 学会等名
      19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 1.5 μm GaInAsP stripe laser comparison between InP substrate and directly bonded InP/Si substrate2018

    • 著者名/発表者名
      P. Gandhi Kallarasan, N. Kamada, Y. Onuki, K. Uchida, H. Sugiyama, X. Han, N. Hayasaka, M. Aikawa, and K. Shimomura
    • 学会等名
      Conference on Lasers and Electro-Optics 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPリッジレーザの室温発振特性2018

    • 著者名/発表者名
      内田和希, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板におけるボイド占有率のアニール時間依存性 (2)2018

    • 著者名/発表者名
      早坂夏樹, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 松浦正樹, 矢田拓夢, 下村和彦
    • 学会等名
      第79回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] ダブルキャップ法を用いたInAs量子ドット構造のPL特性の比較2018

    • 著者名/発表者名
      矢田拓夢, 内田和希, 杉山滉一, 韓旭, 相川政輝, 早坂夏樹, 松浦正樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第79回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板へのMOVPE成長によるGaInAsP系半導体レーザの発振特性2018

    • 著者名/発表者名
      下村和彦
    • 学会等名
      電気学会 光・量子デバイス研究会, パワー光源及び応用システム研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPストライプレーザの閾値電流密度の共振器長依存性2018

    • 著者名/発表者名
      矢田拓夢, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 佐藤栄成, 松浦正樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 1.5 um GaInAsP high mesa laser diode on directly bonded InP/Si substrate2018

    • 著者名/発表者名
      P. Gandhi Kallarasan, K. Uchida, H. Sugiyama, X. Han, N. Hayasaka, M. Aikawa, H. Yada and K. Shimomura
    • 学会等名
      26th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザのInPテンプレート膜厚依存性2018

    • 著者名/発表者名
      相川政輝, 早坂夏樹, 韓 旭, 松浦正樹, Gandhi Kallarasan Periyanayagam, 内田和希, 杉山滉一, 矢田拓夢, 下村和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板におけるInP薄膜の表面状態の評価2018

    • 著者名/発表者名
      松浦正樹, 早坂夏樹, 韓旭,相川政輝,内田和希,杉山滉一, 矢田拓夢,下村和彦
    • 学会等名
      第79回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザ構造の検討2018

    • 著者名/発表者名
      杉山滉一, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希,下村和彦
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5um帯GaInAsPハイメサレーザの室温発振特性2018

    • 著者名/発表者名
      内田和希, 韓 旭, P. Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹, 矢田拓夢, 松浦正樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第79回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザ構造の発振特性2018

    • 著者名/発表者名
      杉山滉一, 内田和希, 韓 旭, 矢田拓夢, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 松浦正樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第79回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Lasing characteristics of 1.5μm GaInAsP ridge laser diode on directly bonded inP/Si substrate2018

    • 著者名/発表者名
      P. Gandhi Kallarasan, N. Kamada, Y. Onuki, K. Uchida, H. Sugiyama, X. Han, N. Hayasaka, M. Aikawa, and K. Shimomura
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] MOVPE growth of GaInAsP system on directly bonded InP/Si substrate2018

    • 著者名/発表者名
      P. Gandhi Kallarasan and K. Shimomura
    • 学会等名
      EMN Vienna Meeting 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Lasing characteristics of GaInAsP/InP ridge waveguide laser diode grown on InP/Si substrate2018

    • 著者名/発表者名
      K. Uchida, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, H. Sugiyama, M. Aikawa, N. Hayasaka, and K. Shimomura
    • 学会等名
      19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザにおける電気特性のInPテンプレート膜厚依存性2018

    • 著者名/発表者名
      韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 内田和希,相川政輝,杉山滉一, 早坂夏樹,松浦正樹,矢田拓夢,下村和彦
    • 学会等名
      第79回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] 親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較2018

    • 著者名/発表者名
      矢田拓夢, 内田和希, 杉山滉一, P. Gandhi Kallarasan, 韓旭, 相川政輝, 早坂夏樹, 下村和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Successful fabrication of GaInAsP ridge waveguide laser diode using hydrophilic bonded InP/Si substrate2018

    • 著者名/発表者名
      H. Yada, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, K. Uchida, H. Sugiyama, M. Aikawa, N. Hayasaka, and K. Shimomura
    • 学会等名
      The 13th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01503
  • [学会発表] Novel integration method for III-V semiconductor devices on silicon platform based on direct bonding and MOVPE growth2017

    • 著者名/発表者名
      K. Shimomura
    • 学会等名
      2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration,
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの電気特性2017

    • 著者名/発表者名
      韓旭, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, Gandhi Kallarasan, 内田和希, 相川政輝,杉山滉一, 早坂夏樹,下村和彦
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Bonding temperature dependence of GaInAsP/InP wafer grown on directly bonded InP/Si substrate2017

    • 著者名/発表者名
      M. Aikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura
    • 学会等名
      2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザ閾値電流密度共振器長依存性2017

    • 著者名/発表者名
      鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第78回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Lasing characteristics and temperature dependence of 1.5µm GaInAsP laser diode grown on directly bonded InP/Si substrate2017

    • 著者名/発表者名
      N. Kamada, T. Nishiyama, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの貼付アニール温度依存性2017

    • 著者名/発表者名
      相川政輝, 大貫雄也, 早坂夏樹, 鎌田直樹, 韓旭, Gandhi Kallarasan P., 内田和希, 杉山滉一, 下村和彦
    • 学会等名
      第78回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの電気特性2017

    • 著者名/発表者名
      韓旭, 鎌田直樹, 大貫雄也, P. Gandhi Kallarasan, 内田和希, 相川政輝, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第78回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの低温発振特性2017

    • 著者名/発表者名
      内田和希, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹,下村和彦
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 高機能・高集積光デバイスを支える異種材料貼り合わせ技術2017

    • 著者名/発表者名
      下村和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会2017年ソサイエティ大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの発振特性2017

    • 著者名/発表者名
      鎌田直樹, 西山哲央, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • 年月日
      2017-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPストライプレーザの室温発振特性2017

    • 著者名/発表者名
      内田和希, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第78回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 1.5μm laser diode on InP/Si substrate by epitaxial growth using direct bonding method2017

    • 著者名/発表者名
      Gandhi Kallarasan P., T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, and K. Shimomura
    • 学会等名
      Conference on Lasers and Electro-Optics 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Fabrication of 1.5μm GaInAsP LD on InP/Si substrate using hydrophilic wafer bonding technique2017

    • 著者名/発表者名
      P. Gandhi Kallarasan, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki and K. Shimomura
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • 年月日
      2017-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの基板加熱温度依存性2017

    • 著者名/発表者名
      大貫雄也, 西山哲央, 鎌田直樹, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • 年月日
      2017-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] シリコン基板上InP系半導体デバイス集積化技術2017

    • 著者名/発表者名
      下村和彦
    • 学会等名
      2017年電子情報通信学会総合大会
    • 発表場所
      名城大学, 天白キャンパス, 名古屋
    • 年月日
      2017-03-24
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付けInP/Si基板上レーザ構造における電圧電流特性のアニール温度依存性2017

    • 著者名/発表者名
      早坂夏樹, 西山哲央,大貫雄也, 鎌田直樹, 韓旭, Gandhi Kallarasan Periyanayagam,相川政輝,内田和希,杉山滉一,下村和彦
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • 年月日
      2017-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Lasing characteristics of GaInAsP stripe laser integrated on InP/Si substrate2017

    • 著者名/発表者名
      K. Uchida, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., H. Sugiyama, M. Aikawa, N. Hayasaka, and K. Shimomura
    • 学会等名
      The 22nd OptoElectronics and Communications Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの低閾値構造の検討2017

    • 著者名/発表者名
      杉山滉一, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希, 下村和彦
    • 学会等名
      第78回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Low threshold current of GaInAsP laser grown on directly bonded InP/Si substrate2017

    • 著者名/発表者名
      H. Sugiyama, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, N. Hayasaka, K. Uchida, and K. Shimomura
    • 学会等名
      The 22nd OptoElectronics and Communications Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板におけるボイド占有率のアニール時間依存性2017

    • 著者名/発表者名
      早坂夏樹, 大貫雄也, 鎌田直樹, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 松浦正樹, 矢田拓夢, 下村和彦
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上レーザ構造のアニール温度依存性評価2017

    • 著者名/発表者名
      相川政輝,西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 杉山滉一, 早坂夏樹,内田和希,韓旭, Gandhi Kallarasan P., 下村 和彦
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • 年月日
      2017-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザ構造のX線回折評価2017

    • 著者名/発表者名
      杉山滉一, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希, 下村和彦
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜, 神奈川
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Annealing temperature dependence of GaInAsP LD characteristics on InP/Si substrate fabricated by wafer direct bonding2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Onuki, T. Nishiyama, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Lasing characteristics of MOVPE grown 1.5µm GaInAsP LD using directly bonded InP/Si substrate2017

    • 著者名/発表者名
      N. Hayasaka, T. Nishiyama, Y. Onuki, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., K. Uchida, H. Sugiyama, M. Aikawa, and K. Shimomura
    • 学会等名
      2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Room temperature lasing operation of 1.5µm GaInAsP LD on InP/Si substrate2017

    • 著者名/発表者名
      P. Gandhi Kallarasan, N. Kamada, Y. Onuki, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, M. Aikawa, and K. Shimomura
    • 学会等名
      第78回応用物理学秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作2016

    • 著者名/発表者名
      西山哲央, 松本恵一, 岸川純也, 大貫雄也, 鎌田直樹, 下村和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      機械振興会館, 東京
    • 年月日
      2016-06-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Integration of GaInAsP Laser Diode on Direct-Bonded Thin Film InP-Si Substrate2016

    • 著者名/発表者名
      G. Kallarasan, T. Nishiyama, K. Naoki, Y. Onuki and K. Shimomura
    • 学会等名
      第77回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟
    • 年月日
      2016-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 自己触媒VLS法によるn-InP/i-GaInAs/p-InPコアシェルナノワイヤの電気特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      朝倉啓太, 荻野雄大, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Low temperature lasing characteristics of GaInAsP double-hetero laser integrated on InP/Si substrate using direct wafer bonding2016

    • 著者名/発表者名
      T. Nishiyama, K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Sukigara, Y. Onuki, N. Kamada, T. Kanke, and K. Shimomura
    • 学会等名
      21st Optoelectonics and Communications Conference (OECC/PS 2016)
    • 発表場所
      TOKI Messe Niigata Convention Center, Japan
    • 年月日
      2016-07-05
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上結晶成長膜のInPテンプレート膜厚依存性2016

    • 著者名/発表者名
      大貫雄也, 西山哲央, 鎌田直樹, 韓旭, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 下村和彦
    • 学会等名
      第77回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟
    • 年月日
      2016-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上InAs量子ドットの成長2016

    • 著者名/発表者名
      鎌田直樹, 鋤柄俊樹, 西山哲央, 大貫雄也, 松本恵一, 下村 和彦
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPダブルヘテロレーザの発振特性2016

    • 著者名/発表者名
      鎌田直樹, 西山哲央, 大貫雄也, 韓旭, 下村和彦
    • 学会等名
      第77回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟
    • 年月日
      2016-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上結晶成長膜の接合強度およびPL強度の圧力依存性評価2016

    • 著者名/発表者名
      大貫雄也, 松本恵一, 岸川純也, 西山哲央, 鎌田直樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP-InPダブルヘテロレーザの低温発振特性2016

    • 著者名/発表者名
      西山哲央, 松本恵一, 岸川純也, 鋤柄俊樹, 大貫雄也, 鎌田直樹, 菅家智一,下村和彦
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアマルチシェルナノワイヤの光学特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      高野紘平, 荻野雄大, 朝倉啓太, 和保孝夫, 下村和彦
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Lasing characteristics of GaInAsP laser diode grown on directly bonded InP/Si substrate2016

    • 著者名/発表者名
      T. Nishiyama, K. Matsumoto, J. Kishikawa, Y. Onuki, N. Kamada, and K. Shimomura
    • 学会等名
      The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016)
    • 発表場所
      Kobe Meriken Park Oriental Hotel, Japan
    • 年月日
      2016-09-15
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] InP薄膜-シリコン基板への半導体結晶成長を用いた光デバイス集積化技術の検討2016

    • 著者名/発表者名
      下村和彦
    • 学会等名
      第4回集積光デバイスと応用技術研究会
    • 発表場所
      NTT厚木研究開発センタ, 神奈川
    • 年月日
      2016-08-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] S-K Growth of InAs quantum dots on directly-bonded InP/Si substrate using MOVPE2016

    • 著者名/発表者名
      N. Kamada, T. Sukigara, K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki and K. Shimomura
    • 学会等名
      21st Optoelectonics and Communications Conference (OECC/PS 2016)
    • 発表場所
      TOKI Messe Niigata Convention Center, Japan
    • 年月日
      2016-07-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板接合界面における電気特性評価2015

    • 著者名/発表者名
      岸川純也, 松本恵一, 下村 和彦
    • 学会等名
      第76回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場, 名古屋
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアシェルナノワイヤのTMI供給量依存性2015

    • 著者名/発表者名
      朝倉啓太, 荻野雄大, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦
    • 学会等名
      第76回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場, 名古屋
    • 年月日
      2015-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Characteristics of film InP layer and Si substrate bonded interface bonded by wafer direct bonding2015

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, Y. Kanaya, J. Kishikawa, and K. Shimomura
    • 学会等名
      11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015)
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • 年月日
      2015-08-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] p変調ドープInAs/InPダブルキャップ量子ドット構造のドーピング濃度依存性2015

    • 著者名/発表者名
      鋤柄俊樹, 山元雄太, 西山哲央, 下村和彦
    • 学会等名
      第76回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場, 名古屋
    • 年月日
      2015-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積2015

    • 著者名/発表者名
      松本恵一, 金谷佳則, 岸川純也, 下村和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      機械振興会館, 東京
    • 年月日
      2015-06-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] GaInAs/InP MQW light-emitting diode fabricated on wafer bonded InP/Quartz substrate2015

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, M. Takasu, Y. Kanaya, J. Kishikawa, and K. Shimomura
    • 学会等名
      Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2015)
    • 発表場所
      San Jose, CA, USA
    • 年月日
      2015-05-15
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Cavity length dependence on lasing characteristics of double-capped QDs laser2015

    • 著者名/発表者名
      T. Sukigara, Y. Yamamoto, T. Nishiyama, and K. Shimomura
    • 学会等名
      11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015)
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • 年月日
      2015-08-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si 基板上MOVPE 法によるGaInAsP-InP ダブルヘテロレーザの集積2015

    • 著者名/発表者名
      松本恵一, 金谷佳則, 岸川純也, 山元雄太, 鋤柄俊樹, 西山哲央, 下村和彦
    • 学会等名
      第76回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場, 名古屋
    • 年月日
      2015-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] Epitaxial Grown GaInAsP-InP laser on wafer bonded InP/Si substrate2015

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, Y. Kanaya, J. Kishikawa, Y. Yamamoto, T. Sukigara, T. Nishiyama, and K. Shimomura
    • 学会等名
      42nd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2015)
    • 発表場所
      Santa Barbara, CA, USA
    • 年月日
      2015-07-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] 自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアシェルナノワイヤの光学特性評価2015

    • 著者名/発表者名
      荻野雄大, 朝倉啓太, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦
    • 学会等名
      第76回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場, 名古屋
    • 年月日
      2015-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] InP/Si直接貼付基板上へのInP系光デバイス集積化に関する研究2015

    • 著者名/発表者名
      下村和彦, 松本恵一
    • 学会等名
      第23回シリコンフォトニクス研究会
    • 発表場所
      石川県政記念しいのき迎賓館, 金沢
    • 年月日
      2015-12-10
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] InAs/InPダブルキャップ量子ドットレーザの閾値電流密度共振器長依存性2015

    • 著者名/発表者名
      西山哲央, 鋤柄俊樹, 鎌田直樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第76回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場, 名古屋
    • 年月日
      2015-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] PL emission of InP/GaInAs/InP core-multishell NWs grown by self-catalytic VLS mode2015

    • 著者名/発表者名
      T. Ogino, K. Asakura, T. Waho, and K. Shimomura
    • 学会等名
      11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015)
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • 年月日
      2015-08-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K06029
  • [学会発表] nAs積層量子ドットLEDにおける各層のピーク波長制御による広帯域化2014

    • 著者名/発表者名
      鋤柄俊樹, 吉川翔平, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(17p-PA2-3)
    • 年月日
      2014-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] InAs積層量子ドットLEDの注入電流に対する各層の発光特性の評価2013

    • 著者名/発表者名
      吉川翔平, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦
    • 学会等名
      第74回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(19a-P2-2)
    • 年月日
      2013-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Broadband and flat-topped spectrum of InAs/InP QDs arrayed waveguide LED2013

    • 著者名/発表者名
      S. Yoshikawa, T. Saegusa, Y. Iwane, M. Yamauchi, K.Shimomura
    • 学会等名
      40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kobe, Japan(TuC1-6)
    • 年月日
      2013-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Wide energy level control of InAs QDs using double-capping procedure by MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      M. Yamauchi, Y. Iwane, S. Yoshikawa, Y. Yamamoto, K. Shimomura
    • 学会等名
      25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Kobe, Japan(MoPI-5)
    • 年月日
      2013-05-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのフラットトップスペクトル2013

    • 著者名/発表者名
      吉川翔平, 三枝知充, 岩根優人, 山内雅之, 下村和彦
    • 学会等名
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(29p-B4-9)
    • 年月日
      2013-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのPL特性2012

    • 著者名/発表者名
      三枝知充, 岩根優人, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
    • 学会等名
      第73回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(13a-PA8-4)
    • 年月日
      2012-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] V/III ratio of Ga0.7In0.3As buffer layer dependence on InAs/InP QDs structure2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Iwane, T. Saegusa, K. Yoshida, M. Yamauchi, S.Yoshikawa, K. Shimomura
    • 学会等名
      16th International Conferenece on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Busan, Korea(WeP049)
    • 年月日
      2012-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 3層InAs量子ドットアレイLEDのELスペクトルの解析2012

    • 著者名/発表者名
      三枝知充, 岩根優人, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(17p-GP12-5)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] GaAs(111) B, GaAs(100), InP(111) B, InP(100)基板におけるAu微粒子を用いたInAsナノワイヤ成長2012

    • 著者名/発表者名
      村上新, 船山裕晃, 下村和彦, 和保孝夫
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560362
  • [学会発表] MOVPE選択成長およびダブルキャップ法を用いたアレイ導波路型InAs量子ドットLEDのスペクトル特性2012

    • 著者名/発表者名
      吉川翔平, 三枝知充, 岩根優人, 下村和彦
    • 学会等名
      2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      富山大学(C-4-26)
    • 年月日
      2012-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] GaAs(111)B,GaAs(100),InP(111)B,InP(100)基板におけるAu微粒子を用いたInAsナノワイヤ成長2012

    • 著者名/発表者名
      村上新、船山裕晃、下村和彦、和保孝夫
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560362
  • [学会発表] Random switching of wavelength demultiplexed light in variable arrayed waveguide2011

    • 著者名/発表者名
      T. Makino, T. Tanimura, S. Yanagi, K. Shimomura
    • 学会等名
      16th OptoElectronics and Communications Conference
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan(7P3_097)
    • 年月日
      2011-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] InP基板上Ga0.69In0.31Asバッファー層を用いた選択成長InAs量子ドットの発光特性2011

    • 著者名/発表者名
      三枝知充, 川島史裕, 廣岡雅人, 下村和彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] GaxIn1-xAsセカンドキヤップ層を用いたダブルキャップ法InAs/InP量子ドットの発光特性および形状2011

    • 著者名/発表者名
      岩根優人, 三枝知充, 廣岡雅人, 川島史裕, 小冷亮太, 下村和彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路構造におけるランダムスイッチング動作の数値解析2011

    • 著者名/発表者名
      牧野辰則, 谷村昂, 村上洋介, 青柳孝典, 下村和彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会(24p-KA-2)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Strain control using GaxIn1-xAs second cap layer during double-cap procedure in InAs / InP QDs structure2011

    • 著者名/発表者名
      M. Hirooka, F. Kawashima, Y.Iwane, T.Saegusa, K. Shimomura
    • 学会等名
      23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2011-05-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] InP基板上Ga0.69In0.31Asバッファー層を用いた選択成長InAs量子ドットの発光特性2011

    • 著者名/発表者名
      三枝知充, 川島史裕, 廣岡雅人, 下村和彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会(27a-P8-6)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Field-Assisted Self-Assembly of InAs Naonwires on Si substrate2011

    • 著者名/発表者名
      E. Takashima, H. Funayama, T. Waho, K. Shimomura, and W. Prost
    • 学会等名
      9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2011)
    • 発表場所
      Gifu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路構造におけるランダムスイッチング動作の数値解析2011

    • 著者名/発表者名
      牧野辰則, 谷村昂, 村上洋介, 青柳孝典, 下村和彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] GaxIn1-xAsセカンドキャップ層を用いたダブルキャップ法InAs/InP量子ドットの発光特性および形状2011

    • 著者名/発表者名
      岩根優人, 三枝知充, 廣岡雅人, 川島史裕, 小冷亮太, 下村和彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会(24p-BQ-12)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Wavelength demultiplexing and carrier induced switching in variable index arrayed waveguides2011

    • 著者名/発表者名
      T. Aoyagi, T. Tanimura, S. Yanagi, Y. Yamazaki and K. Shimomura
    • 学会等名
      16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Broadband QDs array LED using selective MOVPE growth2011

    • 著者名/発表者名
      K. Shimomura
    • 学会等名
      BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T
    • 発表場所
      Dalian, China
    • 年月日
      2011-10-23
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Field-Assisted Self-Assembly of InAs Naonwires on Si substrate2011

    • 著者名/発表者名
      Eisuke Takashima, Hiroaki Funayama, Takao Waho, Kazuhiko Shimomura, Werner Prost
    • 学会等名
      9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
    • 発表場所
      Gifu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560362
  • [学会発表] Broadband QDs array LED using selective MOVPE growth2011

    • 著者名/発表者名
      K. Shimomura
    • 学会等名
      BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T(招待講演)
    • 発表場所
      Dalian, China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Switching characteristics in variable index arrayed waveguides using triangular heater2011

    • 著者名/発表者名
      S. Yanagi, Y. Murakami, T. Aoyagi, Y. Yamazaki and K. Shimomura
    • 学会等名
      16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 三角ヒーターを用いたGaInAs/InP MQW波長光スイッチの消費電力低減2011

    • 著者名/発表者名
      柳智史, 山崎勇輝, 村上洋介, 下村和彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会(24p-KA-3)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Switching characteristics in variable index arrayed waveguides using triangular heater2011

    • 著者名/発表者名
      S. Yanagi, Y. Murakami, T. Aoyagi, Y. Yamazaki K. Shimomura
    • 学会等名
      16th OptoElectronics and Communications Conference
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan(7E2_3)
    • 年月日
      2011-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Random switching of wavelength demultiplexed light in variable arrayed waveguide2011

    • 著者名/発表者名
      T. Makino, T. Tanimura, S. Yanagi, and K. Shimomura
    • 学会等名
      16th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2011)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Strain control using GaxIn1-xAs second cap layer during double-cap procedure in InAs / InP QDs structure2011

    • 著者名/発表者名
      M. Hirooka, F. Kawashima, Y.Iwane, T.Saegusa, and K. Shimomura
    • 学会等名
      23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2011)
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 三角ヒーターを用いたGaInAs/InP MQW波長光スイッチの消費電力低減2011

    • 著者名/発表者名
      柳智史, 山崎勇輝, 村上洋介, 下村和彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] キャリア注入型アレイ導波路におけるスイッチング特性(II)2011

    • 著者名/発表者名
      青柳孝典, 谷村昂, 村上洋介, 下村和彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] キャリア注入型アレイ導波路におけるスイッチング特性(II)2011

    • 著者名/発表者名
      青柳孝典, 谷村昂, 村上洋介, 下村和彦
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会(24p-KA-1)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] InAs/InP QDs grown by selective MOVPE growth using double-cap procedure for broadband LED improved p-cladding layer2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Iwane, F. Kawashima, M. Hirooka, T. Saegusa, and K. Shimomura
    • 学会等名
      38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2011)
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] InAs/InP QDs grown by selective MOVPE growth using double-cap procedure for broadband LED improved p-cladding layer2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Iwane, F. Kawashima, M. Hirooka, T. Saegusa, K. Shimomura
    • 学会等名
      38th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2011-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Field-Assisted Self-Assembly of InAs Naonwires on Si substrate2011

    • 著者名/発表者名
      Eisuke Takashima, Hiroaki Funayama, Takao Waho, Kazuhiko Shimomura, and Werner Prost
    • 学会等名
      9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics(TWHM2011)
    • 発表場所
      Gifu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560362
  • [学会発表] Numerical calculation of wavelength switching in index-varied array waveguide2010

    • 著者名/発表者名
      T.Tanimura, T.Sugio, Y.Murakami,T.Aoyagi, K.Shimomura
    • 学会等名
      15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010)(7P-64)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure2010

    • 著者名/発表者名
      F.Kawashima, R.Kobie, Y.Suzuki, K.Shimomura
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    • 発表場所
      Beijing, China(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] キャリア注入による階段型屈折率分布アレイ導波路のスイッチング特性2010

    • 著者名/発表者名
      杉尾崇行, 青柳孝典, 谷村昂, 下村和彦
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会(17a-N-3)
    • 発表場所
      東海大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] InAs/InP QDs broadband LED using selective MOVPE growth and double-cap procedure2010

    • 著者名/発表者名
      K.Shimomura, Y.Suzuki, Y.Saito, F.Kawashima
    • 学会等名
      22nd Indium Phosphide and Related Materials conference (IPRM 2010)
    • 発表場所
      Takamatsu, Japan(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Ti/Auヒーターを用いた選択成長アレイ導波路における波長スイッチング特性2010

    • 著者名/発表者名
      村上洋介, 谷村昂, 青柳孝典, 下村和彦
    • 学会等名
      第71回応用物理学学術講演会(14p-G-2)
    • 発表場所
      長崎大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] キャリア注入による階段型屈折率分布アレイ導波路のスイッチング特性2010

    • 著者名/発表者名
      杉尾崇行, 青柳孝典, 谷村昂, 下村和彦
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Wavelength switching in variable index arrayed waveguides using Ti/Au thin film heater2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Murakami, T.Sugio, T.Tanimura, T.Makino, K.Shimomura
    • 学会等名
      15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] witching characteristics in variable refractive-index waveguide array by carrier injection2010

    • 著者名/発表者名
      T.Sugio, T.Aoyagi, T.Tanimura, Y.Murakami, K.Shimomura
    • 学会等名
      22nd Indium Phosphide and Related Materials conference (IPRM 2010)(WeP21)
    • 発表場所
      Takamatsu,Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Switching characteristics in variable refractive-index waveguide array by carrier injection2010

    • 著者名/発表者名
      T.Sugio, T.Aoyagi, T.Tanimura, Y.Murakami, K.Shimomura
    • 学会等名
      22nd Indium Phosphide and Related Materials conference (IPRM 2010)
    • 発表場所
      Takamatsu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Numerical calculation of wavelength switching in index-varied array waveguide2010

    • 著者名/発表者名
      T.Tanimura, T.Sugio, Y.Murakami, T.Aoyagi, K.Shimomura
    • 学会等名
      15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Wavelength switching in variable index arrayed waveguides using Ti/Au thin film heater2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Murakami, T.Sugio, T.Tanimura, T.Makino, K.Shimomura
    • 学会等名
      15th OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010)(8E1-5)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure2010

    • 著者名/発表者名
      F.Kawashima, R.Kobie, Y.Suzuki, K.Shimomura
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)(HJ1)
    • 発表場所
      Beijing, China(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] InAs/InP QDs broadband LED using selective MOVPE growth and double-cap procedure2010

    • 著者名/発表者名
      K.Shimomura, Y.Suzuki, Y.Saito, F.Kawashima
    • 学会等名
      22nd Indium Phosphide and Related Materials conference (IPRM 2010)(TuA2-3)
    • 発表場所
      Takamatsu, Japan(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] LP-MOVPEによる選択成長とダブルキャップ法およびバッファ層組成変化を用いた広帯域量子ドットLEDの作製2010

    • 著者名/発表者名
      川島史裕, 鈴木勇介, 井上朋紀, 下村和彦
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] LP-MOVPEによる選択成長とダブルキャップ法およびバッファ層組成変化を用いた広帯域量子ドットLEDの作製2010

    • 著者名/発表者名
      川島史裕, 鈴木勇介, 井上朋紀, 下村和彦
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会(19p-E-18)
    • 発表場所
      東海大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Growth of InAs Nanowires by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      下村和彦
    • 学会等名
      NW-CMOS Workshop
    • 発表場所
      Toyama University
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路構造波長選択スイッチにおけるスイッチング動作の数値解析2010

    • 著者名/発表者名
      谷村昂, 杉尾崇行, 村上洋介, 青柳孝典, 下村和彦
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路構造波長選択スイッチにおけるスイッチング動作の数値解析2010

    • 著者名/発表者名
      谷村昂, 杉尾崇行, 村上洋介, 青柳孝典, 下村和彦
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会(17a-N-2)
    • 発表場所
      東海大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの消費電力低減2010

    • 著者名/発表者名
      村上洋介, 杉尾崇行, 谷村昂, 下村和彦
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会(17a-N-1)
    • 発表場所
      東海大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの消費電力低減2010

    • 著者名/発表者名
      村上洋介, 杉尾崇行, 谷村昂, 下村和彦
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 屈折率分布導波路アレイを用いた電流注入型波長選択スイッチの作製2009

    • 著者名/発表者名
      杉尾崇行, 岩崎寛弥, 谷村昴, 津布久正浩, 下村和彦
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学、茨城
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性2009

    • 著者名/発表者名
      村上洋介, 清水優, 朱蕾, 杉尾崇行, 下村和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      機械振興会館、東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 熱光学効果型波長選択スイッチのスイッチング特性2009

    • 著者名/発表者名
      村上洋介, 清水優, 朱蕾, 竹内孝太朗, 下村和彦
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学、茨城
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Wavelength selective switch using GaInAs/InP MQW variable index arrayed waveguides2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimizu, H.Iwasaki, T.Sugio, Y.Murakami, K.Shimomura
    • 学会等名
      Conference on Lasers and Electro-Optics International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC 2009)(JTuD48)
    • 発表場所
      Baltimore, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの偏波依存性2009

    • 著者名/発表者名
      村上洋介, 杉尾崇行, 谷村昴, 下村和彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      富山大学、富山
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Waveguide design of variable refractive-index waveguide array demultiplexer and wavelength selective switch2009

    • 著者名/発表者名
      H.Iwasaki, T.Sugio, T.Tanimura, K.Takeuchi, K.Shimomura
    • 学会等名
      The 14th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2009)(ThLP31)
    • 発表場所
      Hong Kong
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Waveguide design of variable refractive-index waveguide array demultiplexer and wavelength selective switch2009

    • 著者名/発表者名
      H.Iwasaki, T.Sugio, T.Tanimura, K.Takeuchi, K.Shimomura
    • 学会等名
      The 14th OptoElectronics and Communications Conference(OECC 2009)
    • 発表場所
      Hong Kong
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED2009

    • 著者名/発表者名
      鈴木勇介, 川島史裕, 斉藤泰仁, 下村和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      機械振興会館、東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Wavelength selective switch using GaInAs/InP MQW variable index arrayed waveguides2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimizu, H.Iwasaki, T.Sugio, Y.Murakami, K.Shimomura
    • 学会等名
      The 14th OptoElectronics and Communications Conference(OECC 2009)
    • 発表場所
      Hong Kong
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] ダブルキャップ法lnAs/lnP量子ドットの歪制御層Ga組成依存性2009

    • 著者名/発表者名
      廣岡 雅人, 赤石 昌隆, 斉藤 泰仁, 下村 和彦
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学、茨城
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] InP(001)基板上におけるMOVPE選択成長とダブルキャップ法を用いた広帯域量子ドットLEDの作製2009

    • 著者名/発表者名
      鈴木勇介, 井上朋紀, 川島史裕, 広岡雅人, 下村和彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      富山大学、富山
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 屈折率分布アレイ型波長選択スイッチにおけるクロストーク特性の改善2009

    • 著者名/発表者名
      杉尾崇行, 谷村昴, 村上洋介, 下村和彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      富山大学、富山
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチの光導波解析2009

    • 著者名/発表者名
      谷村昴, 杉尾崇行, 村上洋介, 下村和彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      富山大学、富山
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] InAs/InP QDs using selective MOVPE and double-cap procedure2009

    • 著者名/発表者名
      下村和彦
    • 学会等名
      NW-CMOS Workshop
    • 発表場所
      Sophia University
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] InAs QDs broadband LED using double-cap procedure and selective MOVPE growth2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Saito, M.Akaishi, T.Inoue, Y.Suzuki, F.Kawashima, K.Shimomura
    • 学会等名
      The 14th OptoElectronics and Communications Conference(OECC 2009)
    • 発表場所
      Hong Kong
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Switching characteristics in variable index arrayed waveguide wavelength selective switch2009

    • 著者名/発表者名
      村上洋介, 清水優, 杉尾崇行, 下村和彦
    • 学会等名
      The 14th OptoElectronics and Communications Conference(OECC 2009)
    • 発表場所
      Hong Kong
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチのBPM解析と試作2009

    • 著者名/発表者名
      杉尾崇行, 岩崎寛弥, 谷村昂, 村上洋介, 下村和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      機械振興会館、東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] InAs QDs broadband LED using double-cap procedure and selective MOVPE growth2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Saito, M.Akaishi, T.Inoue, Y.Suzuki, F. Kawashima, K.Shimomura
    • 学会等名
      The 14th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2009)(WI1)
    • 発表場所
      Hong Kong
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Switching characteristics in variable index arrayed waveguide wavelength selective switch2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Murakami, Y.Shimizu, T.Sugio, K.Shimomura
    • 学会等名
      The 14th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2009)(ThA3)
    • 発表場所
      Hong Kong
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] lnP(001)基板上におけるInAs量子ドットの電流注入による屈折率変化量2008

    • 著者名/発表者名
      杉尾崇行, 岩崎寛弥, 清水優, 茂木瑞穂, 下村和彦
    • 学会等名
      第69回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      中部大学、愛知
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Wideband wavelength electro luminescence from InAs/InP QDs using double-cap procedure by MOVPE selective area growth2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Saito, T. Okawa, M. Akaishi, K. Shimomura
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Metz, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] ダブルキャップ法におけるInAs量子ドットのGaxInl-xAsセカンドキャップ層依存性2008

    • 著者名/発表者名
      赤石昌隆, 斉藤泰仁, 下村和彦
    • 学会等名
      第69回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      中部大学、愛知
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Carrier induced refractive index change in InAs quantum dots on InP (001) substrates2008

    • 著者名/発表者名
      T.Sugio, M.Akaishi, K.Shimomura
    • 学会等名
      2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)(P28)
    • 発表場所
      Lake Saiko, Japan(Poster Session 4)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Carrier induced refractive index change in InAs quantum dots on InP (001) substrates2008

    • 著者名/発表者名
      T. Sugio, M. Akaishi, K. Shimomura
    • 学会等名
      2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)
    • 発表場所
      Lake Saiko, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Selective MOVPE grown semiconductor optical waveguide array and its application for optical devices2008

    • 著者名/発表者名
      下村和彦
    • 学会等名
      2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)
    • 発表場所
      Lake Saiko, Japan(Session Sa1)(Invited)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Dependency of InAs QDs using GaxIn1-xAs second cap layer in the Double-cap procedure2008

    • 著者名/発表者名
      M.Akaishi, Y.Saito, K.Shimomura
    • 学会等名
      2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)(P14)
    • 発表場所
      Lake Saiko, Japan(Poster Session 3)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Wideband wavelength electro luminescence from InAs/InP QDs using double-cap procedure by MOVPE selective area growth2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Saito, T.Okawa, M.Akaishi, K.Shimomura
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Metz, France(Th-B1.2)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] InAs/InP QDs using GaxIn1-xAs cap layer in double-cap procedure by MOVPE selective area growth2008

    • 著者名/発表者名
      M.Akaishi, T.Okawa, Y.Saito, K.Shimomura
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Metz, France(Tu-P.1)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Selective MOVPE grown semiconductor optical waveguide array and its application for optical devices2008

    • 著者名/発表者名
      K. Shimomura
    • 学会等名
      2008 International Nano-Optoelectronics Worksho (iNOW 2008)
    • 発表場所
      Lake Saiko, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用2008

    • 著者名/発表者名
      斉藤泰仁, 赤石昌隆, 大川達也, 下村 和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] InAs/InP QDs using GaxInl-xAs cap layer in double-cap procedure by MOVPE selective area growth2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akaishi, T. Okawa, Y. Sai to, K. Shimomura
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Metz, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチのスイッチング特性2008

    • 著者名/発表者名
      清水優, 岩崎寛弥, 杉尾崇行, 下村和彦
    • 学会等名
      第69回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      中部大学、愛知
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Dependency of InAs QDs using GaxInl-xAs second cap layer in the Double-cap procedure2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akaishi, Y. Saito., K. Shimomura
    • 学会等名
      2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)
    • 発表場所
      Lake Saiko, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Switching characteristics in wavelength switch using selectively grown waveguide array by thermooptic effect2008

    • 著者名/発表者名
      H. Iwasaki, Y. Shimizu, K. Shimomura
    • 学会等名
      2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)
    • 発表場所
      Lake Saiko, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] Switching characteristics in wavelength switch using selectively grown waveguide array by thermooptic effect2008

    • 著者名/発表者名
      11.H. Iwasaki, Y.Shimizu, K.Shimomura
    • 学会等名
      2008 International Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW 2008)(P30)
    • 発表場所
      Lake Saiko,Japan(Poster Session 3)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560334
  • [学会発表] 選択成長3層InAs量子ドットアレイLEDのPLスペクトルの解析

    • 著者名/発表者名
      三枝知充, 岩根優人, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
    • 学会等名
      第71回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] MOVPEによるGa間欠供給GaInAs量子ドットの発光特性

    • 著者名/発表者名
      山内雅之, 吉川翔平, 山元雄太, 下村和彦
    • 学会等名
      第74回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 電界効果GaInAs/InP MQW波長スイッチの2ポート間スイッチング特性

    • 著者名/発表者名
      柳智史,青柳孝典,谷村昂,下村和彦
    • 学会等名
      第71回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] GaInAsP系結晶再成長のための直接貼付InP/Si基板接合界面における電気特性評価

    • 著者名/発表者名
      金谷佳則, 松本恵一, Zhang Xinxin, 下村和彦,
    • 学会等名
      第74回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] MOVPE growth of InAs/InP QDs on directlybonded InP/Si substrate

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, X. Zhang, Y. Kanaya, and K. Shimomura
    • 学会等名
      25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのPL特性

    • 著者名/発表者名
      三枝知充, 岩根優人, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
    • 学会等名
      第73回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] GaAs(111)B,GaAs(100),InP(111)B,InP(100)基板におけるAu微粒子を用いたInAsナノワイヤ成長

    • 著者名/発表者名
      村上 新,船山 裕晃,下村 和彦,和保 孝夫
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 3元,4元キャップ層によるInAs/InP量子ドットの長波長発光

    • 著者名/発表者名
      山元雄太, 山内雅之, 吉川翔平, 鋤柄俊樹, 下村和彦
    • 学会等名
      第74回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] InAs積層量子ドットLEDの注入電流に対する各層の発光特性の評価

    • 著者名/発表者名
      吉川翔平, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦
    • 学会等名
      第74回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長

    • 著者名/発表者名
      松本 恵一, 張 きんきん, 金谷 佳則, 下村 和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      機械振興会館,東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 3層InAs量子ドットアレイLEDのELスペクトルの解析

    • 著者名/発表者名
      三枝知充, 岩根優人, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上InAs積層量子ドット構造

    • 著者名/発表者名
      岸川純也, 松本恵一, Zhang Xinxin, 金谷佳則, 下村和彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] MOVPE による低テーパを目指したInAs ナノワイヤのVLS 成長

    • 著者名/発表者名
      山内雅之, 村上新, 松本恵一, 船山裕晃, 下村和彦, 和保孝夫
    • 学会等名
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Wide energy level control of InAs QDs using double-capping procedure by MOVPE

    • 著者名/発表者名
      M. Yamauchi, Y. Iwane, S. Yoshikawa, Y. Yamamoto, and K. Shimomura
    • 学会等名
      25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] GaInAs/InP MQW選択成長アレイ導波路のキャリア注入時の屈折率変化量

    • 著者名/発表者名
      青柳 孝典,吉岡 政洋,柳 智史, 下村和彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Selective MOVPE growth of GaInAs/InP MQW on directly-bonded InP/Si substrate

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, X. Zhang, Y. Kanaya, and K. Shimomura
    • 学会等名
      Selective MOVPE growth of GaInAs/InP MQW on directly-bonded InP/Si substrate
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] ファーストキャップ層厚変化によるInAs/InPダブルキャップ量子ドットの長波長発光

    • 著者名/発表者名
      岩根優人, 三枝知充, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
    • 学会等名
      第73回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 電界効果GaInAs/InP MQWアレイ導波路型波長スイッチの動作特性と解析

    • 著者名/発表者名
      柳智史, 吉岡政洋, 下村和彦
    • 学会等名
      2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      富山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] GaInAsP system growth on InP/SiO2-Si and SiO2 templates fabricated by direct wafer bonding

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto , T. Makino , K. Kimura and K. Shimomura
    • 学会等名
      39th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Santa Barbara, CA, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] MOVPE選択成長およびダブルキャップ法を用いたアレイ導波路型InAs量子ドットLEDのスペクトル特性

    • 著者名/発表者名
      吉川翔平, 三枝知充, 岩根優人, 下村和彦
    • 学会等名
      2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      富山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] InAs積層量子ドットLEDにおける各層のピーク波長制御による広帯域化

    • 著者名/発表者名
      鋤柄俊樹, 吉川翔平, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 直接貼付InP/GaAs基板上GaInAsP系MOVPE成長

    • 著者名/発表者名
      金谷佳則, 松本恵一, 小冷亮太, 岸川純也, 下村和彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上におけるGaInAs/InP系MOVPE結晶成長

    • 著者名/発表者名
      松本恵一,牧野辰則,喜村勝矢, 下村和彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] p-変調ドープInAs/InP量子ドット構造のEL特性

    • 著者名/発表者名
      山元 雄太, 山内 雅之, 吉川 翔平, 下村 和彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] V/III ratio of Ga0.7In0.3As buffer layer dependence on InAs/InP QDs structure

    • 著者名/発表者名
      Y.Iwane, T.Saegusa, K.Yoshida, M.Yamauchi, S.Yoshikawa, and K.Shimomura
    • 学会等名
      16th International Conferenece on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Broadband and flat-topped spectrum of InAs/InP QDs arrayed waveguide LED

    • 著者名/発表者名
      S. Yoshikawa, T. Saegusa, Y. Iwane, M. Yamauchi, and K. Shimomura
    • 学会等名
      40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 自己触媒VLS法によるInPナノワイヤの成長温度依存性

    • 著者名/発表者名
      荻野雄大, 山内雅之, 山元雄太, 下村和彦, 和保孝夫
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] InAs 供給量増加によるInAs/InP ダブルキャップ量子ドットの長波長発光

    • 著者名/発表者名
      山元雄太, 岩根優人, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
    • 学会等名
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] GaInAs/InP MOVPE growth on directly bonded InP/Si substrate

    • 著者名/発表者名
      K. Matsumoto, T. Makino, K. Kimura, and K. Shimomura
    • 学会等名
      16th International Conferenece on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 直接貼付InP/SiO2-Si基板上におけるMOVPE結晶成長表面の面粗さ測定

    • 著者名/発表者名
      松本恵一, 牧野辰則, 喜村勝矢, 下村和彦
    • 学会等名
      第73回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Au-assisted growth of InAs nanowires on GaAs(111)B,GaAs(100),InP(111)B,InP(100) by MOVPE

    • 著者名/発表者名
      S. Murakami , A. Funayama , K. Shimomura and T. Waho
    • 学会等名
      39th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Santa Barbara, CA, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Si基板上直接貼付InP層の平坦性向上

    • 著者名/発表者名
      松本恵一, 小冷亮太,岸川純也, 下村和彦,
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Au微粒子を用いたGaAs(111)B基板上InAsナノワイヤのV/III比依存性

    • 著者名/発表者名
      村上新, 船山裕晃, 下村和彦, 和保孝夫
    • 学会等名
      第73回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAs/InP MQW構造選択MOVPEにおけるPL波長シフト

    • 著者名/発表者名
      松本恵一, Zhang Xinxin, 金谷佳則, 下村和彦
    • 学会等名
      第74回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] ヒーター長変化によるGaInAs/InP MQW波長光スイッチのスイッチング特性

    • 著者名/発表者名
      山崎勇輝, 村上洋介, 下村和彦
    • 学会等名
      第71回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 直接貼付InP/glass 基板上におけるGaInAs/InP 層のMOVPE 結晶成長

    • 著者名/発表者名
      松本恵一, Xinxin Zhang, 金谷佳則, 下村和彦
    • 学会等名
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] Ga0.9In0.1Asバッファ層を用いたInAs/InP量子ドットの発光特性

    • 著者名/発表者名
      岩根優人, 三枝知充, 吉田圭佑, 山内雅之, 吉川翔平, 下村和彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 電界効果GaInAs/InP MQW波長スイッチの電極構造改善

    • 著者名/発表者名
      柳 智史,青柳 孝典,谷村 昂,下村 和彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 選択成長InAs量子ドットアレイLEDのスペクトル解析

    • 著者名/発表者名
      山内雅之,三枝知充,岩根優人, 吉川翔平, 下村和彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術研究報告
    • 発表場所
      機械振興会館、東京
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上へのGa0.2In0.8As量子ドット成長

    • 著者名/発表者名
      Xinxin Zhang, 松本恵一, 金谷佳則, 山内雅之, 下村和彦
    • 学会等名
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • [学会発表] 選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのフラットトップスペクトル

    • 著者名/発表者名
      吉川翔平, 三枝知充, 岩根優人, 山内雅之, 下村和彦
    • 学会等名
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560412
  • 1.  和保 孝夫 (90317511)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 2.  吉田 順自 (80393594)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 12件

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