畠山哲夫 Hatakeyama Tetsuo

研究者番号	90222215
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 富山県立大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度: 富山県立大学, 工学部, 教授 2019年度 – 2021年度: 富山県立大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者 MOS界面 / SiC / 散乱 / 双極子 / シリコンカーバイド / 移動度 / 伝導帯オフセット / バンド配列 / 欠陥 / 第一原理計算 … もっと見る / 界面電界強度 / 界面ラフネス散乱 / クーロン散乱 / 散乱要因 / 界面準位 / 遮蔽 / 界面 / 二次元電子ガス / 電気双極子 / 散乱機構 / MOSFET / パワーデバイス / 界面テクノロジー / 電子デバイス隠す

研究課題
(2件)
研究成果
(22件)

SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  畠山哲夫
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  富山県立大学
SiC MOS界面の反転層移動度の散乱機構の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  畠山哲夫
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  富山県立大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO<sub>2</sub> interface2024
- 著者名/発表者名
  Matsuda Shun、Akiyama Toru、Hatakeyama Tetsuo、Shiraishi Kenji、Nakayama Takashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 2 ページ: 02SP69-02SP69
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad1897
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03928
[雑誌論文] Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs2022
- 著者名/発表者名
  Hatakeyama Tetsuo、Hirai Hirohisa、Sometani Mitsuru、Okamoto Dai、Okamoto Mitsuo、Harada Shinsuke
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 14 ページ: 145701-145701
- DOI
  10.1063/5.0086172
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[雑誌論文] Difference in electron mobility at 4H?SiC/SiO2 interfaces with various crystal faces originating from effective-field-dependent scattering2020
- 著者名/発表者名
  Hirai Hirohisa、Hatakeyama Tetsuo、Sometani Mitsuru、Okamoto Mitsuo、Harada Shinsuke、Okumura Hajime、Yamaguchi Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 4 ページ: 042101-042101
- DOI
  10.1063/5.0012324
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[雑誌論文] Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations2019
- 著者名/発表者名
  Sometani Mitsuru、Hosoi Takuji、Hirai Hirohisa、Hatakeyama Tetsuo、Harada Shinsuke、Yano Hiroshi、Shimura Takayoshi、Watanabe Heiji、Yonezawa Yoshiyuki、Okumura Hajime
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 115 号: 13 ページ: 132102-132102
- DOI
  10.1063/1.5115304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[雑誌論文] Mobility-limiting Coulomb scattering in nitrided 4H-SiC inversion channel on 1 1 ￣ 00 m-face and 11 2 ￣ 0 a-face characterized by Hall effect measurements2019
- 著者名/発表者名
  Hirai Hirohisa、Hatakeyama Tetsuo、Sometani Mitsuru、Okamoto Mitsuo、Harada Shinsuke、Okumura Hajime
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 115 号: 13 ページ: 132106-132106
- DOI
  10.1063/1.5114669
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[学会発表] 4H-SiC/SiO2 界面におけるバンド配列の理論解析：界面双極子形成の検討2024
- 著者名/発表者名
  松田隼，秋山亨,畠山哲夫，白石賢二,中山隆史
- 学会等名
  第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03928
[学会発表] ハイブリッド密度汎関数法による 4H-SiC/SiO2 界面におけるバンド配列の面方位依存性の理論解析2023
- 著者名/発表者名
  松田隼，秋山亨,畠山哲夫，白石賢二 ,中山隆史
- 学会等名
  第８４回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03928
[学会発表] 4H-SiC/SiO2 界面におけるバンド配列および界面双極子形成に関する理論解析2023
- 著者名/発表者名
  松田隼，秋山亨, 畠山哲夫，白石賢二 ,中山隆史
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03928
[学会発表] A Physics-based Model for Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs2023
- 著者名/発表者名
  T. Hatakeyama, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, S. Harada
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03928
[学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETに対するTACD チャネル移動度モデル構築2023
- 著者名/発表者名
  志村一眞, 岡本大、畠山哲夫
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03928
[学会発表] pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性2023
- 著者名/発表者名
  田口雄大, 岡本大染谷満, 平井悠久岡本光央, 畠山哲夫
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03928
[学会発表] First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO2 interface2023
- 著者名/発表者名
  Shun Matsuda, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama
- 学会等名
  2023 International Conferences on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03928
[学会発表] C12 On-the-fly charge pumpingの温度依存性測定による SiC MOSFETのNBTI特性の解析2021
- 著者名/発表者名
  岡野夏樹, 岡本大, 染谷満, 平井悠久 , 岡本光央, 畠山哲夫
- 学会等名
  令和３年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[学会発表] II-2 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価2021
- 著者名/発表者名
  坂田大輝, 岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫 , 矢野裕司, 岩室憲幸
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[学会発表] C02 TCADによるSiC MOSFETのチャージポンピング電流のシミュレーション2021
- 著者名/発表者名
  守山遼, 犬塚柊, 岡本大, 畠山哲夫
- 学会等名
  令和３年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[学会発表] IB-10 4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響2021
- 著者名/発表者名
  染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[学会発表] IIB-9 SiC van der PauwおよびHall bar素子の最適設計2021
- 著者名/発表者名
  守山遼, 岡本大, 畠山哲夫
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[学会発表] C04 TCAD によるクローバー型ホール効果測定素子設計の検討2021
- 著者名/発表者名
  伊藤大地, 守山遼, 岡本大, 畠山哲夫
- 学会等名
  令和３年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[学会発表] C03 TCAD によるギリシア十字架型ホール効果測定素子設計の検討2021
- 著者名/発表者名
  中村宙夢, 守山遼, 岡本大, 畠山哲夫
- 学会等名
  令和３年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[学会発表] SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察2021
- 著者名/発表者名
  畠山哲夫, 平井悠久, 染谷満岡本大, 岡本光央, 原田信介
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第26回研究会)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[学会発表] C01 SiC Hall barの最適設計に関する考察2021
- 著者名/発表者名
  守山遼, 岡本大, 畠山哲夫
- 学会等名
  令和３年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494
[学会発表] [We-2A-02] The Effects of Coulomb Scattering Centers at SiO2/SiC interfaces on Electron Mobility in Inversion Layers2019
- 著者名/発表者名
  Tetsuo Hatakeyama, Minoru Sometani, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04494

畠山 哲夫 Hatakeyama Tetsuo

研究課題

研究成果

SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

SiC MOS界面の反転層移動度の散乱機構の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO<sub>2</sub> interface2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Difference in electron mobility at 4H?SiC/SiO2 interfaces with various crystal faces originating from effective-field-dependent scattering2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Mobility-limiting Coulomb scattering in nitrided 4H-SiC inversion channel on 1 1 ￣ 00 m-face and 11 2 ￣ 0 a-face characterized by Hall effect measurements2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] 4H-SiC/SiO2 界面におけるバンド配列の理論解析：界面双極子形成の検討2024

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] ハイブリッド密度汎関数法による 4H-SiC/SiO2 界面におけるバンド配列の面方位依存性の理論解析2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 4H-SiC/SiO2 界面におけるバンド配列および界面双極子形成に関する理論解析2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] A Physics-based Model for Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETに対するTACD チャネル移動度モデル構築2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping電流のチャネル長依存性2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO2 interface2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] C12 On-the-fly charge pumpingの温度依存性測定による SiC MOSFETのNBTI特性の解析2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] II-2 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] C02 TCADによるSiC MOSFETのチャージポンピング電流のシミュレーション2021

著者名/発表者名

学会等名

データソース

畠山哲夫 Hatakeyama Tetsuo