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工藤 友裕  KUDOU Tomohiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90225160
所属 (現在) 2025年度: 熊本高等専門学校, リベラルアーツ系理数グループ, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2007年度: 熊本電波工業高等専門学校, 一般科, 准教授
2007年度: 熊本電波工業高等専門学校, 一般科目, 准教授
2006年度: 熊本電波工業高等専門学校, 一般科, 助教授
2006年度: 熊本電波工業高等専門学校, 一般科目, 助教授
2005年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授 … もっと見る
2004年度: 独立行政法人国立高等専門学校機構 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授
2004年度: 独立行政法人国立高等専門学校機構熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授
2003年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授
2000年度 – 2002年度: 熊本電波工業高等専門学校, 情報通信工学科, 助教授
1998年度 – 1999年度: 熊本電波工業高等専門学校, 情報通信工学科, 助手
1997年度: 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
無機材料・物性
研究代表者以外
工学基礎 / 金属物性 / 電子デバイス・機器工学 / 構造・機能材料 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
SiGe / MOSFET / radiation damage / proton / SiC / 高温照射 / 電子線 / 歪Si / 照射損傷 / 陽子線 … もっと見る
研究代表者以外
… もっと見る 格子欠陥 / 照射損傷 / Recovery by annealing / Induced lattice defects / High energy particle / Radiation damage / 半導体デバイス / 回復 / 熱処理 / 劣化 / 宇宙空間 / 高エネルギー粒子 / Degradation / Electron / InGaAs HEMT / SiGe hetero device / SiGe / 特性劣化 / recovery / induced lattice defect / SOI transisor / SiC transistor / proton / electron / radiation damage / MOSFET / 歪Si / GaN LED / 高温照射 / 電子線 / 陽子線 / 宇宙環境 / 放射線 / SOI MOS / InGaAs photodiode / 高工ネルギー粒子 / Radiation source dependence of radiation atom / Degradation of performance / submicron MOSFETs / AlGaAs HEMT / InGaAsデバイス / HEMT / InGaAs / 放射線損傷 / 高エネルギー粒子線 隠す
  • 研究課題

    (6件)
  • 研究成果

    (4件)
  • 共同研究者

    (10人)
  •  先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構

    • 研究代表者
      紫垣 一貞
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      工学基礎
    • 研究機関
      熊本電波工業高等専門学校
  •  半導体デバイスの放射線照射損傷における高温照射効果研究代表者

    • 研究代表者
      工藤 友裕
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      熊本電波工業高等専門学校
  •  半導体デバイスの高・低温放射線照射に関する研究

    • 研究代表者
      紫垣 一貞
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      熊本電波工業高等専門学校
  •  InGaAsデバイスの放射線損傷とその低減法

    • 研究代表者
      紫垣 一貞 (柴垣 一貞)
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      熊本電波工業高等専門学校
  •  先端半導体デバイスの高性能化

    • 研究代表者
      大山 英典
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      熊本電波工業高等専門学校
  •  先端半導体デバイスと材料の放射線損傷

    • 研究代表者
      大山 英典
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      熊本電波工業高等専門学校

すべて 2008 2007

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Optical property and crystalline quarity Si and Ge added β-Ga_2O_3 thin films2007

    • 著者名/発表者名
      K. Takakura, T. Kudou, et. al.
    • 雑誌名

      Journal of Materials Science Materials in Electronics 19

      ページ: 167-170

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560602
  • [雑誌論文] Optical property and crystalline quarity Si and Ge added β-Ga_2O_3 thin films2007

    • 著者名/発表者名
      K.Takakura, T.Kudou, et. al.
    • 雑誌名

      Journal of Materials Science Materials in Electronics 19

      ページ: 167-170

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560602
  • [雑誌論文] Optical property and crystalline quarity Si and Ge added □-Ga2O3 thin films2007

    • 著者名/発表者名
      K. Takakura, T. Kudou, et. al.
    • 雑誌名

      Journal of Materials Science Materials in Electronics 19

      ページ: 167-170

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560602
  • [学会発表] 歪Si MOSFETの陽子線照射損傷2008

    • 著者名/発表者名
      葉山 清輝, 工藤 友裕, 他
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      日本大学船橋
    • 年月日
      2008-03-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560602
  • 1.  大山 英典 (80152271)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  葉山 清輝 (00238148)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 1件
  • 3.  博多 哲也 (60237899)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  紫垣 一貞 (50044722)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  高倉 健一郎 (70353349)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 3件
  • 6.  SIMOEN Eddy
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  CLAEYS Cor
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  EDDY Simoen
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  COR Claeys
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  SIMONE Eddy
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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