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藤原 賢三  FUJIWARA Kenzo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90243980
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2004年度 – 2006年度: 九州工業大学, 工学部, 教授
2000年度: 九州工業大学, 工学部・電気工学科, 教授
1997年度 – 1999年度: 九州工業大学, 工学部, 教授
1994年度 – 1995年度: 九州工業大学, 工学部・電気工学科, 教授
1993年度 – 1994年度: 九州工業大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
極微細構造工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
半導体超格子 / GaAs / 光電流スペクトル / 量子井戸 / quantum well / 励起子 / 光伝導 / InGaN / photoluminescence / フォトルミネッセンス … もっと見る / 光電気効果 / シュタルク効果 / 発光再結合 / 光生成キャリアー / 光吸収スペクトル / Stark effects / carrier capture / electroluminescence / light-emitting diode / III-nitride semiconductors / フォトルミネッサンス / 発行ダイオード / 量子井戸構成 / シュタルク電界効果 / キャリアー捕獲 / エレクトロルミネッセンス / 発光ダイオード / 窒化ガリウム系半導体 / 量子井戸構造 / radiative recombination lifetime / emission dynamics / time-resolved emission / quantum capture / exciton / 発光再結合寿命 / 発光ダイナミクス / 時間分解発光 / 量子捕獲 / photo-excited carrier transport / photo-electric effect / scanning tunneling microscopy (STM) / local probe / photocurrent / tuneling / ピエゾ素子 / トンネル電流 / 光生成キャリア / 共鳴励起 / 走査型トンネル電子顕微鏡 / 光励起キャリアー伝導 / 走査型トンネル顕微鏡 / 局所プローブ / 光電流 / トンネル効果 / resonant tunneling / photoelectric effect / excitonic effect / Stark effect / optical transition / Photocurrent spectra / quantum structure / semiconductor superlattice / 励起+効果 / 共鳴トンネル効果 / 励起子効果 / 光学遷移 / 量子構造 / Heterointerface / Han-Hove Singularity / Photoconductivity / Electrooptic Effects / Stark Effects / Optical Spectra / Miniband / Semiconductor Superlattice / ヘテロ界面 / バン・ホ-フ特異点 / 電気光学効果 / 光スペクトル / ミニバンド 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 研究成果

    (21件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  半導体量子構造系におけるキャリア-量子捕獲および離脱機構研究代表者

    • 研究代表者
      藤原 賢三
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  異なる半導体量子構造間の量子捕獲ダイナミクス研究代表者

    • 研究代表者
      藤原 賢三
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  局所共鳴光励起による微小領域の光電流応答測定装置の試作研究代表者

    • 研究代表者
      藤原 賢三
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  半導体超格子空間における光学遷移過程の電界制御研究代表者

    • 研究代表者
      藤原 賢三
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      極微細構造工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  半導体超格子の非線形光電流スペクトル応答と励起子効果研究代表者

    • 研究代表者
      藤原 賢三
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      極微細構造工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  量子井戸系における光電流分光法の研究研究代表者

    • 研究代表者
      藤原 賢三
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  半導体超格子のワニエ・シュタルク局在性の研究研究代表者

    • 研究代表者
      藤原 賢三
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1994
    • 研究種目
      国際学術研究
    • 研究機関
      九州工業大学

すべて 2007 2006 2005 2004

すべて 雑誌論文

  • [雑誌論文] Impact of forward bias on electroluminescence efficiency in blue and green InGaN quantum well diodes : A comparative study2007

    • 著者名/発表者名
      A.Hori, D.Yasunaga, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 515

      ページ: 4480-4483

    • NAID

      120002440618

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inada, A.Satake, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (In print)

    • NAID

      120002440609

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] External Field Effects on Photoluminescence Properties of Blue InGaN Quantum-Well Diodes2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inoue, K.Fujiwara, J.K.Sheu
    • 雑誌名

      The proceedings of the 2006 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (IEEE Press) (未定)(印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inada, A.Satake, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)4[7]

      ページ: 2768-2771

    • NAID

      120002440609

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Hole escape processes deterimental to photoluminescence efficiency in a blue InGaN multiple-quantum-well diode under reverse bias conditions2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inoue, K.Fujiwara, J.K Sheu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90[16]

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] External Field Effects on Photoluminescence Properties of Blue InGaN Quantum-Well Diodes2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inoue, K.Fujiwara, J.K.Sheu
    • 雑誌名

      The proceedings of the 2006 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (IEEE Press) (In print)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Hole escape processes deterimental to photoluminescence efficiency in a blue InGaN multiple-quantum-well diode under reverse bias conditions2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inoue, K.Fujiwara, J.K.Sheu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90[16]

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inada, A.Satake, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 4[7]

      ページ: 2768-2771

    • NAID

      120002440609

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] External Field Effects on Photoluminescence Properties of Blue InGaN Quantum-Well Diodes"2007

    • 著者名/発表者名
      T.Inoue, K.Fujiwara, J.K.Sheu
    • 雑誌名

      Proceedings of the 2006 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, to be published by the IEEE Press (in print)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Impact of forward bias on electroluminescence efficiency in blue and green InGaN quantum well diodes : A comparative study2007

    • 著者名/発表者名
      A.Hori, D.Yasunaga, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol. 515

      ページ: 4480-4483

    • NAID

      120002440618

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Internal and external field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes2006

    • 著者名/発表者名
      H.Aizawa, K.Soejima, A.Hori, A.Satake, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 3[3]

      ページ: 589-593

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Electroluminescence efficiency of blue InGaN/GaN quantum well diodes with and without an n-InGaN electron reservoir layer2006

    • 著者名/発表者名
      N.Otsuji, K.Fujiwara, J.K.Sheu
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 100[11]

    • NAID

      120002440717

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Carrier capture and escape processes in (In,Ga)N single-quantum-well diode under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy2006

    • 著者名/発表者名
      A.Satake, K.Soejima, H.Aizawa, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 3[6]

      ページ: 2203-2206

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Interplay of external and internal field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes2006

    • 著者名/発表者名
      H.Aizawa, K.Soejima, A.Hori, A.Satake, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)3[3]

      ページ: 589-593

    • NAID

      120002440526

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Internal and external field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes2006

    • 著者名/発表者名
      H.Aizawa, K.Soejima, A.Hori, A.Satake, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 3・3

      ページ: 589-593

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Impact of forward bias on electroluminescence efficiency in blue and green InGaN quantum well diodes : a comparative study2006

    • 著者名/発表者名
      A.Hori, D.Yasunaga, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (in print)

    • NAID

      120002440618

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Carrier capture and escape processes in (In,Ga)N single-quantum-well diode under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy2006

    • 著者名/発表者名
      A.Satake, K.Soejima, H.Aizawa, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(b) (in print)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Carrier capture and escape processes in (In, Ga)N single-quantum-well diode under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy2006

    • 著者名/発表者名
      A.Satake, K.Soejima, H.Aizawa, K.Fujiwara
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)3[6]

      ページ: 2203-2206

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In,Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer2005

    • 著者名/発表者名
      N.Otsuji, Y.Takahashi, A.Satake, K.Fujiwara, J.K.Shue, U.Jahn, H.Kostial, H.T.Grahn
    • 雑誌名

      Proceedings of 13th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (Beijing, China, September 20-24, 2004) (印刷中)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In, Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer2004

    • 著者名/発表者名
      N.Otsuji, Y.Takahashi, A.Satake, K.Fujiwara, J.K.Shue, U.Jahn, H.Kostial, H.T.Grahn
    • 雑誌名

      Proceedings of 13th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (Bejin, China, September 20-24, 2004)

      ページ: 276-280

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • [雑誌論文] Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In,Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer2004

    • 著者名/発表者名
      N.Otsuji, Y.Takahashi, A.Satake, K.Fujiwara, J.K.Shue, U.Jahn, H.Kostial, H.T.Grahn
    • 雑誌名

      Proceedings of 13th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (Beijing, China, September 20-24, 2004)

      ページ: 276-280

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360157
  • 1.  竹内 道一 (60284585)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  川島 健児 (50284584)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  佐竹 昭泰 (90325572)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 12件
  • 4.  中山 正昭 (30172480)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  佐藤 和郎 (30315163)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  SCHNEIDER Ha
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  PLOOG Klaus
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  HARALD SCHNE
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  KLAUS PLOOG
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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