野田武司 NODA Takeshi

研究者番号	90251462
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 技術開発・共用部門, NIMS特別研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2022年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, エネルギー・環境材料研究拠点, 上席研究員 2019年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, エネルギー・環境材料研究拠点, グループリーダー 2013年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 環境・エネルギー材料部門太陽光発電材料ユニット超高効率太陽電池グループ, グループリーダー 2011年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料研究ユニット, 主幹研究員 2010年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 … もっと見る 1999年度 – 2002年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手 1998年度: 東京大学, 先端技術研究センター, 助手 1996年度 – 1997年度: 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助手 1994年度 – 1995年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分36020:エネルギー関連化学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 表面界面物性 / 電子材料工学 / ナノ構造科学
キーワード	研究代表者量子井戸 / 量子構造 / 量子ドット / 太陽電池 / 吸着原子 / 拡散 / 長周期構造 / 異方性 / 電気伝導特性 / 分子線エピキタシ- / (311)A基板 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る量子ドット / 光検出器 / 量子細線 / quantum dots / 電子散乱 / ナノ構造 / 自己形成 / 逆HEMT構造 / InAs量子箱 / 赤外検出器 / クーロン相互作用 / 光学フォノン / サブバンド間励起 / 共鳴結合 / 二重量子井戸 / 量子箱 / 赤外光源 / トンネル発光 / 光アンテナ / メタマテリアル / Photoabsorption property / Differential conductance / Surface potential / Schottky barrier / GaAs giant steps / Laser-illuminated STM / Conductive tip AFM / InAs wires and thin films / 光吸収特性 / 微分コンダクタンス / 表面電位 / ショットキ障壁 / GaAs巨大ステップ / レーザ光照射STM / 導電性探針AFM / 薄膜構造 / InAs細線 / nanostructures / Electron relaxation / localization / quantum rings / Electron scattering / anti-dots / Granular materials / プレーナ起格子 / 零次元電子 / InAsドット / 電子緩和 / 局在 / 量子リング / アンチドット / グレイン(粒状)物質 / optical transitions / quantum levels / quantum well films / quantum wires / Nanostructures / ボロメータ / メモリ素子 / 伝導特性 / 単一ヘテロ構造 / 光イオン化 / シュタルク効果 / 中赤外光 / エネルギー準位 / 量子(井戸) / 赤外光 / 光学遷移 / 量子準位 / 量子井戸薄膜 / Capacitance-voltage spectroscopy / Resonant tunnel structure / Quantum point contact / Optical detector / Memory function / Inverted HEMT structure / Self-assembly / 10nm InAs quantum dot / 電子状態 / 逆HEMT / ヒステリシス特性 / 量子化コンダクタンス / FET / 自己形成量子箱 / 容量・電圧分光法 / 共鳴トンネル構造 / 量子ポイントコンタクト / メモリー機能 / 10nm級InAs量子箱 / intersubband excitation / multi-atomic step / memory device / InAs quantum box / negative mutual conductance / infrered detector / velocity modulation / heterocoupling / 非局在状態 / 共鳴散乱 / 非共鳴 / 共鳴 / 2重量子井戸 / 電子速度変調 / トンネル結合 / エッジ状態 / メモリー / インジウム砒素(InAs) / サイクロトロン共鳴 / GaAs(111)B面 / 自己形成InAs量子箱 / 多段原子ステップ / メモリー素子 / 負の相互コンダクタンス / 速度変調 / ヘテロカップリング / diamugnetic shift / oscillator strength / one-dimensional exciton / spatially resolved micro-photo luminescence / T-shaped GaAs quantum wire / cleaved overgrowth / atomic force microscope / ridge quantum wire / 束縛エネルギー / へき開再成長法 / リッジ構造 / T型量子細線 / フォトルミネセンス励起スペクトル / 横方向閉じ込め / 空間分解フォトルミネセンス / 一次元状態 / 反磁性シフト / 振動子強度 / 一次元励起子 / 空間分解顕微フォトルミネセンス / T型GaAs量子細線 / へき開再成長 / 原子間力顕微鏡 / リッジ量子細線 / ionization / photon excitation / phonon bottle-neck / energy relaxation / tunnel conduction / magnetophonon resonance / quantum box / super-donor / 音響フォノン / 電子伝導 / 結合量子箱 / 遷移確率 / (311)面 / ブロッホ振動 / ミニバンド / 結合した量子箱(C-QB) / 赤外応答 / フォノン放出 / 磁場量子化 / スーパードナー / 半導体量子箱 / イオン化 / 光励起 / フォノンボトルネック / エネルギー緩和 / トンネル伝導 / 磁気フォノン共鳴 / 人工局在準位 / 光通信波長 / GaSb / GaAs / 光検出 / 単一光子検出 / 分子線エピタキシー / 量子ロッド / 三角障壁 / 核磁場効果 / レーザー分光 / ナノ構造物性 / 光伝導 / 1次元電子 / 量子ナノ構造 / スピンデバイス / 量子デバイス隠す

中間電極を有する三端子量子ドット太陽電池の作製と評価研究代表者
- 研究代表者
  
  野田武司
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分36020:エネルギー関連化学
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
熱放射に代わる新原理赤外光源－共鳴量子アンテナ光源－の開発
- 研究代表者
  
  宮崎英樹
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学
単一量子ドット分光による非平衡核スピン分布の可視化
- 研究代表者
  
  黒田隆
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ構造科学
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構
量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学
ナノプローブを用いたInAs微細構造の表面近傍電子状態評価と電子伝導機構の解明
- 研究代表者
  
  高橋琢二
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  東京大学
半導体ミクロおよびナノ・グレイン物質の物性支配機構の解明と制御の研究
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
ナノ構造内の電子遷移の新制御法と近赤外・中赤外域光変調機能デバイスの開発
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京大学
10ナノメートル級半導体量子箱の電子状態の解明とメモリー機能の探索
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京大学
ナノスケール量子細線の構造制御と一次元励起子の光学特性
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
ヘテロカップリングを用いた電子速度変調効果と赤外線検出器及びFETへの応用
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京大学
分子線エピタキシ-法における(311)面上の拡散過程と量子構造の形成に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  野田武司
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
半導体量子箱および人工局在準位(スーパードナー)における電子状態と遷移過程の研究
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1994
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  東京大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] GaAs/AlGaAs quantum wells with indirect-gap AlGaAs barriers for solar cell applications2014
- 著者名/発表者名
  T. Noda, L. M. Otto, M. Elborg, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, L. Han, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 104 号: 12
- DOI
  10.1063/1.4869148
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Growth of GaSb quantum dots on GaAs (311)A2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 378 ページ: 475-479
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.11.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164, KAKENHI-PROJECT-25289091
[雑誌論文] Photo-induced current in n-AlGaAs/ GaAs heterojunction channels driven by local illumination at the edge regions of Hall bar2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 102, 25 号: 25 ページ: 252104-252104
- DOI
  10.1063/1.4812293
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164, KAKENHI-PROJECT-25289091
[雑誌論文] Fabrication of InAs nanoscale rings by droplet epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  T. Noda, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 378 ページ: 529-531
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.11.036
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Impacts of ambipolar carrier escape on current-voltage characteristics in a type-I quantum-well solar cell2013
- 著者名/発表者名
  M. Jo, Y. Ding, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, K. Sakoda, L. Han, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 103, 6 号: 6
- DOI
  10.1063/1.4818510
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164, KAKENHI-PROJECT-25289091
[雑誌論文] Anomalous capacitance-voltage characteristics of GaAs/AlGaAs multiple quantum well solar cells2012
- 著者名/発表者名
  T. Noda, T. Mano, M. Jo, Y. Ding, T. Kawazu, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 51, 10 号: 10S ページ: 10ND07-10ND07
- DOI
  10.1143/jjap.51.10nd07
- NAID
  210000141491
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Effects of Sb/As Interdiffusion on Optical Anisotropy of GaSb Quantum Dots in GaAs Grown by Droplet Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu et al.
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 51 号: 11R ページ: 115201-115201
- DOI
  10.1143/jjap.51.115201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360133, KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Self-assembly of InAs ring complexes on InP substrates by droplet epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  T. Noda, T. Mano, M. Jo, T. Kawazu, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys
  
  巻: 112, 6 号: 6
- DOI
  10.1063/1.4752255
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Current-voltage characteristics of GaAs/AlGaAs coupled multiple quantum well solar cells2012
- 著者名/発表者名
  Y. Ding, T. Noda, T. Mano, M. Jo, T. Kawazu, L. Han, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  Jpn.J. Appl. Phys
  
  巻: 51, 10 号: 10S ページ: 10ND08-10ND08
- DOI
  10.1143/jjap.51.10nd08
- NAID
  210000141492
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Optical Anisotropy of GaSb Type-II Nanorods on Vicinal (111)B GaAs2011
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu, et al
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 99 号: 23
- DOI
  10.1063/1.3665394
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360133, KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Anisotropic diffusion of In atoms from an In droplet and formation of elliptically shaped InAs quantum dot clusters on (100) GaAs2011
- 著者名/発表者名
  T.Noda, T.Mano, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  Crystal Growth & Design Vol.11, 3
  
  ページ: 726-728
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Anisotropic diffusion of In atoms from an In droplet and formation of elliptically shaped InAs quantum dot clusters on (100) GaAs2011
- 著者名/発表者名
  T.Noda
- 雑誌名
  
  Crystal Growth & Design
  
  巻: 11 ページ: 726-728
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (111)B GaAs2010
- 著者名/発表者名
  Y.Akiyama, T.Kawazu, T.Noda, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  AIP Conf.Proc Vol.1199
  
  ページ: 265-266
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Spontaneous formation of a cluster of InAs dots along a ring-like zone on GaAs (100)by droplet epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Takeshi Noda
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 311
  
  ページ: 1836-1838
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Anisotropic transport of electrons and holes in thin GaAs/AlAsquantum wells grown on(311)A GaAs substrates2008
- 著者名/発表者名
  Takeshi Noda
- 雑誌名
  
  Physica E Vol. 40
  
  ページ: 2116-2118
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 埋め込み量子構造を有する3端子構成太陽電池2021
- 著者名/発表者名
  野田武司、間野高明
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02852
[学会発表] THREE-TERMINAL SOLAR CELLS WITH EMBEDDED QUANTUM WELLS2020
- 著者名/発表者名
  Takeshi Noda, Takaaki Mano
- 学会等名
  PVSEC-30 & GPVC 2020
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02852
[学会発表] Post-growth anealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe Convention Center, Kobe, Japan
- 年月日
  2013-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A2013
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 学会等名
  12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures in conjunction with 21st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ACSIN-12 & ICSPM21)
- 発表場所
  Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan
- 年月日
  2013-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Growth of GaSb quantum dots on GaAs (311)A2012
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
- 発表場所
  Nara, Japan
- 年月日
  2012-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 液滴エピタキシーで形成したInAs リングの光学特性2012
- 著者名/発表者名
  野田武司, 間野高明, 定昌史, 川津琢也, 丁毅, 榊裕之
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] GaAs(311)A 基板上のGaSb ドットの成長2012
- 著者名/発表者名
  川津琢也, 野田武司, 間野高明, 佐久間芳樹, 榊裕之
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Fabrication of InAs nanoscale rings by droplet epitaxy and their optical properties2012
- 著者名/発表者名
  T. Noda, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, H. Sakaki
- 学会等名
  The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
- 発表場所
  Nara, Japan
- 年月日
  2012-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 微傾斜GaAs(111)B 基板上のGaSb タイプII ナノロッドの自己形成2012
- 著者名/発表者名
  川津琢也, 秋山芳広, 野田武司, 間野高明, 佐久間芳樹, 榊裕之
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs 量子ドットの後熱処理効果2011
- 著者名/発表者名
  川津琢也, 野田武司, 間野高明, 佐久間芳樹, 榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 多重量子井戸構造を有するpinダイオードにおける光電流のバイアス電圧依存性2010
- 著者名/発表者名
  野田武司
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Fabrication of InAs ring structure on InGaAs/InP by droplet epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Noda
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010)
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2010-08-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 液滴エピタキシーによるInGaAs/InP上InAsリング構造の作製2010
- 著者名/発表者名
  野田武司
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 自己形成InGaAsドット列における異方的な持続性光電流2010
- 著者名/発表者名
  秋山芳広、川津琢也, 野田武司, 榊裕之
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Photocurrent characteristics in p-i-n diodes embedded with coupled or uncoupled multi-quantum wells2010
- 著者名/発表者名
  T.Noda
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Takamatsu, Japan
- 年月日
  2010-05-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 微傾斜(111)B面上のInGaAs結合ドット列を介する異方的電子伝導の温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  秋山芳広, 川津琢也, 野田武司, 榊裕之
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Anisotropic effective mass and hole transport in p-type(311)A thin GaAs quantum wells2009
- 著者名/発表者名
  T.Noda
- 学会等名
  The 14<th> International Conf. on Modulated Semiconductor Structures(MSS14)
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 液滴エピタキシーで形成したGaAs・InAs複合構造と表面拡散2009
- 著者名/発表者名
  野田武司
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (111)B GaAs2008
- 著者名/発表者名
  秋山芳広, 川津琢也, 野田武司, 榊裕之
- 学会等名
  29th International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- 年月日
  2008-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 液滴エピタキシー法によるInAsドット群の自己形成と光学特性2008
- 著者名/発表者名
  野田武司
- 学会等名
  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Photocurrent reduction in GaAs/AlGaAs coupled multiple quantum well solar cells
- 著者名/発表者名
  Y. Ding, T. Noda, T. Mano, M. Jo, K. Sakoda, L. Han, H. Sakaki
- 学会等名
  21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Current-voltage characteristics and their wavelength dependences of GaAs/AlGaAs coupled quantum well solar cells
- 著者名/発表者名
  T. Noda, Y. Ding, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, L. Han, H. Sakaki
- 学会等名
  1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN)
- 発表場所
  Brisbane, Australia
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Current-voltage characteristics of GaAs/AlGaAs coupled quantum well solar cells
- 著者名/発表者名
  T. Noda, T. Mano, Y. Ding, M. Jo, H. Sakaki
- 学会等名
  4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells
- 発表場所
  Kobe, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Evidence of charge accumulation in GaAs/AlGaAs coupled quantum well solar cells
- 著者名/発表者名
  T. Noda, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, H. Sakaki
- 学会等名
  Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 発表場所
  Hangzhou, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Wavelength dependence of photo I-V in p-i-n diode containing coupled multiple quantum wells
- 著者名/発表者名
  Yi Ding、野田武司、間野高明、定昌史、韓礼元、榊裕之
- 学会等名
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Anomalous capacitance-voltage characteristics of GaAs/AlGaAs multiple quantum well solar cells
- 著者名/発表者名
  T. Noda, T. Mano, M. Jo, Y. Ding, T. Kawazu, H. Sakaki
- 学会等名
  21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 微傾斜GaAs(111)B基板上のGaSbタイプIIナノロッドの自己形成
- 著者名/発表者名
  川津琢也、秋山芳広、野田武司、間野高明、佐久間芳樹、榊裕之
- 学会等名
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 多重量子井戸太陽電池における井戸内励起I-V特性の温度依存性
- 著者名/発表者名
  丁　　毅、野田武司、間野高明、迫田和彰、榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 液滴エピタキシーで形成したInAsリングの光学特性
- 著者名/発表者名
  野田武司、間野高明、定昌史、川津琢也、丁　　毅、榊裕之
- 学会等名
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 量子井戸太陽電池を用いた二段階光吸収によるフォトカレント生成
- 著者名/発表者名
  野田武司，間野高明，Martin Elborg，川津琢也，Liyuan Han，榊裕之
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Post-growth anealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 試料端局所照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合チャネルの光電流
- 著者名/発表者名
  川津琢也，野田武司，間野高明，佐久間芳樹，榊　裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 結合量子ドット太陽電池における電荷蓄積
- 著者名/発表者名
  野田武司、定昌史、間野高明、川津琢也、榊裕之
- 学会等名
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] InP(111)A基板上のInAsドットの液滴エピタキシー
- 著者名/発表者名
  野田武司，間野高明，川津琢也，榊　裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] GaAs/AlGaAs多重量子井戸太陽電池のCV特性
- 著者名/発表者名
  野田武司、間野高明、定昌史、川津琢也、丁　　毅、韓礼元、榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] GaAs(311)A基板上のGaSbドットの成長
- 著者名/発表者名
  川津琢也、野田武司、間野高明、佐久間芳樹、榊裕之
- 学会等名
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs量子ドットの後熱処理効果
- 著者名/発表者名
  川津琢也、野田武司、間野高明、佐久間芳樹、榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
- 学会等名
  ACSIN-12 & ICSPM21
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Photocurrent studies of GaAs/AlGaAs coupled quantum well solar cells
- 著者名/発表者名
  T. Noda, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, H. Sakaki
- 学会等名
  EP2DS-20 & MSS-16 (20th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-20) and 16th International Conference on Modulated Semiconductor Structures(MSS-16)
- 発表場所
  Wroclaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164

1. 榊裕之 (90013226)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 40件
2. 高橋琢二 (20222086)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
3. 永宗靖 (20218027)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. PAVEL Vitushinskiy (30545330)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 大森雅登 (70454444)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 秋山芳広 (60469773)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 6件
7. 川津琢也 (00444076)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 34件
8. 間野高明 (60391215)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
9. 秋山英文 (40251491)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
10. 黒田隆 (00272659)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 松末俊夫 (20209547)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 荒川泰彦 (30134638)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 宮崎英樹 (10262114)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 井上純一 (90323427)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 神馬洋司 (00246844)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

野田 武司 NODA Takeshi

研究課題

研究成果

共同研究者

中間電極を有する三端子量子ドット太陽電池の作製と評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

分子線エピタキシ-法における(311)面上の拡散過程と量子構造の形成に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] GaAs/AlGaAs quantum wells with indirect-gap AlGaAs barriers for solar cell applications2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Growth of GaSb quantum dots on GaAs (311)A2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

野田武司 NODA Takeshi