矢野浩司 YANO Koji

研究者番号	90252014
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2023年度: 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 2014年度 – 2016年度: 山梨大学, 総合研究部, 教授 2012年度 – 2013年度: 山梨大学, 医学工学総合研究部, 教授 2010年度 – 2011年度: 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 教授 2007年度 – 2009年度: 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 准教授 … もっと見る 2006年度: 山梨大学, 医学工学総合研究部, 助教授 1999年度: 山梨大, 工学部, 助手 1997年度 – 1998年度: 山梨大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電力工学・電力変換・電気機器 / 小区分21010:電力工学関連 / 電力工学・電気機器工学 / 電力工学・電気機器工学研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者パワーデバイス / ワイドバンドギャップ / SiC / ワイドバンドギャップ半導体 / 電力工学 / パワーエレクトロニクス / 静電誘導トランジスタ / シリコンデバイス / スーパージャンクション / パワー半導体 … もっと見る / 半導体工学 / 実装 / パワーモジュール / JFET / SIT / 高速半導体スイッチ / パルスパワー / 炭化硅素 / 省エネルギー / 炭化珪素 / シリコンカーバイド / 半導体シミュレーション / パルスパワー電源 / 静電誘導型半導体デバイス … もっと見る研究代表者以外ｐｎ接合ダイオード / 酸化ニッケル / 酸化ガリウム / 高耐圧 / 電子デバイス / 電子・電気材料 / 結晶工学 / ヘテロ構造 / スイッチング / ヘテロ接合ダイオード / 結晶配向性 / 結晶配向 / infrared imaging / remote sensing / Joule's heat / Biot-Savart Law / inverse problem / eddy current / melt growth / Magnetic Czochralski method / ビオ・サバ-ルの法則 / ガリウム / 運動導体 / 非接触測定 / 誘起磁場 / 誘起電流 / 磁場卯加 / 融液からの成長 / 渦電流 / 赤外線画像 / 非接触計測 / ジュール熱 / ビオ・サバールの法則 / 逆問題 / 滑電流 / 融液成長 / 磁場印加成長隠す

シリコン超低損失スーパージャンクションダーリントン型パワーデバイスの研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21010:電力工学関連
- 研究機関
  山梨大学
全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロｐｎ接合ダイオードの特性改善
- 研究代表者
  
  中込真二
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  石巻専修大学
光駆動SiCパワースイッチ研究代表者
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21010:電力工学関連
- 研究機関
  山梨大学
全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロｐｎ接合作製のための基盤技術開発
- 研究代表者
  
  中込真二
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  石巻専修大学
3次元スタック実装SiCカスコードパワーデバイス研究代表者
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  山梨大学
超低損失・高速SiCパワーデバイスのパルスパワー応用研究代表者
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  山梨大学
超低損失炭化珪素静電誘導トランジスタの新しい動作モード研究代表者
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  山梨大学
超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発研究代表者
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電力変換・電気機器
- 研究機関
  山梨大学
シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明研究代表者
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電力工学・電気機器工学
- 研究機関
  山梨大学
静電誘導型半導体デバイスの高速パルスパワー応用研究代表者
- 研究代表者
  
  矢野浩司
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  電力工学・電気機器工学
- 研究機関
  山梨大学
融液からの磁場印加結晶成長における誘起電流分布の非接触計測
- 研究代表者
  
  春日正伸
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  山梨大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Extremely Low ON-Resistance SiC Cascode Configuration Using Buried-Gate Static Induction Transistor2018
- 著者名/発表者名
  Koi Yano, Yasunori Tanaka, and Masayuki Yamamoto
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 39 号: 12 ページ: 1892-1895
- DOI
  10.1109/led.2018.2878933
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03214
[雑誌論文] 3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)2014
- 著者名/発表者名
  A. Takatsuka,Y.Tanaka,K.Yano,N.Matsumoto,T.Yatsuo,and K.Arai
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 899-902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009
- 著者名/発表者名
  Y. Tanaka, K. Yano, M. Okamoto, A. Tanaka, K. Arai, T. Yatsuo
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 1071-1074
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)2009
- 著者名/発表者名
  K.Yano, Y.Tanaka, T.Yatsuo,A.Takatsuka, M.Okamoto, and K. Arai
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  ページ: 1075-1078
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] Three dimensional analysis of furnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)2009
- 著者名/発表者名
  K. Yano, Y. Tanaka, T. Yatsuo, A. Takatsuka, M. Okamoto, K. Arai
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 600-603
  
  ページ: 1075-1078
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩ cm^2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009
- 著者名/発表者名
  Y.Tanaka, K.Yano, M.Okamoto, A.Tanaka, K.Arai, and T.Yatsuo
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  ページ: 1071-1074
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩcm2 SiC Buried gate static induction transistors(SiC-BGSITs)2007
- 著者名/発表者名
  Y. Tanaka, K. Yano, M. Okamoto, A. Takatsuka, K. Arai, T. Yatsuo
- 雑誌名
  
  Tech. Dig., Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2007
  
  ページ: 227-228
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[雑誌論文] Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors(BG-SITs)2007
- 著者名/発表者名
  K. Yano, Y. Tanaka, T. Yatsuo, A. Takatsuka, M. Okamoto, K. Fukuda, K. Arai
- 雑誌名
  
  Tech. Dig., Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2007
  
  ページ: 170-171
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] Siフルスーパージャンクションバイポーラダーリントンパワースイッチ2023
- 著者名/発表者名
  三井大樹、矢野浩司
- 学会等名
  電気学会産業応用部門大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03814
[学会発表] Si-SJBJT / SiC-MOSFET ダーリントンスイッチ2023
- 著者名/発表者名
  涌井　翔真、矢野　浩司
- 学会等名
  電気学会　EDD/SPC 合同研究会　パワーデバイス・電力変換器とその制御
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03814
[学会発表] p-NiO/n-Ga2O3ヘテロダイオードのFLR構造の耐圧シミュレーション2023
- 著者名/発表者名
  池上啓太, 唐澤直輝, 矢野浩司, 中込真二
- 学会等名
  令和5年電気学会全国大会、講演論文集 221-B1 4-009
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04190
[学会発表] 光駆動SiCカスコードスイッチによるハーフブリッジインバータ2022
- 著者名/発表者名
  鈴木　惇哉、松本　俊、矢野　浩司
- 学会等名
  電気学会産業応用部門
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04415
[学会発表] 光駆動SiCパワースイッチを用いたハーフブリッジインバータ回路の検証2022
- 著者名/発表者名
  鈴木　惇哉、松本　俊、矢野　浩司
- 学会等名
  電気学会静岡東部支所、山梨支所研究発表会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04415
[学会発表] Stress test of cascode switch using SiC static induction transistor2019
- 著者名/発表者名
  T. Matsumoto, Y. Tanaka, K. Yano
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03214
[学会発表] NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合ダイオードのスイッチング応答の温度依存性2018
- 著者名/発表者名
  中込真二，菊地賢太郎，矢野浩司, 國分義弘
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-331-1
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05042
[学会発表] A novel gate drive circuit for high speed turn-on switching of ultra-low feedback capacitance SiC-VJFET2017
- 著者名/発表者名
  N. Kikuchi, T. Ishikawa, Y. Tanaka, K. Yano
- 学会等名
  Proceedings of International conference on Eeectrical machines and systems (ICEMS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13927
[学会発表] SiC埋め込みゲート型SITにおけるオン抵抗の温度特性2014
- 著者名/発表者名
  望月雄貴、田中保宣、八尾勉、高塚章夫、山本真幸、矢野浩司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち、名古屋市
- 年月日
  2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] 3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計2014
- 著者名/発表者名
  飯塚大臣、田中保宣、八尾勉、高塚章夫、山本真幸、矢野浩司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち、名古屋市
- 年月日
  2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] ゲートオーバードライブによるノーマリーオフ型SiC-BGSITのターンオン性能の改善2013
- 著者名/発表者名
  勝俣公貴、田中保宣、八尾勉、高塚章夫、山本真幸、矢野浩司
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究台22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] ゲートオーバードライブによるノーマリーオフSiC埋め込みゲートSITのスイッチング特性改善2012
- 著者名/発表者名
  中嶋　竜基、矢野　浩司、田中　保宣、八尾　勉、高塚　章夫
- 学会等名
  SIC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第２１回講演会
- 発表場所
  大阪市中央公会堂（大阪府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327
[学会発表] SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験2011
- 著者名/発表者名
  矢野浩司・田中保宣・八尾勉・高塚章夫
- 学会等名
  平成23年電気学会全国大会
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560294
[学会発表] SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験2011
- 著者名/発表者名
  矢野浩司・田中保宣・八尾勉・高塚章夫
- 学会等名
  平成23年電気学会全国大会(本大会は東日本震災のため中止になりましたが、予稿集は震災前に公表されています)
- 発表場所
  大阪大学
- 年月日
  2011-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560294
[学会発表] Application of SiC-BGSITs for DC-DC converters2008
- 著者名/発表者名
  Y. Tanaka, K. Yano, A. Takatsuka, K. Arai, T. Yatsuo
- 学会等名
  European Silicon Carbide and Related Matterials
- 発表場所
  バルセロナ
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] AraiShort circuit operation of SiC buried gate static induction transistors (SiC BGSITs)2008
- 著者名/発表者名
  K.Yano, Y.Tanaka, T.Yatsuo,A.Takatsuka, and K.
- 学会等名
  European Silicon Carbide and Related Matterials
- 年月日
  2008-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] Short circuit operation of SiC buried gate static induction transistors (SiC BGSITs)2008
- 著者名/発表者名
  K. Yano, Y. Tanaka, T. Yatsuo, A. Takatsuka, K. Arai
- 学会等名
  European Silicon Carbide and Related Matterials
- 発表場所
  バルセロナ
- 年月日
  2008-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] Application of SiC-BGSITs for DC-DC converters, European Silicon Carbide and Related Matterials2008
- 著者名/発表者名
  Y.Tanaka, K.Yano, A.Takatsuka, K.Arai, and T.Yatsuo
- 学会等名
  Barcelona
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560274
[学会発表] 3.3 kV SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) With Ultra Low Specific On-Resistance
- 著者名/発表者名
  Yasunori TANAKA , Akio TAKATSUKA, Koji YANO, Norio MATSUMOTO, Tsutomu YATSUO
- 学会等名
  European Conference Silicon Carbide & Related Materials
- 発表場所
  Grenoble,France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560327

1. 田中保宣 (20357453)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 19件
2. 八尾勉 (10399503)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 18件
3. 山本真幸 (00511320)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 4件
4. 松本俊 (00020503)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 3件
5. 中込真二 (60172285)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
6. 安田隆 (90182336)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 春日正伸 (30023170)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

矢野 浩司 YANO Koji

研究課題

研究成果

共同研究者

シリコン超低損失スーパージャンクションダーリントン型パワーデバイスの研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロｐｎ接合ダイオードの特性改善

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

光駆動SiCパワースイッチ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロｐｎ接合作製のための基盤技術開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

3次元スタック実装SiCカスコードパワーデバイス研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超低損失・高速SiCパワーデバイスのパルスパワー応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超低損失炭化珪素静電誘導トランジスタの新しい動作モード研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

静電誘導型半導体デバイスの高速パルスパワー応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

融液からの磁場印加結晶成長における誘起電流分布の非接触計測

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Extremely Low ON-Resistance SiC Cascode Configuration Using Buried-Gate Static Induction Transistor2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)2009

矢野浩司 YANO Koji

[学会発表] Siフルスーパージャンクションバイポーラダーリントンパワースイッチ2023

[学会発表] 光駆動SiCパワースイッチを用いたハーフブリッジインバータ回路の検証2022