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吉田 晴彦  Yoshida Haruhiko

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90264837
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 兵庫県立大学, 工学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2018年度 – 2020年度: 兵庫県立大学, 工学研究科, 准教授
2006年度: 兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 准教授
2006年度: 兵庫県立大学, 大学院工学研究科, 助教授
2005年度: 兵庫県立大学, 大学院・工学研究科, 助教授
2002年度: 姫路工業大学, 大学院・工学研究科, 助教授 … もっと見る
2001年度: 姫路工業大学, 工学部, 講師
1999年度: 姫路工業大学, 工学部, 講師
1998年度 – 1999年度: 姫路工業大学, 工学部, 助手
1995年度 – 1996年度: 姫路工業大学, 工学部, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連 / 応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
走査型容量顕微鏡 / 過渡容量分光法 / 非接触評価 / 界面特性 / パッシベーション / キャリアライフタイム / 表面反射率 / シリコンナノワイヤ / シリコン系太陽電池 / interface trap … もっと見る / capacitance-voltage method / scanning capacitance microscopy / contactless characterization / high-k gate insulator / フェルミピニング / 界面トラップ / C-V法 / High-k絶縁膜 / SOI Wafer / Water Mapping / Capacitance-frequency Method / Capacitance Transient / Capacitance-Voltage Method / Lifetime / Localized States / ContactLess Characterization / SOI / 局在凖位 / 容量-周波数特性 / 容量-電圧特性 / SOIウェーハ / ウェーハマッピング / 容量-周波数法 / 容量-電圧法 / ライフタイム / 局在準位 … もっと見る
研究代表者以外
SPV / ICTS / localized state / 局在準位 / contactless measurement / MOS diode / carrier lifetime / interface trap / SPV法 / ICTS法 / 再結合ライフタイム / 生成ライフタイム / 非接触測定 / MOSダイオード / キャリアライフタイム / 界面トラップ / variable hopping conduction / proximity effect / oxide high temperature superconductor / ホッピング伝導 / 近接効果 / 酸化物高温超伝導体 隠す
  • 研究課題

    (5件)
  • 研究成果

    (8件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  シリコンナノワイヤ表面を用いたシリコン系太陽電池の高効率化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      吉田 晴彦
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
    • 研究機関
      兵庫県立大学
  •  非接触過渡容量分光法によるHigh-kゲート絶縁膜及びその界面現象の解明研究代表者

    • 研究代表者
      吉田 晴彦
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      兵庫県立大学
  •  走査型形接触過渡容量分光法の開発及び極薄酸化膜-シリコン界面特性の評価研究代表者

    • 研究代表者
      吉田 晴彦
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      姫路工業大学
  •  キャリアのライフタイムとMOSデバイスの界面トラップの相関関係に関する研究

    • 研究代表者
      岸野 正剛
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      姫路工業大学
  •  長距離近接効果現象の発生メカニズムの解明に関する研究

    • 研究代表者
      岸野 正剛
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      姫路工業大学

すべて 2019 2007 2006

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Local Characterization of Interface Properties of High-k Gate Stacks by Scanning Capacitance Microscopy.2007

    • 著者名/発表者名
      S.Kuge, H.Yoshida, M.Inoue, S.Satoh
    • 雑誌名

      Proc. of The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, IEEE

      ページ: 111-112

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560012
  • [雑誌論文] Local Characterization of Interface Properties of High-k Gate Stacks by Scanning Capacitance Microscopy2007

    • 著者名/発表者名
      S.Kuge, H.Yoshida, M.Inoue, S.Satoh
    • 雑誌名

      Proc. of The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, IEEE

      ページ: 111-112

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560012
  • [雑誌論文] Local Characterization of Interface Properties of High-k Gate Stacks by Scanning Capacitance Microscopy2007

    • 著者名/発表者名
      S.Kuge, H.Yoshida, M.Inoue, S.Satoh
    • 雑誌名

      Proc. of The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, IEEE (in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560012
  • [雑誌論文] Electrical Characterization of High-k Dielectrics/Si Interface by Contactless C-V Method2006

    • 著者名/発表者名
      K.Fukano, H.Yoshida, M.Inoue, S.Satoh
    • 雑誌名

      Proc. of The 2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, IEEE

      ページ: 63-64

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560012
  • [雑誌論文] Electrical Characterization of High-k Dielectrics/Si Interface by Contactless C-V Method.2006

    • 著者名/発表者名
      K.Fukano, H.Yoshida, M.Inoue, S.Satoh
    • 雑誌名

      Proc. of The 2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, IEEE

      ページ: 63-64

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17560012
  • [学会発表] ミストCVD法により成膜したGaOx膜のアニール効果(Ⅱ)2019

    • 著者名/発表者名
      松田 紘明、森 英喜、新船 幸二、吉田 晴彦
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K03498
  • [学会発表] Optical and Electrical Properties of Si Nanowire for Si Solar Cells2019

    • 著者名/発表者名
      Masaya Kuriyama, Hidenobu Mori, and Haruhiko Yoshida
    • 学会等名
      The 2019 IMFEDK, IEEE
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K03498
  • [学会発表] ミストCVD法により成膜したGaOx膜のアニール効果2019

    • 著者名/発表者名
      松田 紘明、森 英喜、新船 幸二、佐藤 真一、吉田 晴彦
    • 学会等名
      第66回 応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K03498
  • 1.  岸野 正剛 (50201455)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  松田 哲郎 (10047582)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  佐藤 真一 (80382258)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件
  • 4.  内橋 貴之 (30326300)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  森 英喜 (50364039)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 6.  SOHRODER D.K
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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