賈岸偉 JIA Anwei

… 別表記

買岸偉カガンイ

研究者番号	90280916
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2004年度: 千葉大学, 工学部, 助手 1999年度 – 2000年度: 千葉大学, 工学部, 助手 1996年度: 千葉大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者以外電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者以外分子線エピタキシー / ZnCdS / MOVPE / ZnSe / ZnO / InN / AlN / GaN / Wide bandgap semiconductors / Crystal Polarity … もっと見る / Epitaxy / III-V nitrides / -族窒化物 / 窒化カリウム / 酸化亜鉛 / 窒化インジウム / 窒化アルミニュウム / 窒化ガリウム / ワイドギャップ化合物半導体 / 結晶極性 / エピタキシー / III-V族窒化物 / Doping / X-ray Diffraction / Theoretical Calculations / Cubic Structure Crystal / Hexagonal Structure Crystal / Molecular Beam Epitaxy / Multi Phase Structures / ドーピング / X線回折 / 理論解析 / 立方晶 / 六方晶 / マルチフェーズ構造 / REFLECTANCE DIFFERENCE / SURFACE PHOTO INTERFRENCE / BLUE LIGHT DEVICES / OPTICAL PROBE / II-VI COMPOUNDS / COMPOUND SEMICONDUCTOR / 反射率差法 / 表面光干渉法 / 青色発光デバイス / 光プローブ / II-VI族化合物 / 化合物半導体隠す

六方晶系ワイドギャップ化合物半導体の極性制御による光電子物性の飛躍的改善の研究
- 研究代表者
  
  吉川明彦
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  千葉大学
マルチフェーズエピタキシ技術の構築によるワイドギャップ半導体の新規物性探査
- 研究代表者
  
  小林正和
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  早稲田大学
   千葉大学
青色半導体レーザ作製のための複合光励起有機金属気相成長技術の開発研究
- 研究代表者
  
  吉川明彦
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  千葉大学

すべて 2002 2001

すべて雑誌論文

[雑誌論文] MOCVD growth of device-quality GaN on sapphire using a three-step approach2002
- 著者名/発表者名
  B.L.Liu, M.Lachab, A.Jia, A.Yoshikawa, K.Takahashi
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth Vol.234
  
  ページ: 637-645
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Polarity Control of GaN Grown on Sapphire Substrate by RF-MBE2002
- 著者名/発表者名
  K.Xu, N.Yano, A.W.Jia, K.Takahashi, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth Vol.237-239
  
  ページ: 1003-1007
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] In-situ Real-time Analysis on Strain Relaxation Process in GaN Growth on Sapphire by RF-MBE2002
- 著者名/発表者名
  K.Xu, N.Yano, A.W.Jia, K.Takahashi, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth Vol.237-239
  
  ページ: 998-1002
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Kinetic process in polarity selection of GaN Grown by RF-MBE2001
- 著者名/発表者名
  K.Xu, N.Yano, A.W.Jia, A.Yoshikawa, K.Takahashi
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(b) Vol.228,No.2
  
  ページ: 523-527
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Atomic Force Microscopy Study of GaN Grown on Al_2O_3 (0001) by LP-MOVPE2001
- 著者名/発表者名
  K.Xu, D.H.Lim, B.L.Liu, X.L.Du, G.H.Yu, A.W.Jia, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.639, G3.28
  
  ページ: 1-5
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Polarity-controlled growth of GaN on Sapphire Substrate by MOVPE and RF-MBE2001
- 著者名/発表者名
  A.Yoshikawa, K.Xu, A.W.Jia, K.Takahashi
- 雑誌名
  
  Proceedings of China-Japan Workshop on Nitride Semiconductor Materials and Devices
  
  ページ: 17-19
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Experimental investigation of inclusion of hexagonal GaN phase-domain by varying nitrogen-beam direction to a (III) axis in MBE growth of cubic GaN2001
- 著者名/発表者名
  H.Hayashi, A.Hayashida, A.Jia, K.Takahashi, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth Vol.227-228
  
  ページ: 404-409
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Cross-sectional Cathodoluminescence Study on Ga-polar and N-polar GaN Epilayers2001
- 著者名/発表者名
  X.L.Du, D.H.Lim, K.Xu, B.L.Liu, A.W.Jia, K.Takahashi, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.639 G6.16
  
  ページ: 1-6
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Cross-sectional Cathodoluminescence Study on Ga-polar and N-polar GaN Epilayers2001
- 著者名/発表者名
  X.L.Du, D.H.Lim, K.Xu, B.L.Liu, A.W.Jia, K.Takahashi, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.639
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Atomic Force Microscopy Study of GaN Grown on Al_2O_3 (0001) by LP-MOVPE2001
- 著者名/発表者名
  K.Xu, D.H.Lim, B.L.Liu, X.L.Du, G.H.Yu, A.W.Jia, A.Yoshikawa
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.639
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121
[雑誌論文] Kinetic process in polarity selection of GaN Grown by RF-MBE2001
- 著者名/発表者名
  K.Xu, N.Yano, A.W.Jia, A.Yoshikawa, K.Takahashi
- 雑誌名
  
  phys.stat.sol.(b) Vol.228, No.2
  
  ページ: 523-527
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450121

1. 吉川明彦 (20016603)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 11件
2. 小林正和 (10241936)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 石谷善博 (60291481)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 崔成伯 (00361410)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 岡本保 (80233378)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 松末俊夫 (20209547)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 北村昌良

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

賈 岸偉 JIA Anwei

買 岸偉 カ ガンイ

研究課題

研究成果

共同研究者

六方晶系ワイドギャップ化合物半導体の極性制御による光電子物性の飛躍的改善の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

マルチフェーズエピタキシ技術の構築によるワイドギャップ半導体の新規物性探査

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

青色半導体レーザ作製のための複合光励起有機金属気相成長技術の開発研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] MOCVD growth of device-quality GaN on sapphire using a three-step approach2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Polarity Control of GaN Grown on Sapphire Substrate by RF-MBE2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] In-situ Real-time Analysis on Strain Relaxation Process in GaN Growth on Sapphire by RF-MBE2002

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Kinetic process in polarity selection of GaN Grown by RF-MBE2001

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Atomic Force Microscopy Study of GaN Grown on Al_2O_3 (0001) by LP-MOVPE2001

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Polarity-controlled growth of GaN on Sapphire Substrate by MOVPE and RF-MBE2001

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Experimental investigation of inclusion of hexagonal GaN phase-domain by varying nitrogen-beam direction to a (III) axis in MBE growth of cubic GaN2001

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Cross-sectional Cathodoluminescence Study on Ga-polar and N-polar GaN Epilayers2001

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Cross-sectional Cathodoluminescence Study on Ga-polar and N-polar GaN Epilayers2001

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Atomic Force Microscopy Study of GaN Grown on Al_2O_3 (0001) by LP-MOVPE2001

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Kinetic process in polarity selection of GaN Grown by RF-MBE2001

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

賈岸偉 JIA Anwei

買岸偉カガンイ