宇野和行 Uno Kazuyuki

… 別表記

字野和行ウノカズユキ

研究者番号	90294305
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 和歌山大学, システム工学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 和歌山大学, システム工学部, 准教授 2018年度 – 2020年度: 和歌山大学, システム工学部, 准教授 2007年度: 和歌山大学, システム工学部, 准教授 2005年度 – 2006年度: 和歌山大学, システム工学部, 助教授 2004年度: 和歌山大学, システム工学部, 講師
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連研究代表者以外物性Ⅰ
キーワード	研究代表者結晶成長 / ミストCVD法 / 深紫外検出器 / 酸化ガリウム / 光物性 / 量子構造 / 酸化物半導体 / 深紫外デバイス / パワーデバイス / 量子井戸構造 … もっと見る / ドーピング技術 / スズのメモリ効果 / アセチルアセトナート錯体化速度 / 配位子交換 / 結晶成長メカニズム / 錯体化速度 / 結晶成長機構 / α型酸化ガリウム … もっと見る研究代表者以外 CPA / nitride / III-V compound / quantum well / superlattice / alloy semiconductor / 窒化物 / XAFS / 量子井戸 / 混晶半導体 / exciton / ESR / 超格子半導体 / 電子相関 / 発光素子 / スピン共鳴 / 光物性 / 半導体物性 / dimensionality / 次元性 / III-V族化合物半導体 / 超格子隠す

α型酸化ガリウムの特異な緩和機構と光導電特性の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宇野和行
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  和歌山大学
高品質なα型酸化ガリウム系薄膜による量子ヘテロ構造物性の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  宇野和行
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  和歌山大学
窒化物混晶半導体の発光機構の解明
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  和歌山大学
超格子混晶半導体の光学特性の研究
- 研究代表者
  
  篠塚雄三
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  物性Ⅰ
- 研究機関
  和歌山大学

すべて 2021 2020 2019 2018 2005 2004

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Growth mechanism ofα-Ga2O3on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions2020
- 著者名/発表者名
  Uno Kazuyuki、Ohta Marika、Tanaka Ichiro
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 5 ページ: 052106-052106
- DOI
  10.1063/5.0014056
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[雑誌論文] Thermal Annealing Effects and Local Atomic Configurations in GaInNAs Thin Films2005
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Uno, Masako Yamada, Ichiro Tanaka, Osamu Ohtsuki
- 雑誌名
  
  J.Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16540288
[雑誌論文] Thermal annealing effects andlocal atomic configurations in GaInNAs thin films2005
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Uno, Masako Yamada, Ichiro Tanaka, Osamu Ohtsuki, Toshiyuki Takizawa
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 278
  
  ページ: 214-218
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16540288
[雑誌論文] Thermal annealing effects and local atomic configurations in GaInNAs thin films2005
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Uno, Masako Yamada, Ichiro Tanaka, Osamu Ohtsuki, Toshiyuki Takizawa
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth Vol.278
  
  ページ: 214-218
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16540288
[雑誌論文] Thermal Annealing Effect in GaInNAs Thin Films Estimated by Fluorescence X-Ray Absorption Fines Structure Spectroscopy2004
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki UNO, Masako YAMADA, Toshiyuki TAKIZAWA, Ichiro TANAKA
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
  
  ページ: 1944-1946
- NAID
  10012948982
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16540288
[雑誌論文] Local Structure Analysis of GaInNAsSb and GaInP using Fluorescence X-ray Fine Structure Spectroscopy2004
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki UNO, Masahiro TAKEWA, Ichiro TANAKA
- 雑誌名
  
  SPring8 User Experiments Reports No.14(印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16540288
[雑誌論文] Thernal Annealing Effect in GaInNAs Thin Films Estimated by X-ray Absorption Fine Structure Spectroscopy2004
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Uno, Masako Yamada, Toshiyuki Takizawa, Ichiro Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43, no.4B
  
  ページ: 1944-1946
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16540288
[雑誌論文] Thermal Annealing Effect in GaInNAs Thin Films Estimated by Fluorescence X-Ray Absorption Fine Structure Spectroscopy2004
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki UNO, Masako YAMADA, Toshiyuki TAKIZAWA, Ichiro TANAKA
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43
  
  ページ: 1944-1946
- NAID
  10012948982
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16540288
[産業財産権] 成膜方法及び成膜装置2020
- 発明者名
  渡部武紀，橋上洋，坂爪崇寛，宇野和行
- 権利者名
  和歌山大学，信越化学工業
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2020-148776
- 出願年月日
  2020
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[産業財産権] 積層構造体、半導体装置及び積層構造体の製造方法2019
- 発明者名
  渡部武紀，橋上洋，坂爪崇寛，宇野和行
- 権利者名
  渡部武紀，橋上洋，坂爪崇寛，宇野和行
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[産業財産権] 金属膜形成方法2019
- 発明者名
  渡部武紀，橋上洋，坂爪崇寛，宇野和行，松本一寿
- 権利者名
  渡部武紀，橋上洋，坂爪崇寛，宇野和行，松本一寿
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] ミストCVD法によるα型AlGaO混晶成長とAl原子の再脱離2021
- 著者名/発表者名
  太田茉莉香，田中一郎，宇野和行
- 学会等名
  2020年度日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] Composition Control of Alpha-AlGaO Alloy Thin Films in Mist CVD2021
- 著者名/発表者名
  Marika Ohta and Kazuyuki Uno
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2021 (online)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] ミストCVD法によるα型AlGaO混晶組成制御とAl原子の再脱離2021
- 著者名/発表者名
  太田茉莉香，田中一郎，宇野和行
- 学会等名
  2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] Mist CVD法を用いたα-(AlGa)2O3混晶成長におけるアセチルアセトナート錯化の影響2020
- 著者名/発表者名
  太田茉莉香，宇野和行，田中一郎
- 学会等名
  2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] Alイオン錯化時間とミストCVD成長によるAlGaO混晶成長2020
- 著者名/発表者名
  太田茉莉香，宇野和行，田中一郎
- 学会等名
  2020年度日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] アセチルアセトナート化した原料水溶液によるα型酸化ガリウム薄膜のミストCVD成長2019
- 著者名/発表者名
  宇野和行、太田茉莉香、田中一郎
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会 13p-D419-3
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] First Principles Study on Electronic Structures of α-Ga2O3 and α-Ir2O32019
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Uno, Taiki Nakamura, and Ichiro Tanaka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] 塩化物系ガリウム希薄水溶液によるα型酸化ガリウム薄膜のミストCVD成長(II)2019
- 著者名/発表者名
  宇野和行, 松本一寿, 田中一郎
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会21p-B31-1
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] First Principles Study on Electronic Structures of α-Ga2O3 and α-Ir2O22019
- 著者名/発表者名
  K. Uno, T. Nakamura, and I. Tanaka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) TuP-SS-1
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] 塩化イリジウム水溶液を用いたミストCVD法による酸化イリジウム成膜の試行2019
- 著者名/発表者名
  香川光，宇野和行, 田中一郎
- 学会等名
  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2019年度第1回講演会・見学会 P10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] Growth Control of α-Ga2O3 Thin Films using Chloride-Based Gallium Source Solutions in Mist Chemical Vapor Deposition2019
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Uno, Kazutoshi Matsumoto, and Ichiro Tanaka
- 学会等名
  The 9th Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), ThP-GR-16
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] 塩化物系ガリウム希薄水溶液によるa型酸化ガリウム薄膜のミストCVD成長2018
- 著者名/発表者名
  松本一寿, 中村幸, 田中一郎, 宇野和行
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] Phoyoconduvtive properties of alpha-Ga2O3 MSM devices2018
- 著者名/発表者名
  K. Uno, C. Umemura, S. Nakamura and I. Tanaka
- 学会等名
  37th Electronic Materials Symposium (EMS-37)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] Photoconductivity of α-Ga2O3 Thin Films for Solar Blind Photodetectors2018
- 著者名/発表者名
  Kazuyuki Uno, Chisato Umemura, Kazuyoshi Matsumoto, Sachi Nakamura, and Ichiro Tanaka
- 学会等名
  19th Internatinal Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] コランダム構造を有する酸化物半導体の第一原理計算による評価2018
- 著者名/発表者名
  宇野和行、中村太紀、田中一郎
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958
[学会発表] a-Ga2O3薄膜を用いた紫外線検出器とその２光子吸収特性2018
- 著者名/発表者名
  宇野和行, 梅村千里, 中村幸, 田中一郎
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04958

1. 篠塚雄三 (30144918)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 神野賢一 (80024339)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 秋元郁子 (00314055)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 越野和樹 (90332311)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

宇野 和行 Uno Kazuyuki

字野 和行 ウノ カズユキ

研究課題

研究成果

共同研究者

α型酸化ガリウムの特異な緩和機構と光導電特性の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

高品質なα型酸化ガリウム系薄膜による量子ヘテロ構造物性の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物混晶半導体の発光機構の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超格子混晶半導体の光学特性の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Growth mechanism ofα-Ga2O3on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Thermal Annealing Effects and Local Atomic Configurations in GaInNAs Thin Films2005

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Thermal annealing effects andlocal atomic configurations in GaInNAs thin films2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Thermal annealing effects and local atomic configurations in GaInNAs thin films2005

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Thermal Annealing Effect in GaInNAs Thin Films Estimated by Fluorescence X-Ray Absorption Fines Structure Spectroscopy2004

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Local Structure Analysis of GaInNAsSb and GaInP using Fluorescence X-ray Fine Structure Spectroscopy2004

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Thernal Annealing Effect in GaInNAs Thin Films Estimated by X-ray Absorption Fine Structure Spectroscopy2004

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Thermal Annealing Effect in GaInNAs Thin Films Estimated by Fluorescence X-Ray Absorption Fine Structure Spectroscopy2004

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[産業財産権] 成膜方法及び成膜装置2020

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[産業財産権] 積層構造体、半導体装置及び積層構造体の製造方法2019

発明者名

権利者名

産業財産権種類

出願年月日

宇野和行 Uno Kazuyuki

字野和行ウノカズユキ