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前澤 宏一  Maezawa Kouichi

… 別表記

前澤 晃一  MAEZAWA KOICHI

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研究者番号 90301217
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-6132-7889
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 富山大学, 工学部, 名誉教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2023年度: 富山大学, 学術研究部工学系, 教授
2019年度 – 2021年度: 富山大学, 学術研究部工学系, 教授
2016年度 – 2018年度: 富山大学, 大学院理工学研究部(工学), 教授
2016年度: 富山大学, 大学院理工学研究部, 教授
2015年度: 富山大学, 理工学研究部(工学), 教授 … もっと見る
2014年度: 富山大学, 工学部, 教授
2013年度 – 2014年度: 富山大学, 大学院理工学研究部(工学), 教授
2012年度: 富山大学, その他の研究科, 教授
2012年度: 富山大学, 大学院・理工学研究部, 教授
2008年度 – 2011年度: 富山大学, 理工学研究部(工学), 教授
2010年度: 富山大学, 大学院・理工学研究部(工学), 教授
2010年度: 富山大学, 工学部, 教授
2007年度: 富山大学, 大学院・理工学研究部, 教授
2006年度: 富山大学, 大学院理工学研究部(工学), 教授
2002年度 – 2005年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助教授
2000年度 – 2001年度: 名古屋大学, 工学部, 助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学 / 電力工学・電力変換・電気機器 / 計測工学
キーワード
研究代表者
共鳴トンネル / InP / InGaAs / HEMT / 発振器 / InAlAs / ΔΣ変調 / THz / センサ / resonant tunneling … もっと見る / 集積回路 / 異種材料集積 / 増幅器 / 走査型プローブ顕微鏡 / ノイズフロア / FPGA / マイクロフォン / 周波数ΔΣ変調 / ミリ波 / マイクロ波 / 非晶質 / 溶液プロセス / マイクロ波集積回路 / 逐次トンネル / 有効質量 / 酸化物半導体 / 共鳴トンネル素子 / frequency modulation / linearity / voltage controlled oscillator / quantizer / analog to digital converter / resonant tunnelint / 周波数変調信号 / 線形性 / 電圧制御発振器 / 識別器 / アナログデジタル変換器 / D converter / A / logic gate / integrated circuit / ADコンバータ / 論理ゲート / bifurcation / frequency divider / MMIG / chaos / 分岐 / 分周器 / MMIC / カオス / FM信号 / 振動センサ / 変位センサ / 異種材料デバイス集積技術 / マイクロ・ナノデバイス / パルス / サンプリング / MEMS / テラヘルツ / 表面音響波 / 伝送線路 / 弾性波 / エアブリッジ / 分布定数線路 / 一般化運動量 / 一般化座標 / 量子力学 / トンネル … もっと見る
研究代表者以外
GaN MISHEMT / GaN HEMT / Al2O3 / MOSFET / ALD / 表面再構成制御成長法 / InSb / SOI基板 / オーバーラップ構造 / 界面準位 / ゲート絶縁膜 / 選択成長 / 表面再構成 / 短チャネル化 / GaSb / InGaSb / Si(111) / T-shaped gate / gate leakage current / miro-Raman / temperature distribution / current collapse / Si_3N_4 / 高温動作 / 電界集中 / EL発光 / 低周波雑音 / 実効電子速度 / 電流しゃ断周波数 / 電子ビーム描画 / ゲートリーク電流 / 顕微ラマン / 温度上昇 / 電流コラプス / Si_3N_4保護膜 / ワイヤレス電力送電 / 暗号化 / 移動体 / 指向性 / パラボラアンテナ / ガウシアンビーム / マイクロ波 / ミリ波 / ワイヤレス電力伝送 / 準光学回路 / マイクロ波送電 / ワイヤレス給電 / Si(111)基板 / FET / MOSダイオード / ヘテロエピタキシャル成長 / Al_2O_3 / ヘテロエピタキシャル / SOI / ヘテロエピタキシー / quasi-pseudomorphic QW-MOSFETs / 防災 / セキュリティ / 2次元伝送平面 / 左手系伝送線路 / マルチバンド / 電磁波照射 / 小型化 / スタブ / 偏波分離器 / ミリ波カメラ 隠す
  • 研究課題

    (16件)
  • 研究成果

    (260件)
  • 共同研究者

    (17人)
  •  共鳴トンネル発振器を用いた周波数ΔΣ変調方式走査型プローブ顕微鏡研究代表者

    • 研究代表者
      前澤 宏一
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      富山大学
  •  THz周波数ΔΣ変調方式を用いた高性能センサ技術の開拓研究代表者

    • 研究代表者
      前澤 宏一
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      富山大学
  •  マイクロ波/ミリ波エレクトロニクスのための非晶質酸化物半導体共鳴トンネル素子研究代表者

    • 研究代表者
      前澤 宏一
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      富山大学
  •  反射電磁波との共鳴現象を用いた周波数ΔΣ変調方式変位/振動センサ研究代表者

    • 研究代表者
      前澤 宏一
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2015
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      富山大学
  •  MEMS/共鳴トンネル素子集積化によるTHzサンプリング及び波形生成技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      前澤 宏一
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      富山大学
  •  表面再構成制御成長法を用いたSi基板上InSb-CMOSの研究

    • 研究代表者
      森 雅之
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      富山大学
  •  遠隔操作する対象物にワイヤレス給電できるミリ波送電システムの開発

    • 研究代表者
      安藤 浩哉
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電力工学・電力変換・電気機器
    • 研究機関
      豊田工業高等専門学校
  •  表面再構成制御成長法を用いたSi上InSb系超高速・超低消費電力デバイスの作製

    • 研究代表者
      森 雅之
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      富山大学
  •  量子効果/弾性波複合機能集積体における空間周波数ロッキングとその応用研究代表者

    • 研究代表者
      前澤 宏一
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      富山大学
  •  共鳴トンネルアクティブ伝送線路とそれを用いたTHz信号生成・処理技術研究代表者

    • 研究代表者
      前澤 宏一
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      富山大学
  •  防災用可搬型高画質ミリ波カメラの開発

    • 研究代表者
      安藤 浩哉
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      計測工学
    • 研究機関
      豊田工業高等専門学校
  •  共鳴トンネル素子を用いたサブTHzサンプリングΔΣA/D変換器の研究研究代表者

    • 研究代表者
      前澤 宏一
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      富山大学
  •  極微細素子を用いた一般化座標上のトンネル現象の研究研究代表者

    • 研究代表者
      前澤 宏一
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  共鳴トンネル素子を用いた極限高速集積回路技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      前澤 宏一
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  極短ゲートGaN HEMTの製作と特性評価に関する研究

    • 研究代表者
      水谷 孝
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  共鳴トンネルカオスデバイスを用いた超高周波信号生成・処理技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      前澤 宏一
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      名古屋大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering, "Resonant Tunneling Diodes"2014

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa
    • 総ページ数
      14
    • 出版者
      Wiley
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [図書] Wiley-VCH2003

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, A Foerster
    • 出版者
      Nanoelectronics and Information Technology
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Experimental Characterization of Resonant Tunneling Chaos Generator Circuits in Microwave Frequency Range2023

    • 著者名/発表者名
      FAROOQ Umer、MORI Masayuki、MAEZAWA Koichi
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics

      巻: E106.C 号: 5 ページ: 174-183

    • DOI

      10.1587/transele.2022ECP5037

    • ISSN
      0916-8524, 1745-1353
    • 年月日
      2023-05-01
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K03970
  • [雑誌論文] A Novel Displacement Sensor Based on a Frequency Delta-Sigma Modulator and its Application to a Stylus Surface Profiler2023

    • 著者名/発表者名
      MAEZAWA Koichi、FAROOQ Umer、MORI Masayuki
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics

      巻: E106.C 号: 9 ページ: 486-490

    • DOI

      10.1587/transele.2022ECS6013

    • ISSN
      0916-8524, 1745-1353
    • 年月日
      2023-09-01
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K03970
  • [雑誌論文] Effects of Oscillator Phase Noise on Frequency Delta Sigma Modulators with a High Oversampling Ratio for Sensor Applications2021

    • 著者名/発表者名
      MAEZAWA Koichi、MORI Masayuki
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics

      巻: E104.C 号: 9 ページ: 463-466

    • DOI

      10.1587/transele.2020ECS6026

    • NAID

      130008082171

    • ISSN
      0916-8524, 1745-1353
    • 年月日
      2021-09-01
    • 言語
      英語
    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of a Hard-Type Oscillator Using a Resonant Tunneling Diode and Its Comparison with a Soft-Type Oscillator2021

    • 著者名/発表者名
      MAEZAWA Koichi、ITO Tatsuo、MORI Masayuki
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics

      巻: E104.C 号: 12 ページ: 685-688

    • DOI

      10.1587/transele.2021ECS6002

    • NAID

      130008123357

    • ISSN
      0916-8524, 1745-1353
    • 年月日
      2021-12-01
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [雑誌論文] Transition Dynamics of Multistable Tunnel-Diode Oscillator Used for Effective Amplitude Modulation2021

    • 著者名/発表者名
      NARAHARA Koichi、MAEZAWA Koichi
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics

      巻: E104.C 号: 1 ページ: 40-43

    • DOI

      10.1587/transele.2020ECS6012

    • NAID

      130007965112

    • ISSN
      0916-8524, 1745-1353
    • 年月日
      2021-01-01
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [雑誌論文] Noise Floor Reduction in Frequency Delta-Sigma Modulation Microphone Sensors2021

    • 著者名/発表者名
      Maezawa Koichi、Mori Masayuki、Andoh Hiroya
    • 雑誌名

      Sensors

      巻: 21 号: 10 ページ: 3470-3470

    • DOI

      10.3390/s21103470

    • NAID

      120007036355

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [雑誌論文] Delta-sigma modulation microphone sensors employing a resonant tunneling diode with a suspended microstrip resonator2020

    • 著者名/発表者名
      Maezawa Koichi、Ito Tatsuo、Mori Masayuki
    • 雑誌名

      Sensor Review

      巻: 40 号: 5 ページ: 535-542

    • DOI

      10.1108/sr-03-2020-0044

    • NAID

      120006887780

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [雑誌論文] Study on impedance matching and maximum wireless power transfer efficiency of circuits with resonant coupling based on simplified <i>S</i>-matrix2019

    • 著者名/発表者名
      Andoh Hiroya, Tsuzuki Keita, Oikawa Dai, Sugiura Toko, Tsukamoto Takehiko, Maezawa Koichi
    • 雑誌名

      IEICE Electronics Express

      巻: 16 号: 11 ページ: 20190156-20190156

    • DOI

      10.1587/elex.16.20190156

    • NAID

      130007661786

    • ISSN
      1349-2543
    • 言語
      英語
    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06329, KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [雑誌論文] Possibilities of Large Voltage Swing Hard-Type Oscillators Based on Series-Connected Resonant Tunneling Diodes2018

    • 著者名/発表者名
      MAEZAWA Koichi、MORI Masayuki
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics

      巻: E101.C 号: 5 ページ: 305-310

    • DOI

      10.1587/transele.E101.C.305

    • NAID

      130006729735

    • ISSN
      0916-8524, 1745-1353
    • 年月日
      2018-05-01
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [雑誌論文] Characterization of a hard-type oscillator using series-connected tunnel diodes2018

    • 著者名/発表者名
      Narahara Koichi、Maezawa Koichi
    • 雑誌名

      IEICE Electronics Express

      巻: 15 号: 10 ページ: 20180355-20180355

    • DOI

      10.1587/elex.15.20180355

    • NAID

      130006744393

    • ISSN
      1349-2543
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [雑誌論文] Experimental demonstration of strain detection using resonant tunneling delta-sigma modulation sensors2017

    • 著者名/発表者名
      Takumi Tajika, Yuichiro Kakutani, Masayuki Mori and Koichi Maezawa
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi A

      巻: 214 号: 3 ページ: 1600548-1600548

    • DOI

      10.1002/pssa.201600548

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [雑誌論文] Heteroepitaxial growth of InGaSb on GaSb/Si(111)-√3x√3-Ga surface phase with two step growth method to investigate the impact of high-quality GaSb buffer layer2016

    • 著者名/発表者名
      A.A.Mohammad Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori and Koichi Maezawa
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi B

      巻: 254 号: 2

    • DOI

      10.1002/pssb.201600528

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [雑誌論文] Resonant Tunneling Super Regenerative Detectors Detecting Higher Frequency Signals than Their Free-Running Oscillation Frequency2015

    • 著者名/発表者名
      J. Pan, Y. Kakutani, T. Nakayama, M. Mori, K. Maezawa
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics

      巻: E98.C 号: 3 ページ: 260-266

    • DOI

      10.1587/transele.E98.C.260

    • NAID

      130004841713

    • ISSN
      0916-8524, 1745-1353
    • 言語
      英語
    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [雑誌論文] 溶融Gaバンプを用いたFluidic Self-Assemblyで配置された微小デバイスの熱的信頼性2014

    • 著者名/発表者名
      中野純、柴田知明、森田弘樹、坂本宙、森雅之、前澤宏一
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌 C

      巻: J97-C ページ: 124-125

    • NAID

      110009798392

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [雑誌論文] Possibility of THz detection with resonant tunneling super regenerative detectors based on extremely high order harmonics2013

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, J. Pan, D. Wu, Y. Kakutani, J. Nakano, M. Mori
    • 雑誌名

      IEICE Electronics Express

      巻: 10 号: 20 ページ: 20130676-20130676

    • DOI

      10.1587/elex.10.20130676

    • NAID

      130003383464

    • ISSN
      1349-2543
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [雑誌論文] Fluidic Self-Assembly Using Molten Ga Bumps and Its Application to Resonant Tunneling Diodes2013

    • 著者名/発表者名
      J. Nakano, T. Shibata, H. Morita, H. Sakamoto, M. Mori, K. Maezawa
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 52 号: 11R ページ: 116501-116501

    • DOI

      10.7567/jjap.52.116501

    • NAID

      210000143078

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [雑誌論文] Effective mobility enhancement in Al2O3/InSb/Si quantum well MOSFETs for thin InSb channel layer.2013

    • 著者名/発表者名
      T. Ito, A. Kadoda, K. Nakayama, Y. Yasui, M. Mori, K. Maezawa, E. Miyazaki, T. Mizutani
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: Vol.52 号: 4S ページ: 04CF01-04CF01

    • DOI

      10.7567/jjap.52.04cf01

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [雑誌論文] 半導体の新しいアプリケーションを拓く異種材料デバイス集積化のための  Fluidic Self-Assembly技術2013

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一
    • 雑誌名

      日立国際電気技報

      巻: 14 ページ: 1-6

    • NAID

      40020009891

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [雑誌論文] Effective mobility enhancement in Al2O3/InSb/Si quantum well MOSFETs for thin InSb channel layer2013

    • 著者名/発表者名
      T. Ito, A. Kadoda, K. Nakayama, Y. Yasui, M. Mori, K. Maezawa, E. Miyazaki, T. Mizutani
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 52

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [雑誌論文] Possibility of High Order Harmonic Oscillators Based on Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs2012

    • 著者名/発表者名
      J. Pan, K. Hayano, M. Mori, K. Maezawa
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron.

      巻: Vol.E95-C, No.8 ページ: 1385-1388

    • NAID

      10031126703

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [雑誌論文] Characterization of Al2O3/InSb/Si MOS diode having an various InSb thicknesses grown on Si(111) substrate2012

    • 著者名/発表者名
      A. Kadoda, T. Iwasugi, K. Nakatani, K. Nakayama, M. Mori, K. Maezawa, E. Miyazaki, T. Mizutani
    • 雑誌名

      Semiconductor Science and Technology

      巻: Vol.27 号: 4 ページ: 045007-045007

    • DOI

      10.1088/0268-1242/27/4/045007

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [雑誌論文] A Proposal of High-Performance Samplers Based on Resonant Tunneling Diodes2012

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics

      巻: E95.C 号: 11 ページ: 1830-1833

    • DOI

      10.1587/transele.E95.C.1830

    • NAID

      10031142830

    • ISSN
      0916-8524, 1745-1353
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [雑誌論文] A Proposal of High-Performance Samplers Based on Resonant Tunneling Diodes2012

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, J. Pan, D. Wu, M. Mori
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron.

      巻: Vol.E95-C, No.11 ページ: 1830-1833

    • NAID

      10031142830

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [雑誌論文] Characterization of Al2O3/InSb/Si MOS diode having various InSb thicknesses grown on Si(111) substrates2012

    • 著者名/発表者名
      A. Kadoda, T. Iwasugi, K. Nakatani, K. Nakayama, M. Mori, K. Maezawa, E. Miyazaki, T. Mizutani
    • 雑誌名

      Semiconducter Science and Technology

      巻: 27

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [雑誌論文] Effect of initial In coverage for preparation of InSb bilayer on electrical properties of InSb films grown by surface reconstruction controlled epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      M. Mori, Y. Yasui, K. Nakayama, K. Nakatani, K. Maezawa
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 51

    • NAID

      210000140253

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [雑誌論文] The effects of deposition conditions of InSb first layer on electrical properties of n-type InSb films grown with two step growth method via InSb bilayer2011

    • 著者名/発表者名
      S. Khamseh, Y. Yasui, K. Nakayama, K. Nakatani, M. Mori, K. Maezawa
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 50

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [雑誌論文] The effect of initial In coverage for preparation of InSb bilayer on electrical properties of InSb films grown by surface reconstruction ontrolled epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      M.Mori, Y.Yasui, K.Nakayama, K.Nakatani, K.Maezawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 2S ページ: 02BH03-02BH03

    • DOI

      10.1143/jjap.51.02bh03

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [雑誌論文] Step hall measurement of InSb films grown on Si(111) substrate using InSb bi-layer2011

    • 著者名/発表者名
      K. Nakayama, K. Nakatani, S. Khamseh, M. Mori, K. Maezawa
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 50

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [雑誌論文] The effects of deposition conditions of InSb first layer on electrical properties of n-type InSb films grown with two step growth method via InSb bilayer2011

    • 著者名/発表者名
      S.Khamseh, Y.Yasui, K.Nakayama, K.Nakatani, M.Mori, K.Maezawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50 号: 4S ページ: 04DH13-04DH13

    • DOI

      10.1143/jjap.50.04dh13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [雑誌論文] InSb films grown on the V-grooved Si(001) substrate with InSb bi-layer2010

    • 著者名/発表者名
      M. Mori, S. Khamseh, T. Iwasugi, K. Nakatani, K. Murata, M. Saito, K. Maezawa
    • 雑誌名

      Physics Procedia

      巻: 3 ページ: 1335-1339

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [雑誌論文] A Third order harmonic oscillator based on coupled resonant tunneling diode pair oscillators2010

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, T.Ohe, K.Kasahara, M.Mori
    • 雑誌名

      IEICE Transactions Electronics

      巻: E93-C ページ: 1290-1294

    • NAID

      10027365925

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [雑誌論文] 共鳴トンネルダイオードを生かす新しい集積化技術2010

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一
    • 雑誌名

      応用物理 79

      ページ: 239-242

    • NAID

      10026199548

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [雑誌論文] A Third order harmonic oscillator based on coupled resonant tunneling diode pair oscillators2010

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一, T.Ohe, K.Kasahara, M.Mori
    • 雑誌名

      IETCE Transactions Electronics Vol.E93-C, No.8

      ページ: 1290-1294

    • NAID

      10027365925

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [雑誌論文] Improved Bias Stability of the Resonant Tunneling Diode Pair Oscillators Integrated on an AlN Ceramic Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, N.Kamegai, S.Kishimoto, T.Mizutani, K.Akamatsu
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 48

    • NAID

      210000066595

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [雑誌論文] Possibility of Terahertz Amplification by Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs2009

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, T.Sakamoto, K.Kasahara, M.Mori
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 48

      ページ: 124503-124503

    • NAID

      40016890502

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [雑誌論文] Improved Bias Stability of the Resonant Tunnneling Diode Pair Oscillators Integrated on an AlN Ceramic Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, N.Kamegai, S.Kishimoto, T.Mizutani, K.Akamatsu
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 48

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of Ideal Noise Shaping in Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulator for High Resolution, Wide Band A/D Converters2006

    • 著者名/発表者名
      前澤、酒向、松原、水谷、松崎
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 45

      ページ: 3410-3413

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of Ideal Noise Shaping in Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulator for High Resolution, Wide Band A/D Converters2006

    • 著者名/発表者名
      K, Maezawa, M, Sakou, W, Matsubara, T, Mizutani, H, Matsuzaki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys No. 45

      ページ: 3410-3413

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of Ideal Noise Shaping in Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulator for High Resolution, Wide Band A/D Converters2006

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, M.Sakou, W.Matsubara, T.Mizutani, H.Matsuzaki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45

      ページ: 3410-3413

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [雑誌論文] Resonant tunneling delta sigma modulator suitable for high-speed operation2006

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, M.Sakou, W.Matsubara, T.Mizutani
    • 雑誌名

      Electron.Lett. Vol.42, No.2

      ページ: 77-78

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Dual-clock MASH delta-sigma modulator employing a frequency modulated intermediate signal2006

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, M.Sakou, W.Matsubara, T.Mizutani
    • 雑誌名

      IEICE ELEX Vol.3 No.21

      ページ: 459-463

    • NAID

      130000088329

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [雑誌論文] Resonant tunneling delta sigma modulator suitable for high-speed operation2006

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, M.Sakou, W.Matsubara, T.Mizutani
    • 雑誌名

      Electronics Lett. 42

      ページ: 77-78

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of Ideal Noise Shaping in Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulator for High Resolution, Wide Band A/D Converters2006

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, M.Sakou, W.Matsubara, T.Mizutani, H.Matsuzaki
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys 46(印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Dual-clock MASH delta-sigma modulator employing a frequency modulated intermediate signal2006

    • 著者名/発表者名
      K, Maezawa, M, Sakou, W, Matsubara, T, Mizutani
    • 雑誌名

      IEICE ELEX Vol. 3, No. 21

      ページ: 459-463

    • NAID

      130000088329

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of Ideal Noise Shaping in Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulator for High Resolution, Wide Band A/D Converters2006

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, M.Sakou, W.Matsubara, T.Mizutani, H.Matsuzaki
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. (accepted for publication

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Dual-clock MASH delta-sigma modulator employing a frequency modulated intermediate signal2006

    • 著者名/発表者名
      前澤、酒向、松原、水谷
    • 雑誌名

      IEICE ELEX 3

      ページ: 459-463

    • NAID

      130000088329

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of Ideal Noise Shaping in Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulator for High Resolution, Wide Band A/D Converters2006

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, M.Sakou, W.Matsubara, T.Mizutani, H.Matsuzaki
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 46(掲載予定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Resonant tunneling delta sigma modulator suitable for high-speed operation2006

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, M.Sakou, W.Matsubara, T.Mizutani
    • 雑誌名

      Electron.Lett. 42

      ページ: 77-78

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Controlling high-frequency chaos in resonant tunneling chaos generator circuits2005

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, Y.Komoto, S.Kishimoto, T.Mizutani, M.Takakusaki, H.Nakata
    • 雑誌名

      IEICE ELEX Vol.2 No.12(June 25, 2005)

      ページ: 368-372

    • NAID

      130000088148

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Metamorphic Resonant Tunneling Diodes and Its Application to Chaos Generator ICs2005

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, T.Iwase, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizutani, K.Sano, M.Takakusaki, H.Nakata
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 45

      ページ: 4790-4794

    • NAID

      10016608254

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] New Era of Negative Differential Resistance Devices (Invited Paper)2005

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa
    • 雑誌名

      Trans.IEICE (C) Vol.J88-C

      ページ: 295-302

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] 負性抵抗デバイスの新時代 --共鳴トンネル素子を中心とした超高周波応用の新展開-- [招待論文]2005

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌(C) Vol.J88-C

      ページ: 295-302

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] 負性抵抗デバイスの新時代-共鳴トンネル素子を中心とした超高周波応用の新展開-2005

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 和文論文誌C J88-C(掲載予定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Metamorphic Resonant Tunneling Diodes and Its Application to Chaos Generator ICs2005

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, T.Iwase, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizutani, M.Takakusaki, H.Nakata
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 45

      ページ: 4790-4794

    • NAID

      10016608254

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Controlling high-frequency chaos in resonant tunneling chaos generator circuits2005

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, Y.Komoto, S.Kishimoto, T.Mizutani, M.Takakusaki, H.Nakata
    • 雑誌名

      IEICE ELEX 2

      ページ: 368-372

    • NAID

      130000088148

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] 負性抵抗デバイスの新時代--共鳴トンネル素子を中心とした超高周波応用の新展開--2005

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 和文論文誌C J88-C(掲載予定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15656087
  • [雑誌論文] Metamorphic Resonant Tunneling Diodes and Its Application to Chaos Generator ICs2005

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, T.Iwase, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizutani, K.Sano, M.Takakusaki, H.Nakata
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45

      ページ: 4790-4794

    • NAID

      10016608254

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Direct Observation of High-Frequency Chaos Signals from the Resonant Tunneling Chaos Generator2004

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, Y.Kawano, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizutani
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43

      ページ: 5235-5238

    • NAID

      10013469796

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Direct Observation of High-Frequency Chaos Signals from the Resonant Tunneling Chaos Generator2004

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, Y.Kawano, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizutani
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.43

      ページ: 5235-5238

    • NAID

      10013469796

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Direct Observation of High-Frequency Chaos Signals from the Resonant Tunneling Chaos Generator2004

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, Y.Kawano, Y.Ohno, S.Kishimoto, T.Mizatani
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43

      ページ: 5235-5238

    • NAID

      10013469796

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of a Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulator for High-Speed, High-Resolution Analog-to-Digital Converter2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Yokoyama, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
    • 雑誌名

      Inst.Phys.Conf.Ser. No.174

      ページ: 243-246

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Experimental demonstration of capacitor-coupled resonant tunneling logic gates for ultra-short gate-delay operation2003

    • 著者名/発表者名
      T.Tanaka, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42

      ページ: 6766-6771

    • NAID

      10012563634

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] 88 GHz Dynamic 2 : 1 Frequency Divider Using Resonant Tunneling Chaos Circuit2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawano, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
    • 雑誌名

      Electron.Lett. 39

      ページ: 1546-1547

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of a Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulator for High-Speed, High-Resolution Analog-to-Digital Converter2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Yokoyama, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
    • 雑誌名

      Inst.Phys.Conf.Ser. 174

      ページ: 243-246

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Experimental demonstration of capacitor-coupled resonant tunneling logic gates for ultra-short gate-delay operation2003

    • 著者名/発表者名
      T.Tanaka, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42

      ページ: 6766-6771

    • NAID

      10012563634

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] 88 GHz Dynamic 2:1 Frequency Divider Using Resonant Tunneling Chaos Circuit2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawano, Y.Ohno, S.Kishimoto, K.Maezawa, T.Mizutani, K.Sano
    • 雑誌名

      Electron.Lett. Vol.39

      ページ: 1546-1547

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [雑誌論文] Heteroepitaxial growth of InSb films on the patterned Si(001) substrate

    • 著者名/発表者名
      T. Iwasugi, M. Mori, H. Igarashi, K. Murata, M. Saito, K. Maezawa
    • 雑誌名

      Physics Procedia

      巻: 3 ページ: 1329-1333

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [雑誌論文] A Forester, Wiley-VCH

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa
    • 雑誌名

      Nanoelectronics and Information Technology

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [産業財産権] 位相シフタ2015

    • 発明者名
      前澤宏一
    • 権利者名
      前澤宏一
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2015-033217
    • 出願年月日
      2015-02-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [産業財産権] デジタルマイクロフォン2008

    • 発明者名
      前澤、本林
    • 権利者名
      富山大学・(株)オーディオテクニカ
    • 産業財産権番号
      2008-060529
    • 出願年月日
      2008
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [産業財産権] ΔΣ型モジュレータ及びΔΣ型AD変換器2006

    • 発明者名
      前澤, 水谷
    • 権利者名
      JST
    • 出願年月日
      2006-02-10
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [産業財産権] 国際特許 PCT出願2006

    • 発明者名
      前澤 宏一, 水谷 孝
    • 権利者名
      名古屋大学
    • 出願年月日
      2006-02-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [産業財産権] ΔΣ型モジュレータ及びΔΣ型AD変換器2005

    • 発明者名
      前澤, 水谷
    • 権利者名
      中部TLO
    • 産業財産権番号
      2005-035196
    • 出願年月日
      2005-02-10
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [産業財産権] 信号生成回路2004

    • 発明者名
      前澤, 水谷
    • 権利者名
      JST
    • 出願年月日
      2004-05-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [産業財産権] N型負性抵抗素子を有する回路2004

    • 発明者名
      前澤, 水谷
    • 権利者名
      JST
    • 産業財産権番号
      2004-147736
    • 出願年月日
      2004-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360187
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子を用いた硬い発振器の発振初期過程の観測2023

    • 著者名/発表者名
      中村浩輔、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K03970
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子と周波数ΔΣ変調方式を用いた走査型マイクロ波近接場顕微鏡の提案2023

    • 著者名/発表者名
      清水晴喜、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K03970
  • [学会発表] 周波数ΔΣ方式走査型近接場マイクロ波顕微鏡の実験的検証2023

    • 著者名/発表者名
      前澤 宏一, 森 雅之
    • 学会等名
      Future Technologies from KUMAMOTO、第15回集積化MEMSシンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K03970
  • [学会発表] A microwave chaos generator circuit employing a resonant tunneling diode2021

    • 著者名/発表者名
      Umer Farooq, Masayuki Mori, Koichi Maezawa
    • 学会等名
      2nd International Electronic Conference (IEC2021) - Enabling Nanoelectronics
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードを用いた周波数ΔΣ方式マイクロフォンセ ンサの 実験的検証2021

    • 著者名/発表者名
      相澤 一仙、 森 雅之、 前澤 宏一
    • 学会等名
      令和3年度(2021年)応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 周波数ΔΣ変調方式変位センサを用いたAFM/表面粗さ計の可能性2021

    • 著者名/発表者名
      前澤 宏一, 森 雅之
    • 学会等名
      Future Technologies from HIMEJI 2021、第13回集積化MEMSシンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] Resonant tunneling hard-type oscillators for THz applications2021

    • 著者名/発表者名
      Koichi Maezawa, Masayuki Mori, Hiroya Andoh, and Taiichi Otsuji
    • 学会等名
      東北大学 電気通信研究所 令和2年度共同プロジェクト研究発表会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] TE113モードを用いたFMΔΣ変調方式マイクロフォンセンサの特性評価2021

    • 著者名/発表者名
      中干場 翔伍、森 雅之、前澤 宏一
    • 学会等名
      令和3年度(2021年)応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] Fluidic Self-Assembly用Geバンプ接続のマイクロ波/ミリ波特性について2020

    • 著者名/発表者名
      大寺悠介、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      令和2年度(2020年)応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] ループフィードバック型発振器を用いた周波数ΔΣマイクロフォンセンサの検討2020

    • 著者名/発表者名
      田端一貴、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      令和2年度(2020年)応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 周波数ΔΣ変調方式センサにおける位相ノイズのシンプルなモデル化とその実験的検証2020

    • 著者名/発表者名
      前澤 宏一, 森 雅之
    • 学会等名
      Future Technologies from KUMAMOTO ONLINE、第12回集積化MEMSシンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] Resonant tunneling diode oscillators for high performance sensors2020

    • 著者名/発表者名
      Koichi Maezawa
    • 学会等名
      東北大学 電気通信研究所 令和元年度共同プロジェクト研究発表会
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] Resonant Tunneling Chaos Generator on a Printed Circuit Board (PCB) Employing Bonding Wires for High Quality Inductors2020

    • 著者名/発表者名
      UMER Farooq, Masayuki MORI, Koichi MAEZAWA
    • 学会等名
      令和2年度(2020年)応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードを用いたハードタイプ発振器の位相ノイズ特性評価2020

    • 著者名/発表者名
      伊藤多津生、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      令和2年度(2020年)応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] Resonant Tunneling Delta Sigma Modulation Ultrasound Sensors Using A Suspended Microstrip Disk Resonator2019

    • 著者名/発表者名
      Koichi Maezawa and Masayuki Mori
    • 学会等名
      13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオード発振器の回路構成と回路パラメータの位相ノイズへの影響2019

    • 著者名/発表者名
      吉田素将、森 雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      令和元年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] Spurious Free Oscillations of the Resonant Tunneling Hard-Type Oscillators Having a Simple Capacitor Coupled Trigger Input2019

    • 著者名/発表者名
      Tatsuo Ito, Masayuki, Mori and Koichi Maezawa
    • 学会等名
      13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 周波数⊿Σ型振動センサ―用発振器に対する基板歪みの効果2019

    • 著者名/発表者名
      本村彰啓、前澤宏一、森 雅之
    • 学会等名
      令和元年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 周波数⊿Σ変調方式センサに対する発振器位相ノイズの影響2019

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、森雅之
    • 学会等名
      電子情報通信学会、電子デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 周波数ΔΣ変調型センサのための10GS/s FPGA測定系の構築2018

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、山岡昂博、森雅之
    • 学会等名
      電子情報通信学会、 電子デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードを用いた硬い発振器2018

    • 著者名/発表者名
      吉田素将、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      第4回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 塗布型酸化物半導体共鳴トンネル素子のためのIn2O3/Ga2O3/In2O3 ninダイオードの評価2018

    • 著者名/発表者名
      遠矢浩士、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      第10回集積化MEMSシンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K14252
  • [学会発表] 1-MHz strain detection using resonant tunneling delta-sigma modulation sensors2018

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, T. Tajika, M. Mori
    • 学会等名
      2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 周波数⊿Σ変換方式を用いたマイクロフォンセンサの帯域内雑音低減2018

    • 著者名/発表者名
      村谷龍星、前澤宏一、森雅之
    • 学会等名
      平成30年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 空洞共振器を用いた周波数⊿Σ型振動センサの提案2018

    • 著者名/発表者名
      本村彰啓、前澤宏一、島田知輝、山川雅輝、村谷龍星、森雅之
    • 学会等名
      平成30年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] Resonant tunneling hard-type oscillators having a Schottky diode trigger circuit for stable and large voltage swing operation2018

    • 著者名/発表者名
      Koichi Maezawa, Motoyuki Yoshida, Masayuki Mori
    • 学会等名
      The 42nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01495
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子を装荷した伝送線路発振器の高調波生成に関する線形モデル解析2017

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、岸 拓郎、森 雅之
    • 学会等名
      電子情報通信学会、電子デバイス研究会
    • 発表場所
      札幌
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Fluidic Self-Assembly高効率化実験のためのダミーブロック作製2016

    • 著者名/発表者名
      高山一希、中野友寛、水戸俊宏、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      平成28年応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      富山
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] 周波数ΔΣ変調方式を用いた共鳴トンネル歪センサ2016

    • 著者名/発表者名
      前澤 宏一,角谷 祐一郎,田近 拓巳,森 雅之
    • 学会等名
      集積化 MEMSシンポジウム
    • 発表場所
      平戸
    • 年月日
      2016-10-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Heteroepitaxial growth of InGaSb on GaSb/Si(111)-√3x√3-Ga surface phase with two step growth method2016

    • 著者名/発表者名
      A.A.Md.Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori, and Koichi Maezawa
    • 学会等名
      43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
    • 発表場所
      富山国際会議場
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] Experimental Demonstration of Strain Detection Using Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulation Sensors2016

    • 著者名/発表者名
      Takumi Tajika, Yuichiro Kakutani, Masayuki Mori and Koichi Maezawa
    • 学会等名
      43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子を用いた超高周波回路とその集積技術2016

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一
    • 学会等名
      有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
    • 発表場所
      金沢
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Impulse sensitivity function study of the phase noise in resonant tunneling diode oscillators2016

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa and M. Mori
    • 学会等名
      2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016)
    • 発表場所
      Hakodate, Japan
    • 年月日
      2016-06-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] 周波数ΔΣ変調方式センサに対する位相ノイズの効果2016

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、藤野舜也、山岡昂博、森雅之
    • 学会等名
      2016年電子情報通信学会総合大会
    • 発表場所
      九州大学 伊都キャンパス
    • 年月日
      2016-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630154
  • [学会発表] Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長2016

    • 著者名/発表者名
      三枝孝彰、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      首都大学東京
    • 年月日
      2016-07-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子装荷伝送線路を用いた高次高調波発振器の設計指針と注入同期2016

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、岸拓郎、森雅之
    • 学会等名
      2016年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2016-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] 周波数ΔΣ変調器のデジタル出力センサへの応用2016

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、藤野舜也、山岡昂博、山川雅暉、島田知輝、角谷祐一郎、田近拓巳、森 雅之
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      機械振興会館
    • 年月日
      2016-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] HEMTと空洞共振器を用いたΔΣ型マイクロフォンセンサ2016

    • 著者名/発表者名
      山岡昂博、藤野舜也、山岸凌、山川雅暉、島田知輝、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2016-03-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630154
  • [学会発表] Effect of growth condition of buffer layer for heteroepitaxial InSb films grown on Ge(111) substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Takaaki Mitsueda, Masayuki Mori, and Koichi Maezawa
    • 学会等名
      43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
    • 発表場所
      富山国際会議場
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] Injection Locking and High Order Harmonic Generation in Transmission Line Oscillators Loaded with Resonant Tunneling Diodes2016

    • 著者名/発表者名
      Koichi Maezawa, Takuro Kishi and Masayuki Mori
    • 学会等名
      40th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe(WOCSDICE)
    • 発表場所
      Aveiro, Portugal
    • 年月日
      2016-06-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Heteroepitaxial growth of InGaSbon HQ GaSb on Si(111) by two step growth method2016

    • 著者名/発表者名
      A.A.Md. Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori, Koichi Maezawa
    • 学会等名
      平成28年応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      富山県民会館
    • 年月日
      2016-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] Ga溶融バンプを用いたFluidic Self Assemblyによる異種材料集積化技術2015

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、中野 純、柴田知明、森田弘樹、坂本宙、山田悟史、森雅之
    • 学会等名
      電子情報通信学会信頼性(R)研究会
    • 発表場所
      青森
    • 年月日
      2015-08-27
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Ultrahigh frequency circuits and a novel integration technology for resonant tunneling diodes2015

    • 著者名/発表者名
      Koichi Maezawa
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Integrated Circuits, Design, and Verification (ICDV 2015)/2015 Vietnam Japan MicroWave (VJMW 2015)
    • 発表場所
      Ho Chi Minh City, Vietnam
    • 年月日
      2015-08-10
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] ΔΣ型歪センサのためのRTD装荷カンチレバーの検討2015

    • 著者名/発表者名
      角谷祐一郎、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      東北大学川内北キャンパス
    • 年月日
      2015-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] InP HEMT micro blocks transplanted on Si substrates using Ga micro bumps2015

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Yamada, Hiroshi Sakamoto, Jun Nakano, Masayuki Mori and Koichi Maezawa
    • 学会等名
      Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2015 (TWHM 2015)
    • 発表場所
      Takayama, Gifu
    • 年月日
      2015-08-23
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] A resonant tunneling delta-sigma modulator and its application to strain sensors2015

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, Y. Kakutani, T. Nakayama, T. Tajika, M. Mori
    • 学会等名
      2015 Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2015)
    • 発表場所
      Smolenice, Slovakia
    • 年月日
      2015-06-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630154
  • [学会発表] MOSFETs Based on InSb/Si (111) Heterostructures Having Various Oxide Layers2015

    • 著者名/発表者名
      F. Shimizu, K. Hosotani, T. Ito, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015)
    • 発表場所
      Jeju Island, Korea
    • 年月日
      2015-06-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] Heteroepitaxial Growth of GaSb Films on Si(111)-√3×√3-Ga Surface Phase2015

    • 著者名/発表者名
      H. Shimoyama, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2015)
    • 発表場所
      Sapporo, Hokkaido
    • 年月日
      2015-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] Proposal of a Simple MEMS Phase Shifter Based on Effective Dielectric Constant Modulation2015

    • 著者名/発表者名
      D. Nakano, M. Mori, K. Maezawa, H. Ishii, H. Andoh
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2015)
    • 発表場所
      Sapporo, Hokkaido
    • 年月日
      2015-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Heteroepitaxial growth of InSb films on Si(100) substrate with micro facet structures2015

    • 著者名/発表者名
      E. Umemura, M. Mori, T. Sakamoto, H. Shimoyama, K. Maezawa
    • 学会等名
      The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015)
    • 発表場所
      Toki-messe, Niigata
    • 年月日
      2015-06-16
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] A Resonant Tunneling Super Regenerative Detector with Input/Output Isolation and Improved Sensitivity2015

    • 著者名/発表者名
      K. Hu, J. Pan, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2015)
    • 発表場所
      Sapporo, Hokkaido
    • 年月日
      2015-09-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ2015

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、角谷祐一郎、中山大周、田近拓巳、森雅之
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      金沢市
    • 年月日
      2015-07-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] ナノデバイスの強い非線形性とその超高周波集積回路への応用2015

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一
    • 学会等名
      第2回可視化情報学会・可視化共感型防災教育研究会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2015-03-25
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] ΔΣ型歪センサのためのRTD装荷カンチレバーの検討2015

    • 著者名/発表者名
      角谷祐一郎、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      東北大学川内北キャンパス
    • 年月日
      2015-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630154
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ2015

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、角谷祐一郎、中山大周、田近拓巳、森雅之
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      金沢市
    • 年月日
      2015-07-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630154
  • [学会発表] 共鳴トンネル発振器のセンサー応用2014

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、潘 杰、角谷祐一郎、中野 純、森 雅之
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] 高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly2013

    • 著者名/発表者名
      中野純、柴田知明、森田弘樹、坂本宙、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会、電子デバイス研究会
    • 発表場所
      富山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Selective area growth of InSb on Si(111) substrate by using Sb induced surface reconstruction2013

    • 著者名/発表者名
      X. Wang, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013)
    • 発表場所
      Ishikawa Ongakudo, Kanazawa, Ishikawa
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] トンネルデバイスを用いたテラヘルツ帯信号処理の可能性2013

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一
    • 学会等名
      2013年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      岐阜大学
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Low resistance ohmic contacts to n-InSb employing Sn-alloys2013

    • 著者名/発表者名
      K. Hosotani, T. Ito, Y. Yasui, K. Nakayama, A. Kadoda, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      The 2013 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
    • 発表場所
      Kansai Univ. Centenary Memorial Hall, Osaka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] Growth of InSb thin films on a V-grooved Si(001) substrate2013

    • 著者名/発表者名
      H. Shimoyama, Y. Yasui, T. Sakamoto, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013)
    • 発表場所
      Ishikawa Ongakudo, Kanazawa, Ishikawa
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] 異種材料デバイス集積化のための低融点金属バンプの信頼性2013

    • 著者名/発表者名
      坂本宙、中野純、柴田知明、森田弘樹、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      金沢工業大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] 溝(111)面を形成したSi(100)基板上へのInSb薄膜の成長2013

    • 著者名/発表者名
      下山浩哉、森雅之、前澤宏一.
    • 学会等名
      2013年(平成25年)秋季第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学 京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] Selective growth of InSb using Sb-induced surface reconstruction on Si(111) substrate by molecular beam epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      M. Mori, X. Wang, K. Maezawa
    • 学会等名
      12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12)
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center, Tukuba
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] Heteroepitaxial growth of InSb thin films on a Silicon-on-Insulator substrate2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sakamoto, H. Shimoyama, Y. Yasui, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化2013

    • 著者名/発表者名
      呉東坡、水牧勝太郎、潘杰、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会、電子デバイス研究会
    • 発表場所
      富山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Si(111)上のSb再構成構造を利用したInSbの選択成長2013

    • 著者名/発表者名
      王昕、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)
    • 発表場所
      富山大学工学部
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] Fabrication and characterization of micromachined cantilever loaded with a resonant tunneling diode for delta-sigma type strain sensor applications2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Kakutani, Dongpo Wu, J. Pan, J. Nakano, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET2013

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、伊藤泰平、角田梓、中山幸二、安井雄一郎、森雅之、宮崎英志、水谷孝
    • 学会等名
      電子情報通信学会、電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] InSb quantum well MOSFETs based on ultra thin InSb layers grown directly on Si2013

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa
    • 学会等名
      The 37th Workshop on Copound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
    • 発表場所
      Warnemunde, Germany
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] RF large signal characterization of active transmission lines loaded with InGaAs/AlAs resonant tunneling diode pairs2013

    • 著者名/発表者名
      J. Pan, D. Wu, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
    • 発表場所
      Hakodate
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Heteroepitaxial growth of AlInSb on a Si(111) substrate using surface reconstruction controlled epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      M. Mori, Y. Yasui, N. Nakayama, M. Miura, K. Maezawa
    • 学会等名
      the 17thInternational Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
    • 発表場所
      Nara Prefectural New Public Hall, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子を用いた装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性2012

    • 著者名/発表者名
      潘傑、早野一樹、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告ED2011-147, 31-34
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2012-02-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Al2O3/InSb/Si quantum well MOSFETs having ultra-thin InSb layer2012

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, T. Ito, A. Kadoda, K. Nakayama, Y. Yasui, M.Mori, E. Miyazaki, T. Mizutani
    • 学会等名
      Device research conference 2012 (DRC)
    • 発表場所
      Penn State Univ. PA (USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] High electron mobility InSb film on Si grown by surface reconstruction controlled epitaxy and its application for MOSFETs2012

    • 著者名/発表者名
      M. Mori, Y. Yasui, K. Nakayama, A. Kadoda, T. Ito, K. Maezawa, C. Tatsuyama
    • 学会等名
      the 10thJapan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS-10)
    • 発表場所
      Univ. of Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Heteroepitaxial growth of AlInSb on a Si(111) substrate using surface reconstruction controlled epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      M. Mori, Y. Yasui, K. Nakayama, M. Miura, K. Maezawa
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
    • 発表場所
      Nara Prefectural New PublicHall, Nara
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] High electron mobility InSb film on Si grown by surface reconstruction controlled epitaxy and its application for MOSFETs.2012

    • 著者名/発表者名
      M. Mori, Y. Yasui, K. Nakayama, A. Kadoda, T. Ito, K. Maezawa, C. Tatsuyama
    • 学会等名
      The 10th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces (JRSSS10)
    • 発表場所
      Univ. of Tokyo, Hongo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子を活かす集積化技術とTHz信号処理への挑戦2012

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一
    • 学会等名
      電気学会「シリコンナノデバイス集積化技術」調査専門委員会、「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」調査専門委員会 合同委員会
    • 発表場所
      法政大学
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Al2O3/InSb/MOS diodes with an ultrathin InSb layer grown directly on Si(111) substrate using surface reconstruction controlled epitaxy.2012

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, A. Kadoda, T. Ito, Y. Yasui, M. Mori, E. Miyazaki, T. Mizutani
    • 学会等名
      11th Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies (EXMATEC)
    • 発表場所
      Island of Porquerolles (FRANCE)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Al2O3/InSb/Si quantum well MOSFETs having ultra-thin InSb layer2012

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, T. Ito, A. Kadoda, N. Nakayama, Y. Yasui, M. Mori, E. Miyazaki, T. Mizutani
    • 学会等名
      Device Research Conference (DRC)
    • 発表場所
      Penn State Univ. (USA)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] n-InSbに対するSn系オーミック電極の検討2012

    • 著者名/発表者名
      細谷耕右、伊藤泰平、安井雄一郎、中山幸二、角田梓、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      富山県民会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Effective mobility enhanement in Al2O3/InSb/Si quantum well MOSFETs2012

    • 著者名/発表者名
      T. Ito, A. Kadoda, K. Nakayama, Y. Yasui, M. Mori, K. Maezawa, E. Miyazaki, T. Mizutani
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Effective mobility enhancement in Al2O3/InSb/Si quantum well MOSFETs for thin InSb channel layer2012

    • 著者名/発表者名
      T. Ito, A. Kadoda, K. Nakayama, Y. Yasui, M. Mori, K. Maezawa, E. Miyazaki, T. Mizutani
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Al2O3/InSb/Si MOS diodes with an ultrathin InSb layer grown directly on Si(111) substrates using surface reconstruction controlled epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, A. Kadoda, T. Ito, Y. Yasui, M. Mori, E. Miyazaki, T. Mizutani
    • 学会等名
      11thExpart Evaluation & Control of Compound Seiconductors Materials & Technologies (EXMATEC)
    • 発表場所
      Island of Porquerolles (France)
    • 年月日
      2012-05-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] n-InSbに対するSn系オーミック電極の検討2011

    • 著者名/発表者名
      細谷耕右、伊藤泰平、安井雄一郎、中山幸二、角田梓、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      平成24年応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      富山県民会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] 表面再構成制御成長法を用いたSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製2011

    • 著者名/発表者名
      角田梓、岩杉達矢、中谷公彦、中山幸二、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      長岡技術科学大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Possibility of High Order Harmonic Oscillatoers Based on Active Trans mission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs2011

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, T.Ohe, K.Kasahara, M.Mori
    • 学会等名
      9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2011)
    • 発表場所
      Gifu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] ETDpair発振器の発振周波数に対する測定系の影響2011

    • 著者名/発表者名
      早野、森、前澤
    • 学会等名
      電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2011-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] High Frequency Oscillators based on Active Trahsmission Lines Loaded with Resonant Tunnehng Diode Pairs2011

    • 著者名/発表者名
      潘杰、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電子情報通信学会総合大会
    • 発表場所
      東京都立大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅2011

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、笠原康司、潘杰、森雅之
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長2011

    • 著者名/発表者名
      森雅之、中山幸二、中谷公彦、安井雄一郎、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] InSb単分子層を介したSi基板上への高移動度InSb薄膜の作製2011

    • 著者名/発表者名
      中山浩二、安井雄一郎、中谷公彦、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電気学会電子・情報システム部門大会
    • 発表場所
      富山大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] An Al2O3/InSb/Si MOS diode having an ultra-thin InSb layer2011

    • 著者名/発表者名
      A. Kadoda, T. Iwasugi, K. Nakatani ,K. Nakayama, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅2011

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、笠原康司、播杰、森雅之
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] An Al2O2/InSb/Si MOS diode having an ultra-thin InSb layer2011

    • 著者名/発表者名
      A.Kadoda, T.Iwasugi, L, Nakatani, K.Nakayama, M.Mori, K.Maezawa, E.Miyazaki, T.Mizutani
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2011-09-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Si上高移動度InSb薄膜のためのInSb単分子層形成条件の最適化2011

    • 著者名/発表者名
      安井雄一郎、中山幸二、中谷公彦、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Effect of initial In coverage for preparation of InSb bilayer on electrical properties of InSb films grown by surface reconstruction controlled epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      M. Mori, Y. Yasui , K. Nakayama, K. Nakatani, K. Maezawa
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] 表面再構成制御成長法を用いたSi上への高移動度InSb薄膜の成長とその応用2011

    • 著者名/発表者名
      森雅之、中谷公彦、中山幸二、安井雄一郎、角田梓、岩杉達矢、前澤宏一、宮崎英志、水谷孝
    • 学会等名
      電気学会「シリコンナノデバイス集積化技術」調査専門委員会、「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」調査専門委員会合同委員会
    • 発表場所
      法政大大学
    • 年月日
      2011-11-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製(II)2011

    • 著者名/発表者名
      中野純、大勝崇外、柴田知明、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電子情韓通信学会総合大会
    • 発表場所
      東京都立大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] 表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長2011

    • 著者名/発表者名
      中山幸二、中谷公彦、安井雄一郎、サラ カマセ、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] 化合物半導体上におけるInSbナノワイヤーの成長2011

    • 著者名/発表者名
      大川一成、河合太宮人、中谷祐介、橋本将視、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電気学会電子・情報システム部門大会
    • 発表場所
      富山大
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] InSb単分子層を介したSi基板上への高移動度InSb薄膜の作製2011

    • 著者名/発表者名
      中山幸二、安井雄一郎、中谷公彦、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電気学会電子・情報・システム部門大会
    • 発表場所
      富山大学五福キャンパス
    • 年月日
      2011-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] High Frequency Oscillators based on Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs2011

    • 著者名/発表者名
      潘杰、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電子情報通信学会総合大会
    • 発表場所
      東京都立大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Fluidic Self-Assembly for Heterogeneous Integration of High Performance Resonant Tunneling Diodes Using Low-Melting Point Alloy Bumps2011

    • 著者名/発表者名
      J.Nakano, T.Shibata, T.Okatsu, M.Mori, K.Maezawa
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
    • 発表場所
      Gifu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Characterization of InSb MOS diodes on Si substrates prepared by surface reconstruction controlled epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, A.Kadoda, T.Iwasugi, K.Nakatani, K.Nakayama, K.Imaizumi, M.Mori, E.Miyazaki, T.Mizutani
    • 学会等名
      35^<th> Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2011)
    • 発表場所
      Catania, Italy
    • 年月日
      2011-05-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] 化合物半導体上におけるInSBなのワイヤーの成長2011

    • 著者名/発表者名
      大川一成、河合太宮人、中谷裕介、橋本将視、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電気学会電子・情報・システム部門大会
    • 発表場所
      富山大学五福キャンパス
    • 年月日
      2011-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Characterization of InSb MOS diodes on Si substrate prepared by surface reconstruction controlled epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, A. Kadoda, T. Iwasugi, K. Nakatani, K. Nakayama, K. Imaizumi, M. Mori, E. Miyazaki, T. Mizutani
    • 学会等名
      35thWorkshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2011)
    • 発表場所
      Catania, Italy
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Si上高移動度InSb薄膜のためのInSb単分子層形成条件の最適化2011

    • 著者名/発表者名
      安井雄一郎、中山幸二、中谷公彦、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演開
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] 共用共振器を省略した共鳴トンネル3次高調波発信器2011

    • 著者名/発表者名
      早野一起、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電子情報通信学会総合大会
    • 発表場所
      東京都立大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] High Speed Circuits Based on Resonant Tunneling Diodes and Their Application to Analog Digital Converters2010

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, S.Shibata, K.Takaoka, M.Mori
    • 学会等名
      2010 Asia-Pacific Radio Science Conference (AP-RASC' 10)
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] InSb noanowires grown on a GaAs substrate using Au catalyst2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawai, M.Mori, I.Ookawa, Y.Nakaya, K.Maezawa
    • 学会等名
      The 37^<th> International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
    • 発表場所
      高松シンボルタワー
    • 年月日
      2010-05-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] A Traveling Wave Amplifier Based on Composite Right/Left Handed (CRLH) Transmission Lines Periodically Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs2010

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, K.Kasahara, M.Mori
    • 学会等名
      22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
    • 発表場所
      Takamatsu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] InSb単分子層を用いた高移動度InSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長2010

    • 著者名/発表者名
      中山幸二、中谷公彦、安井雄一郎、サラ カマセ、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      平成22年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      金沢大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] GaAs基板上におけるInSbナノワイヤーの作製2010

    • 著者名/発表者名
      大川一成、河合太宮人、中谷祐介、真屋和幸、橋本将視、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      平 成22年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      金沢大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Step hall measurement of InSb films grown on Si(111) with InSb bi-layer2010

    • 著者名/発表者名
      K. Nakayama, Kn Nakatani, S. Tsuji, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      The 3rdInternational Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2010)
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] High electron mobility InSb films grown on Si(111) substrate via √7x√3-In and 2x2-In surface reconstruction2010

    • 著者名/発表者名
      S. Khamseh, K. Nakatani, K. Nakayama, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] InSb単分子層を用いた高移動度InSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長2010

    • 著者名/発表者名
      中山幸二、中谷公彦、安井雄一郎、サラカマセ、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      平成22年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      金沢大学角間キャンパス
    • 年月日
      2010-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微少はんだバンプの作製2010

    • 著者名/発表者名
      中野純、大勝崇外、森雅之、前澤宏
    • 学会等名
      2010年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      大阪府立大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] InSb nanowires grown on a GaAs substrate using Au catalyst2010

    • 著者名/発表者名
      T. Kawai, M. Mori, I. Ookawa, Y. Nakaya, K. Maezawa
    • 学会等名
      the 37thInternational Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)
    • 発表場所
      Takamatsu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Step hall measurement of InSb films grown on Si(111) with InSb bi-layer2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nakayama, K.Nakatani, S.Tsuji, M.Mori, K.Maezawa
    • 学会等名
      The 3^<rd> International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nano technologies (EM-NANO2010)
    • 発表場所
      富山国際会議場
    • 年月日
      2010-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] A Traveling Wave Amplifier Based on Composite Right/Left Handed (CRLH) Transmission Lines Periodically Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs2010

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, K.Kasahara, M.Mori
    • 学会等名
      22nd International Conferene on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
    • 発表場所
      Takamatsu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] High electron mobility InSb films grown on Si(111) with InSb bi-layer2010

    • 著者名/発表者名
      K. Nakatani, K. Nakayama, S. Khamseh, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      The 3rdInternational Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2010)
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] High Speed Circuits Based on Resonant Tunneling Diodes and Their Application to Analog Digital Converters2010

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, S.Shibata, K.Takaoka, M.Mori
    • 学会等名
      2010 Asia-Pacific Radio Science Conference (AP-RASC'10)
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] InSb MOS diode on a Si(111) substrate grown by surface reconstruction controlled epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      A. Kadoda, T. Iwasugi, K. Nakatani, K. Nakayama, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] InSb noanowires grown on a GaAs substrate using Au catalyst2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kawai, M.Mori, I.Ookawa, Y.N akaya, K.Maezawa
    • 学会等名
      GaAs基板上におけるInSbナ"イヤーの作製
    • 発表場所
      金沢大学角間キャンパス
    • 年月日
      2010-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子を生かす新しい集積化技術2010

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一
    • 学会等名
      第43回ナノ・スピン工学研究会
    • 発表場所
      東北大
    • 年月日
      2010-03-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] High Speed Circuits Based on Resonant Tunneling Diodes and Their Application to Analog Digital Converters2010

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, S.Shibata, K.Takaoka, M.Mori
    • 学会等名
      2010 Asia-Pacific Radio Science Conference (AP-RASC' 10)
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Highelectron mobilityInSbfilms grown on Si(111) substrate Inand2x2-In surface reconstruction2010

    • 著者名/発表者名
      S.Khamseh, K.Nakatani, K.Naka vama. M.Mori. K.Maezawa
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Dev ices and Materials (SSDM2010)
    • 発表場所
      東京大学本郷キャンパス
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のlnSbMosダイオードの作製2010

    • 著者名/発表者名
      角田梓、岩杉達矢、中谷公彦、中山幸二、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      平成22年度応用物群会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      金沢大学角間キャンパス
    • 年月日
      2010-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] InSb MOS diode on a Si(111) substrate grown by surface reconstructon controlled epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      A.Kadoda, T.Iwasugi, K.Nakatani, K.Nakayama, M.Mori, K.Maezawa
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Dey ices and Materials (SSDM2010)
    • 発表場所
      東京大学本郷キャンパス
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSbMOSダイオードの作製2010

    • 著者名/発表者名
      角田梓、岩杉達矢、中谷公彦、中山幸二、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      平成22年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      金沢大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] A Traveling Wave Amplifier Based on Composite Right/Left Handed (CRLH) Transmission Lines Periodically Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs2010

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, K.Kasahara, M. Mori
    • 学会等名
      22nd International Conferene on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
    • 発表場所
      Takamatsu, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] High electron mobility InSb films grownon Si (111) with InSb bi-layer2010

    • 著者名/発表者名
      K.Nakatani, K.Nakavama, S.Khamaeh, M.Mori, K.Maezawa
    • 学会等名
      The 3^<rd> International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nano technologies (EM-NANO2010)
    • 発表場所
      富山国際会議場
    • 年月日
      2010-06-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] AINセラミック基板上に集積した共鳴トンネルベア発振器2009

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一, 亀谷直樹, 岸本茂, 水谷孝, 赤松和弘
    • 学会等名
      電子情報通信学会、電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2009-02-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] RF small signal characterization of active transmission lines loaded by InGaAs/A1As resonant tunneling diodes2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kasahara, T.Ohe, M.Mori, K.Maezawa
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] RF small signal characterization of active transmission lines loaded by InGaAs/AlAs resonant tunneling diodes2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kasahara, T.Ohe, M.Mori, K.Maezawa
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009)
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] A third harmonic oscillator using coupled RTD pair oscillators2009

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa T.Ohe, K.Kasahara, M.Mori
    • 学会等名
      Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2009)
    • 発表場所
      Nagano, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] Improved Bias Stability of the RTD-Pair Oscillators Integrated on an A1N Ceramic Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      K.Maezawa, N.Kamegai, S.Kishimoto, T.Mizutani, K.Akamatsu
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008)
    • 年月日
      2008-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードペアを分散配置したアクティブ伝送線路2008

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一, 藤城翔, 笠原康司, 坂本智哉, 森雅之
    • 学会等名
      2008年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      明治大学 生田キャンパス
    • 年月日
      2008-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] Improved Bias Stability of the RTD-Pair Oscillators Integrated on an AIN Ceramic Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, N. Kamegai, S. Kishimoto, T. Mizutani, K. Akamatsu
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2008-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360155
  • [学会発表] 共鳴トンネルデバイス2007

    • 著者名/発表者名
      前澤
    • 学会等名
      電子情報通信学会 総合全国大会
    • 発表場所
      名古屋、日本
    • 年月日
      2007-03-23
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [学会発表] MOBILE を用いたNRZ-DFF とそのFMDSMへの応用2007

    • 著者名/発表者名
      室矢、前澤、水谷
    • 学会等名
      電子情報通信学会 ソサイエティ大会
    • 発表場所
      鳥取、日本
    • 年月日
      2007-09-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [学会発表] An NRZ-DFF Using MOBILEs and Its Application to FMDSM2007

    • 著者名/発表者名
      Y, Muroya, K, Maezawa, T, Mizutania
    • 学会等名
      IEICE Society Conference
    • 発表場所
      Tottori, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [学会発表] MOBILEを用いたNRZ-DFFとそのFMDSMへの応用2007

    • 著者名/発表者名
      室矢、前澤、水谷
    • 学会等名
      電子情報通信学会 ソサイエティ大会
    • 発表場所
      烏取、日本
    • 年月日
      2007-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [学会発表] Resonant Tunneling Devices2007

    • 著者名/発表者名
      K, Maezawa
    • 学会等名
      IEICE General Conference
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [学会発表] Ultrahigh-Speed Integrated Circuits using InP-Based Resonant Tunneling Diodes2006

    • 著者名/発表者名
      K, Maezawa
    • 学会等名
      Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2006), Sendai
    • 発表場所
      Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [学会発表] InP-based Resonant Tunneling Diode/HEMT Integrated Circuits for Ultrahigh-Speed Operation2006

    • 著者名/発表者名
      前澤、水谷
    • 学会等名
      Int. Conf. InP & Related Materials(IPRMO6)
    • 発表場所
      Princeton, USA
    • 年月日
      2006-05-10
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [学会発表] Ultrahigh-Speed Integrated Circuits using InP-Based Resonant Tunneling Diodes2006

    • 著者名/発表者名
      前澤
    • 学会等名
      Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2006)
    • 発表場所
      仙台、日本
    • 年月日
      2006-07-05
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [学会発表] 100 GHz Operation of a Resonant Tunneling Logic Gate MOBILE Having a Symmetric Configuration2006

    • 著者名/発表者名
      K, Maezawa, H, Sugiyama, S, Kishimoto, T, Mizutani
    • 学会等名
      Int. Conf. InP & Related Materials(IPRM06), Princeton
    • 発表場所
      USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [学会発表] InP-based Resonant Tunneling Diode/HEMT Integrated Circuits for Ultrahigh-Speed Operation2006

    • 著者名/発表者名
      K, Maezawa, T, Mizutani
    • 学会等名
      Int. Conf. InP & Related Materials(IPRM06), Princeton
    • 発表場所
      USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [学会発表] 100 GHz Operation of a Resonant Tunneling Logic Gate MOBILE Having a Symmetric Configuration2006

    • 著者名/発表者名
      前澤、杉山、岸本、水谷
    • 学会等名
      Int. Conf. InP & Related Materials(IPRMO6)
    • 発表場所
      Princeton, USA
    • 年月日
      2006-05-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360168
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードを用いたサンプリング回路の作製と評価

    • 著者名/発表者名
      中山大周、呉東坡、角谷祐一郎、潘杰、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      2014-09-23 – 2014-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] 共鳴トンネル超再生検波回路における基本波を超える高周波信号の検波

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、潘杰、角谷祐一郎、中山大周、森雅之
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2015-02-05 – 2015-02-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Ge(111)基板上InSb薄膜の作製

    • 著者名/発表者名
      三枝孝彰、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2014年(平成26年)第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] 共用共振器を省略した共鳴トンネル3次高調波発信器

    • 著者名/発表者名
      早野一起、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011 年電子情報通信学会総合大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] 共鳴トンネルデバイスを用いたテラヘルツ帯信号処理の可能性

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、潘杰、呉東坡、森雅之
    • 学会等名
      2013 年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子を用いた装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性

    • 著者名/発表者名
      潘 傑、早野一樹、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会、電子デバイス研究会(ED)報告 ED2011-147, p31-34 (2012)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] THz帯域を目指した新構造可変位相シフタ

    • 著者名/発表者名
      中野大輔、森雅之、前澤宏一、石井仁、安藤浩哉
    • 学会等名
      2015年電子情報通信学会総合大会
    • 発表場所
      立命館大学びわこ・くさつキャンパス
    • 年月日
      2015-03-10 – 2015-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Possibility of High Order Harmonic Oscillators Based on Active Transmission Lines Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs

    • 著者名/発表者名
      Jie Pan, M. Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2011)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Thermal Reliability of Transplanted Devices by Fluidic Self-Assembly Using Molten Ga Bumps

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, J. Nakano, T. Shibata, H. Morita, H. Sakamoto, M. Mori
    • 学会等名
      2014 Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2014)
    • 発表場所
      Delphi, Greece
    • 年月日
      2014-06-18 – 2014-06-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] RTDpair発振器の発振周波数に対する測定系の影響

    • 著者名/発表者名
      早野一起、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電子情報通信学会 ソサイエティ大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Experimental Demonstration of Resonant Tunneling Super Regenerative Detectors Detecting High Order Harmonic Signals on Si substrate

    • 著者名/発表者名
      J. Pan, Y. Kakutani, T. Nakayama, M. Mori and K. Maezawa
    • 学会等名
      2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
    • 発表場所
      つくば
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] 超音波ディップコート法を用いた微小はんだバンプの作製

    • 著者名/発表者名
      森田弘樹、中野純、柴田知明、坂本宙、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      応用物理学会北陸・信越支部学術講演会2012
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Ultra short pulse generators using a resonant tunneling diode transplanted on Si substrate

    • 著者名/発表者名
      H. Sakamoto, S. Yamada, J. Nakano, H. Morita, M. Mori and K. Maezawa
    • 学会等名
      2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2014)
    • 発表場所
      金沢
    • 年月日
      2014-06-01 – 2014-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] 中野純、大勝崇外、柴田知明、森雅之、前澤宏一

    • 著者名/発表者名
      中野純、大勝崇外、柴田知明、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電子情報通信学会総合大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] High Speed Circuits Based on Resonant Tunneling Diodes and Their Application to Analog Digital Converters

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, S. Shibata, K. Takaoka and M. Mori
    • 学会等名
      2010 Asia-Pacific Radio Science Conference (AP-RASC'10)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製

    • 著者名/発表者名
      中野純、大勝崇外、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2010 年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードを用いた高性能サンプリング回路の提案

    • 著者名/発表者名
      呉東坡、潘杰、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2012 年電子情報通信学会 ソサイエティ大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] 共鳴トンネル素子を活かす集積化技術とTHz信号処理への挑戦

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、潘杰、呉東坡、中野純、森雅 之
    • 学会等名
      電気学会「シリコンナノデバイス集積化技術」調査専門委員会、「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」調査専門委員会 合同委員会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Electrical Characterization of n+-InSb/p-Si Heterojunctions Grown by Surface Reconstruction Controlled Epitaxy

    • 著者名/発表者名
      K. Kimura, K. Hosotani, T. Ito, H. Shimoyama, T. Sakamoto, M. Mori, and K. Maezawa
    • 学会等名
      2014 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2014)
    • 発表場所
      Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto
    • 年月日
      2014-06-19 – 2014-06-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] Heteroepitaxial Growth of InSb thin films on a Ge(111) substrate

    • 著者名/発表者名
      T. Mitsueda, T. Sakamoto, H. Shimoyama, M. Mori, and K. Maezawa
    • 学会等名
      2014 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2014)
    • 発表場所
      Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto
    • 年月日
      2014-06-19 – 2014-06-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] RTD装荷微小カンチレバーを用いたΔΣ型歪みセンサーのための発振回路の検討

    • 著者名/発表者名
      角谷祐一郎、中山大周、潘杰、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      2014-09-23 – 2014-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] Si(111)基板上へのGaSbエピタキシャル成長と膜質の評価

    • 著者名/発表者名
      下山裕哉、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2014年(平成26年)第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードペアを装荷した右手/左手系複合伝送線路における信号増幅

    • 著者名/発表者名
      前澤宏一、笠原康司、潘杰、森雅之
    • 学会等名
      子情報通信学会電子デバイス研究会(ED)報告
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] High Frequency Oscillators based on Active Transmission Lines Loaded withResonant Tunneling Diode Pairs

    • 著者名/発表者名
      潘 杰、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電子情報通信学会総合大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Fluidic Self-Assembly (FSA)のための微小はんだバンプの作製

    • 著者名/発表者名
      柴田知明、中野純、大勝崇外、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2011年電気学会電子・情報・システム部門大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] Si(111)基板上へのInxGa1-xSbエピタキシャル成長と膜質の評価

    • 著者名/発表者名
      下山裕哉、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      第2回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
    • 発表場所
      信州大学長野(工学)キャンパス
    • 年月日
      2014-07-11 – 2014-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] A Traveling Wave Amplifier Based on Composite Right/Left Handed (CRLH)Transmission Lines Periodically Loaded with Resonant Tunneling Diode Pairs

    • 著者名/発表者名
      K. Maezawa, K. Kasahara, M. Mori
    • 学会等名
      2nd International Conferene on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • [学会発表] 溶融Gaバンプを用いたFluidic Self-Assemblyで配置された微小デバイスの熱的信頼性

    • 著者名/発表者名
      中野純、 柴田知明、森田弘樹、坂本宙、 森 雅之、 前澤 宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      2014-09-23 – 2014-09-26
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249042
  • [学会発表] SOI(Silicon-on-Insulator)基板上へのInSbヘテロエピタキシャル成長

    • 著者名/発表者名
      坂本大地、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      2014年(平成26年)第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289099
  • [学会発表] HEMTと空洞共振器を用いたデジタルマイクロフォンセンサ

    • 著者名/発表者名
      藤野 舜也、 水野 雄太、 山岡 昂博、 森 雅之、 前澤 宏一
    • 学会等名
      2014年電子情報通信学会ソサイエティ大会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      2014-09-23 – 2014-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26630154
  • [学会発表] InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長

    • 著者名/発表者名
      岩杉達矢、カマセ・サラ、角田梓、中谷公彦、森雅之、前澤宏一
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北陸先端科学技術大学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560323
  • [学会発表] Fluidic Self-Assembly for Heterogeneous Integration of High Performance Resonant Tunneling Diodes Using Low-Melting Point Alloy Bumps

    • 著者名/発表者名
      J. Nakano, T. Shibata, T. Okatsu, M.Mori, K. Maezawa
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22656080
  • 1.  森 雅之 (90303213)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 129件
  • 2.  安藤 浩哉 (30212674)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 4件
  • 3.  水谷 孝 (70273290)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 19件
  • 4.  藤巻 朗 (20183931)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  井上 真澄 (00203258)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  塚本 武彦 (10217284)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  杉浦 藤虎 (70206407)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  小川 英夫 (20022717)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  木村 公洋 (10565328)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  大野 雄高 (10324451)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  岸本 茂 (10186215)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  石井 仁 (20506175)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 13.  後野 昭二
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  鈴木 潤一
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  神戸 大亮
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  梶田 翔太
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  遠矢 浩士
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件

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