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畑山 智亮  HATAYAMA Tomoaki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90304162
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2007年度 – 2014年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教
2003年度 – 2006年度: 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子デバイス・電子機器 / 応用物性・結晶工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
半導体 / シリコンカーバイド / 転位 / 炭化ケイ素 / electron beam induced current / crystal growth / dislocation / silicon carbide / 電子線起電流 / 結晶成長 / 結晶工学 / 炭化珪素 / エッチング … もっと見る
研究代表者以外
… もっと見る バイオミネラリゼーション / フェリチンタンパク / バイオナノプロセス / ボトムアップ / ディスプレイ / 自己組織化 / bio-mineralization / self assemble / bottom-up / Bio-nano process / 薄膜トランジスタ / 量子ドット / 結晶化 / シリコン薄膜 / Ni catalyst / Nano Particle / System On Panel / Display / Metal Induced Crystalization / Poly silicon film / Thin Film Transistor / Ferritin Protein / シリサイド / 固相成長 / ニッケル / Ni触媒 / ナノ粒子 / システムオンパネル / 金属誘起結晶化法 / 多結晶シリコン薄膜 / floating gate transistor / Quntum dot / フローティグゲートトランジスタ / フローティングゲートトランジスタ / plasma treatment / ferritin protein / バイオナノ / プラズマ / バイオメネラリゼーション / 積層シリコン薄膜 / ファイバー / 多結晶 / 三次元素子 / グリーンレーザ / フォトダイオード / 非二次元基板 / 多結晶シリコン / 三次元デバイス / 薄膜フォトダイオード / レーザ結晶化 / トンネル現象 / 電子デバイス・集積回路 / コバルト / MOSデバイス / 走査型トンネル顕微鏡 / ケルビンプローブ顕微鏡 / 走査型プローブ顕微鏡 / クーロンブロケード / 単電子 / MOSトランジスタ / 配置制御 / ナノドット / 不揮発 / フェリチン / 自己組織化材料 / バイオテクノロジー / 微細加工 / 半導体 / 低温結晶化 / 抵抗変化型メモリ / タンパク / メモリ / 半導体デバイス / 生体超分子 隠す
  • 研究課題

    (10件)
  • 研究成果

    (120件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  電力変換損失の低減へ向けた特異な結晶面による炭化ケイ素デバイス研究代表者

    • 研究代表者
      畑山 智亮
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  二次元核発生頻度の制御による双晶が無い立方晶の炭化ケイ素成長研究代表者

    • 研究代表者
      畑山 智亮
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  非二次元シリコン基板のレーザ結晶化とそのデバイス応用

    • 研究代表者
      浦岡 行治
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  無転位シリコンカーバイド結晶成長の研究研究代表者

    • 研究代表者
      畑山 智亮
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  自己組織化ナノ構造形成プロセス

    • 研究代表者
      浦岡 行治
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      18063015
  •  2次元配列バイオナノドットにおける不規則トンネル伝導と確率共鳴素子への応用

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  無転位シリコンカーバイド成長に向けた表面改質と高分解能非破壊解析研究代表者

    • 研究代表者
      畑山 智亮
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  フェリチンタンパクを用いたバイオナノディスプレイの研究

    • 研究代表者
      浦岡 行治
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  半導体ナノスケール加工を実現するためのフェリチンタンパク質の2次元結晶化

    • 研究代表者
      浦岡 行治
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学
  •  バイオナノプロセスを用いた量子ドットアレイの自己組織化形成と機能素子への応用

    • 研究代表者
      冬木 隆
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      奈良先端科学技術大学院大学

すべて 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Comparison of etch pit shapes on off-oriented 4H-SiC using different halogen gases2013

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, T. Tamura, H. Yano and T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 740-742 ページ: 589-592

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560367
  • [雑誌論文] Single etch-pit shape on off-angled 4H-SiC(0001) Si-face formed by chlorine trifluoride2012

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, T. Tamura, H. Yano, and T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51

    • NAID

      210000072509

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560367
  • [雑誌論文] 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング2012

    • 著者名/発表者名
      畑山 智亮、堀 良太、田村 哲也、矢野 裕司、冬木 隆
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 116 ページ: 7-12

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560367
  • [雑誌論文] Shape control of trenched 4H-SiC C face by thermal chlorine etching2012

    • 著者名/発表者名
      H. Koketsu, T.Hatayama, H. Yano, and T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 号: 5R ページ: 051201-051201

    • DOI

      10.1143/jjap.51.051201

    • NAID

      40019280119

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560367
  • [雑誌論文] Control of inclined sidewall angles of 4H-SiC mesa and trench structures2011

    • 著者名/発表者名
      H.Koketsu, T.Hatayama
    • 雑誌名

      Materials Science Forum

      巻: 679 ページ: 485-488

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [雑誌論文] Control of inclined sidewall angles of 4H-SiC mesa and trench structures2011

    • 著者名/発表者名
      H.Koketsu, T.Hatayama, 他3名
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Forum 679巻

      ページ: 485-488

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [雑誌論文] Hexagonality and stacking sequence dependence of etching properties in Cl_2-O_2-SiC system2010

    • 著者名/発表者名
      T.Hatayama
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 645(in press)

      ページ: 771-774

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [雑誌論文] Self-formation of specific pyramidal planes in 4H-SiC formed by chlorine based ambience2010

    • 著者名/発表者名
      H.Koketsu, T.Hatayama
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 645(in press)

      ページ: 775-777

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [雑誌論文] Hexagonality and stacking sequence dependence of etching properties in Cl_2-O_2-SiC system2010

    • 著者名/発表者名
      T.Hatayama, 他3名
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Forum 645巻

      ページ: 771-774

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [雑誌論文] Comprehensive study of electroluminescence in multicrystalline silicon solar cells2009

    • 著者名/発表者名
      A.Kitiyanan, A.Ogane, A.Tani, T.Hatayama, H.Yano, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys 106

      ページ: 43717-43717

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Thermal Etching of 4H-SiC(0001) Si Faces in the Mixed Gas of Chlorine and Oxygen2009

    • 著者名/発表者名
      T.Hatayama, T.Shimizu, 他4名
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 48巻

    • NAID

      40016627223

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      A. Kitiyanan, A. Ogane, A. Tani, T. Hatayama, H. Yano, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 106

      ページ: 43717-43717

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Thermal Etching of 4H-SiC(0001) Si Faces in the Mixed G as of Chlorine and Oxygen2009

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Phys ics in press

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [雑誌論文] Anisotropic etching of SiC in the mixed gas of chlorine and oxygen2009

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 600-603

      ページ: 659-662

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [雑誌論文] Anisotropic etching of SiC in the mixed gas of chlorine and oxygen2009

    • 著者名/発表者名
      T.Hatayama, 他3名
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Forum 600巻

      ページ: 659-662

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [雑誌論文] Thermal Etching of 4H-SiC(0001) Si Faces in the Mixed Gas of Chlorine and Oxygen2009

    • 著者名/発表者名
      T.Hatayama
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48

    • NAID

      40016627223

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [雑誌論文] Analysis of Anomalous Charge-Pumping Characteristics on 4H-SiC MOSFETs2008

    • 著者名/発表者名
      D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 雑誌名

      IEEE Transaction Electron Device Vol.55,No.8

      ページ: 2013-2020

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文]2008

    • 著者名/発表者名
      M. Fujii, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, J. Sim Jung
    • 雑誌名

      J. Yeon Kwon, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.47,No.8

      ページ: 6236-6240

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Anisotropic Etching of SiC in the Mixed Gas of Chlorine and Oxygen2008

    • 著者名/発表者名
      Tomoaki Hatayama
    • 雑誌名

      Materials Science Forum (in press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Thermal analysis of degradation in Ga_2O_3-In_2O_3-ZnO thin film transistors2008

    • 著者名/発表者名
      M.Fujii, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki, J.Sim Jung, J.Yeon Kwon
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.47

      ページ: 6236-6240

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [雑誌論文] Properties of Thermally Etched 4H-SiC by Chlorine-Oxygen System2007

    • 著者名/発表者名
      Tomoaki Hatayama
    • 雑誌名

      Materials Science Forum (in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Properties of Thermally Etched 4H-SiC by Chlorine-Oxygen System2007

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, S. Takenami, H. Yano, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum Vols. 556-557

      ページ: 283-286

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Fabrication of Poly-Si Thin-Film Transistors on Quartz Fiber2007

    • 著者名/発表者名
      Yuta Sugawara, Yukiharu Uraoka, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki
    • 雑誌名

      Aplied Physics Ltter 91

      ページ: 203518-203518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Low temperature poly-Si Thin Film Transistors flash memory with Si nanocrystal dot2007

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Yukiharu Uraoka, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Lett. Vol.46,No.27

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Low-temperature poly-Si TFT flash memory w ith ferritin2007

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Yukiharu Uraoka, Prakaipetch, Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki, Ichiro Yamashita
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.46,No.34

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films by Solid Green Laser Annealing2007

    • 著者名/発表者名
      Yuta Sugawara, Yukiharu Uraoka, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki, A, Mimura
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46,No. 8

    • NAID

      10018902932

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Properties of Thermally Etched 4H-SiC by Chlorine-Oxygen System2007

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, et. al.
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 556-557

      ページ: 283-286

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Sloped Sidewalls in 4H-SiC Mesa Structure Formed by a Cl_2-O_2 Thermal Etching2007

    • 著者名/発表者名
      S. Takenami, T. Hatayama, H. Yano, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum Vols. 556-557

      ページ: 733-736

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films by Solid Green Laser Annealing for High Performance Thin Film Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      Yuta Sugawara, Yukiharu Uraoka, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki, Akio Mimura
    • 雑誌名

      IEEE EDL Vol.28,No.5

      ページ: 395-395

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Reliability of low temperature poly-Si Thin Film Transistors with ultrathin gate oxide2007

    • 著者名/発表者名
      Hitoshi Ueno, Yuta Sugawara, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Tadashi Serikawa
    • 雑誌名

      pn. J. Appl. Phys. Vol.46,No.7A

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Low Temperature Poly-Si TFT Flash Memory with Si Nano crystal Dot2007

    • 著者名/発表者名
      K.Ichikawa, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 雑誌名

      The proceeding of the 3^<rd> International TFT Conference

      ページ: 340-340

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Reliability Analysis of Ultra-Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      Hitoshi Ueno, Yuta Sugawara, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46,No. 3B

      ページ: 1303-1303

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Properties of Thermally Etched 4H-SiC by Chlorine-Oxygen System2007

    • 著者名/発表者名
      Tomoaki Hatayama
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 556-557

      ページ: 283-286

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Low-temperature poly-Si TFT flash memory with ferritin2007

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Yukiharu Uraoka, Prakaipetch, Punchaipetch, H.iroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki, Ichiro Yamashita
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 1804-806

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] Fabrication of Poly-Si Thin-Film Transistors on Quartz Fiber2007

    • 著者名/発表者名
      Yuta Sugawara, Yukiharu Uraoka^*, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

      ページ: 203518-13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [雑誌論文] 3-Dimensional Non-Destructive Dislocation Analyses in SiC Measured by Planar Electron-Beam-Induced Current Method2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Yanagisawa, T. Hatayama, H. Yano, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum Vols. 527-529

      ページ: 423-426

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] High Purity SiC Epitaxial Growth by Chemical Vapor Deposition Using CH_3SiH_3 and C_3H_8 Sources2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, et. al.
    • 雑誌名

      Materials Science Forum 527-529

      ページ: 203-206

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Analysis of Minority Carrier Diffusion Length in SiC toward High Quality Epitaxial Growth2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, et. al.
    • 雑誌名

      Journal of Microelectronic Engineering 83

      ページ: 30-33

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Evaluation of Crystallinity in 4H-SiC {0001} Epilayers Thermally Etched by Chlorine and Oxygen System2006

    • 著者名/発表者名
      Tomoaki Hatayama
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10017653486

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] High Purity SiC Epitaxial Growth by Chemical Vapor Deposition Using CH_3SiH_3 and C_3H_8 Sources2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, H. Yano, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Forum Vols. 527-529

      ページ: 203-206

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Evaluation of Crystallinity in 4H-SiC{0001} Epilayers Thermally Etched by Chlorine and Oxygen System2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, H. Yano, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys Vol. 45

    • NAID

      10017653486

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Analysis of Minority Carrier Diffusion Length in SiC toward High Quality Epitaxial Growth2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, H. Yano, Y. Uraoka, Takashi, Fuyuki
    • 雑誌名

      J. Microelect. Eng Vol. 83

      ページ: 30-33

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Evaluation of Crystallinity in 4H-SiC {0001} Epilayers Thermally Etched by Chlorine and Oxygen System2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, et. al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10017653486

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nanodot by side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      K.Ichikawa, P.Punchaipetch, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 雑誌名

      2005 International Meeting for Future of Electron Device, Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] シリコンナノクリスタルドット形成プロセスの低温化2005

    • 著者名/発表者名
      向正人, 市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-P6-17

      ページ: 988-988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] シリコンナノクリスタルドット形成プロセスの低温化2005

    • 著者名/発表者名
      向正人, 市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-p6-17(未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      International Meeting of Future Electron Device in Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Siナノドットメモリにおけるート酸化膜厚依存性2005

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-P6-19

      ページ: 988-988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by Side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      IEEE/International Meeting for Future Electron Devices, Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Siナノドットメモリにおける-ト酸化膜厚依存性2005

    • 著者名/発表者名
      p.punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-p6-18(未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] 積層型Siナノドットフローティングゲートメモリにおける充放電特性評価2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-P6-19

      ページ: 988-988

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] 積層型Siナノドットフローティングゲートメモリにおける充放電特性評価2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第50回応用物理学関係連合講演会 1a-p6-19(未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      International Meeting of Future Electron Device in Kansai (未定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Electron Injection into Si nano dot fabricated by Side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      IEEE/International Meeting for Future Electron Devices, Kansai P-D7

      ページ: 97-97

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Si nano-crystal dot memory fabricated by Side-wall Typed PECVD2004

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE SDM2004-206

    • NAID

      110003311202

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Si-Wall電極型PECVDによるSiナノドットにおける充放電特性評価2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-lO

      ページ: 754-754

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, 向正人, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 SDM2004-206

      ページ: 81-81

    • NAID

      110003311202

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, 向正人, p.punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 SDM2004-206

      ページ: 81-81

    • NAID

      110003311202

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Si-Wall電極型PECVDによるSiナノドットにおける充放電特性評価2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, P.Punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-10

      ページ: 754-754

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] リモートプラズマ法によるPLCVDHfSiO膜への窒素プロファイルの制御2004

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 中村秀碁, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 堀井貞義
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1p_C-7

      ページ: 679-679

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] Si nano-crystal dot memory fabricated by Side-wall Typed PECVD2004

    • 著者名/発表者名
      Kazunori Ichikawa, Masato Mukai, P.Punchaipetch, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Eiji Takahashi, Tsukasa Hayashi, Kiyoshi Ogata
    • 雑誌名

      Technical Report of IEICE SDM2004-206

    • NAID

      110003311202

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] シリコン窒化膜に埋め込まれたSiナノドットへの電子注入2004

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-10

      ページ: 754-754

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] シリコン窒化膜に埋め込まれたSiナノドットへの電子注入2004

    • 著者名/発表者名
      P.Punchaipetch, 市川和典, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 高橋英治, 林司
    • 雑誌名

      第65回応用物理学関係連合講演会 1a-L-11

      ページ: 754-754

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360191
  • [雑誌論文] 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入2004

    • 著者名/発表者名
      中村秀碁, p.punchaipetch, 矢野裕司, 畑山智亮, 浦岡行治, 冬木隆, 堀井貞義
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 SDM2004-45

      ページ: 57-57

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [雑誌論文] プラズマ援用化学気相堆積法を用いて堆積したSiナノドットへの電子注入2004

    • 著者名/発表者名
      市川和典, 猪飼順子, 彦野太樹夫, 矢野裕司, 畑山智亮, 冬木隆, 林司
    • 雑誌名

      第51回応用物理学会関係連合講演会 28p-ZH-2

      ページ: 959-959

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360013
  • [学会発表] 光学的および回折法によるSiC結晶多形の解析2013

    • 著者名/発表者名
      畑山 智亮、矢野 裕司、冬木 隆
    • 学会等名
      SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
    • 発表場所
      埼玉会館、埼玉県さいたま市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560367
  • [学会発表] 熱エッチング速度のSiC結晶面方位依存性2011

    • 著者名/発表者名
      田村哲也、畑山智亮、纐纈英典、矢野裕司、冬木隆
    • 学会等名
      第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
    • 発表場所
      愛知県 産業労働センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560367
  • [学会発表] 塩素ガス熱エッチングにおける結晶面異方性を活用したSiCトレンチ底部の形状制御2011

    • 著者名/発表者名
      纐纈英典, 畑山智亮, 他3名
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] Surface treatments of 4H-SiC evaluated by contact angle measurement2010

    • 著者名/発表者名
      畑山智亮, 他4名
    • 学会等名
      European Conference of Silicon Carbide and Related Materials
    • 発表場所
      Norway
    • 年月日
      2010-09-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] SiCにおけるエッチピット形状オフ角度およびポリタイプ依存性2010

    • 著者名/発表者名
      畑山
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • 年月日
      2010-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] 熱エッチングによるマイクロメータサイズのSiC円錐状構造の自己形成2010

    • 著者名/発表者名
      網嶋、畑山
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • 年月日
      2010-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] 塩素ガス熱エッチングによる4H-SiCサブトレンチの解消2010

    • 著者名/発表者名
      纐纈英典, 畑山智亮, 他3名
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
    • 発表場所
      茨城県
    • 年月日
      2010-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] 熱エッチングによるマイクロメータサイズのSiC円錐状構造の自己形成2010

    • 著者名/発表者名
      網嶋健人, 畑山智亮, 他3名
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
    • 発表場所
      茨城県
    • 年月日
      2010-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] 塩素ガス熱エッチングによる4H-SiCサブトレンチの解消2010

    • 著者名/発表者名
      纐纈、畑山
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • 年月日
      2010-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] SiCにおけるエッチピット形状オフ角度およびポリタイプ依存性2010

    • 著者名/発表者名
      畑山智亮, 纐纈英典, 矢野裕司, 冬木隆
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
    • 発表場所
      茨城県
    • 年月日
      2010-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] 熱エッチングで形成した4H-SiCメサ構造のオフ角度と方位依存性2009

    • 著者名/発表者名
      纐纈英典, 畑山智亮, 他3名
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] Hexagonality and stacking sequence dependence of etching properties in Cl_2-O_2-SiC system2009

    • 著者名/発表者名
      畑山智亮, 他3名
    • 学会等名
      International Conference of Silicon Carbide and Related Materials
    • 発表場所
      Germany
    • 年月日
      2009-10-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] 塩素ガスでの熱エッチングによる4H-SiC{11-2-m}および{1-10-n}面の形成2009

    • 著者名/発表者名
      纐纈英典, 畑山智亮, 他2名
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会
    • 発表場所
      神戸市
    • 年月日
      2009-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] Pulsed Green Laser Anneling Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugawara, H. Yano, T, Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2009-05-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Improvement of interface properties by NH3 pretreatment for 4H-SiC(000-1) MOS structure2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Iwasaki, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 学会等名
      Solid State Device Meeting
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Hexagonality and stacking sequence dependence of etching properties in Cl_2-O_2-SiC system2009

    • 著者名/発表者名
      T Hatayama
    • 学会等名
      International Conference of Silicon Carbide and Related Materials
    • 発表場所
      国際会議場(Nurnberg, Germany)
    • 年月日
      2009-10-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] 4H-SiC (000-1)C面の熱エッチング特性2009

    • 著者名/発表者名
      網嶋、畑山
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会
    • 発表場所
      神戸国際会議場(兵庫県)
    • 年月日
      2009-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] 塩素ガスでの熱エッチングによる4H-Sic {11-2-m}および{1-10-n}面の形成2009

    • 著者名/発表者名
      網嶋、畑山
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会
    • 発表場所
      神戸国際会議場(兵庫県)
    • 年月日
      2009-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] Self-formation of specific pyramidal planes in 4H-SiC formed by chlorine based ambience2009

    • 著者名/発表者名
      H.Koketsu, T.Hatayama
    • 学会等名
      International Conference of Silicon Carbide and Related Materials
    • 発表場所
      国際会議場(Nurnberg, Germany)
    • 年月日
      2009-10-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] 4H-SiC (000-1)C面の熱エッチング特性2009

    • 著者名/発表者名
      網嶋健人, 畑山智亮, 他3名
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会
    • 発表場所
      神戸市
    • 年月日
      2009-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] Pulsed Green Laser Anneling Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugawara, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      5th International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Self-formation of specific pyramidal planes in 4H-SiC formed by chlorine based ambience2009

    • 著者名/発表者名
      H.Koketsu T.Hatayama, 他3名
    • 学会等名
      International Conference of Silicon Carbide and Related Materials
    • 発表場所
      Germany
    • 年月日
      2009-10-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] 塩素ガスを使った熱エッチングにおける4H-SiCメサ側壁傾斜角度の制御2009

    • 著者名/発表者名
      纐纈英典, 畑山智亮, 他2名
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] Interface Properties of C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures Prepared by Direct Oxidation in Nitric Oxide2009

    • 著者名/発表者名
      D.Okamoto, H.Yano, Y.Oshiro, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuvuki
    • 学会等名
      Solid State Device Meeting
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表]2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Iwasaki, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      SSDM
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Acceleration of Crystal Growth by Pulse Rapid Anneaking using Ni ferritin2008

    • 著者名/発表者名
      M. Ochi, Y. Sugawara, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, I. Yamashita
    • 学会等名
      The 4th International TFT Conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2008-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表]2008

    • 著者名/発表者名
      Mami Fujii, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Ji Sim Jung, Jang Yeon Kwon, Takashi Nakanishi, Mutsumi Kimura
    • 学会等名
      IMFEDK
    • 発表場所
      Osaka
    • 年月日
      2008-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] 熱エッチングによる4H-SiC高指数面の形成とショットキーバリアダイオードへの応用2008

    • 著者名/発表者名
      纐纈英典, 畑山智亮, 他2名
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会
    • 発表場所
      東京都
    • 年月日
      2008-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] Improvement in Al2O3/Si Interfacial Characteristics by High Pressure Water Annealing2008

    • 著者名/発表者名
      H. Itoh, Y, Sugawara, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      The 4th International TFT Conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2008-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Threshold Voltage Shift in Ga2O3-In2O3-ZnO(ZIGO) Thin Film Transitors under Constant Voltage Stress2008

    • 著者名/発表者名
      M. Fujii, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, J. Jung, J. Kwon, T. Nakanishi, M. Kimura
    • 学会等名
      SSDM
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2008-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Low temperature poly-Si TFT flash memory with Ferritin Protein2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ichikawa, P. Punchaipetch, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, I. Yamashita, T. Yaegashi, S. Kawabata, M. Yoshimau
    • 学会等名
      AMFPD
    • 発表場所
      Tokyo(招待講演)
    • 年月日
      2008-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Characterization of 4H-SiC analyzed by cathodeluminescence and electron-beam induced current methods2008

    • 著者名/発表者名
      畑山智亮, 他3名
    • 学会等名
      European conference of silicon carbide and related materials
    • 発表場所
      Spain
    • 年月日
      2008-09-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] Green Laser Anneling Double-Layered X'tallization for System on Panerl2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugawara, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, A, Mimura
    • 学会等名
      The 4th International TFT Conference
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2008-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] New Synthesis Method using Microwave Thermo Catalysis for Inorganic EL Displays2008

    • 著者名/発表者名
      Mami Fujii, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki, Nobuyoshi Taguchi, R. Sugie, N. Muraki
    • 学会等名
      AMFPD
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2008-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Pulsed Green Laser Anneling Crystallization of Double-Layered Silicon Thin Films2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Sugawara, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka, T.Fuyuki
    • 学会等名
      The 5^<th> International TFT Conference
    • 発表場所
      Paris, France
    • 年月日
      2008-03-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20246006
  • [学会発表] Characterization of 4H-SiC Analyzed by Cathodeluminescenee and Electron-Beam Induced Current Methods2008

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama
    • 学会等名
      European Conference of Si 1 icon Carb ideand Related Materials
    • 発表場所
      Axa Audi torium ( Bacelona, SPAIN )
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] 接触角度の測定と素子特性によるSiC表面処理の評価2008

    • 著者名/発表者名
      鈴木啓之, 畑山智亮, 他4名
    • 学会等名
      シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会
    • 発表場所
      東京都
    • 年月日
      2008-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20560301
  • [学会発表] Degradation in Ga2O3-In2O3-ZnO Thin Film Transistors under Constant Voltage Stress2008

    • 著者名/発表者名
      M. Fujii, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, J. Jung, J. Kwon, T. Nakanishi, M. Kimura
    • 学会等名
      AMFPD
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2008-07-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] 熱エッチングを用いた異なるポリタイプにおけるSiC(0001)面エッチピットの解析2007

    • 著者名/発表者名
      畑山 智亮, 他
    • 学会等名
      秋季 第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道)
    • 年月日
      2007-09-04
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [学会発表] Anisotropic Etching of SiC in the Mixed Gas of Chlorine and Oxygen2007

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, et. al.
    • 学会等名
      International Conference of Silicon Carbide and Related Materials
    • 発表場所
      Otsu prince hotel(滋賀県)
    • 年月日
      2007-10-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [学会発表] Low Temperature poly-Si TFT Flash memory with Si nano crystal dot2007

    • 著者名/発表者名
      K. Ichikawa, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      The proceeding of the 3rd International TFT Conference
    • 発表場所
      Rome
    • 年月日
      2007-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] micro-PCD Measurement of Double-Layered poly-Si Thin Films Crystallization by Solid Green Lazer Annealing2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugawara, Y. Uraoka, H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki
    • 学会等名
      The proceeding of the 3rd International TFT Conference
    • 発表場所
      Rome
    • 年月日
      2007-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Crystallization of Double-Layerd silicon Thin Film by Solid Green Laser Annealing for High Performance Thin Film Transistor2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Sugawara, Y. Uraoka, H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki, A, Mimura
    • 学会等名
      AMFPD '07
    • 発表場所
      Hyogo
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] Low Temperature poly-Si TFT Flash memory with Si nano crystal dot2007

    • 著者名/発表者名
      K.Ichikawa, H.Yano, T.Hatayama, Y.Uraoka(他1名、4番目)
    • 学会等名
      The proceeding of the 3rd International TFT Conference
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18063015
  • [学会発表] 塩素と酸素の混合ガス雰囲気によるSiCの熱エッチング2007

    • 著者名/発表者名
      畑山 智亮, 他
    • 学会等名
      第17回SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
    • 発表場所
      ウィルあいち(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2007-11-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [学会発表] Anisotropic Etching of SiC in the Mixed Gas of Chlorine and Oxygen2007

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, T. Shimizu, H. Yano, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      International Conference of Silicon Carbide and Related Materials
    • 発表場所
      Ohtsu, Japan
    • 年月日
      2007-10-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [学会発表] Properties of Thermally Etched 4H-SiC by Chlorine-Oxygen System2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, et. al.
    • 学会等名
      European Conference of Silicon Carbide and Related Materials
    • 発表場所
      Newcastle upon Tyne, UK
    • 年月日
      2006-09-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [学会発表] Non-destructive analyses of crystal defects in SiC by planar electron-beam-induced current method2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, H. Yano, Y. Uraoka, T. Fuyuki
    • 学会等名
      GIST/NAIST Joint Symposium on Advanced Materials
    • 発表場所
      Nara Institute of Science and Technology (Nara, Japan)
    • 年月日
      2006-11-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [学会発表] 塩素と酸素による4H-SiCの熱エッチング2006

    • 著者名/発表者名
      畑山 智亮, 他
    • 学会等名
      秋季 第67回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      立命館大学(滋賀県)
    • 年月日
      2006-08-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [学会発表] Non-destructive analyses of crystal defects in SiC by planar electron-beam-induced current method2006

    • 著者名/発表者名
      T. Hatayama, et. al.
    • 学会等名
      GIST/NAIST Joint Symposium on Advanced Materials
    • 発表場所
      奈良先端科学技術大学院大学(奈良県)
    • 年月日
      2006-11-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [学会発表] 塩素と酸素の熱エッチングを使ったSiC結晶性評価と素子プロセスへの応用2006

    • 著者名/発表者名
      畑山 智亮, 他
    • 学会等名
      第16回SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
    • 発表場所
      高崎シティーギャラリ(群馬県)
    • 年月日
      2006-11-09
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560305
  • [学会発表] 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング

    • 著者名/発表者名
      畑山 智亮、堀 良太、田村 哲也、矢野 裕司、冬木 隆
    • 学会等名
      シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
    • 発表場所
      京都大学 桂キャンパス、京都市西京区
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560367
  • [学会発表] 異なるハロゲンガスを用いたSiCの熱エッチング特性

    • 著者名/発表者名
      畑山 智亮、堀 良太、矢野 裕司、冬木 隆
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同支社大学、京都府京田辺市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560367
  • [学会発表] ハロゲン系ガスにより熱エッチングされた炭化ケイ素の表面形状

    • 著者名/発表者名
      畑山 智亮、田村 哲也、矢野 裕司、冬木 隆
    • 学会等名
      第73回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学、愛媛県松山市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560367
  • [学会発表] フッ素系および塩素ガスを用いた炭化ケイ素の熱エッチング

    • 著者名/発表者名
      畑山 智亮、堀 良太、田村 哲也、矢野 裕司、冬木 隆
    • 学会等名
      第21回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
    • 発表場所
      大阪市中央公会堂、 大阪市北区中之島1-1-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560367
  • 1.  矢野 裕司 (40335485)
    共同の研究課題数: 8件
    共同の研究成果数: 55件
  • 2.  浦岡 行治 (20314536)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 54件
  • 3.  冬木 隆 (10165459)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 25件
  • 4.  池田 篤志 (90274505)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  山下 一郎
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  山本 伸一 (70399260)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  木村 睦 (60368032)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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