佐竹昭泰 Satake Akihiro

研究者番号	90325572
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 九州工業大学, 大学院工学研究院, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2004年度 – 2006年度: 九州工業大学, 工学部, 助手 2000年度: 九州工業大学, 工学部・電気工学科, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者以外電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者以外 InGaN / photoluminescence / quantum well / GaAs / フォトルミネッセンス / Stark effects / carrier capture / electroluminescence / light-emitting diode / III-nitride semiconductors … もっと見る / フォトルミネッサンス / 発行ダイオード / 量子井戸構成 / シュタルク電界効果 / キャリアー捕獲 / エレクトロルミネッセンス / 発光ダイオード / 窒化ガリウム系半導体 / 量子井戸構造 / radiative recombination lifetime / emission dynamics / time-resolved emission / quantum capture / exciton / 発光再結合寿命 / 発光ダイナミクス / 時間分解発光 / 量子捕獲 / 励起子 / 量子井戸隠す

半導体量子構造系におけるキャリア-量子捕獲および離脱機構
- 研究代表者
  
  藤原賢三
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  九州工業大学
異なる半導体量子構造間の量子捕獲ダイナミクス
- 研究代表者
  
  藤原賢三
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  九州工業大学

すべて 2007 2006 2005 2004

すべて雑誌論文

[雑誌論文] Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes2007
- 著者名/発表者名
  T.Inada, A.Satake, K.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 4[7]
  
  ページ: 2768-2771
- NAID
  120002440609
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157
[雑誌論文] Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes2007
- 著者名/発表者名
  T.Inada, A.Satake, K.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) (In print)
- NAID
  120002440609
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157
[雑誌論文] Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes2007
- 著者名/発表者名
  T.Inada, A.Satake, K.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)4[7]
  
  ページ: 2768-2771
- NAID
  120002440609
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157
[雑誌論文] Carrier capture and escape processes in (In,Ga)N single-quantum-well diode under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy2006
- 著者名/発表者名
  A.Satake, K.Soejima, H.Aizawa, K.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(b) (in print)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157
[雑誌論文] Internal and external field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes2006
- 著者名/発表者名
  H.Aizawa, K.Soejima, A.Hori, A.Satake, K.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 3・3
  
  ページ: 589-593
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157
[雑誌論文] Carrier capture and escape processes in (In,Ga)N single-quantum-well diode under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy2006
- 著者名/発表者名
  A.Satake, K.Soejima, H.Aizawa, K.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 3[6]
  
  ページ: 2203-2206
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157
[雑誌論文] Internal and external field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes2006
- 著者名/発表者名
  H.Aizawa, K.Soejima, A.Hori, A.Satake, K.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) 3[3]
  
  ページ: 589-593
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157
[雑誌論文] Carrier capture and escape processes in (In, Ga)N single-quantum-well diode under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy2006
- 著者名/発表者名
  A.Satake, K.Soejima, H.Aizawa, K.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)3[6]
  
  ページ: 2203-2206
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157
[雑誌論文] Interplay of external and internal field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes2006
- 著者名/発表者名
  H.Aizawa, K.Soejima, A.Hori, A.Satake, K.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c)3[3]
  
  ページ: 589-593
- NAID
  120002440526
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157
[雑誌論文] Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In,Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer2005
- 著者名/発表者名
  N.Otsuji, Y.Takahashi, A.Satake, K.Fujiwara, J.K.Shue, U.Jahn, H.Kostial, H.T.Grahn
- 雑誌名
  
  Proceedings of 13th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (Beijing, China, September 20-24, 2004) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157
[雑誌論文] Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In, Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer2004
- 著者名/発表者名
  N.Otsuji, Y.Takahashi, A.Satake, K.Fujiwara, J.K.Shue, U.Jahn, H.Kostial, H.T.Grahn
- 雑誌名
  
  Proceedings of 13th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (Bejin, China, September 20-24, 2004)
  
  ページ: 276-280
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157
[雑誌論文] Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In,Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer2004
- 著者名/発表者名
  N.Otsuji, Y.Takahashi, A.Satake, K.Fujiwara, J.K.Shue, U.Jahn, H.Kostial, H.T.Grahn
- 雑誌名
  
  Proceedings of 13th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (Beijing, China, September 20-24, 2004)
  
  ページ: 276-280
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360157

1. 藤原賢三 (90243980)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 12件

佐竹 昭泰 Satake Akihiro

研究課題

研究成果

共同研究者

半導体量子構造系におけるキャリア-量子捕獲および離脱機構

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

異なる半導体量子構造間の量子捕獲ダイナミクス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes2007

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes2007

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes2007

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Carrier capture and escape processes in (In,Ga)N single-quantum-well diode under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Internal and external field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes2006

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Carrier capture and escape processes in (In,Ga)N single-quantum-well diode under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Internal and external field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Carrier capture and escape processes in (In, Ga)N single-quantum-well diode under forward bias condition by photoluminescence spectroscopy2006

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Interplay of external and internal field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes2006

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

説明

データソース

[雑誌論文] Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In,Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer2005

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In, Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In,Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

佐竹昭泰 Satake Akihiro