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寒川 義裕  Kangawa Yoshihiro

研究者番号 90327320
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-4982-8883
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 九州大学, 応用力学研究所, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2022年度 – 2024年度: 九州大学, 応用力学研究所, 教授
2017年度 – 2020年度: 九州大学, 応用力学研究所, 教授
2007年度 – 2016年度: 九州大学, 応用力学研究所, 准教授
2004年度 – 2006年度: 九州大学, 応用力学研究所, 助教授
2003年度: 東京農工大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
無機材料・物性 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 理工系 / 薄膜・表面界面物性
キーワード
研究代表者
窒化アルミニウム / 溶液成長 / 反応経路探索 / 表面プロセス / 化学気相成長 / 結晶工学 / 結晶成長 / テンプレート基板 / 窒化物半導体 / パワーデバイス用材料 / その場観察 … もっと見る
研究代表者以外
… もっと見る AlN / AlGaN / 結晶成長 / 窒化物半導体 / エピタキシャル成長 / HVPE / ナノ構造 / LED / AlNテンプレート / 高温アニール / アニール / 非極性面 / AlNテンプレート / 深紫外LED / 超格子 / 転位 / 偏析 / 窒化物混晶半導体 / 特異構造場 / 結晶工学 / 計算物理 / 量子ドット / 自然超格子 / 組成変調 / 極性反転 / ボンドエンジニアリング / 特異構造 / 計算科学 / Interstitial atom site / Crystal polarity / ALCHEMI / Energy gap / Oxygen atom / Transmission electron microscopy / Molecular beam enitaxv / Indium nitridp / 酸化インジウム / 占有確率 / アルケミ法 / 電子顕微鏡 / 収束電子回折 / 格子間原子位置 / 結晶極性 / アルケミ / エネルギーギャップ / 酸素 / 透過型電子顕微鏡 / 分子線エピタキシャル成長 / 窒化インジウム / Thermodynamic Analysis / AlCl / AlCl_3 / Free-standing substrate / Epitaxial Growth / 基板結晶 / ナノ結晶場制御 / 原料分子制御 / 厚膜エピタキシャル成長 / 熱力学解析 / 一塩化アルミニューム / 三塩化アルミニューム / 自立基板結晶 / 表面制御 / 電子状態 / エピタキシー / バンドギャップ / ナノリボン / グラフェン / 界面反応エピタキシャル法 / ヘテロエピタキシャル成長 / III族窒化物 / 窒化シリコン / AM-MEE成長法 / AlNダブルバッファー層 / 原子フラックス測定 / 半導体物性 / 電子・電気材料 / エピタキシャル / PA-MBE / 3次元解析 / シリコン / SiC / Si / 電磁場 隠す
  • 研究課題

    (10件)
  • 研究成果

    (186件)
  • 共同研究者

    (29人)
  •  半導体化学気相成長の科学研究代表者

    • 研究代表者
      寒川 義裕
    • 研究期間 (年度)
      2024 – 2027
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      九州大学
  •  窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用

    • 研究代表者
      三宅 秀人
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      三重大学
  •  自己組織化による窒化アルミニウム結晶薄膜の創製研究代表者

    • 研究代表者
      寒川 義裕
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      九州大学
  •  計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計

    • 研究代表者
      伊藤 智徳
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2020
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      三重大学
  •  窒化アルミニウム粉末を原料とする窒化アルミニウム単結晶成長技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      寒川 義裕
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      九州大学
  •  グラフェンナノ構造形成と構造ー電子物性相関

    • 研究代表者
      田中 悟
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      九州大学
  •  表面構造制御法開発による準安定立方晶III族窒化物半導体の創製と物性制御

    • 研究代表者
      大鉢 忠
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      同志社大学
  •  動的電場・磁場を用いた新規結晶育成方法の創製

    • 研究代表者
      柿本 浩一
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  第3元素の占有個所を特定する結晶ナノ構造解析と機能特性発現の解明

    • 研究代表者
      桑野 範之
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      九州大学
  •  原料分子およびナノ結晶場制御によるAlNおよびAlGaN厚膜エピタキシー

    • 研究代表者
      纐纈 明伯
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京農工大学

すべて 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2011 2010 2009 2007 2005 2004 2003 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書

  • [図書] Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds Computational Approach2018

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa Takashi Nakayama, Kenji Shiraishi
    • 総ページ数
      223
    • 出版者
      Springer
    • ISBN
      9783319766409
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [雑誌論文] Progress in Modeling Compound Semiconductor Epitaxy: Unintentional Doping in GaN MOVPE2021

    • 著者名/発表者名
      Kangawa Yoshihiro、Kusaba Akira、Kempisty Pawel、Shiraishi Kenji、Nitta Shugo、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Crystal Growth & Design

      巻: 21 号: 3 ページ: 1878-1890

    • DOI

      10.1021/acs.cgd.0c01564

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [雑誌論文] Facet stability of GaN during tri-halide vapor phase epitaxy: an ab initio-based approach2021

    • 著者名/発表者名
      Yosho Daichi、Matsuo Yuriko、Kusaba Akira、Kempisty Pawel、Kangawa Yoshihiro、Murakami Hisashi、Koukitu Akinori
    • 雑誌名

      CrystEngComm

      巻: 23 号: 6 ページ: 1423-1428

    • DOI

      10.1039/d0ce01683g

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K15181, KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-19H02614
  • [雑誌論文] First‐Principles Calculation of Bandgaps of Al1- xInxN Alloys and Short‐Period Al1-xInxN/Al1-yInyN Superlattices2020

    • 著者名/発表者名
      Kawamura Takahiro、Fujita Yuma、Hamaji Yuya、Akiyama Toru、Kangawa Yoshihiro、Gorczyca Izabela、Suski Tadeusz、Wierzbowska Maigorzata, Krukowski Stanisiaw
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 257 号: 4 ページ: 1900530-1900530

    • DOI

      10.1002/pssb.201900530

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K05324, KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [雑誌論文] Oxygen Incorporation Kinetics in Vicinal m (10-10) Gallium Nitride Growth by Metal‐Organic Vapor Phase Epitaxy2020

    • 著者名/発表者名
      Yosho Daichi、Shintaku Fumiya、Inatomi Yuya、Kangawa Yoshihiro、Iwata Jun-Ichi、Oshiyama Atsushi、Shiraishi Kenji、Tanaka Atsushi、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      physica status solidi (RRL) Rapid Research Letters

      巻: 2020 号: 6 ページ: 2000142-2000142

    • DOI

      10.1002/pssr.202000142

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-18H03873
  • [雑誌論文] Absolute surface energies of oxygen-adsorbed GaN surfaces2020

    • 著者名/発表者名
      Kawamura Takahiro、Akiyama Toru、Kitamoto Akira、Imanishi Masayuki、Yoshimura Masashi、Mori Yusuke、Morikawa Yoshitada、Kangawa Yoshihiro、Kakimoto Koichi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 549 ページ: 125868-125868

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2020.125868

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K05268, KAKENHI-PROJECT-20K05324, KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-18K04957
  • [雑誌論文] Computational study of oxygen stability in vicinal m(10-10)-GaN growth by MOVPE2020

    • 著者名/発表者名
      Shintaku Fumiya、Yosho Daichi、Kangawa Yoshihiro、Iwata Jun-Ichi、Oshiyama Atsushi、Shiraishi Kenji、Tanaka Atsushi、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 5 ページ: 055507-055507

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab8723

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H03770, KAKENHI-PROJECT-18H03873, KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [雑誌論文] Modeling carbon coverage on polar GaN surfaces during MOVPE2020

    • 著者名/発表者名
      Yosho Daichi、Inatomi Yuya、Kangawa Yoshihiro
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 号: 4 ページ: 048002-048002

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ab80e2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [雑誌論文] Theoretical study of adatom stability on polar GaN surfaces during MBE and MOVPE2020

    • 著者名/発表者名
      Inatomi Y.、Kangawa Y.
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 502 ページ: 144205-144205

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2019.144205

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19J11998, KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [雑誌論文] Self-formed compositional superlattices triggered by cation orderings in m-plane Al1-xInxN on GaN2020

    • 著者名/発表者名
      Chichibu Shigefusa F.、Shima Kohei、Kojima Kazunobu、Kangawa Yoshihiro
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 10 号: 1 ページ: 185701-11

    • DOI

      10.1038/s41598-020-75380-3

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PLANNED-16H06427
  • [雑誌論文] Kinetic-thermodynamic model for carbon incorporation during step-flow growth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      Inatomi Y.、Kangawa Y.、Pimpinelli A.、Einstein T. L.
    • 雑誌名

      Physical Review Materials

      巻: 3 号: 1

    • DOI

      10.1103/physrevmaterials.3.013401

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [雑誌論文] Chemical vapor deposition condition dependence of reconstructed surfaces on 4H-SiC (0001), (000-1), and (1-100) surfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Chokawa Kenta、Makino Emi、Hosokawa Norikazu、Onda Shoichi、Kangawa Yoshihiro、Shiraishi Kenji
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: 11 ページ: 115501-115501

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab4c21

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [雑誌論文] CH4 Adsorption Probability on GaN(0001) and (000-1) during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Its Relationship to Carbon Contamination in the Films2019

    • 著者名/発表者名
      Kusaba Akira、Li Guanchen、Kempisty Pawel、von Spakovsky Michael、Kangawa Yoshihiro
    • 雑誌名

      Materials

      巻: 12 号: 6 ページ: 972-972

    • DOI

      10.3390/ma12060972

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-16J04128
  • [雑誌論文] Evolution of the free energy of the GaN(0001) surface based on first-principles phonon calculations2019

    • 著者名/発表者名
      Kempisty Pawel、Kangawa Yoshihiro
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 100 号: 8

    • DOI

      10.1103/physrevb.100.085304

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [雑誌論文] First-principles study of polar, nonpolar, and semipolar GaN surfaces during oxide vapor phase epitaxy growth2018

    • 著者名/発表者名
      Kawamura Takahiro、Kitamoto Akira、Imade Mamoru、Yoshimura Masashi、Mori Yusuke、Morikawa Yoshitada、Kangawa Yoshihiro、Kakimoto Koichi、Akiyama Toru
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 11 ページ: 115504-115504

    • DOI

      10.7567/jjap.57.115504

    • NAID

      210000149765

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04957, KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105010, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
  • [雑誌論文] First-principles study of the surface phase diagrams of GaN(0001) and (000-1) under the oxide vapor phase epitaxy growth conditions2017

    • 著者名/発表者名
      T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, and K. Kakimoto
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: 印刷中 号: 8 ページ: 1600706-1600706

    • DOI

      10.1002/pssb.201600706

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-15K13351, KAKENHI-PROJECT-15K17459, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105010
  • [雑誌論文] DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000-1) metalorganic vapor phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Kempisty Pawel、Kangawa Yoshihiro、Kusaba Akira、Shiraishi Kenji、Krukowski Stanislaw、Bockowski Michal、Kakimoto Koichi、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 111 号: 14 ページ: 141602-141602

    • DOI

      10.1063/1.4991608

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-16J04128
  • [雑誌論文] Improved thermodynamic analysis of gas reactions for compound semiconductor growth by vapor-phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 号: 3 ページ: 038002-038002

    • DOI

      10.7567/jjap.56.038002

    • NAID

      210000147493

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-26246018
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of (0001) and $(000\bar{1})$ GaN metalorganic vapor phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Kusaba Akira、Kangawa Yoshihiro、Kempisty Pawel、Valencia Hubert、Shiraishi Kenji、Kumagai Yoshinao、Kakimoto Koichi、Koukitu Akinori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 号: 7 ページ: 070304-070304

    • DOI

      10.7567/jjap.56.070304

    • NAID

      210000147978

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-16J04128
  • [雑誌論文] Modeling the Non-Equilibrium Process of the Chemical Adsorption of Ammonia on GaN(0001) Reconstructed Surfaces Based on Steepest-Entropy-Ascent Quantum Thermodynamics2017

    • 著者名/発表者名
      Kusaba Akira、Li Guanchen、von Spakovsky Michael、Kangawa Yoshihiro、Kakimoto Koichi
    • 雑誌名

      Materials

      巻: 10 号: 8 ページ: 948-948

    • DOI

      10.3390/ma10080948

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-16J04128
  • [雑誌論文] Thermodynamic foundations of applications of ab initio methods for determination of the adsorbate equilibria: hydrogen at the GaN(0001) surface2017

    • 著者名/発表者名
      Kempisty Pawel、Strak Pawel、Sakowski Konrad、Kangawa Yoshihiro、Krukowski Stanislaw
    • 雑誌名

      Physical Chemistry Chemical Physics

      巻: 19 号: 43 ページ: 29676-29684

    • DOI

      10.1039/c7cp05214f

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [雑誌論文] Theoretical study of the composition pulling effect in InGaN metalorganic vapor-phase epitaxy growth2017

    • 著者名/発表者名
      Inatomi Yuya、Kangawa Yoshihiro、Ito Tomonori、Suski Tadeusz、Kumagai Yoshinao、Kakimoto Koichi、Koukitu Akinori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 号: 7 ページ: 078003-078003

    • DOI

      10.7567/jjap.56.078003

    • NAID

      210000148014

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [雑誌論文] Advances in modeling semiconductor epitaxy: Contributions of growth orientation and surface reconstruction to InN metalorganic vapor phase epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 9 号: 12 ページ: 125601-125601

    • DOI

      10.7567/apex.9.125601

    • NAID

      210000138129

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-16J04128
  • [雑誌論文] AlN 溶液成長における固-液界面その場観察装置の開発2015

    • 著者名/発表者名
      寒川 義裕, 三宅 秀人, Michal Bockowski, 柿本 浩一
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: 42 ページ: 232-237

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • [雑誌論文] Real-time observation system development for high-temperature liquid/solid interfaces and its application to solid-source solution growth of AlN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, A. Kusaba, H. Sumiyoshi, H. Miyake, M. Bockowski, K. Kakimoto
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 8 号: 6 ページ: 065601-065601

    • DOI

      10.7567/apex.8.065601

    • NAID

      210000137566

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • [雑誌論文] Structural and optical properties of AlN grown by solid source solution growth method2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, H. Suetsugu, M. Knetzger, E. Meissner, K. Hazu, S. F. Chichibu, T. Kajiwara, S. Tanaka, Y. Iwasaki, K. Kakimoto
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 54 号: 8 ページ: 085501-085501

    • DOI

      10.7567/jjap.54.085501

    • NAID

      210000145511

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • [雑誌論文] Possibility of AlN growth using Li-Al-N solvent2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa, K.Kakimoto
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 312 ページ: 2569-2573

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [雑誌論文] Possibility of AlN growth using Li-Al-N solvent2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa, K.Kakimoto
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 312

      ページ: 2569-2573

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [雑誌論文] Possibility of AlN growth using Li- Al- N solvent2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth (掲載確定)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [雑誌論文] Numerical Analysis of mc-Si Crystal Growth2010

    • 著者名/発表者名
      Koichi Kakimoto, Hitoshi Matsuo, Syo Hisamatsu, Birava Ganesh, Gao Bing, X.J. Chen, Lijun Liu, Hiroaki Miyazawa, Yoshihiro Kangawa
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 156-158,4

      ページ: 193-198

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360012
  • [雑誌論文] Numerical investigation of crystal growth process of bulk Si and nitrides-a review2007

    • 著者名/発表者名
      K. Kakimoto, L. Liu, H. Miyazawa, S. Nakano, D. Kashiwagi, X.J. Chen, Y. Kangawa
    • 雑誌名

      Cryst. Res. Technol. 42,12

      ページ: 1185-1189

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19360012
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of AlGaN HYPE2005

    • 著者名/発表者名
      A.Koukitu, J.Kikuchi, Y.Kangawa, Y.Kumagai
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 5月(in press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of AlGaN HVPE2005

    • 著者名/発表者名
      A.Koukitu, J.Kikuchi, Y.Kangawa, Y.Kumagai
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth (印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of AlGaN HVPE2004

    • 著者名/発表者名
      A.Koukitu, J.Kikuchi, Y.Kangawa, Y.Kumagai
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Is it possible to grow AlN by hydride vapor phase epitaxy2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kumagai, H.Shikauchi, J.Kikuchi, T.Yamane, Y.Kangawa, A.Koukitu
    • 雑誌名

      IPAP Conf.Series 4

      ページ: 9-13

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Pulse laser assisted MOVPE for InGaN with high indium content2004

    • 著者名/発表者名
      N.Kawaguchi, K.Hida, Y.Kangawa, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 雑誌名

      physica status solidi (a) 201

      ページ: 2846-2849

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Study of pulse laser assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN with large indium mole fraction2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa, N.Kawaguchi, K.Hida, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43

    • NAID

      10013429957

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of InN and In_xGa_<1-x>N MOVPE using various nitrogen sources.2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kumagai, J.Kikuchi, Y.Matsuo, Y.Kangawa, K.Tanaka, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 272

      ページ: 341-347

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Study of pulse laser assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN with large indium mole fraction.2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa, N.Kawaguchi, K.Hida, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43

    • NAID

      10013429957

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Study of pulse laser assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN with large Indium mole fraction2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa, N.Kawaguchi, K.Hida, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 43

    • NAID

      10013429957

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Pulse laser assisted MOVPE for InGaN with high indium content.2004

    • 著者名/発表者名
      N.Kawaguchi, K.Hida, Y.Kangawa, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 雑誌名

      physica status solidi(a) 201

      ページ: 2846-2849

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Is it possible to grow AlN by hydride vapor phase epitaxy.2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kumagai, H.Shikauchi, J.Kikuchi, T.Yamane, Y.Kangawa, A.Koukitu
    • 雑誌名

      IPAP Conf.Series 4

      ページ: 9-13

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Trade-off between thickness and temperature ramping rate of GaN buffer layer studied for high quality GaN growth on GaAs (111)A substrate.2004

    • 著者名/発表者名
      H.Murakami, Y.Kangawa, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 268

      ページ: 1-7

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of InN and In_xGa_<1-x>N MOVPE using various nitrogen sources2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kumagai, J.Kikuchi, Y.Matsuo, Y.Kangawa, K.Tanaka, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 272

      ページ: 341-347

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of InN and In_xGa_<1-x>N MOVPE using various nitrogen sources2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Kumagai, J.Kkikuchi, Y.Matsuo, Y.Kangawa, K.Tanaka, A.koukitu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 272

      ページ: 341-347

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Trade-off between thickness and temperature ramping rate of GaN buffer layer studied for high quality GaN growth on GaAs (111)A substrate2004

    • 著者名/発表者名
      H.Murakami, Y.Kangawa, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 268

      ページ: 1-7

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Thermodynamic study on compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN during MBE2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa, T.Ito, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 216

      ページ: 453-457

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] A quantum Approach on a stability of GaAs surface structure.2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa, T.Itho, K.Shiraishi, T.Ohihachi, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Surface Science(in Japanese) 24

      ページ: 642-647

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of AlN : thermodynamic analysis of aluminum source and its application to growth.2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Kumagai, T.Yamane, T.Miyaji, H.Murakami, Y.Kangawa, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Physica status solidi(c) 0

      ページ: 2498-2501

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of AlN : thermodynamic analysis of aluminum source and its application to growth2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Kumagai, T.Yamane, T.Miyaji, H.Murakami, Y.Kangawa, A.Koukitu
    • 雑誌名

      physica status solidi (c) 0

      ページ: 2498-2501

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Thermodynamic study on compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN during MBE.2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa, T.Ito, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 216

      ページ: 453-457

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ2003

    • 著者名/発表者名
      寒川 義裕, 伊藤 智徳, 白石 賢二, 大鉢 忠, 纐纈 明伯
    • 雑誌名

      表面科学 24

      ページ: 642-647

    • NAID

      130004486109

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] Influence constraint from substrate on relationship between input mole ration and solid composition of InGaN during MBE and MOVPE.2003

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa, T.Itho, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 雑誌名

      J.Japanease Association for Crystal Growth(in Japanese) 30

      ページ: 104-110

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [雑誌論文] InGaN気相成長における気相-固相関係に対する基板拘束の影響2003

    • 著者名/発表者名
      寒川 義裕, 伊藤 智徳, 熊谷 義直, 纐纈 明伯
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 30

      ページ: 104-110

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360004
  • [学会発表] Quantitative compatibility of ab initio thermodynamics with real growth processes of III nitrides semiconductors2021

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Akira Kusaba, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Modeling semiconductor epitaxy for next generation power device application2021

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      IMI Workshop on Fiber Topology Meets Applications
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Ab initio atomistic thermodynamics of pseudo-hot surfaces in the context of GaN growth and doping2021

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, Stanislaw Krukowski, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Change of the effective bandgaps of InN/AlN superlattices due to lattice distortion2021

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akito Korei, Kouhei Basaki, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Magorzata Wierzbowska, and Stanisaw Krukowski
    • 学会等名
      International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE: ab initio-based approach2021

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      SPIE Photonic West OPTO
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Bandgaps of InN/AlN superlattices and AlInN alloys: Influence of composition and strain2021

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akito Korei, Kouhei Basaki, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Malgorzata Wierzbowska, and Stanislaw Krukowski
    • 学会等名
      Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Surface coverage of impurities during GaN and AlN MOVPE2021

    • 著者名/発表者名
      Daichi Yosho, Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Influence of Lattice Distortion on the Effective Bandgaps of Polar InN/AlN Superlattices2021

    • 著者名/発表者名
      Kouhei Basaki, Akito Korei, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] More quantitative prediction of III-nitride growth: theoretical and data-driven approaches2021

    • 著者名/発表者名
      Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Data Analysis for Sputtering and High-Temperature Annealing in AlN Templates Fabrication2020

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Norimatsu, and H. Miyake
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] A theoretical model for carbon coverage on GaN polar surfaces during MOVPE2020

    • 著者名/発表者名
      D. Yosho, Y. Inatomi, and Y. Kangawa
    • 学会等名
      37th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 機械学習によるスパッタAlN膜の高温アニール最適プロセス探索2020

    • 著者名/発表者名
      草場彰, 寒川義裕, 則松研二, 三宅秀人
    • 学会等名
      第49回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関:第一原理計算に基づく理論解析2020

    • 著者名/発表者名
      中野崇志、原嶋庸介、大河内勇斗、長川健太、洗平昌晃、白石賢二、押山淳、草場彰、寒川義裕、田中敦之、本田善央、天野浩
    • 学会等名
      応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第25回)
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 微傾斜m-GaN MOVPEにおける酸素混入機構:量子論に立脚したBCFモデル2020

    • 著者名/発表者名
      用正大地, 新宅史哉, 稲富悠也, 寒川義裕, 岩田潤一, 押山淳, 白石賢二, 田中敦之, 天野浩
    • 学会等名
      第49回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 不純物混入と深紫外デバイス特性の相関2020

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 窒化物半導体プロセス・インフォマティクス:不純物混入の抑制2020

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      第49回薄膜・表面物理度基礎講座
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 窒化物半導体成長プロセスの理論解析:不純物混入機構2020

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      日本物理学会2020年秋季大会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Relationship between the band gap of InN/AlN SLs and lattice distortion2019

    • 著者名/発表者名
      Yuya Hamaji, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Step bunching stability; instability diagram for nitride semiconductor growth2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 窒化物半導体成長モデリングの進展:不純物混入機構の考察2019

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      第11回九大2D物質研究会「2D物質の形成と構造・物性評価」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] A new theoretical approach to nitride crystal growth: impurity incorporation mechanism2019

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa, Pawel, Kempisty, and Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Electronic structure analysis of the core structures of threading dislocations in GaN2019

    • 著者名/発表者名
      Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] らせん転位およびMg不純物を含むGaNの電子構造解析2019

    • 著者名/発表者名
      中野崇志、原嶋庸介、長川健太、洗平昌晃、白石賢二、押山淳、草場彰、寒川義裕、田中敦之、本田善央、天野浩
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Band gaps in short period superlattices consisted of different compositional AlInN alloys2019

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Electronic Properties of GaN Nanopipe Threading Dislocation with m-plane Surface2019

    • 著者名/発表者名
      Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Shigeyoshi Usami, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Thermodynamics of vapor-surface equilibria in ab initio modelling of semiconductor growth processes2019

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, Pawel Strak, Konrad Sakowski, Yoshihiro Kangawa, and Stanisaw Krukowski
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] InN/AlN超格子構造におけるバンドギャップに対する格子不整合の影響2019

    • 著者名/発表者名
      浜地祐矢,河村貴宏,秋山亨,寒川義裕
    • 学会等名
      第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 未来材料開拓に向けた相界面制御2019

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Adatom Density on Polar GaN Surfaces During MOVPE2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Theoretical study on step bunching instability during nitride semiconductor growth2019

    • 著者名/発表者名
      Yuya Inatomi, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] First-principles calculation of absolute surface energies of GaN during oxide vapor phase epitaxy growth2019

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 窒化物半導体におけるステップバンチング発生機構の解明2019

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也、寒川義裕
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 酸素不純物を考慮したGaN表面エネルギーの面方位依存性2019

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,北本啓,今西正幸,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] m面GaN-MOVPEにおける酸素混入量の基板傾斜方向依存性の理論解析2019

    • 著者名/発表者名
      新宅史哉、寒川義裕、岩田潤一、押山淳、白石賢二、田中敦之、天野浩
    • 学会等名
      第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] MOVPE成長中の極性面AlN表面における吸着原子の安定性解析2019

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也, 寒川義裕, 岩谷素顕, 三宅秀人
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Monte Carlo simulation of GaN MOVPE process: carbon incorporation mechanism2019

    • 著者名/発表者名
      S. Yamamoto, Y. Okawachi, P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Theoretical approach to oxygen incorporation mechanism in vicinal m-GaN MOVPE2019

    • 著者名/発表者名
      Fumiya Shintaku, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] First-Principles Calculation of Band Gaps of Al1-xInxN Alloys and Short Period Al1-xInxN/Al1-yInyN Superlattices2019

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Magorzata Wierzbowska, and Stanisaw Krukowski
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] MOVPE条件下におけるⅢ族窒化物半導体無極性面の熱力学解析2019

    • 著者名/発表者名
      清水紀志, 秋山亨, Abdul-Muizz Pradipto, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 窒化物半導体におけるステップバンチング発生機構の解明2019

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也、寒川義裕
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06795
  • [学会発表] First-principles phonon calculations as a method of improving the atomistic thermodynamics of III-nitrides surfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      5th Workshop on ab initio phonon calculations
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Study of the origins of carbon impurities on GaN MOVPE from a gas phase reaction perspective2019

    • 著者名/発表者名
      Yuto Okawachi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Sheng Yo, Yoshio Honda, Shugo Nitta, Hiroshi Amano, Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 吸着原子の拡散距離が表面モフォロジーに与える影響2019

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也、寒川義裕
    • 学会等名
      第42回結晶成長討論会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06795
  • [学会発表] 吸着原子の拡散距離が表面モフォロジーに与える影響2019

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也、寒川義裕
    • 学会等名
      第42回結晶成長討論会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Theoretical approach to impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE2019

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      The 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 未来材料開拓に向けた相界面制御2019

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      第48回結晶成長国内会議
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06795
  • [学会発表] キンクおよびステップ構造を持つGaN極性表面におけるO不純物の脱離エネルギーの解析2019

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,竹田浩基,北本啓,今出完,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      2019 年第66 回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Theoretical approach of oxygen incorporation into GaN grown on vicinal GaN(10-10)2019

    • 著者名/発表者名
      Fumiya Shintaku, Yoshihiro Kangawa, Jun-Ichi Iwata, Atsushi Oshiyama, Kenji Shiraishi, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano
    • 学会等名
      1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] InN/AlN超格子構造のバンドギャップと格子歪みとの関係2019

    • 著者名/発表者名
      浜地祐矢,河村貴宏,秋山亨,寒川義裕
    • 学会等名
      2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Unintentional doping in GaN MOVPE: A new theoretical model2019

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Theoretical study: Impurity incorporation in GaN MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, and Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Monte Carlo study of influence of MOVPE growth condition on carbon concentration in GaN epi-layer2018

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Yamamoto, Yuya Inatomi, Akira Kusaba, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] First-Principles Calculations of GaN Surface Structures under OVPE Growth Conditions and Desorption Energies of Oxygen Impurities2018

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Ab initio-based approach to crystal growth of nitride semiconductors: alloy composition and impurity concentration2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, and Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      4th International Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Surface adatom density and lifetime on polar GaN surfaces during MBE and MOVPE: a theoretical approach2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, A. Pimpinelli, and T. L. Einstein
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] III族窒化物半導体超格子におけるバンドギャップの組成依存性2018

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,藤田裕真,浜地祐矢,秋山亨,寒川義裕
    • 学会等名
      2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Influence of surface reconstruction on the impurity incorporation in GaN MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      Mathematical Aspects of Surface and Interface Dynamics 16
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Modeling and process design of III-nitride MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] OVPE成長条件下におけるGaN表面構造およびO不純物の脱離エネルギーの解析2018

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,北本啓,今出完,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Theory of GaN MOVPE process considering surface reconstruction2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto
    • 学会等名
      SPIE photonic west OPTO
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] First-Principles Investigation of Compositional Dependence of Band Gaps in AlN/InN and InN/GaN Superlattices2018

    • 著者名/発表者名
      Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Malgorzata Wierzbowska, Stanislaw Krukowski
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Contribution of first principles phonon calculations to thermodynamics analysis of GaN surfaces2018

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Ab initio based-approach to impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, and Kenji Shiraishi
    • 学会等名
      The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] First-principles analysis of oxygen adsorption on kinked GaN(0001) surface2018

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Takeda, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Compositional Dependence of Band Gaps in III-Nitride Semiconductor Superlattices2018

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Thermodynamic analysis of semipolar GaN and AlN under metalorganic vapor phase epitaxy growth condition2018

    • 著者名/発表者名
      Yuki Seta, Abdul-Muizz Pradipto, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, A. Kusaba, Y. Kangawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu
    • 学会等名
      The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Surface reconstruction and impurity incorporation in GaN MOVPE: Ab initio-based modeling2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, P. Kempisty, S. Krukowski, K. Shiraishi, K. Kakimoto
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] GaN-MOVPE成長におけるCH4吸着確率とC不純物濃度の面方位依存性2018

    • 著者名/発表者名
      草場彰,李冠辰,Pawel Kempisty,Michael R. von Spakovsky,寒川義裕
    • 学会等名
      第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] AlInN超格子構造におけるバンドギャップの組成依存性2018

    • 著者名/発表者名
      藤田裕真,河村貴宏,鈴木泰之,秋山亨,寒川義裕
    • 学会等名
      第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Non-equilibrium analysis of CH4 adsorption on GaN(0001) and (000-1): the growth orientation dependence of the C impurity concentration2018

    • 著者名/発表者名
      Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Relationship between the CH4 Adsorption Probability and the C Impurity Concentration in the Polar-GaN MOVPE System2018

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, G. Li, M. R. von Spakovsky, P. Kempisty, Y. Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] A new theoretical model for adatom density and lifetime on polar GaN surfaces during MBE and MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, A. Pimpinelli, and T. L. Einstein
    • 学会等名
      第37回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Systematic improvement of III-nitrides surface thermodynamics by including first principles phonon calculations2018

    • 著者名/発表者名
      Pawel Kempisty, and Yoshihiro Kangawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] GaN MOVPEにおける炭素取込み機構の考察2018

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      第47 回結晶成長国内会議
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] A theoretical model for carbon incorporation during step-flow growth of GaN by MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 電子材料開発における計算科学の進展2018

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 窒化物半導体の有機金属気相エピタキシー成長における熱力学解析:半極性面の検討2018

    • 著者名/発表者名
      瀬田雄基,秋山亨,Abdul-Muizz Pradipto,中村浩次,伊藤智徳,草場彰,寒川義裕
    • 学会等名
      2018 年秋季第79 回応用物理学会学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Monte Carlo simulation of carbon incorporation in GaN MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      S. Yamamoto, Y. Inatomi, A. Kusaba, P. Kempisty, Y. Kangawa
    • 学会等名
      The 7th International Symposium of Growth of III-Nitrides
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 第一原理計算によるAlN/InN超格子のバンドギャップ解析2018

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,藤田裕真,浜地祐矢,秋山亨,寒川義裕
    • 学会等名
      日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Adsorption of ammonia in III-nitrides vapor phase epitaxy: theoretical approach based on steepest-entropy-ascent quantum thermodynamics2017

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, G. Li, M. R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State2017

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] NH3化学吸着の非平衡状態発展:最急エントロピー勾配量子熱力学モデリング2017

    • 著者名/発表者名
      草場 彰, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Influence of lattice constraint on In incorporation in InGaN MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      The 36th Electronic Materials Symposium
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 分子動力学法によるAlNバッファ層のひずみ緩和シミュレーション2017

    • 著者名/発表者名
      森本由成,河村貴宏,鈴木泰之,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 第一原理計算を用いたOVPE成長中の半極性GaN表面構造の解析2017

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,北本啓,今出完,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      第46回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] First-Principles Study of Non-Polar GaN Surfaces under the OVPE Growth Conditions2017

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] InGaN薄膜成長における格子不整合とIn組成の相関2017

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也、寒川義裕、伊藤智徳、柿本浩一
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Theoretical study of composition pulling effect in AlGaN and AlInN MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, S. F. Chichibu, K. Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Thermodynamic analysis of InGaN MOVPE: influence of lattice constraint2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, T. Ito, T. Suski, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング:付着係数の理論解析2017

    • 著者名/発表者名
      草場 彰, G. Li, M. R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一
    • 学会等名
      第46回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Stability of the carbon and oxygen impurities in the subsurface layer near the polar GaN surface2017

    • 著者名/発表者名
      P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] OVPE成長条件下におけるGaN非極性表面構造の第一原理計算2017

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏、北本啓、今出完、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Steepest-entropy-ascent quantum thermodynamic modeling of NH3 chemical adsorption on GaN(0001) reconstructed surfaces under metalorganic vapor phase epitaxy conditions2017

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      E-MRS Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Density Functional Theory study on stability of carbon and oxygen at GaN(0001) and GaN(000-1) surfaces2017

    • 著者名/発表者名
      P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] OVPE法によるGaN成長における極性および非極性GaN表面構造の解析2017

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,北本啓,今出完,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] GaN MOVPEにおける結晶成長プロセスの理論解析2017

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕, 芳松克則, 白石賢二, 柿本浩一
    • 学会等名
      日本学術振興会第162委員会第105回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 窒化物半導体結晶成長モデリングの現状と課題2017

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕, 白石賢二, 柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] A kinetic-thermodynamic theory in step-flow growth of compound semiconductor: Application to impurity incorporation in GaN MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      大阪電気通信大学国際ワークショップ
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] AlInN薄膜成長における格子不整合と組成取り込み効率の相関2017

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也, 寒川義裕, 伊藤智徳, 柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] First-principles study of semipolar GaN (10-11) surfaces under oxide vapor phase epitaxy growth conditions2017

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      E-MRS Fall Meeting
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Molecular dynamics simulation of strain relaxation of AlN buffer layer2017

    • 著者名/発表者名
      Yusei Morimoto, Takahiro Kawamura, Yasuyuki Suzuki, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] First-Principles Study of Surface Phase Diagrams of GaN(0001) and (000-1) under the Oxide Vapor Phase Epitaxy Growth Conditions2016

    • 著者名/発表者名
      T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, and K. Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando(USA)
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Thermodynamic analysis of InN metalorganic vapor phase epitaxy: influence of growth orientation and surface reconstruction2016

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, H. Amano, A. Koukitu
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Influence of Growth Orientation on Driving Force for InN Deposition by MOVPE2016

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Y. Kangawa, M. R. von Spakovsky, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando(USA)
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Ab Initio-Based Approach to Crystal Growth of Nitride Semiconductors: Contribution of Growth Orientation and Surface Reconstruction2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando(USA)
    • 年月日
      2016-10-02
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] GaN結晶成長シミュレーションの新展開: 第一原理計算に基づくアプローチ2016

    • 著者名/発表者名
      寒川 義裕, 白石 賢二, 柿本 浩一
    • 学会等名
      2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] nnovation of AlN solution growth technique2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa
    • 学会等名
      Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors
    • 発表場所
      新竹(台湾)
    • 年月日
      2016-10-30
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] First Principles Based Simulation for Compound Semiconductor Growth Processes2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State devices and Materials (SSDM 2016) Short Course
    • 発表場所
      つくば国際会議場(茨城県・つくば市)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 第一原理計算によるOVPE成長条件下におけるGaN(000-1)表面構造の解析2016

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏、北本啓、今出完、吉村政志、森勇介、森川良忠、寒川義裕、柿本浩一
    • 学会等名
      2016年秋季第77回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Stable Structure of GaN(0001) under the OVPE Growth Conditions2016

    • 著者名/発表者名
      T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, and K. Kakimoto
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Contribution of lattice constraint to indium incorporation during coherent growth of InGaN2016

    • 著者名/発表者名
      T. Tamura, A. Kusaba, Y. Kangawa, T. Ito, T. Suski, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] AlN固体ソース溶液成長における固‐液界面形状のその場観察2015

    • 著者名/発表者名
      草場 彰, 住吉 央朗, 寒川 義裕, 三宅 秀人, 柿本 浩一
    • 学会等名
      第7回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2015-05-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • [学会発表] Development of in-situ observation system for high-temperature liquid/solid interfaces: application to solid-source solution growth of AlN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, H. Miyake, M. Bockowski, K. Kakimoto
    • 学会等名
      Fifth European Conference on Crystal Growth (ECCG-5)
    • 発表場所
      Bologna, Italy
    • 年月日
      2015-09-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • [学会発表] Development of in situ observation system for liquid/solid interface during solution growth of AlN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, H. Miyake, M. Bockowski, K. Kakimoto
    • 学会等名
      Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors (WUPP2015)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      2015-08-20
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • [学会発表] 電力変換の高効率化に向けた次世代パワーデバイス用AlN結晶の開発2014

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      九州大学共進化社会システム創成拠点フォーラム
    • 発表場所
      市ヶ谷、7A-8
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • [学会発表] Microstructure of AlN/AlN(0001) grown by solid-source solution growth (3SG) method2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, S. Nagata, K. Kakimoto
    • 学会等名
      8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
    • 発表場所
      Kloster Seeon, Germany, TU4-3
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • [学会発表] Dislocation propagation behavior in AlN grown by solid-source solution growth (3SG) method2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, S. Nagata, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto
    • 学会等名
      JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      同志社大学、18a-M6-1
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • [学会発表] Influence of growth orientation on microstructure of AlN grown by solid-source solution growth (3SG) method2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, S. Nagata, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto
    • 学会等名
      17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)
    • 発表場所
      Warsaw, Poland, WeO2-28742
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • [学会発表] AlNバルク成長に向けた2相溶液成長法の提案2011

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕、土岐隆太郎、屋山巴、柿本浩一
    • 学会等名
      2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      (東日本大震災のため講演会は中止、アブストラクト発表のみ)
    • 年月日
      2011-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [学会発表] AIN バルク成長に向けた2相溶液成長法の提案2011

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕、土岐隆太郎、屋山巴、柿本浩一
    • 学会等名
      2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東日本大震災のため講演会は中止、アブストラクト発表のみ
    • 年月日
      2011-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [学会発表] Two-phase-solution growth of AlN on self-nucleated AlN crystal2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa,, B.M.Epelbaum, K.Kakimoto
    • 学会等名
      7th International Workshop on Bulk Nitrides Semiconductors (IWBNS-7)
    • 発表場所
      Koyasan University, Japan
    • 年月日
      2011-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [学会発表] Two-phase-solution growth of AlN on self-nucleated AlN crystal2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa, B.M.Epelbaum, K.Kakimoto
    • 学会等名
      7th International Workshop on Bulk Nitrides Semiconductors (IWBNS-7)
    • 発表場所
      Koyasan, Japan(招待講演)
    • 年月日
      2011-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [学会発表] Differential thermal analysis of Li3N-Al pseudobinary system for AlN growth2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yayama, Y.Kangawa, K.Kakimoto
    • 学会等名
      The 16th. International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2010-08-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [学会発表] Calculation of Phase Diagrams of Li3N-Al pseudo binary system for AlN Growth2010

    • 著者名/発表者名
      T.Yayama, Y.Kangawa, K.Kakimoto
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitride 2010 (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2010-07-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [学会発表] AlN溶液成長に向けたLi3N-Al擬二元系状態図解析2010

    • 著者名/発表者名
      屋山巴, 寒川義裕, 柿本浩一
    • 学会等名
      2010年第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2010-05-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [学会発表] AlN成長に向けたLi3N-Al擬二元系状態図2010

    • 著者名/発表者名
      屋山巴, 寒川義裕, 柿本浩一
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2010-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [学会発表] Microstructures in AlN/sapphire grown by vapor phase epitaxy using Al and Li_3N2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(守山市)
    • 年月日
      2009-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [学会発表] Li_3Nを窒素源とする気相成長により作製したAlN/sapphireの微細組織観察2009

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕
    • 学会等名
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学(つくば市)
    • 年月日
      2009-04-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [学会発表] (招待講演)Possibility of AlN growth using Li-Al-N solvent2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kangawa
    • 学会等名
      6th International Workshop on Bulk Nitride
    • 発表場所
      Galindia Mazurski Eden, Poland
    • 年月日
      2009-08-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20360011
  • [学会発表] CL studies of AlN/AlN(0001) grown by solid source solution growth method

    • 著者名/発表者名
      H. Sumiyoshi, Y. Kangawa, S. F. Chichibu, M. Knetzger, E. Meissner, Y. Iwasaki, K. Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • [学会発表] 固体ソース溶液成長におけるAlN成長機構の解析

    • 著者名/発表者名
      住吉央朗, 寒川義裕, 秩父重英, M. Knetzger, E. Meissner, 岩崎洋介, 柿本 浩一
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2014-07-25 – 2014-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420712
  • 1.  柿本 浩一 (90291509)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 2.  劉 立軍 (00380535)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 3.  中野 智 (80423557)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  宇田 聡 (90361170)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  黄 新明 (80375104)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  大鉢 忠 (40066270)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  田中 悟 (80281640)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  橋本 明弘 (10251985)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  小森 文夫 (60170388)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  水野 清義 (60229705)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  ANTON V.Visikovs (70449487)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  稲垣 祐次 (10335458)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  纐纈 明伯 (10111626)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 23件
  • 14.  桑野 範之 (50038022)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  波多 聰 (60264107)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  伊藤 智徳 (80314136)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 12件
  • 17.  秋山 亨 (40362363)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 19件
  • 18.  正直 花奈子 (60779734)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  河村 貴宏 (80581511)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 31件
  • 20.  平松 和政 (50165205)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 21.  草場 彰 (70868926)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 22.  杉山 佳奈美 (70974377)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 23.  新田 州吾 (80774679)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  三宅 秀人 (70209881)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 25.  山田 陽一 (00251033)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 26.  上杉 謙次郎 (40867305)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 27.  ボコウスキ ミハエル
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 28.  マイスナー エルケ
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 29.  押山 淳
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 2件

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