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天明 二郎  TEMMYO Jiro

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90334961
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2013年度: 静岡大学, 工学研究科, 教授
2012年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授
2005年度 – 2010年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
キーワード
研究代表者
光デバイス / 量子効果 / 有機金属気相堆積法 / ラジカル / Radical / Quantum effect / MOCVD / Optical device / Zinoxide / 発光デバイス … もっと見る / 自己組織化ナノ構造 / 発効デバイス / 酸化物半導体 / 酸化亜鉛半導体薄膜 / 酸化亜鉛 / 国際情報交換 / 透明電極 / アルコール熱化学気相堆積法 / グラフェン / ラジカル有機金属気相堆積法 / バンドギャップエンジニアリング / 酸化亜鉛系混結晶 / 酸化亜鉛系薄膜 / ショットキーフォトダイオード / 励起子 / MOCVD成長 / ZnO系混晶 / 制御 / ナノ構造形成 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (120件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  酸化亜鉛系並びにグラフェン系ナノ構造創製とグリーンデバイス展開研究代表者

    • 研究代表者
      天明 二郎
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      静岡大学
  •  酸化亜鉛系光半導体結晶成長と固体ナノ光源への展開研究代表者

    • 研究代表者
      天明 二郎
    • 研究期間 (年度)
      2008 – 2010
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      静岡大学
  •  Zn0系半導体ナノ構造の創成並びに光量子デバイスへの展開研究代表者

    • 研究代表者
      天明 二郎
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      静岡大学

すべて 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] Handbook of Zinc oxide and related materials: volume one, Materials (I)2012

    • 著者名/発表者名
      K. Yamamoto and J. Temmyo
    • 総ページ数
      430
    • 出版者
      Taylor & Francis Ltd, CRC Press ( Edited by Z. C. Feng, Chapter 11)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [雑誌論文] Acceptor levels probed by DLOS in ZnMgO:N2014

    • 著者名/発表者名
      A. Kurtz, A. Hierro, G. Tabares, E. Munoz, S. K. Mohanta, A. Nakamura, J. Temmyo
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett

      巻: 104 ページ: 81105-81119

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [雑誌論文] Synthesis and characterization of N, In co-doped MgZnO films using remote-plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition,2013

    • 著者名/発表者名
      S. K. Mohanta, A. Nakamura, J. Temmyo
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: 375 ページ: 1-5

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [雑誌論文] Single cuprous oxide films synthesized by radical oxidation at low temperature for PV application2013

    • 著者名/発表者名
      Z. Zang, A. Nakamura, J. Temmyo
    • 雑誌名

      Optics Express

      巻: 21 ページ: 11448-11452

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [雑誌論文] Nitrogen doping in cuprous oxide films synthesized by radical oxidtion at low temperature2013

    • 著者名/発表者名
      Z. Zang, A. Nakamura, J. Temmyo
    • 雑誌名

      Materials Letters

      巻: 92 ページ: 188-190

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [雑誌論文] Optical properties and microstructre of 2.02-3.30 eV ZnCdO nanowires: effect of thermal annealing2013

    • 著者名/発表者名
      M. Lopez-Ponce, A. Hierro, J. M. Ulloa, P. Lefebvre, E. Munoz, S. Agouram, V. Munoz-Sanjose, K. Yamamoto, A. Nakamura, J. Temmyo,
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 102 ページ: 143103-143106

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [雑誌論文] Electrical characterization of Schottky contacts to n-MgZnO films2013

    • 著者名/発表者名
      S. K. Mohanta, A. Nakamura, G. Tabares, A. Hierro, A. Guzman, E. Munoz, J. Temmyo
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 548 ページ: 539-543

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [雑誌論文] Direct growth properties of graphene layers on sapphire substrates by alcohol-chemical vapor deposition2012

    • 著者名/発表者名
      A. Nakamura, Y. Miyasaka, J. Temmyo,
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 51 号: 4S ページ: 04DN03-04DN03

    • DOI

      10.1143/jjap.51.04dn03

    • NAID

      210000140568

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [雑誌論文] Graphene segregation on Ni/SiO2/Si substrate by alcohol CVD method2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Miyasaka, A.Matsuyama, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 雑誌名

      physica status solidi C8

      ページ: 577-577

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Indium-doped MgZnO fims for ZnO-based heterojunction diodes2010

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuboi, K.Yamamoto, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Structual and optical properties of Zn(Mg,Cd)O alloy films grown by RPE-MOCVD2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yamamoto, T.Tsuboi, T.Ohashi, T.Tawara, H.Gotoh, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth

      巻: 312 ページ: 1703-1708

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Schottky barrier contacts formed on polar and nonpolar MgZnO films grown by RPE-MOCVD2010

    • 著者名/発表者名
      A.Nakamura, T.Hayashi, A.Hierro, G.Tabares, J.M.Ulloa, E.Munoz, J.Temmyo
    • 雑誌名

      phys.status solidi B247

      ページ: 1472-1472

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] High responsibility and internal gain mechanism in Au-ZnMgO Schottky photodiodeds2010

    • 著者名/発表者名
      G.Tabares, A.Hierro, J.M.Ulloa, A.Guzman, E.Munoz, T.Hayashi, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 96

      ページ: 101112-101112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Synthesis and characterization of ZnCdO/ZnO multiple quantum wells by remote-plasma-enhanced MOCVD2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yamamoto, M.Adachi, T.Tawara, H.Gotoh, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 312

      ページ: 1496-1496

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Schottky barrier contacts formed on polar and nonpolar MgZnO films grown by RPE-MOCVD2010

    • 著者名/発表者名
      A.Nakamura, T.Hayashi, A.Hierro, G.Tabares, J.M.Ulloa, E.Munoz, J.Temmyo
    • 雑誌名

      phys.status solidi

      巻: B247 ページ: 1472-1472

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Indium-doped MgZnO fims for ZnO-based heterojunction diodes2010

    • 著者名/発表者名
      T.Tsuboi, K.Yamamoto, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] High responsibility and internal gain mechanism in Au-ZnMgO Schottky photodiodes2010

    • 著者名/発表者名
      G.Tabares, A.Hierro, J.M.Ulloa, E.Munoz, A.Nakamura, T.Hayashi, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 96

      ページ: 101112-101112

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Growth of ZnCuO films by remote-plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition with Cu(dibm)22010

    • 著者名/発表者名
      B.Hu, M.Adachi, K.Yamamoto, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 雑誌名

      phys.status solidi C7

      ページ: 1571-1571

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Structual and optical properties of Zn(Mg, Cd)O alloy films grown by RPE-MOCVD2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yamamoto, T.Tsuboi, T.Ohashi, T.Tawara, H.Gotoh, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth 312

      ページ: 1703-1703

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Carrier compensation by deep levels in Zn_<1-x>Mg_xO/sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      A.Hierro, G.Tabare, J.M.Ulloa, E.Munoz, A.Nakamura, T.Hayashi, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 94

      ページ: 232101-232101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Carrier compensation by deep levels in ZnMgO/sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      A.Hierro, G.Tabares, J.M.Ulloa, E.Munoz, A.Nakamura, T.Hayashi, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 94

      ページ: 232101-232101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Investigation of morphology and crystallinity of ZnO crystal formed by side-flow-type MOCVD2009

    • 著者名/発表者名
      N.Yoshii, A.Nakamura, S.Hosaka, J.Temmyo
    • 雑誌名

      J.Electrochemical Soc. 156

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Multilayered graphene from SiC films via pyrolysis in vacuum2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Ogawa, A.Nakamura, A.Tanaka, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 48

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Dot-height dependence of photoluminescence from ZnO quantum dots2008

    • 著者名/発表者名
      A.Nakamura, K.Okamatsu, T.Tawara, H.Gotoh, Y.Matsui, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 47

      ページ: 3007-3007

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Growth of nitrogen-doped Mg_xZn_<1-x>O for use in visible rejection photodetectors2008

    • 著者名/発表者名
      A.Nakamura, T.Aoshima, T.Hayashi, G.Gangil, J.Temmyo
    • 雑誌名

      J.Korean Phys.Soc. 53

      ページ: 2909-2909

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Fabrication and EL emission of ZnO-based heterojunction light-emitting devices2008

    • 著者名/発表者名
      S.Gangil, A.Nakamura, K.Yamamoto, T.Ohashi, J.Temmyo
    • 雑誌名

      J.Korean Phys.Soc. 53

      ページ: 212-212

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Electroluminescence from n-Zn(Mg, Cd)O/p-4H-SiC : Al heterojunctions2008

    • 著者名/発表者名
      K.Yamamoto, T.Ohasi, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 雑誌名

      J.Korean Phys.Soc. 53

      ページ: 2929-2929

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Photoluminescence lifetime and potential fluctuation in wurtzite Zn_<1-x>Cd_x O alloy films2008

    • 著者名/発表者名
      K. Yamamoto, T. Ohasi, T. Tawara, H. Gotoh, A. Nakamura, J. Temmyo
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 93

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Red emission from ZnO-based double hetero junction diode2008

    • 著者名/発表者名
      T.Ohahi, K.Yamamoto, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 47

      ページ: 2961-2961

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] 酸化亜鉛系半導体の結晶成長と発光素子2008

    • 著者名/発表者名
      天明二郎
    • 雑誌名

      工業材料(招待) 56

      ページ: 54-54

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Growth of nitrogen-doped MgxZn_<1-x>O for use in visible rejection photo detectors2008

    • 著者名/発表者名
      A. Nakaniura, T. Aoshima, T. Hayashi, G. Gangil, J, Temmyo
    • 雑誌名

      J. Korean Phys, Soc. 53

      ページ: 2909-2911

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Photoluminescence lifetime and potential fluctuation in wurtzite Zn_<1-x>Cd_xO aloy films2008

    • 著者名/発表者名
      K.Yamamoto, T.Ohasi, T.Tawara, H.Gotoh, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 93

      ページ: 171913-171913

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [雑誌論文] Vertically alighed single-crystal ZnO nanotubes grown on γ-LiAlO_2(100)substrate by MOCVD2007

    • 著者名/発表者名
      G. Zhang M. Adachi, S. Gangil A. Nakamura J. Temmyo Y. Matsui
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Mg_xZn_<1-x>O films grown by RPE-MOCVD with EtCp2Mg2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, K.Enomoto, A.Nakamura, T.Aoki, J.Temmyo
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 298

      ページ: 468-471

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Optical properties of wurtzite Zn_<1-x>Cd_xO films grown bu RPE-MOCVD2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohashi K. Yamamoto A. Nakamura J. Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 2516-2518

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] P-type nitrogen-doped ZnO thin films on sapphire (11-20) substrates by PE-MOCVD2007

    • 著者名/発表者名
      S.Gangil, A.Nakamura, Y.Ichikawa, K.Yamamoto, J.Ishihara, T.Aoki, J.Temmyo
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth 298

      ページ: 486-490

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Vertically alighed single-crystal ZnO nanotubes grown on γ-LiAIO2(100) substrate by MOCVD2007

    • 著者名/発表者名
      G. Zhang M. Adaehi, S. Gangil A. Nakamura J. Temmyo, Y. Matsui
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 46

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Vertically alighed single-crystal ZnO nanotubes grown on γ-LiAlO2(100) substrate by MOCVD2007

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, M. Adachi, S. Gangil, A. Nakamura, J. Temmyo, Y.Matsui
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Nonpolar(11-20)p-type nitrogen-doped ZnO-based ZnO by RPE-MOCVD2007

    • 著者名/発表者名
      S. Gangil A. Nakamura, M. Shimomura J, Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Optical properties of wurzite Zn1-xCdxO films grown by RPE-MOCVD2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohashi K. Yamamoto A. Nakamura J. Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 46

      ページ: 2516-2518

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Optical properties of wurtzite Znl-xCdxO films grown bu RPE-MOCVD2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohahsi, K. Yamamoto, A.Nakamura, J. Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 2516-2518

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Full-color electroluminescence from ZnO-based heterojinction diodes2007

    • 著者名/発表者名
      A.Nakamura, T.Ohashi, Y.Yamamoto, J.Ishihara, T.Aoki, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 90

      ページ: 93512-93512

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Nonpolar (11-20) p-type nitrogen-doped ZnO-based ZnO by RPE-MOCVD2007

    • 著者名/発表者名
      S. Gangil A. Nakamura, M. Shimomura, J. Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Nonpolar (11-20) p-type nitrogen-doped ZnO-based ZnO by RPE-MOCVD2007

    • 著者名/発表者名
      S. Gangil A. Nakamura, M. Shimomura J, Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 46

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] 最近の展望 "酸化物半導体ZnO系材料の発光デバイスへの応用"2006

    • 著者名/発表者名
      天明二郎
    • 雑誌名

      応用物理 75・10

      ページ: 1239-1241

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Au-assisted growth approach for vertically aligned ZnO nanowires on Si substrate2006

    • 著者名/発表者名
      G.Zhang, A.Nakamura, T.Aoki, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 89

      ページ: 113112-113112

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Zn_<1-x>Cd_xO system for visible bandgaps2006

    • 著者名/発表者名
      J.Ishihara, A.Nakamura, S.Shigemori, T/.Aoki, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 89

      ページ: 91914-91914

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Growth of Mg_xZn_<1-x>O films using remote plasma MOCVD,2005

    • 著者名/発表者名
      A.Nakamura, J.Ishihara, S.Shigemori, T.Aoki, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. 244

      ページ: 385-388

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Characterization of Mg_xZn_<1-x>O films grown by remote-plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition using bis-thylcyclopentadienienyl magnesium2005

    • 著者名/発表者名
      A.Nakamura, K.Yamammoto, J.Ishihara, T.Aoki, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: 7267-7270

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [雑誌論文] Growth of Zn_<1-x>Cd_xO films using remote plasma MOCVD2005

    • 著者名/発表者名
      J.Ishihara, A.Nakamura, S.Shigemori, T.Aoki, J.Temmyo
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. 244

      ページ: 381-384

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [産業財産権] 半導体発光素子の製造方法2005

    • 発明者名
      中村, 天明, 青木, 田中
    • 権利者名
      静岡大学
    • 産業財産権番号
      2005-247902
    • 出願年月日
      2005-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [産業財産権] 結晶成長方法及び結晶成長装置2005

    • 発明者名
      中村篤志 天明二郎 青木徹
    • 権利者名
      静岡大学
    • 産業財産権番号
      2005-364018
    • 出願年月日
      2005-12-16
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [学会発表] 可視域ZnCdMgO 4元混晶薄膜のRPE-MOCVD成長とPV特性2014

    • 著者名/発表者名
      仁枝嘉昭 中村篤志 天明二郎
    • 学会等名
      2014年春季応物学会, 19a-E10-5
    • 発表場所
      青山学院大学(神奈川県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] アルコールCVD直接成長グラフェン膜のNiを用いたポストアニール処理2014

    • 著者名/発表者名
      山田憲史 中村篤志 天明二郎
    • 学会等名
      2014年秋季応物講演会、17a-E2-4
    • 発表場所
      青山学院大学(神奈川県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] グラフェンCVD膜表面におけるネマチック液晶配向と電気光学特性2014

    • 著者名/発表者名
      中垣貴充 山田憲史 中村篤志 天明二郎 久保野敦史
    • 学会等名
      2014年秋季応物講演会, 19a-E2-7
    • 発表場所
      青山学院大学(神奈川県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] Acceptor levels probed by DLOS in ZnMgO:N2013

    • 著者名/発表者名
      A. Kurz, A. Hierro, G. Tabares, E. Munoz, S. K. Mohanta, A. Nakamura, J. Temmyo
    • 学会等名
      IC II-VI compounds and related material, Mo-B5(oral)
    • 発表場所
      長浜ロイヤルホテル(滋賀県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] グラフェンCVD膜表面におけるネマチック液晶は以降の基板依存性2013

    • 著者名/発表者名
      中垣貴充 溝口雅裕 中村篤志 天明二郎 久保野敦史
    • 学会等名
      2013年秋季応物講演会, 16p-P7-49 (poster)
    • 発表場所
      同志社大(京都府)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] PEDOT:PSS/nonpolar MgZnO Schottky performance for photovoltaics2013

    • 著者名/発表者名
      S. K. Mohanta, A. Nakamura, A. Hierro, G. Tabares, A. Guzman, E. Munoz, J. Temmyo
    • 学会等名
      IC II-VI compounds and related material, we-p14(poster)
    • 発表場所
      長浜ロイヤルホテル(滋賀県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] Direct Synthesis of Graphene films via Alcohol CVD for Transparent electrode2013

    • 著者名/発表者名
      M. Mizoguchi, C. Sakai, A. Nakamura, J. Temmyo
    • 学会等名
      2013SSDM, P-5-4L. (oral)
    • 発表場所
      ヒルトン福岡シーホーク(福岡県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] ynthesis on wurtzeit MgZnO films by RPE-MOCVD with EtCp2Mg2013

    • 著者名/発表者名
      N. Ohmura, S. K. Mohanta, A. Nakamura, J. Temmyo
    • 学会等名
      IC II-VI compounds and related material, Tu-p10(oster)
    • 発表場所
      長浜ロイヤルホテル(滋賀県)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] Zn(Mg,Cd)O混晶のRPE-MOCVD成長と面方位制御2013

    • 著者名/発表者名
      大村信亮 S. K. Mohanta, 中村篤志 天明二郎
    • 学会等名
      2013年秋季応物講演会,17a-B4-10
    • 発表場所
      同志社大(京都府)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] Near infrared ZnCdO:Mg, In, N) films by RPE-MOCVD2012

    • 著者名/発表者名
      M. Suzuki, S. K. Mohanta, A. Nakamura, J. Temmyo
    • 学会等名
      2012SSDM, Kyoto,Sept. 25-28, 2012,
    • 発表場所
      京都国際会議場(京都府)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] Zn(Mg,Cd)O Epilayers and nanostructures for optoelectronics,2012

    • 著者名/発表者名
      A. Hierro, G. Tabares, M. Lopez-Ponce, J.M. Ulloa, P. Lefebvre, E. Munoz, K. Yamamoto,A. Nakamura, J. Temmyo, B. Vinter, J.-M. Chauveau, A. Redondo-Cubero
    • 学会等名
      2012 German-Japanese-Spanish Joint Workshop, July 21-22, 2012, Berlin
    • 発表場所
      日独ベルリンセンタ(ドイツ)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] Time- resolved Photoluminescence spectroscopy of Zn1-XCdXO nanowires2012

    • 著者名/発表者名
      M. Lopez-Ponce, P. Lefebvre, J. M. Ulloa, E. Muoz, K. Yamamoto, A. Nakamura, J. Temmyo, A. Hierro,
    • 学会等名
      th IWZnO 2012, Nice, France, Sept 11-14, poster-212
    • 発表場所
      アクロポリス会議センター(フランス)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] MgZnO : N, Cu薄膜のRPE-MOCVD成長と電気的特性評価2011

    • 著者名/発表者名
      S.Mohanta, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2011年春季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大、厚木,25a-BS-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] 酸化亜鉛系並びにナノカーボン作製と光素子展開2011

    • 著者名/発表者名
      天明二郎
    • 学会等名
      第28回無機材料に関する最近の研究成果発表会-材料研究の最前線から-
    • 発表場所
      東京,p16
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] 酸化亜鉛系並びにナノカーボン作製と光素子展開2011

    • 著者名/発表者名
      天明二郎
    • 学会等名
      第28回無機材料に関する最近の研究成果発表会-材料研究の最前線から-
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2011-01-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] アルコールCVD成長グラフェン層の表面抵抗率の膜厚依存性2011

    • 著者名/発表者名
      中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2011年春季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大、厚木,27a-BM-4
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] μc-3C-SiC薄膜の熱分解多層グラフェン形成の熱分解時間依存性2010

    • 著者名/発表者名
      野木努, 宮坂悠太, 松山明弘, 中村篤志, 田中昭, 天明二郎
    • 学会等名
      2010年春季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      東海大学,18p-TE-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] アルコールCVD法による単層/多層グラフェン成長2010

    • 著者名/発表者名
      宮坂悠太, 松山明弘, 野木努, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2010年春季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      東海大学,19a-TE-6
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Graphene segregation on Ni/SiO2/Si substrate by alcohol chemical vapor deposition2010

    • 著者名/発表者名
      宮坂悠太, 松山明弘, 野木努, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      37^<th> Int.Symp.Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Takamatsu, TuE1-2(oral).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Zn(Mg, Cd)O混晶の構造並びに光学特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      山本兼司、坪井貴子、大橋俊哉、俵毅彦、後藤秀樹、中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2010年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      長崎,15p-ZJ-1
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Graphene Layers on Sapphire Substrates Grown by Alcohol CVD method2010

    • 著者名/発表者名
      宮坂悠太, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2010 SSDM
    • 発表場所
      Tokyo, P-8-10(poster).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] SiC極薄膜を用いた熱分解グラフェン層形成の検討2010

    • 著者名/発表者名
      野木努、宮坂悠太、中村篤志、天明二郎
    • 学会等名
      2010年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      長崎,16a-ZM-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] ZnCdO multiple-quantum-well green LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yamamoto, A.Hierro, E.Munoz, A.Nakamura, J.Temmyo
    • 学会等名
      6^<th> Intn.Workshop on ZnO and related materials
    • 発表場所
      Changchun, China, p81(oral).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] HMDSを用いたuC-3C-SiC薄膜のHW-CVD成長2010

    • 著者名/発表者名
      小川泰弘、野木努、中村篤志、天明二郎
    • 学会等名
      第7回Cat-CVD研究会
    • 発表場所
      浜松,p32
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Growth and characterization of MgZnO : Cu films by RPE-MOCVD2010

    • 著者名/発表者名
      金子寿, 山本兼司, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      37^<th> Int.Symp.Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Takamatsu, MoP43.(poster)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] アルコールCVD法によるサファイア基板上へのグラフェン成長2010

    • 著者名/発表者名
      宮坂悠太、中村篤志、天明二郎
    • 学会等名
      2010年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      長崎,17a-ZM-7
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] 酸化物光半導体の結晶成長と環境エネルギ素子への展開2010

    • 著者名/発表者名
      天明二郎
    • 学会等名
      13th ZnO研究会発表会(岩手県工業センター主催)
    • 発表場所
      盛岡(招待基調講演)
    • 年月日
      2010-02-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Zn(Mg, Cd)O混晶の励起子モデルによる光学特性解析2010

    • 著者名/発表者名
      山本兼司, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2010年春季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      東海大学,19p-TM-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Fewlayer graphene from thin uc-3C-SiC films on sapphire (0001) substrates2010

    • 著者名/発表者名
      野木努, 宮坂悠太, 松山明弘, 中村篤志, 田中昭, 天明二郎
    • 学会等名
      37^<th> Int.Symp.Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Takamatsu, MoP70.(poster)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Pt/ZnOショットキーコンタクトと過酸化水素処理効果2010

    • 著者名/発表者名
      中村篤志、山守俊哉、天明二郎
    • 学会等名
      2010年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      長崎,15a-ZJ-5
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] ZnCdO/ZnO多重量子構造の成長温度依存性2009

    • 著者名/発表者名
      山本兼司、金子寿、中村篤志、天明二郎
    • 学会等名
      2009年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      富山大学,9a-J-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Impact of acceptor states in Mg_xZn_<1-x>O Schottky photodiodes2009

    • 著者名/発表者名
      A.Hierro, G.Tabares, J.M.Ulla, E.Munoz, A.Nakamura, T.Hayashi, J.Temmyo
    • 学会等名
      14^<th> Int.Conf.II-VI Compound
    • 発表場所
      St.Petersburg, Tu6p-48.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Blue-green PL emission from ZnCdO-based multiple quantum wells grown by RPE-MOCVD2009

    • 著者名/発表者名
      山本兼司, 安達光彦, 俵毅彦, 後藤秀樹, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      14^<th> Int.Conf.II-VI Compound
    • 発表場所
      St.Petersburg, Tu6p-36.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表]2009

    • 著者名/発表者名
      山本兼司, 安達光彦, 俵毅彦, 後藤秀樹, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      28^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-28)
    • 発表場所
      Laforet Biwako, I-7
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] 非極性面Mg_xZn_<1-x>O : Nキャリア濃度C-V評価2009

    • 著者名/発表者名
      A.Nakamura, A.Hierro, E.Munoz, J.Temmyo
    • 学会等名
      2009年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      富山大学,9a-J-8
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] RPE-MOCVD法を用いたZnCuO薄膜の成長温度依存性2009

    • 著者名/発表者名
      金子寿、胡博、山本兼司、中村篤志、天明二郎
    • 学会等名
      2009年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      富山大学,9p-J-7
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Responsitivity and transient response of non-polar Au-Mg_xZn_<1-x>O Schottky photodiodes2009

    • 著者名/発表者名
      G.Tabares, A.Hierro, J.M.Ulla, E.Munoz, A.Nakamura, T.Hayashi, J.Temmyo
    • 学会等名
      2009EMRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, Symp F : 11June1327.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Material and device aspects of RPE-MOCVD ZnO-based system2009

    • 著者名/発表者名
      天明二郎
    • 学会等名
      33^<rd> Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (33^<rd> WOCSDICE)
    • 発表場所
      Malaga, Mon3-1.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Mg_xZn_<1-x>Oショットキーダイオードの作製とキャリア濃度評価2009

    • 著者名/発表者名
      A.Nakamura, 坪井貴子, J.Temmyo, A.Hierro, E.Munoz
    • 学会等名
      2009春季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      筑波,31P-ZK-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Material and device aspects of RPE-MOCVD ZnO-based system2009

    • 著者名/発表者名
      J.Temmyo
    • 学会等名
      33rd Workshop on Compound Semiconductor Deviceps and Integrated Circuits
    • 発表場所
      Malaga, Spain
    • 年月日
      2009-05-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] 極性・非極性ZnCdO混晶のRPE-MOCVD成長2009

    • 著者名/発表者名
      山本兼司, 坪井貴子, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2009春季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      筑波,2p-ZK-8
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] HW-CVD成長SiC薄膜の熱分解およびその膜厚依存性2009

    • 著者名/発表者名
      野木努, 小川泰弘, 中村篤志, 田中昭、天明二郎
    • 学会等名
      2009年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      富山大学,11a-ZR-3
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Schottky barrier contacts formed on polar-, nonpolar-Mg_xZn_<1-x>O film grown by remote-plasma-enhanced MOCVD2009

    • 著者名/発表者名
      A.Nakamura, H.Hierro, E.Munoz, J Temmyo
    • 学会等名
      14^<th> Int.Conf.II-VI Compound
    • 発表場所
      St.Petersburg, Tu6p-64.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Carrier compensation in non-polar MgZnO Schottky diodes2009

    • 著者名/発表者名
      A.Nakamura, A.Hierro, E.Munoz, J.Temmyo
    • 学会等名
      28^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-28)
    • 発表場所
      Laforet Biwako, A-2
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Hot Wire-MOCVD法によるZnO薄膜の成長2009

    • 著者名/発表者名
      袴田靖文, 小川泰弘, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2009春季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      筑波,2a-ZK-3
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Indium-doped Mg_xZn_<1-x>O films for ZnO-based heterojunction diodes2009

    • 著者名/発表者名
      坪井貴子, 山本兼司, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2009 SSDM
    • 発表場所
      Sendai, 7P7.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] 横型反応管を用いたRPE-MOCVD法のZnO系薄膜膜厚分布2009

    • 著者名/発表者名
      岩間敬太, E.Hamid, 山本兼司, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2009春季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      筑波,2a-ZK-7
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるSWNT/グラフェン形成2009

    • 著者名/発表者名
      天明二郎
    • 学会等名
      第49回CVD研究会
    • 発表場所
      京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] RPE-MOCVD grown ZnCuO films for green light emitting structures2009

    • 著者名/発表者名
      胡博, 山本兼司, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      14^<th> Int.Conf.II-VI Compound
    • 発表場所
      St.Petersburg, Tu6p-65.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Cat-MOCVD法によるZnO系半導体結晶成長への展開2009

    • 著者名/発表者名
      中村篤志, 袴田靖文, 小川泰弘, 天明二郎
    • 学会等名
      第6回Cat-CVD研究会
    • 発表場所
      金沢,37
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] 熱分解形成多層グラフェン膜におおけるSiC結晶性ならびに熱分解温度依存性2009

    • 著者名/発表者名
      小川泰弘, 柴田尚, 中村篤志, 田中昭, 天明二郎
    • 学会等名
      2009春季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      筑波,31P-TA-4
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Carrier compensation by deep levels in a-plane Mg_xZn_<1-x>O Schottky photodiodes grown RPE-MOCVD2009

    • 著者名/発表者名
      A.Hierro, G.Tabares, J.M.Ulla, E.Munoz, A.Nakamura, T.Hayashi, J.Temmyo
    • 学会等名
      2009EMRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Strasbourg, Symp F : 08June11.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] MgZnO : In薄膜の結晶表面形状と特性評価2008

    • 著者名/発表者名
      坪井貴子, 山本兼司, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2008年春季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      中部大学、春日井
    • 年月日
      2008-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Mg_xZn_<1-x>O : In薄膜の結晶表面形状と特性評価2008

    • 著者名/発表者名
      坪井貴子, 山本兼司, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2008年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      中部大学,3p-N-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] ZnCuO混晶薄膜成長の原料キャリアガス依存性2008

    • 著者名/発表者名
      胡博, 安達光彦, 青嶌剛嗣, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2008年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      中部大学,4p-CF-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] HW-CVD成長SiC薄膜の熱分解による多層グラフェン形成の試み2008

    • 著者名/発表者名
      小川泰弘, 中村篤志, 田中昭, 天明二郎
    • 学会等名
      2008年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      中部大学,3p-ZS-2
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] a面サファイア基板上ZnCdO/ZnO多重量子井戸構造のRPE-MOCVD成長2008

    • 著者名/発表者名
      山本兼司, 安達光彦, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      2008年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      中部大学,3p-N-6
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Optical analysis of self-assembled ZnO nano-wires grown by RPE-MOCVD2008

    • 著者名/発表者名
      E.Hamid, 安達光彦, 中村篤志、天明二郎
    • 学会等名
      2008年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      中部大学,4p-CF-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Zn_<1-x>Cu_xO films grown by RPE-MOCVD with Cu(dibm)_22008

    • 著者名/発表者名
      胡博, 安達光彦, 青嶌剛嗣, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      40^<th> Int.Conf.Solid State Devices and Materials (SSDM2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, P-9-2 (poster).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Multilayered graphene from SiC films via pyrolysis in vacuum2008

    • 著者名/発表者名
      小川泰弘, 中村篤志, 田中昭, 天明二郎
    • 学会等名
      40^<th> Int.Conf.Solid State Devices and Materials (SSDM2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, P-9-2(late news).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Mg_xZn_<1-x>0混晶の結晶表面形状と電気的特性のMg組成依存2008

    • 著者名/発表者名
      坪井貴子 大橋俊哉 山本兼司 S. Gangil、中村篤志 天明二郎
    • 学会等名
      2008春応物講演会 30a-V-1
    • 発表場所
      船橋
    • 年月日
      2008-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [学会発表] MgxZn1-x0混晶の結晶表面形状と電気的特性のMg組成依存2008

    • 著者名/発表者名
      坪井 貴子, 大橋 俊哉, 山本 兼司, S. Gangil, 中村 篤志, 天明 二郎
    • 学会等名
      2008春応物講演会30a-V-l
    • 発表場所
      船橋
    • 年月日
      2008-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [学会発表] ZnO系薄膜過酸化水素処理ショットキーコンタクト形成の成長面方位依存性2008

    • 著者名/発表者名
      中村篤志, 林隆雄, 天明二郎
    • 学会等名
      2008年秋季応用物理学会講演会
    • 発表場所
      中部大学,4a-N-2
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] PL lifetime and potential fluctuation in ZnO-based alloy films2008

    • 著者名/発表者名
      山本兼司, 大橋俊哉, 俵毅彦, 後藤秀樹, 中村篤志, 天明二郎
    • 学会等名
      5^<th> Int.Workshop on ZnO amd related Materials
    • 発表場所
      Ypsilanti, Michigan, 53 (oral).
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20310059
  • [学会発表] Red emission from ZnO-based double heterojunction diode2007

    • 著者名/発表者名
      T. Ohahsi, K. Yamamoto, A. Nakamura, J. Temmyo
    • 学会等名
      2007 Int. Conf. SSDM, Tsukuba, E-9-7. (aural)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [学会発表] Fabrication and EL emission of ZnO-based heterojunction light emitting devices2007

    • 著者名/発表者名
      S. Guangil, A. Nakamura K. Yamamoto, T. Ohashi, J. Temmyo
    • 学会等名
      13th Int. Conf. II-VI Compound, Jeju (Korea) Th2-15.(aural)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17310070
  • [学会発表] 酸化亜鉛系並びにグラフェン系ナノ構造創製と光・電子デバイスへの展開

    • 著者名/発表者名
      天明二郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会講習会、
    • 発表場所
      熊本大学(熊本県)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • [学会発表] ZnO-based and graphene nanostructures for green devices

    • 著者名/発表者名
      A. Nakamura, J. Temmyo
    • 学会等名
      2nd Workshop on Spanish-Japan nanotechnogies and new material for environmental challenges
    • 発表場所
      筑波国際会議場(茨城県)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24510149
  • 1.  中村 篤志 (50402243)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 86件
  • 2.  田中 昭 (50022265)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  青木 徹 (10283350)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件

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