渡部平司 Watanabe Heiji

研究者番号	90379115
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2025年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 2019年度 – 2021年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授 2016年度 – 2017年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授 2016年度 – 2017年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 2013年度 – 2015年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 … もっと見る 2014年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 2014年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授 2011年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 2008年度 – 2010年度: 大阪大学, 工学研究科, 教授 2007年度 – 2009年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 2006年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教授 2006年度: 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 2004年度 – 2005年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教授隠す
審査区分/研究分野	研究代表者中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子・電気材料工学 / 薄膜・表面界面物性 / 薄膜・表面界面物性 / 理工系 / 大区分D 研究代表者以外電子・電気材料工学 / 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連 / 量子ビーム科学 / 生産工学・加工学 / 薄膜・表面界面物性 / 理工系
キーワード	研究代表者 MOS構造 / パワーエレクトロニクス / パワーデバイス / 電子・電気材料 / 界面科学 / 炭化珪素 / 表面・界面物性 / 炭化珪素半導体 / 界面反応制御 / 窒化ガリウム … もっと見る / 光電子融合デバイス / ゲルマニウム / Ⅳ族混晶半導体 / 界面反応 / 界面物性 / 界面 / 薄膜界面 / MOSデバイス / 電子デバイス / 材料加工・処理 / 計算物理 / 表面・界面 / 超薄膜 / 先端機能デバイス / 第一原理計算 / ゲート絶縁膜 / 電気伝導 / 半導体デバイス … もっと見る研究代表者以外エピタキシャル成長 / 結晶成長 / 半導体 / ゲルマニウム / 作成・評価技術 / 電気・電子材料 / 電子デバイス / GeSn / スパッタリング / ゲルマニウムスズ / 結晶工学 / 電子・電気材料 / シリコンフォトニクス / 量子ビーム / 光源技術 / X線 / 画像回復計算 / 超解像 / イメージング / Ｘ線 / nano-imprint / solid phase crystallization / Ge nano-crystal / crystal nucleus / large-grain / glass substrate / Si thin film / polycrystalline Si / 固相結晶化 / 自己組織化 / 核形成 / 結晶核 / Ge微結晶 / ガラス基板 / 大粒径 / 多結晶Si薄膜 / MOSトランジスタ / MOSFET / ショットキー接合 / ゲート絶縁膜 / パワーデバイス / SiC / 格子歪み / バックゲートトランジスタ / 選択成長 / シリコンゲルマニウム / 急速昇温加熱 / 液相エピタキシャル成長 / Ge on insulator / 歪ゲルマニウム / ゲートスタック構造 / ポストスケーリング / 表面・界面物性 / 半導体物性 / ナノ材料 / デバイス設計・製造プロセス / 半導体超微細化隠す

炭化ケイ素半導体ヘテロ界面科学の再構築研究代表者
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分D
- 研究機関
  大阪大学
高Sn組成GeSn結晶創成を目指したスパッタエピタキシー法の構築
- 研究代表者
  
  國吉望月
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
  大阪大学
炭化珪素半導体MOS界面科学と界面設計指針の再構築研究代表者
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  挑戦的研究(開拓)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
界面反応制御を基軸とした高効率高信頼性GaN半導体MOSデバイスの創成研究代表者
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
ビーム励起界面反応によるSiC-MOS界面欠陥の崩壊と選択修復研究代表者
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
埋め込みX線ターゲットを用いた超解像X線撮像法の実証
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  量子ビーム科学
- 研究機関
  大阪大学
局所液相エピタキシャル成長によるGeSnワイヤの形成とその光電子デバイス応用
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
先端ゲートスタックプロセスによる高信頼性ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  特別研究員奨励費
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
相界面反応制御技術を基軸とした混晶材料の設計と新機能発現研究代表者
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
ビーム励起界面反応によるSiCパワーデバイスへテロ界面改質技術研究代表者
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
チャネルラストプロセスによる歪み制御縦型Ｇｅトランジスタの作製と電気特性評価
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
ショットキー接合型ＳｉＣプラズモニックトランジスタの創製
- 研究代表者
  
  細井卓治
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
局所選択液相エピタキシャル成長によるGOI構造の作製と電気特性評価
- 研究代表者
  
  志村考功
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
原子制御プロセスによる超薄MOS構造の作製とその伝導特性および界面物性の解析研究代表者
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大阪大学
高性能SiCパワーエレクトロニクス実現に向けた理想MOS構造作製プロセスの創成研究代表者
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2007
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
高性能SiCパワーエレクトロニクス実現に向けた理想MOSFET作製プロセスの創成研究代表者
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2011
- 研究種目
  
  若手研究(S)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  大阪大学
原子制御プロセスによる金属/超薄酸化膜/半導体構造の作製とその伝導特性解析研究代表者
- 研究代表者
  
  渡部平司
- 研究期間 (年度)
  2006
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  大阪大学
ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成
- 研究代表者
  
  財満鎭明
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  名古屋大学
ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発
- 研究代表者
  
  安武潔
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  生産工学・加工学
- 研究機関
  大阪大学

[図書] 半導体SiC技術と応用2011
- 著者名/発表者名
  渡部平司
- 出版者
  日刊工業新聞社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[図書] 「システムオンパネルをめざした低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発」第2編第6章"Ge核を用いたSi薄膜の低温結晶化技術"(監修浦岡行治)2007
- 著者名/発表者名
  安武潔, 渡部平司, 大参宏昌, 垣内弘章
- 総ページ数
  12
- 出版者
  シーエムシー出版
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[図書] システムオンパネルをめざした低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発(第2編第6章 Ge核を用いたSi薄膜の低温結晶化技術)(監修浦岡行治)2007
- 著者名/発表者名
  安武潔, 渡部平司, 大参宏昌, 垣内弘章
- 総ページ数
  11
- 出版者
  シーエムシー出版
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy2024
- 著者名/発表者名
  Kobayashi Takuma、Suzuki Asato、Nakanuma Takato、Sometani Mitsuru、Okamoto Mitsuo、Yoshigoe Akitaka、Shimura Takayoshi、Watanabe Heiji
- 雑誌名
  
  Materials Science in Semiconductor Processing
  
  巻: 175 ページ: 108251-108251
- DOI
  10.1016/j.mssp.2024.108251
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05338, KAKENHI-PROJECT-21K18170
[雑誌論文] Impact of Sn incorporation on sputter epitaxy of GeSn2023
- 著者名/発表者名
  Tanaka Nobuyuki、Kuniyoshi Mizuki、Abe Kazuya、Hoshihara Masaki、Kobayashi Takuma、Shimura Takayoshi、Watanabe Heiji
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 9 ページ: 095502-095502
- DOI
  10.35848/1882-0786/acf4df
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880
[雑誌論文] Reduction of interface and oxide traps in SiO2/GaN MOS structures by oxygen and forming gas annealing2023
- 著者名/発表者名
  Mikake Bunichiro、Kobayashi Takuma、Mizobata Hidetoshi、Nozaki Mikito、Shimura Takayoshi、Watanabe Heiji
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 3 ページ: 031004-031004
- DOI
  10.35848/1882-0786/acc1bd
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[雑誌論文] Design of SiO2/4H-SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing2023
- 著者名/発表者名
  Kil Tae-Hyeon、Kobayashi Takuma、Shimura Takayoshi、Watanabe Heiji
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 13 号: 11 ページ: 115304-115304
- DOI
  10.1063/5.0169573
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[雑誌論文] Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates2023
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, R. Yamaguchi, N. Tabuchi, M. Kondoh, M. Kuniyoshi, T. Hosoi, T. Kobayashi and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1083-SC1083
- DOI
  10.35848/1347-4065/acb9a2
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880, KAKENHI-PROJECT-20H02620, KAKENHI-PROJECT-23K22798
[雑誌論文] Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(11-20) MOS devices2022
- 著者名/発表者名
  T. Nakanuma, T. Kobayashi, T. Hosoi, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 4 ページ: 041002-041002
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac5ace
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170, KAKENHI-PROJECT-21K20429, KAKENHI-PROJECT-20K05338
[雑誌論文] Fixed-charge generation in SiO2/GaN MOS structures by forming gas annealing and its suppression by controlling Ga-oxide interlayer growth2022
- 著者名/発表者名
  H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: SC ページ: SC1034-SC1034
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac44cd
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[雑誌論文] Electrical properties and energy band alignment of SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor structures fabricated on N-polar GaN(000-1) substrates2022
- 著者名/発表者名
  Hidetoshi Mizobata, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 121 号: 6 ページ: 062104-062104
- DOI
  10.1063/5.0095468
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05338, KAKENHI-PROJECT-19H00767
[雑誌論文] Insight into interface electrical properties of metal-oxide-semiconductor structures fabricated on Mg-implanted GaN activated by ultra-high-pressure annealing2022
- 著者名/発表者名
  Y. Wada, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Kachi, T. Shimura and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 120 号: 8
- DOI
  10.1063/5.0081198
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[雑誌論文] Inhibition of Mg activation in p-type GaN caused by thin AlGaN capping layer and impact of designing hydrogen desorption pathway2021
- 著者名/発表者名
  Y. Wada, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Hosoi, T. Narita, T. Kachi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 14 号: 7 ページ: 071001-071001
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac057d
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[雑誌論文] Anomalous interface fixed charge generated by forming gas annealing in SiO2/GaN MOS devices2020
- 著者名/発表者名
  Mizobata Hidetoshi、Wada Yuhei、Nozaki Mikito、Hosoi Takuji、Shimura Takayoshi、Watanabe Heiji
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 8 ページ: 081001-081001
- DOI
  10.35848/1882-0786/aba320
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[雑誌論文] Insight into gate dielectric reliability and stability of SiO2/GaN MOS devices2020
- 著者名/発表者名
  Wada Yuhei、Nozaki Mikito、Hosoi Takuji、Shimura Takayoshi、Watanabe Heiji
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: SM ページ: SMMA03-SMMA03
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab7fe6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[雑誌論文] Voids and vacancy-type defects in SiO2/GaN structures probed by monoenergetic positron beam2020
- 著者名/発表者名
  A. Uedono, W. Ueno, T. Yamada, T. Hosoi, W. Egger, T. Koschine, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 127 号: 5
- DOI
  10.1063/1.5134513
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[雑誌論文] Lightly doped n-type tensile-strained single-crystalline GeSn-on-insulator structures formed by lateral liquid-phase crystallization2018
- 著者名/発表者名
  H. Oka, T. Tomita, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 1 ページ: 011304-011304
- DOI
  10.7567/apex.11.011304
- NAID
  210000136058
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-15H03975, KAKENHI-PROJECT-16J00819
[雑誌論文] Fabrication of tensile-strained single-crystalline GeSn on transparent substrate by nucleation-controlled liquid-phase crystallization2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, T. Amamoto, M. Koyama, Y. Imai, S. Kimura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 110 号: 3 ページ: 032104-032104
- DOI
  10.1063/1.4974473
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-15H03975, KAKENHI-PROJECT-16J00819
[雑誌論文] Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing2016
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, Y. Fukushima, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 858 ページ: 445-448
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.858.445
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359, KAKENHI-PROJECT-15K13951
[雑誌論文] Improvement of SiO2/4H-SiC interface quality by post-oxidation annealing in N2 at high-temperatures2016
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, Y. Cheng, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 858 ページ: 627-630
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.858.627
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[雑誌論文] Insight into metal-enhanced oxidation using barium on 4H-SiC surfaces2016
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, Y. Katsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 120303-120303
- DOI
  10.7567/jjap.55.120303
- NAID
  210000147279
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[雑誌論文] Insights into thermal diffusion of germanium and oxygen atoms in HfO2/GeO2/Ge gate stacks and their suppressed reaction with atomically thin AlOx interlayers2015
- 著者名/発表者名
  S. Ogawa, R. Asahara, Y. Minoura, H. Sako, N. Kawasaki, I. Yamada, T. Miyamoto, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 118 号: 23 ページ: 23704-23704
- DOI
  10.1063/1.4937573
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Fabrication of High-quality Ge-on-insulator Structures by Lateral Liquid Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, Y. Suzuki, M. Matsue, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 69 号: 5 ページ: 305-311
- DOI
  10.1149/06905.0305ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[雑誌論文] Cathodoluminescence study of radiative interface defects in thermally grown SiO2/4H-SiC(0001) structures2015
- 著者名/発表者名
  Y. Fukushima, A. Chanthaphan, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 26 ページ: 261604-261604
- DOI
  10.1063/1.4923470
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13951, KAKENHI-PROJECT-14F04359
[雑誌論文] Schottky source/drain germanium-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with self-aligned NiGe/Ge junction and aggressively scaled high-k gate stack2015
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Minoura, R. Asahara, H. Oka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 107 号: 25 ページ: 252104-252104
- DOI
  10.1063/1.4938397
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Enhancement of photoluminescence from n-type tensile-strained GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Matsue, K. Tominaga, K. Kajimura, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 107 号: 22 ページ: 221109-221109
- DOI
  10.1063/1.4936992
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-15H03975
[雑誌論文] Study of SiO2/4H-SiC interface nitridation by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas2015
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 5 号: 9 ページ: 097134-097134
- DOI
  10.1063/1.4930980
- NAID
  120007183058
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[雑誌論文] Comprehensive Study and Design of Scaled Metal/High-k/Ge Gate Stacks with Ultrathin Aluminum Oxide Interlayers2015
- 著者名/発表者名
  Ryohei Asahara, Iori Hideshima, Hiroshi Oka, Yuya Minoura, Shingo Ogawa, Akitaka, Yoshigoe, Yuden Teraoka, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 23 ページ: 233503-233503
- DOI
  10.1063/1.4922447
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420289, KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Strain-induced direct band gap shrinkage in local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 104 号: 3 ページ: 31106-31106
- DOI
  10.1063/1.4862890
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22681012, KAKENHI-PROJECT-24360120, KAKENHI-PROJECT-25246021, KAKENHI-PROJECT-25246028, KAKENHI-PROJECT-25600014
[雑誌論文] Degradation of SiO2/SiC Interface Properties due to Mobile Ions Intrinsically Generated by High-Temperature Hydrogen Annealing2014
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 541-541
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.541
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359, KAKENHI-PROJECT-24686008
[雑誌論文] Ge diffusion and bonding state change in metal/high-k/Ge gate stacks and its impact on electrical properties2014
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering
  
  巻: 109 ページ: 137-141
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Understanding and engineering of NiGe/Ge junction formed by phosphorous ion implantation after germanidation2014
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 105 号: 6 ページ: 062107-062107
- DOI
  10.1063/1.4893152
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Mobility characterization of Ge-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with striped Ge channels fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Suzuki, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 105 号: 17 ページ: 173502-173502
- DOI
  10.1063/1.4900442
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120, KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Retarded oxide growth on 4H-SiC(0001) substrates due to sacrificial oxidation2014
- 著者名/発表者名
  細井　卓治、上西　悠介、中野　佑紀、中村　孝、志村　考功、渡部　平司
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 562-565
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.562
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[雑誌論文] Improved bias-temperature instability characteristics in SiC metal-oxide-semiconductor devices with aluminum oxynitride dielectrics2014
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 12 ページ: 122105-122105
- DOI
  10.1063/1.4870047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359, KAKENHI-PROJECT-24686008
[雑誌論文] Insights into ultraviolet-induced electrical degradation of thermally grown SiO2/4H-SiC(0001) interface2014
- 著者名/発表者名
  D. Ikeguchi, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 104 号: 1 ページ: 12107-12107
- DOI
  10.1063/1.4860987
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[雑誌論文] Design and control of Ge-based metal-oxide-semiconductor interfaces for high-mobility field-effect transistors with ultrathin oxynitride gate dielectrics2013
- 著者名/発表者名
  Y. Minoura, A. Kasuya, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 103 号: 3 ページ: 33502-33502
- DOI
  10.1063/1.4813829
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[雑誌論文] Novel Approach for Improving Interface Quality of 4H-SiC MOS Devices with UV Irradiation and Subsequent Thermal Annealing2013
- 著者名/発表者名
  渡部平司
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 740-742 ページ: 741-744
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.741
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008, KAKENHI-PROJECT-25630124
[雑誌論文] Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy Study of Thermally Grown Oxides on 4H-SiC(0001) Si-Face and(000-1) C-Face Substrates2012
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and T. Shimura
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 697 ページ: 717-720
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method-Novel Platform for High-Mobility Transistors and Photonic Devices2012
- 著者名/発表者名
  Heiji Watanabe
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 50 号: 4 ページ: 261-266
- DOI
  10.1149/05004.0261ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[雑誌論文] Impact of Interface Defect Passivation on Conduction Band Offset at SiO_2/ 4H-SiC Interface2012
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, T. Kirino, A. Chanthaphan, Y. Uenishi, D. Ikeguchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 721 ページ: 717-720
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Impact of UV Irradiation on Thermally Grown 4H-SiC MOS Devices2012
- 著者名/発表者名
  D. Ikeguchi, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 765 ページ: 717-720
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Gate Stack Technologies for SiC Power MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, D. Ikeguchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and T. Shimura
- 雑誌名
  
  ECS Trans
  
  巻: 41[ 3] ページ: 77-77
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Investigation of Surface and Interface Morphology of Thermally Grown SiO_2 Dielectrics on 4H-SiC(0001) Substrates2011
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, K. Konzono, Y. Uenishi, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 342 ページ: 679-680
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) Using High-Density Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, et al
- 雑誌名
  
  Journal of Nanoscience and Nanotechnology
  
  巻: 11(4) 号: 4 ページ: 2802-2808
- DOI
  10.1166/jnn.2011.3911
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) Using High-Density Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi, T. Hosoi, T. Shimura, K. Yasutake
- 雑誌名
  
  Journal of Nanoscience and Nanotechnology
  
  巻: 11 ページ: 2802-2802
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) Using High-density Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, et al.
- 雑誌名
  
  Journal of Nanoscience and Nanotechnology
  
  巻: 11 ページ: 2802-2808
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Impact of Stacked AlON/SiO_2 Gate Dielectrics for SiC Power Devices2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, et al
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 35(2) 号: 2 ページ: 265-274
- DOI
  10.1149/1.3568869
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy study on thermally grown SiO_2/ 4H-SiC(0001) interface and its correlation with electrical properties2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Kagei, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, and T. Shimura
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 99 ページ: 21907-21907
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy study on thermally grown SiO_2/4H-SiC(0001) interface and its correlation with electrical properties2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, et al
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 99 号: 2
- DOI
  10.1063/1.3610487
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Energy Band Structure of SiO_2/4H-SiC Interfaces and its Modulation Induced by Intrinsic and Extrinsic Interface Charge Transfer2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, et al.
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Reduction of Charge Trapping Sites in Al_2O_3/ SiO_2 Stacked Gate Dielectrics by Incorporating Nitrogen for Highly Reliable 4H-SiC MIS Devices2011
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 496 ページ: 679-680
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Gate Stack Technologies for SiC Power MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, et al
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 41(3) 号: 3 ページ: 77-90
- DOI
  10.1149/1.3633023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Energy Band Structure of SiO_2/ 4H-SiC Interfaces and its Modulation Induced by Intrinsic and Extrinsic Interface Charge Transfer2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Kirino, Y. Kagei, J. Harries, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 386 ページ: 679-680
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Impact of Stacked AlON/ SiO_2 Gate Dielectrics for SiC Power Devices2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi and T. Shimura
- 雑誌名
  
  ECS Trans
  
  巻: 35[ 2] ページ: 265-265
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Improved Characteristics of 4H-SiC MISFET with AlON/ Nitrided SiO_2 Stacked Gate Dielectrics2010
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, Y. Watanabe, K. Kozono, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 991 ページ: 645-648
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Improved electrical properties of SiC-MOS interfaces by thermal oxidation of plasma nitrided 4H-SiC(0001) surfaces2010
- 著者名/発表者名
  Y. Kagei, T. Kirino, Y. Watanabe, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 507 ページ: 645-648
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Direct Observation of Dielectric Breakdown Spot in Thermal Oxides on 4H-SiC(001) Using Conductive Atomic Force Microscopy2010
- 著者名/発表者名
  K. Kozono, T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 821 ページ: 645-648
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Improved electrical properties of SiC-MOS interfaces by thermal oxidation of plasma nitrided 4H-SiC(0001) surfaces2010
- 著者名/発表者名
  Y. Kagei, T. Kirino, Y. Watanabe, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 645-648
  
  ページ: 507-510
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Improved characteristics of 4H-SiC MISFET with AlON/nitrided SiO_2 stacked gate dielectrics2010
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, Y. Watanabe, K. Kozono, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 645-648
  
  ページ: 991-994
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Direct observation of dielectric breakdown spot in thermal oxides on 4H-SiC(0001) using conductive atomic force microscopy2010
- 著者名/発表者名
  K. Kozono, T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 645-648
  
  ページ: 821-824
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Fabrication of Fully Relaxed SiGe Layers with High Ge Concentration on Silicon-on-Insulator Wafers by Rapid Melt Growth2010
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, S. Ogiwara, C. Yoshimoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 3 ページ: 066502-066502
- DOI
  10.1143/apex.2.066502
- NAID
  10027441491
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[雑誌論文] Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method2010
- 著者名/発表者名
  Heiji Watanabe, Takayoshi Shimura
- 雑誌名
  
  The Proceedings of International workshop on Active-matrix flatpanel displays and devices
  
  ページ: 53-56
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[雑誌論文] Fabrication of Local Ge-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy : Effect of Controlling Interface Energy between Ge and Insulators on Lateral Epitaxial Growth2009
- 著者名/発表者名
  T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 2 号: 10 ページ: 105501-105501
- DOI
  10.1143/apex.3.105501
- NAID
  10025086916
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[雑誌論文] Impact of a treatment combining nitrogen plasma exposure and forming gas annealing on defect passivation of SiO_2/ SiC interfaces2009
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, Y. Watanabe, M. Harada, Y. Kagei, T. Kirino, T. Hosoi, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, and T. Nakamura
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 525 ページ: 615-617
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] AlON/ SiO_2 Stacked Gate Dielectrics for 4H-SiC MIS Devices2009
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, M. Harada, Y. Kagei, Y. Watanabe, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Mater. Sci. Forum
  
  巻: 541 ページ: 615-617
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Origin of flatband voltage shift and unusual minority carrier generation in thermally grown GeO_2/Ge metal-oxide-semiconductor devices2009
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, K. Kutsuki, G. Okamoto, M. Saito, T. Shimura, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 94
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] AlON/SiO_2 stacked gate dielectrics for 4H-SiC MIS devices2009
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, M. Harada, Y. Kagei, Y. Watanabe, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, H Watanabe
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 615-617
  
  ページ: 541-544
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Impact of a Treatment Combining Nitrogen Plasma Exposure and Forming Gas Annealing on Defect Passivation of SiO2/SiC Interfaces2009
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, et al.
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 615-617
  
  ページ: 525-528
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] First-principles study to obtain evidence of low interface defect density at Ge/GeO_2 interfaces2009
- 著者名/発表者名
  S. Saito, T. Hosoi, H. Watanabe, T. Ono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 95
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Fabrication of local Ge-on-Insulator structures by lateral liquid-phase epitaxy: effect of controlling interface energy between Ge and insulators on lateral epitaxial growth2009
- 著者名/発表者名
  T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 2
- NAID
  10025086916
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Germanium oxynitride gate dielectrics formed by plasma nitridation of ultrathin thermal oxides on Ge(100)2009
- 著者名/発表者名
  K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 95
- NAID
  120007183052
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Impact of a treatment combining nitrogen plasma exposure and forming gas annealing on defect passivation of SiO_2/SiC interfaces2009
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, Y. Watanabe, M. Harada, Y. Kagei, T. Kirino, T. Hosoi, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 615-617
  
  ページ: 525-528
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[雑誌論文] Fundamental aspects of effective work function instability of metal/Hf-based high-k gate stacks2008
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, et.al.
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 16
  
  ページ: 27-38
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19019010
[雑誌論文] Observation of crystalline imperfection in supercritical thickness strained silicon on insulator wafers by synchrotron x-ray topography2008
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, T. Inoue, Y. Okamoto, T. Hosoi, H. Edo, S. Iida, A. Ogura, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 16
  
  ページ: 539-543
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Application of synchrotron x-ray diffraction methods to gate stacks of advanced MOS devices2008
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, T. Inoue, Y. Okamoto, T. Hosoi, A. Ogura, O. Sakata, S. Kimura, H. Edo, S. Iida, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Characteristics of pure Ge_3N_4 dielectric layers formed by high-density plasma nitridation2008
- 著者名/発表者名
  K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Japanese J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 2415-2419
- NAID
  10022551546
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Humidity-dependent stability of amorphous germanium nitrides fabricated by plasma nitridation2007
- 著者名/発表者名
  K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 91
- NAID
  120007183049
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Humidity-dependent stability of amorphous germanium nitrides fabricated by plasma nitridation2007
- 著者名/発表者名
  K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 91
- NAID
  120007183049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] プラズマ窒化によるゲルマニウム窒化膜の形成とその安定性評価2007
- 著者名/発表者名
  朽木克博, 岡本学, 志村考功, 安武潔, 渡部平司
- 雑誌名
  
  第54回応用物理学関係連合講演会講演予稿集第2分冊
  
  ページ: 864-864
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Impact of physical vapor deposition-based in situ fabrication method on metal/high-k gate stacks2007
- 著者名/発表者名
  H., Watanabe, et. al.
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 1910-1915
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19019010
[雑誌論文] Humidity-Dependent Stability of Amorphous Germanium Nitrides Fabricated by Plasma Nitridation2007
- 著者名/発表者名
  K.Kutsuki, G.Okamoto, T.Hosoi, T.Shimura, and H.Watanabe
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 91
- NAID
  120007183049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates (Invited)2006
- 著者名/発表者名
  K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
- 雑誌名
  
  Meeting Abst. MA 2006-02 Joint Int. Meeting of 210th Meeting of The Electrochemical Society and XXI Congreso de la Sociedad Mexicana de Electroquimica Cancun, Mexico, (2006) #1575.
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006
- 著者名/発表者名
  K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 3巻・8号
  
  ページ: 215-225
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Fabrication of Polycrystalline Silicon Thin Films on Glass Substrates Using Ge Nano-Islands as Nuclei2006
- 著者名/発表者名
  K.Minami, C.Yoshimoto, H.Ohmi, T.Shimura, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yasutake
- 雑誌名
  
  Ext.Abst. of Int.21st Century COE Symp. on Atomistic Fabrication Technology 19-29
  
  ページ: 65-66
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Interface Engineering of High-k Gate Dielectrics for Advanced CMOS2006
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe
- 雑誌名
  
  Abstracts of Handai Nanoscience and Technology International Symposium
  
  ページ: 30-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18036007
[雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006
- 著者名/発表者名
  K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 3 [8]
  
  ページ: 215-225
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Ge Nuclei for Fabrication of Poly-Si Thin Films on Glass Substrates2006
- 著者名/発表者名
  K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 3・8
  
  ページ: 215-225
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Thermal Degradation of HfSiON Dielectrics Caused by TiN Gate Electrodes and Its Impact on Electrical Properties2006
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 45
  
  ページ: 2933-2938
- NAID
  10022541566
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18036007
[雑誌論文] Self-limiting oxidation of SiGe alloy on silicon-on-insulator wafers2006
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Shimizu, S. Horiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake, M. Umeno
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 89
- NAID
  120007183055
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[雑誌論文] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004
- 著者名/発表者名
  K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
- 雑誌名
  
  Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting
  
  ページ: 19-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004
- 著者名/発表者名
  K.YASUTAKE, H.OHMI, H.KAKIUCHI, H.WATANABE, K.YOSHII, Y.MORI
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 43・12A
- NAID
  10015473490
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004
- 著者名/発表者名
  K.Yasutake, H.Ohmi, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yoshii, Y.Mori
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43 [12A]
- NAID
  10015473490
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004
- 著者名/発表者名
  K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
- 雑誌名
  
  Proc. Thin Film Materials ＆ Devices Meeting
  
  ページ: 19-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates for Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films2004
- 著者名/発表者名
  K.Yasutake, H.Watanabe, H.Ohmi, H.Kakiuchi, S.Koyama, D.Nakajima, K.Minami
- 雑誌名
  
  Proc. Thin Film Materials ＆ Devices Meeting (2004)
  
  ページ: 19-24
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching2004
- 著者名/発表者名
  K.Yasutake, H.Ohmi, H.Kakiuchi, H.Watanabe, K.Yoshii, Y.Mori
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. (2004) 43巻・12A号
- NAID
  10015473490
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360070
[雑誌論文] Surface cleaning and etching of 4H-SiC(0001) using high-density atmospheric pressure hydrogen plasma
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi, T. Hosoi, T. Shimura, K. Yasutake
- 雑誌名
  
  Journal of Nanoscience and Nanotechnology (accepted)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[産業財産権] 半導体装置およびその製造方法2012
- 発明者名
  渡部平司、志村考功、細井卓治、箕谷周平、中野佑紀、中村亮太、中村孝
- 権利者名
  ローム(株)
- 産業財産権番号
  2012-039059
- 出願年月日
  2012-02-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[産業財産権] 半導体装置およびその製造方法2012
- 発明者名
  渡部平司, 他
- 権利者名
  ローム(株)
- 産業財産権番号
  2012-039059
- 出願年月日
  2012-02-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[産業財産権] 単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板2012
- 発明者名
  志村考功、渡部平司、細井卓治
- 権利者名
  大阪大学
- 産業財産権番号
  2012-042746
- 出願年月日
  2012-02-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[産業財産権] 半導体装置2009
- 発明者名
  渡部平司、志村考功、細井卓治、桐野嵩史、箕谷周平、中野佑紀
- 権利者名
  ローム(株)
- 産業財産権番号
  2009-206374
- 出願年月日
  2009-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[産業財産権] 半導体装置2009
- 発明者名
  渡部平司、志村考功、細井卓治、桐野嵩史、箕谷周平、中野佑紀
- 権利者名
  ローム(株)
- 産業財産権番号
  2009-206373
- 出願年月日
  2009-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[産業財産権] 半導体装置の製造方法および半導体装置2009
- 発明者名
  渡部平司、志村考功、細井卓治、桐野嵩史、箕谷周平、中野佑紀
- 権利者名
  ローム(株)
- 産業財産権番号
  2009-206372
- 出願年月日
  2009-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化におけるレーザー走査条件と下地SiO2膜厚の最適化2024
- 著者名/発表者名
  早川雄大, 近藤優聖, 國吉望月, 小林拓真, 志村志功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第29回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880
[学会発表] Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化2024
- 著者名/発表者名
  早川雄大, 近藤優聖, 國吉望月, 小林拓真, 志村孝功, 渡部平司
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880
[学会発表] 犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化2024
- 著者名/発表者名
  八軒慶慈, 藤本博貴, 小林拓真, 平井悠久, 染谷満, 岡本光央, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化と光学特性評価2023
- 著者名/発表者名
  近藤優聖, 田淵直人, 國吉望月, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880
[学会発表] A SiO2/SiC interface formed by direct bonding of SiO2 and SiC2023
- 著者名/発表者名
  S. Kamihata, T. Kobayashi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] スパッタ成膜によるGe(100)基板上への高品質単結晶GeSn層のエピタキシャル成長2023
- 著者名/発表者名
  田中信敬, 國吉望月, 安部和弥, 星原雅生, 小林拓真, 志村志功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第28回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880
[学会発表] プラズマ窒化・SiO2堆積・CO2熱処理の複合プロセスによる高品質 SiC MOS 構造の形成2023
- 著者名/発表者名
  藤本博貴, 小林拓真，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] ゲートストレス印加による SiC MOS 界面の劣化とデバイス特性への影響2023
- 著者名/発表者名
  小柳香穂, 小林拓真, 平井悠久, 染谷満, 岡本光央, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] Improved interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface prior to SiO2 deposition2023
- 著者名/発表者名
  H. Fujimoto, T. Kobayashi, Y. Iwakata, T. Shimura, and Heiji Watanabe
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] Fabrication of SiO2/4H-SiC MOS devices by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing2023
- 著者名/発表者名
  T. Kil, T. Kobayashi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] SiO2と SiC の直接貼り合わせによる SiO2/SiC 構造の形成2023
- 著者名/発表者名
  神畠真治, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] Evaluation of hole trap density at SiO2/GaN MOS interfaces through capacitance-voltage measurements under ultraviolet light illumination2022
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, K. Tomigahara, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] Control of oxidation and reduction reactions at SiO2/GaN interfaces towards high performance and reliability GaN MOSFETs2022
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, B. Mikake, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入p-GaN MOSデバイスの電気特性に対する基板極性およびアクセプタ濃度の影響2022
- 著者名/発表者名
  溝端秀聡, 和田悠平, 野﨑幹人, 小林拓真, 細井卓治, 加地徹, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] 紫外光照射によるGaN MOS構造における正孔トラップの評価2022
- 著者名/発表者名
  冨ヶ原一樹, 中沼貴澄, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] Recent progress and challenges in SiC and GaN MOS devices: understanding of physics and chemistry near the MOS interface2022
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] Analysis of leakage current mechanisms in NO-nitrided SiC(1-100) MOS devices2022
- 著者名/発表者名
  A. Suzuki, T. Nakanuma, T. Kobayashi, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] スパッタ成膜SiO2/GaN 構造におけるGa拡散抑制効果2022
- 著者名/発表者名
  大西健太郎, 小林拓真, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] Recent progress and challenges in SiC and GaN MOS devices: understanding of physics and chemistry near the MOS interface2022
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] Interface science and engineering for GaN-based MOS devices2022
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura
- 学会等名
  Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] スパッタ成膜法によるGe(100)基板上のGeSnエピタキシャル成長2022
- 著者名/発表者名
  國吉望月, 安部和弥, 田中信敬, 星原雅生,小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880
[学会発表] NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性2022
- 著者名/発表者名
  中沼貴澄, 小林拓真 ,染谷満, 岡本光央, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] NO窒化を施した非基底面上SiO2/SiC構造のバンドアライメント評価2022
- 著者名/発表者名
  中沼貴澄, 小林拓真, 染谷満, 岡本光央, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] Suppression of GaOx interlayer growth towards stable SiO2/GaN MOS devices2022
- 著者名/発表者名
  K. Onishi, T. Kobayashi, H. Mizobata, M. Nozaki, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] 酸化・還元反応制御に基づく高品質SiO2/GaN MOS構造の形成2022
- 著者名/発表者名
  見掛文一郎, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] Ge(100)基板上にスパッタ成膜したエピタキシャルGeSn層の評価2022
- 著者名/発表者名
  田中信敬, 安部和弥, 星原雅生, 國吉望月, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880
[学会発表] Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices2022
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, T. Nakanuma, A. Suzuki, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] Nitridation-induced degradation of SiC(1-100) MOS devices2022
- 著者名/発表者名
  T. Kobayashi, T. Nakanuma, A. Suzuki, M. Sometani, M. Okamoto, A.Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] 酸素及び水素熱処理によるスパッタ成膜 SiO2/GaN MOS 構造の界面特性及び絶縁性向上2022
- 著者名/発表者名
  大西健太郎, 小林拓真, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] スパッタSiO2成膜によるSiO2/GaN MOS界面のGaOx層抑制2022
- 著者名/発表者名
  大西健太郎, 小林拓真, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] Fabrication of stable and low leakage SiO2/GaN MOS devices by sputter deposition of SiO2 combined with post annealing processes2022
- 著者名/発表者名
  K. Onishi, T. Kobayashi, H. Mizobata, M. Nozaki, A. Yoshigoe, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] AlGaNキャップ層によるMgドープp-GaNの活性化抑制と水素脱離過程の制御による特性改善2022
- 著者名/発表者名
  溝端秀聡, 和田悠平, 野﨑幹人, 細井卓治, 成田哲生, 加地徹, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第27回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] 光吸収層を有する石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化2022
- 著者名/発表者名
  田淵直人, 山口凌雅, 近藤雅斗, 國吉望月, 細井卓治, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第27回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880
[学会発表] Controllability of Luminescence Wavelength from GeSn Wires Fabricated by Laser Zone Melting on Quartz Substrates2022
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, R. Yamaguchi, N. Tabuchi, M. Kondo, M. Kuniyoshi, T. Hosoi, T. Kobayashi, H. Watanabe
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880
[学会発表] スパッタSiO2成膜よる安定なGaN MOS構造の形成2022
- 著者名/発表者名
  大西健太郎, 見掛文一郎, 冨ヶ原一樹, 溝端秀聡, 野崎幹人, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] 水素ガスアニールにより生じるSiO2/GaN界面の異常な固定電荷の起源2021
- 著者名/発表者名
  溝端秀聡, 和田悠平, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第26回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaN上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価2021
- 著者名/発表者名
  和田悠平, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 細井卓治, 櫻井秀樹, 加地徹, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面特性の類似性と相違点2021
- 著者名/発表者名
  渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第8回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたPチャネルMOSFETの作製と評価2021
- 著者名/発表者名
  和田悠平, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 細井卓治, 櫻井秀樹, 加地徹, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面特性の類似性と相違点2021
- 著者名/発表者名
  渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第8回講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18170
[学会発表] SiO2/GaN MOSデバイスの性能向上に向けた堆積後熱処理条件の検討2021
- 著者名/発表者名
  溝端秀聡, 和田悠平, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] 超高圧活性化熱処理を施したMgイオン注入GaNを用いたp型GaN MOSデバイスの電気特性評価2021
- 著者名/発表者名
  溝端秀聡, 和田悠平, 野﨑幹人, 小林拓真, 細井卓治, 加地徹, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] SiO2/GaN MOS構造におけるゲート絶縁膜信頼性への堆積後熱処理の効果2021
- 著者名/発表者名
  見掛文一郎, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] 石英基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における光吸収層の検討2021
- 著者名/発表者名
  田淵直人, 國吉望月, 細井卓治, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04880
[学会発表] GaN(0001)面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価2021
- 著者名/発表者名
  冨ケ原一樹, 和田悠平, 溝端秀聡, 野崎幹人, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] GaN(000-1)面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価2021
- 著者名/発表者名
  冨ヶ原一樹, 和田悠平, 溝端秀聡, 野﨑幹人, 吉越章隆, 細井卓治, 小林拓真, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第8回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] Fixed charge generation in SiO2/GaN MOS structures by forming gas annealing and its suppression by controlling Ga-oxide interlayer growth2021
- 著者名/発表者名
  H. Mizobata, M. Nozaki, T. Kobayashi, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] p-GaN MIS電気特性評価に向けたAlGaNバリア層の検討2020
- 著者名/発表者名
  和田悠平, 溝端秀聡, 野崎幹人, 細井卓治, 加地徹, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] 水素ガスアニールに起因したSiO2/GaN界面での異常な固定電荷生成とその物理的起源2020
- 著者名/発表者名
  溝端秀聡, 和田悠平, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第7回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] Gate Stack Technology for Advanced GaN-based MOS Devices2020
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Hosoi, M. Nozaki, H. Mizobata, and T. Shimura
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] SiO2/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成の理解2020
- 著者名/発表者名
  溝端秀聡, 和田悠平, 加賀三志郎, 野﨑幹人, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] Insight into Ga Diffusion in SiO2 Dielectric Layer and Process Design for Improved Reliability of GaN-based MOS Devices2019
- 著者名/発表者名
  Y. Wada, M. Nozaki, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  Dielectric Thin Films for Future Electron Devices -Science and Technology-
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] SiO2中へのGa拡散がSiO2/GaN MOS特性に与える影響の評価2019
- 著者名/発表者名
  和田悠平，野崎幹人，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第6回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00767
[学会発表] レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 黒木伸一郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 黒木伸一郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 井上慶太郎, Thi Thuy Nguyen, 黒木伸一郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  映像情報メディア学会情報センシング研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成2018
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 井上慶太郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第23回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] High-mobility TFT and enhanced luminescence utilizing ucleation-controlled GeSn growth on transparent substrate for monolithic optoelectronic2018
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  関西コロキアム電子デバイスワークショップ
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用2018
- 著者名/発表者名
  細井卓治, 岡博史, 井上慶太郎, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成2018
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 井上慶太郎, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価2018
- 著者名/発表者名
  岡博史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用2018
- 著者名/発表者名
  細井卓治, 岡博史, 井上慶太郎, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第23回研究会）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長による高濃度Sbドープ単結晶Ge細線の作製と光学特性評価2017
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 小山真広, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」
- 発表場所
  東レ研修センター, 静岡県三島市
- 年月日
  2017-01-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長により作製したSb ドープ単結晶GeSn n チャネルTFT2017
- 著者名/発表者名
  岡博史, 冨田崇史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第64回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長によって作製した引張歪み高濃度n 型Ge 細線の光学特性評価2017
- 著者名/発表者名
  冨田崇史，岡博史，小山真広，田中章吾，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2017年春季第64回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 横方向液相成長により作製したSb ドープ単結晶GeSn n チャネルTFT2017
- 著者名/発表者名
  岡博史, 冨田崇史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  2017年春季第64回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] 透明基板上単結晶GeSn n+/p接合フォトダイオードの作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  岡　博史、井上慶太、冨田崇史、和田裕希、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] シードレス液相成長による単結晶GeSn超薄膜形成と電気特性評価2017
- 著者名/発表者名
  小山真広, 岡博史, 田中章吾, 冨田崇史, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」
- 発表場所
  東レ研修センター, 静岡県三島市
- 年月日
  2017-01-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 透明基板上単結晶GeSn n+/p接合フォトダイオードの作製と評価2017
- 著者名/発表者名
  岡博史、井上慶太、冨田崇史、和田裕希、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-induced Liquid-phase Crystallization for Monolithically-integrated NIR Imager Chip2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, K. Inoue, T. T. Nguyen, S. Kuroki, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  63rd IEEE International Electron Devices Meeting (2017 IEDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Enhancement-mode n-channel TFT and room-temperature near-infrared emission based on n+/p junction in single-crystalline GeSn on transparent substrate2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
- 学会等名
  Symposium on VLSI Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Back-side illuminated GeSn photodiode array on quartz substrate fabricated by laser-induced liquid-phase crystallization for monolithically-integrated NIR imager chip2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, K. Inoue, T. T. Nguyen, S. Kuroki, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting (2017 IEDM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Enhancement-Mode N-Channel TFT and Room-Temperature Near-Infrared Emission Based on n+/p Junction in Single-Crystalline GeSn on Transparent Substrate2017
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Hosoi, T. Shimura and H. Watanabe
- 学会等名
  2017 Symposium on VLSI Technology
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] High-mobility GeSn p-MOSFETs on Transparent Substrate Utilizing Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization2016
- 著者名/発表者名
  H. Oka, T. Amamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- 年月日
  2016-06-12
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Structure and Surface Morphology of Thermal SiO2 Grown on 4H-SiC by Metal-enhanced Oxidation using Barium2016
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, Y. Katsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2016)
- 発表場所
  Halkidiki, Greece
- 年月日
  2016-09-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いたX線位相イメージングの検討2016
- 著者名/発表者名
  細野凌, 森本直樹, 伊藤康浩, 山崎周, 佐野壱成, 土岐貴弘, 佐野哲, 細井卓治, 渡部平司, 志村考功
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13408
[学会発表] High-mobility GeSn-based MOSFETs on Transparent Substrates2016
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe
- 学会等名
  International SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Nagoya, Aichi, JAPAN
- 年月日
  2016-06-07
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] High-mobility TFT and Enhanced Luminescence Utilizing Nucleation-controlled GeSn Growth on Transparent substrate for Monolithic Optoelectronic Integration2016
- 著者名/発表者名
  H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE International Electron Devices Meeting
- 発表場所
  San Francisco
- 年月日
  2016-12-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Photoluminescence from n-type tensile-strained Ge and GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Matsue, K. Tominaga, K. Kajimuira, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, HI, USA
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] SbドープアモルファスGeの局所溶融横方向液相エピタキシャル成長によるn型Ge細線の作製と評価2016
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 小山真広, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第77回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟県新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Photoluminescence from n-type tensile-strained Ge and GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, M. Matsue, K. Tominaga, K. Kajimuira, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  Kona, Hawaii
- 年月日
  2016-11-21
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] SiO2/SiC 界面窒化処理を施したSiC-MOS デバイスにおける正孔捕獲挙動に関する考察2016
- 著者名/発表者名
  細井卓治, 勝義仁, Atthawut Chanthaphan, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第3回講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場, つくば市
- 年月日
  2016-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] SbドープアモルファスGeの局所溶融横方向液相エピタキシャル成長によるn型Ge細線の作製と評価2016
- 著者名/発表者名
  冨田崇史, 岡博史, 小山真広, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  2016年秋季第77回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing2015
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, Y. Fukushima, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Giardini Naxos, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] Improvement of SiO2/4H-SiC interface quality by post-oxidation annealing in N2 at high-temperatures2015
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Giardini Naxos, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] 高温N2アニールによる新たなSiO2/4H-SiC界面窒化技術2015
- 著者名/発表者名
  チャンタパンアタウット, 鄭彦宏 , 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第２回講演会
- 発表場所
  大阪府大阪市
- 年月日
  2015-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] ゲルマニウム半導体を基盤とした次世代光電子集積デバイスへの展開2015
- 著者名/発表者名
  渡部平司
- 学会等名
  日本真空学会関西支部＆日本表面科学会関西支部合同セミナー
- 発表場所
  大阪府、豊中市
- 年月日
  2015-07-03
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing2015
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, Y. Fukushima, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Giardini Naxos, Italy
- 年月日
  2015-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13951
[学会発表] Fabrication of High-quality Ge-on-insulator Structures by Lateral Liquid Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, Y. Suzuki, M. Matsue, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 228th ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, Arizona, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Interface nitridation of thermally-grown SiO2/4H-SiC by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas2015
- 著者名/発表者名
  Atthawut Chanthaphan, Yen Hung Cheng, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe
- 学会等名
  2015年秋季第76回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] Fabrication of High-quality Ge-on-insulator Structures by Lateral Liquid Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Shimura, Y. Suzuki, M. Matsue, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 228th ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, Arizona, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03975
[学会発表] Schottky barrier height modulation at NiGe/Ge interface by phosphorous ion implantation and its application to Ge-based CMOS devices2015
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, H. Oka, Y. Minoura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 15th International Workshop on Junction Technology
- 発表場所
  Kyoto University Kihada Hall (Uji Campus), Kyoto
- 年月日
  2015-06-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Engineering of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation after Germanidation for Metal S/D Ge CMOS Technology2015
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, R. Asahara, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  第15回関西コロキアム電子デバイスワークショップ
- 発表場所
  大阪府大阪市
- 年月日
  2015-12-15
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] SiC MOSデバイスにおける界面窒化処理に起因した正孔トラップ生成2015
- 著者名/発表者名
  勝義人, チャンタパンアタウット, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  2015年秋季第76回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] SiO2/SiC Interface Nitridation by High Temperature Pure Nitrogen Annealing2015
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, A. Chanthaphan, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, VA, USA
- 年月日
  2015-12-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] 横方向液相成長法による石英基板上単結晶GeSn細線の作製と光学特性評価2015
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第76回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 界面窒化処理を施したSiC MOSデバイスのキャリア捕獲挙動評価2015
- 著者名/発表者名
  勝義仁, チャンタパンアタウット, 細井卓治, 南園悠一郎, 木本恒暢, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第２回講演会
- 発表場所
  大阪府大阪市
- 年月日
  2015-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] 横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価2014
- 著者名/発表者名
  4.冨永幸平，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計2014
- 著者名/発表者名
  淺原亮平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-06-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長法により作製したn型Ge-on-insulator層の直接遷移発光の増強2014
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長法によりY2O3層上に形成した局所GOI層の電気特性評価2014
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相成長法で作製した局所GeSn-on-insulator層の優先結晶方位2014
- 著者名/発表者名
  3.冨永幸平，松江将博，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県相模原市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長によって作製したGeワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調評価2014
- 著者名/発表者名
  梶村恵子, 松江将博, 安武裕輔, 深津晋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１９回研究会）
- 発表場所
  静岡県熱海市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] High-k/Ge Gate Stack with an EOT of 0.56 nm by Controlling Interface Reaction Using Ultrathin AlOx Interlayer2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Effective Hole Mobility of GOI MOSFET Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxiay2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Suzuki, H. Nishikawa, M. Matsue, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Effective Hole Mobility of GOI MOSFET Fabricated by Lateral Liquid-Phase Epitaxiay2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Suzuki, H. Nishikawa, M. Matsue, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2013),
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] Phosphorous Ion Implantation into NiGe Layer for Ohmic Contact Formation on n-Ge2013
- 著者名/発表者名
  Y. Minoura, T. Hosoi, J. Matsugaki, S. Kuroki, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Implementation of High-k Gate Dielectrics in Silicon Carbide Power MOS Devices2013
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe
- 学会等名
  2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2013)
- 発表場所
  Seoul, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] Enhanced direct bandgap photoluminescence from local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy - Material and strain engineering toward CMOS compatible group-IV photonics -2013
- 著者名/発表者名
  M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Enhanced direct bandgap photoluminescence from local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy -Material and strain engineering toward CMOS compatible group-IV photonics-2013
- 著者名/発表者名
  M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 発表場所
  Arlington, VA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] Ge diffusion and bonding state change in metal/high-k/Ge gate stacks and its impact on electrical properties2013
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, I. Hideshima, R. Tanaka, Y. Minoura, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 18th Conference of Insulating Films on Semiconductors
- 発表場所
  Cracow, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 横方向液相成長によって作製したGOI構造のフォトルミネッセンス測定2013
- 著者名/発表者名
  松江将博，安武裕輔，深津晋，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  2013年秋季第74回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  京都府田辺市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作成した単結晶GOI構造の電気特性評価2012
- 著者名/発表者名
  鈴木雄一朗, 原伸平, 井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第17回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  三島市、静岡
- 年月日
  2012-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Fabrication of high-quality GOI and SGOI structures by rapid melt growth method - Novel platform for high-mobility transistors and photonic devices -2012
- 著者名/発表者名
  Heiji Watanabe
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-state Science
- 発表場所
  Kailua-Kona, USA(招待講演)
- 年月日
  2012-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した単結晶GOI構造の電気特性評価2012
- 著者名/発表者名
  鈴木雄一朗, 荻原伸平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第17回研究会)
- 発表場所
  静岡県三島市
- 年月日
  2012-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Insight into Bias-temperature Instability of 4H-SiC MOS Devices with Thermally Grown SiO_2 Dielectrics2012
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, T. Kirino, Y. Uenishi, D. Ikeguchi, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  2012 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, CA
- 年月日
  2012-04-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] 急速加熱処理によるGe1-xSnx層の低温エピタキシャル成長2012
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 片岡伸文, 鈴木雄一朗, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱処理によるGe_<1-x>Sn_x層の低温エピタキシャル成長2012
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 片岡伸文, 鈴木雄一朗, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京都新宿区
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2011
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 鈴木雄一朗, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第16回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2011-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Y. Suzuki, S. Ogiwara, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  42nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conf.
- 発表場所
  Arlington, VA, USA
- 年月日
  2011-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Y.Suzuki, S.Ogiwara, T.Hosoi, T.Shimura, H.Watanabe
- 学会等名
  42nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2011-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Gate Stack Technologies for SiC Power MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, et al
- 学会等名
  220th ECS Meeting
- 発表場所
  Boston, MA, USA(招待講演)
- 年月日
  2011-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy Study of Thermally Grown Oxides on 4H-SiC(0001) Si-face and (000-1) C-face Substrates2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, et al
- 学会等名
  2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Cleveland, OH, USA(招待講演)
- 年月日
  2011-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Impact of Stacked AlON/ SiO_2 Gate Dielectrics for SiC Power Devices(Invited)2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoiand T. Shimura
- 学会等名
  219th ECS Meeting
- 発表場所
  Montreal, QC, Canada
- 年月日
  2011-05-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した局所GOI構造の電気特性評価2011
- 著者名/発表者名
  鈴木雄一朗, 荻原伸平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第72回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  山形県山形市
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] SiC-MOS界面欠陥の評価とその改善策2011
- 著者名/発表者名
  渡部平司
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第6回個別討論会
- 発表場所
  京都(招待講演)
- 年月日
  2011-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] High-quality Single-crystal SiGe Layers on Insulator Formed by Rapid Melt Growth2011
- 著者名/発表者名
  S. Ogiwara, Y. Suzuki, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai Osaka. Japan
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Impact of Stacked AlON/SiO_2 Gate Dielectrics for SiC Power Devices2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, et al
- 学会等名
  219th ECS Meeting
- 発表場所
  Montreal, QC, Canada(招待講演)
- 年月日
  2011-05-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] High-Quality Single-Crystalline Ge-on-Insulator P-Channel MOSFETs Formed by Lateral Liquid-Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  T.Suzuki, S.Ogiwara, T.Hosoi, T.Shimura, H.Watanabe
- 学会等名
  Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-11-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した局所GOI構造の電気特性評価2011
- 著者名/発表者名
  鈴木雄一朗, 荻原伸平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第72回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  山形市
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] High-quality Single-crystal SiGe Layers on Insulator Formed by Rapid Melt Growth2011
- 著者名/発表者名
  S.Ogiwara, Y.Suzuki, C.Yoshimoto, T.Hosoi, T.Shimura, H.Watanabe
- 学会等名
  2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Fabrication of High-quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method2011
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, C.Yoshimoto, T.Hashimoto, S.Ogiwara, Y.Suzuki, T.Hosoi, T.Shimura
- 学会等名
  Fourth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2011-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, C. Yoshimoto, T. Hashimoto, S. Ogiwara, T. Hosoi, and T. Shimura
- 学会等名
  The 19th Int. Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Device
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- 年月日
  2011-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy Study of Thermally Grown Oxides on 4H-SiC(0001) Si-face and(000-1) C-face Substrates(Invited)2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and T. Shimura
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Cleveland, OH
- 年月日
  2011-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Gate Stack Technologies for SiC Power MOSFETs(Invited)2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, D. Ikeguchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and T. Shimura
- 学会等名
  220th ECS Meeting
- 発表場所
  Boston, MA
- 年月日
  2011-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Impact of Interface Defect Passivation on Conduction Band Offset at SiO_2/ 4H-SiC Interface2011
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, T. Kirino, A. Chanthaphan, Y. Uenishi, D. Ikeguchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Cleveland, OH
- 年月日
  2011-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Energy Band Structure of Thermally Grown SiO_2/ 4H-SiC Interfaces and its Modulation Induced by Post-oxidation Treatments2010
- 著者名/発表者名
  T. Kirino, Y. Kagei, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  41st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  San Diego, CA
- 年月日
  2010-12-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 発表場所
  長崎市、長崎
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Energy band structure of SiO_2/4H-SiC interfaces and its modulation induced by intrinsic and extrinsic interface charge transfer2010
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, et al.
- 学会等名
  The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2010
- 発表場所
  Oslo, Norway
- 年月日
  2010-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Energy Band Structure of SiO_2/ 4H-SiC Interfaces and its Modulation Induced by Intrinsic and Extrinsic Interface Charge Transfer2010
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Kirino, Y. Kagei, J. Harries, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, and T. Shimura
- 学会等名
  8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Oslo, Norway
- 年月日
  2010-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Reduction of Charge Trapping Sites in Al_2O_3/ SiO_2 Stacked Gate Dielectrics by Incorporating Nitrogen for Highly Reliable 4H-SiC MIS Devices2010
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Oslo, Norway
- 年月日
  2010-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method2010
- 著者名/発表者名
  Heiji Watanabe, Takayoshi Shimura
- 学会等名
  The 7th International workshop on Active-matrix Flatpanel Displays and Devices
- 発表場所
  東京都目黒区大岡山、東京工業大学(招待講演)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2010
- 著者名/発表者名
  荻原伸平, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 発表場所
  長崎市、長崎
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] Direct Observation of Dielectric Breakdown Spot in Thermal Oxides on 4H-SiC(0001) Using Conductive Atomic Force Microscopy2009
- 著者名/発表者名
  K. Kozono, Y. Kagei, T. Kirino, S. Mitani, Y. Nakano, Y. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Material
- 発表場所
  Nurnberg, Germany
- 年月日
  2009-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Improved electrical properties of SiC-MOS interfaces by thermal oxidation of plasma nitrided 4H-SiC(0001) surfaces2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kagei, T. Kirino, Y. Watanabe, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Nurnberg, Germany
- 年月日
  2009-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Impact of plasma nitridation of physical and electrical properties of ultrathin thermal oxides on Ge(100)2009
- 著者名/発表者名
  K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  MRS Fall Meeting, A7. 2
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2009-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Fabrication of Single-Crystal Local Germanium-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  MRS fall meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360149
[学会発表] New insights into flatband voltage shift and minority carrier generation in GeO_2/Ge MOS devices2009
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, M. Saito, I. Hideshima, G. Okamoto, K. Kutsuki, T. Shimura, S. Ogawa, T. Yamamoto, H. Watanabe
- 学会等名
  40^<th> IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference
- 発表場所
  Arlington, USA
- 年月日
  2009-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] プラズマ窒化技術とAlON/SiO_2積層絶縁膜によるSiC-MOSデバイスの高機能化 (招待講演), SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会2009
- 著者名/発表者名
  渡部平司
- 学会等名
  第18回講演会
- 発表場所
  神戸
- 年月日
  2009-12-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Advanced gate stack technology for SiC-MOS power devices2009
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe
- 学会等名
  2^<nd> International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology
- 発表場所
  Osaka
- 年月日
  2009-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] プラズマ窒化技術とALON/SiO2積層絶縁膜によるSiC-MOSデバイスの高機能化(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  渡部平司, 他
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会
- 発表場所
  神戸国際会議場
- 年月日
  2009-12-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Fabrication of single-crystal local germanium-on-insulator structures by lateral liquid-phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  MRS Fall Meeting, A5. 1
- 発表場所
  Boston
- 年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Impact of a treatment combining nitrogen plasma exposure and forming gas annealing on defect passivation of SiO_2/SiC interfaces2008
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe
- 学会等名
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Barcelona, Spain
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構2008
- 著者名/発表者名
  渡部平司, 他
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告SDM研究会(シリコン材料・デバイス)
- 発表場所
  京都市西京区(京都大学)(招待講演)
- 年月日
  2008-12-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19019010
[学会発表] Improved electrical properties of Ge_3N_4 interfaces by fluorine ion implantation2008
- 著者名/発表者名
  K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Fundamental aspects of effective work function instability of metal/Hf-based high-k gate stacks2008
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, et.al.
- 学会等名
  214^<th> ECS Meeting
- 発表場所
  米国ハワイ(Invited)
- 年月日
  2008-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19019010
[学会発表] 真空一貫界面固相反応法による高品質Metal/High-kゲートスタック作製技術2008
- 著者名/発表者名
  渡部平司
- 学会等名
  第49回真空に関する連合講演会
- 発表場所
  島根県松江市(くにびきメッセ)(招待講演)
- 年月日
  2008-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19019010
[学会発表] Impact of a Treatment Combining Nitrogen Plasma Exposure and Forming Gas Annealing on Defect Passivation of SiO_2/ SiC Interfaces2008
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, Y. Watanabe, M. Harada, Y. Kagei, T. Kirino, T. Hosoi, T. Shimura, S. Mitani, N. Nakano, and T. Nakamura
- 学会等名
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Barcelona, Spain
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Impact of a Treatment Combining Nitrogen Plasma Exposure And Forming Gas Annealing on Defect Passivation of SiO2/SiC Interfaces2008
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, et al.
- 学会等名
  7th European Conference on Si 1 icon Carbideand Related Materials
- 発表場所
  バルセロナ(スペイン)
- 年月日
  2008-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] AlON/ SiO_2 Stacked Gate Dielectrics for 4H-SiC MIS Devices2008
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, M. Harada, Y. Kagei, Y. Watanabe, T. Shimura, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, and H. Watanabe
- 学会等名
  7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Barcelona, Spain
- 年月日
  2008-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Origins of interface dipoles at p-metal/Hf-based high-k gate stacks2008
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, et.al.
- 学会等名
  International Conference on Quantum Simulators and Design
- 発表場所
  東京都江東区(未来科学館)
- 年月日
  2008-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19019010
[学会発表] 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構2008
- 著者名/発表者名
  渡部平司, 他
- 学会等名
  半導体・集積回路技術第72回シンポジウム
- 発表場所
  東京都小金井市(東京農工大)(招待講演)
- 年月日
  2008-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19019010
[学会発表] Application of synchrotron x-ray diffraction methods to gate stacks of advanced MOS devices2008
- 著者名/発表者名
  Invited: T. Shimura, T. Inoue, Y. Okamoto, T. Hosoi, A. Ogura, O. Sakata, S. Kimura, H. Edo, S. Iida, H. Watanabe
- 学会等名
  213^<th> ECS Meeting
- 発表場所
  Phoenix, AZ, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Electric properties of 4H-SiC MIS devices with AlON/SiO_2 stacked gate dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  Y. Watanabe, et. al.
- 学会等名
  2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2007-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19676001
[学会発表] Thermal and humidity stability of Ge_3N_4 thin layers fabricated by high-density plasma nitridation2007
- 著者名/発表者名
  K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, H. Watanabe
- 学会等名
  International Semiconductor Device Research Symposium
- 発表場所
  Maryland, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063012
[学会発表] Interface engineering by PVD-based in -situ fabrication method for advanced metal/high-k gate stacks2007
- 著者名/発表者名
  H, Watanabe, et. al.
- 学会等名
  211th ECS Meeting
- 発表場所
  米国シカゴ
- 年月日
  2007-05-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19019010
[学会発表] 真空一貫固相反応PvD成膜によるTiN/HfSiON pMISFETの特性改善2007
- 著者名/発表者名
  渡部平司, 他
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19019010
[学会発表] Electric properties of 4H-SiC MIS devices with AlON/SiO2 stacked gate dielectrics2007
- 著者名/発表者名
  Y. Watanabe, et. al.
- 学会等名
  2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
- 発表場所
  Osaka, Japan
- 年月日
  2007-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360019
[学会発表] 金属/High-k界面のプロセス依存性の評価と理解2007
- 著者名/発表者名
  渡部平司, 他
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19019010
[学会発表] 先進パワーデバイスにおける新規ゲート絶縁膜開発
- 著者名/発表者名
  渡部平司, 細井卓治
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] Fabrication of GeSn-on-insulator Structure by Utilizing Lateral Liquid-Phase Epitaxy
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  The 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2014-12-10 – 2014-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面欠陥の検出
- 著者名/発表者名
  福島悠太、アランフルカン、樋口直樹、チャンタパンアタウット、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  愛知県産業労働センターウインクあいち（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-11-19 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] Fabrication of GeSn-on-insulator Structure by Utilizing Lateral Liquid-Phase Epitaxy
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2014-12-10 – 2014-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Understanding of Bias-Temperature Instability due to Mobile Ions in SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices
- 著者名/発表者名
  A. Chanthaphan, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会」
- 発表場所
  東レ研修センター（静岡県三島市）
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面欠陥の検出
- 著者名/発表者名
  福島悠太、アランフルカン、樋口直樹、チャンタパンアタウット、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  愛知県産業労働センターウインクあいち（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-11-19 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化 SiO2 /SiC 構造の評価
- 著者名/発表者名
  福島悠太，Furkan Alan，樋口直樹，Atthawut Chanthaphan，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面欠陥の検出
- 著者名/発表者名
  福島悠太, チャンタパンアタウット, 永井大介, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] NOアニールを施したSiC MOSデバイスのフラットバンド電圧安定性
- 著者名/発表者名
  勝義仁, 細井卓治, 南園悠一郎, 木本恒暢, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長によって作製した絶縁体上GeSnワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調技術
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 梶村恵子, 松江将博, 細井卓治, 志村孝功, 渡部平司
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会」
- 発表場所
  東レ研修センター, 静岡県三島市
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 急速加熱処理により作製したGeSn-on-quartz構造のフォトルミネッセンス測定
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 梶村恵子, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Understanding of Bias-Temperature Instability due to Mobile Ions in SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices
- 著者名/発表者名
  チャンタパンアタウット, 中野佑紀, 中村孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第２０回研究会)
- 発表場所
  東レ研修センター、三島市
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面欠陥の検出
- 著者名/発表者名
  福島悠太, チャンタパンアタウット, 永井大介, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] 高温熱酸化による4H-SiC MOSキャパシタの電気特性改善
- 著者名/発表者名
  鄭彦宏、Chanthaphan Atthawut、許恒宇、楊謙、劉新宇、趙艷黎、李誠譫、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  愛知県産業労働センターウインクあいち（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-11-19 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14F04359
[学会発表] Synchrotron radiation photoemission spectroscopy study of SiO2/4H-SiC(0001) interfaces with NO annealing
- 著者名/発表者名
  細井卓治, 南園悠一郎, 木本恒暢, 吉越章隆, 寺岡有殿, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  10th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2014)
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-21 – 2014-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長法により形成したGeSn-on-insulator層の電気特性評価
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] Schottky Barrier Height Reduction of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation for Metal Source/Drain Ge CMOS Devices
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
- 発表場所
  Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto
- 年月日
  2014-06-19 – 2014-06-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 4H-SiC(0001)面の熱酸化における酸化種と酸化速度の関係
- 著者名/発表者名
  永井大介, 福島悠太, 勝義仁, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  愛知県産業労働センター、名古屋市
- 年月日
  2014-11-19 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] Diffusivity of Mobile Ions Inherent to Thermal SiO2/SiC Structures in Deposited SiO2 Gate Dielectrics
- 著者名/発表者名
  チャンタパン　アタウット、中野佑紀、中村孝、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  第74回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長法により形成したGeSn-on-insulator層の電気特性評価
- 著者名/発表者名
  梶村恵子，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相成長法で作製したSi基板上GeSn細線の初期結晶方位とその安定性
- 著者名/発表者名
  冨永幸平，梶村恵子，天本隆史，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 急速加熱処理により作製したGeSn-on-quartz構造のフォトルミネッセンス測定
- 著者名/発表者名
  天本隆史, 冨永幸平, 梶村恵子, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第62回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] 横方向液相成長法で作製したSi基板上GeSn細線の初期結晶方位とその安定性
- 著者名/発表者名
  冨永幸平，梶村恵子，天本隆史，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360120
[学会発表] Sub-1-nm EOT Schottky Source/Drain Germanium CMOS Technology with Low-temperature Self-aligned NiGe/Ge Junctions
- 著者名/発表者名
  T. Hosoi, Y. Minoura, R. Asahara, H. Oka, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
- 発表場所
  Honolulu, HI, USA
- 年月日
  2014-06-08 – 2014-06-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028
[学会発表] 4H-SiC(0001)面のウェット酸化における水分子の役割
- 著者名/発表者名
  永井大介, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] Electrical and physical properties of SiO2 gate dielectrics grown on 4H-SiC
- 著者名/発表者名
  細井　卓治、上西　悠介、チャンタパン　アタウット、池口　大輔、中野　佑紀、中村　孝、志村　考功、渡部　平司
- 学会等名
  The 8th international conference on advanced materials upon the proven concept and continues the tradition of its seven predecessors (THERMEC2013)
- 発表場所
  Las Vegas, NV, USA
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] カソードルミネッセンス法による熱酸化 SiO2 /SiC 構造の評価
- 著者名/発表者名
  福島悠太，Furkan Alan，樋口直樹，Atthawut Chanthaphan，細井卓治，志村考功，渡部平司
- 学会等名
  第75回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630124
[学会発表] AlON/SiO2積層ゲート絶縁膜によるSiC MOSデバイスのBTI特性改善
- 著者名/発表者名
  チャンタパン　アタウット、中野佑紀、中村孝、細井卓治、志村考功、渡部平司
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24686008
[学会発表] Engineering of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation after Germanidation for Metal S/D Ge CMOS Technology
- 著者名/発表者名
  H. Oka, Y. Minoura, R. Asahara, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
- 学会等名
  IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  San Diego, CA, USA
- 年月日
  2014-12-10 – 2014-12-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246028

1. 志村孝功 (90252600)

共同の研究課題数: 11件

共同の研究成果数: 106件
2. 細井卓司 (90452466)

共同の研究課題数: 8件

共同の研究成果数: 103件
3. CHANTHAPHAN ATTHAWUT

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 60件
4. 財満鎭明 (70158947)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 小川正毅 (10377773)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
6. 酒井朗 (20314031)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 坂下満男 (30225792)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 近藤博基 (50345930)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 中塚理 (20334998)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 安武潔 (80166503)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件
11. 大参宏昌 (00335382)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件
12. 國吉望月 (40897443)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
13. 染谷満 (60783644)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 小林拓真 (20827711)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 安武裕輔

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
16. 吉越章隆

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件
17. 寺岡有殿

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

渡部 平司 Watanabe Heiji

研究課題

研究成果

共同研究者

炭化ケイ素半導体ヘテロ界面科学の再構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

炭化珪素半導体MOS界面科学と界面設計指針の再構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

界面反応制御を基軸とした高効率高信頼性GaN半導体MOSデバイスの創成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ビーム励起界面反応によるSiC-MOS界面欠陥の崩壊と選択修復研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

先端ゲートスタックプロセスによる高信頼性ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

相界面反応制御技術を基軸とした混晶材料の設計と新機能発現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ビーム励起界面反応によるSiCパワーデバイスへテロ界面改質技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子制御プロセスによる超薄MOS構造の作製とその伝導特性および界面物性の解析研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

渡部平司 Watanabe Heiji

[図書] 「システムオンパネルをめざした低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発」第2編第6章"Ge核を用いたSi薄膜の低温結晶化技術"(監修浦岡行治)2007

[図書] システムオンパネルをめざした低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発(第2編第6章 Ge核を用いたSi薄膜の低温結晶化技術)(監修浦岡行治)2007