牛頭信一郎 Gozu Shinichirou

研究者番号	90392729
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 2015年度 – 2016年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 2008年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 産総研特別研究員 2008年度: 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 特別研究員 2007年度: 産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 一号職員
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器研究代表者以外理工系
キーワード	研究代表者光吸収 / 漏れ電流 / 吸収線幅 / ＭＢＥ / ＱＷＩＰ / 暗電流 / 相互拡散 / 分子線エピタキシ / サブバンド間遷移 / 光検出器 … もっと見る研究代表者以外 … もっと見るドーピング濃度 / 不均一広がり / 均一広がり / 位相緩和時間 / 歪補償 / 光閉じ込め / AlAsSb / AlAs / InGaAs / サブバンド間遷移スイッチ / 屈折率 / フォトリフレクタンス / 超高速全光スイッチ / 超高速光信号処理 / ピコ秒 / 周期構造 / 有効質量 / バンドオフセット / 歪補償量子井戸構造 / 超薄膜結合量子井戸 / 超高速ゲートスイッチ / MBE / 全光位相変調効果 / サブバンド間遷移 / 量子井戸隠す

通信波長帯動作するサブバンド間遷移フォトダイオードの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  牛頭信一郎
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所
超高速全光スイッチの低エネルギー動作化と全光信号処理デバイスへの展開
- 研究代表者
  
  石川浩
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2016 2014 2009 2008 2007

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of AlAsSb/AlAs/InGaAs coupled double quantum wells with extremely thin AlAs-center-barrier2009
- 著者名/発表者名
  S. Gozu, T. Mozume, and H. Ishikawa
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth vol.311
  
  ページ: 1700-1702
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[雑誌論文] Cross Phase modulation efficiency enhancement in In_<0.8>Ga_<0.2>As/Al_<0.5>Ga_<0.5>As/AlAs_<0.56>Sb_<0.44> coupled double quantum wells by tailoring interband transition wavelength2009
- 著者名/発表者名
  S. Gozu, T. Mozume, R. Akimoto, K. Akita, G. Cong, and H. Ishikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express vol.2
- NAID
  10025085733
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[雑誌論文] Cross phase modulation efficiency enhancement in In_<0.8>Ga_<0.2>As/Al_<0.5>Ga_<0.5>As/AlAs_<0.56>Sb_<0.44> coupled double quantum wells by tailoring interband transition wavelength2009
- 著者名/発表者名
  S. Gozu, et al.
- 雑誌名
  
  Appl. Physics Express 2
  
  ページ: 42201-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of AlAsSb/AlAs/InGaAs coupled double quantum wells with extremely thin AlAs-center-barrier2009
- 著者名/発表者名
  S. Gozu et al.
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth 311
  
  ページ: 1700-1702
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] InGaAs/AlAs/InAlAs結合量子井戸の光吸収特性の成長温度依存性2016
- 著者名/発表者名
  牛頭信一郎
- 学会等名
  2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420333
[学会発表] Growth Temperature Dependence of Optical Absorption Feature of Coupled Double Quantum Wells2016
- 著者名/発表者名
  牛頭信一郎
- 学会等名
  The 32nd North American Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Gideon Putnam Hotel, Saratoga Springs, New York, USA
- 年月日
  2016-09-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420333
[学会発表] ミニバンド構造を有する結合量子井戸のサブバンド間遷移光吸収特性2014
- 著者名/発表者名
  牛頭信一郎, 物集照夫
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420333
[学会発表] 薄いAlAs 層を有するIn0.8Ga0.2As/AlAs/AlAs0.56Sb0.44結合量子井戸のMBE成長 (査読無し)2009
- 著者名/発表者名
  牛頭信一郎, 他
- 学会等名
  第69回応用物理学会秋季学術講講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] サブバンド・バンド間遷移波長を制御したIn_<0.8>Ga_<0.2>As/AlGaAs/AlAs_<0.56>Sb_<0.44>結合量子井戸 (査読なし)2009
- 著者名/発表者名
  牛頭信一郎, 他
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] サブバンド・バンド間遷移波長を制御したIn0.8Ga0.2As/AlGaAs/Al0.56Sb0.44結合量子井戸2009
- 著者名/発表者名
  牛頭信一郎, 他
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学、つくば市
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Plasma reflection from highly Si-doped InGaAs/AlAsSb quantum wells (査読あり)2008
- 著者名/発表者名
  S. Gozu, T. Mozume, and H. Ishikawa
- 学会等名
  The Int. Conf. on the Physics of Semiconductors 29
- 発表場所
  Rio de Janeiro
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Refractive index study of n-type InGaAs grown on InP substrate (査読あり)2008
- 著者名/発表者名
  S. Gozu T. Mozume and H. Ishikawa
- 学会等名
  International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Versailles France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Interband transitions in strained InGaAs/AlAsSb multiple-quantum-well structures (査読あり3)2008
- 著者名/発表者名
  T. Mozume and S. Gozu
- 学会等名
  International Conference on Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Molecular beam epitaxy of AlAsSb/AlAs/InGaAs coupled quantum wells with extremely thin AlAs-center-barrier2008
- 著者名/発表者名
  S. Gozu
- 学会等名
  International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- 年月日
  2008-08-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Room temperature photoreflectance study of InGaAs/AlAsSb quantum wells (査読あり)2008
- 著者名/発表者名
  T. Mozume and S. Gozu
- 学会等名
  International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Versailles France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] n 型キャリヤ密度依存InGaAs 屈折率変化の解析 (査読なし)2008
- 著者名/発表者名
  牛頭信一郎, 他
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Molecular beam epitaxy of AlAsSb/AlAs/InGaAs coupled quantum wells with extremely thin AlAs-center-barrier (査読あり)2008
- 著者名/発表者名
  S. Gozu et al.
- 学会等名
  Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Vancouver, Canada
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] Refractive index study of n-type InGaAs grown on InP substrates2008
- 著者名/発表者名
  S. Gozu, et al.
- 学会等名
  International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Versailles, France
- 年月日
  2008-05-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] 薄いAlAs層を有するIn0.8Ga0.2As/AlAs/AlAs0.56Sb0.44結合量子井戸のMBE成長2008
- 著者名/発表者名
  牛頭信一郎, 他
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学愛知県
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] n型キャリア密度依存InGaAs屈折率変化の解析2008
- 著者名/発表者名
  牛頭信一郎
- 学会等名
  第68回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] InGaAs屈折率のn型キャリア濃度依存性2007
- 著者名/発表者名
  牛頭信一郎
- 学会等名
  InGaAs屈折率のn型キャリア濃度依存性
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2007-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013
[学会発表] InGaAs屈折率のn型キャリヤ濃度依存性 (査読なし)2007
- 著者名/発表者名
  牛頭信一郎, 他
- 学会等名
  第68回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17068013

1. 石川浩 (50392585)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
2. 物集照夫 (20399497)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
3. 永瀬成範 (80399500)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 河島整 (90356840)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 杉本喜正 (60415784)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 池田直樹 (10415771)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 秋本良一 (30356349)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
8. 挾間壽文 (90357765)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 鍬塚治彦 (40417150)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 秋田一路 (50470050)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
11. 小笠原剛 (00392598)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. GUAN Lim Cheng (10470048)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

牛頭 信一郎 Gozu Shinichirou

研究課題

研究成果

共同研究者

通信波長帯動作するサブバンド間遷移フォトダイオードの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

超高速全光スイッチの低エネルギー動作化と全光信号処理デバイスへの展開

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of AlAsSb/AlAs/InGaAs coupled double quantum wells with extremely thin AlAs-center-barrier2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Cross Phase modulation efficiency enhancement in In_<0.8>Ga_<0.2>As/Al_<0.5>Ga_<0.5>As/AlAs_<0.56>Sb_<0.44> coupled double quantum wells by tailoring interband transition wavelength2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Cross phase modulation efficiency enhancement in In_<0.8>Ga_<0.2>As/Al_<0.5>Ga_<0.5>As/AlAs_<0.56>Sb_<0.44> coupled double quantum wells by tailoring interband transition wavelength2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of AlAsSb/AlAs/InGaAs coupled double quantum wells with extremely thin AlAs-center-barrier2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] InGaAs/AlAs/InAlAs結合量子井戸の光吸収特性の成長温度依存性2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Growth Temperature Dependence of Optical Absorption Feature of Coupled Double Quantum Wells2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] ミニバンド構造を有する結合量子井戸のサブバンド間遷移光吸収特性2014

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 薄いAlAs 層を有するIn0.8Ga0.2As/AlAs/AlAs0.56Sb0.44結合量子井戸のMBE成長 (査読無し)2009

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] サブバンド・バンド間遷移波長を制御したIn_<0.8>Ga_<0.2>As/AlGaAs/AlAs_<0.56>Sb_<0.44>結合量子井戸 (査読なし)2009

著者名/発表者名

学会等名

年月日

データソース

[学会発表] サブバンド・バンド間遷移波長を制御したIn0.8Ga0.2As/AlGaAs/Al0.56Sb0.44結合量子井戸2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Plasma reflection from highly Si-doped InGaAs/AlAsSb quantum wells (査読あり)2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Refractive index study of n-type InGaAs grown on InP substrate (査読あり)2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Interband transitions in strained InGaAs/AlAsSb multiple-quantum-well structures (査読あり3)2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

牛頭信一郎 Gozu Shinichirou