小林康之 Kobayashi Yasuyuki

研究者番号	90393727
所属 (現在)	2025年度: 弘前大学, 理工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度 – 2024年度: 弘前大学, 理工学研究科, 教授 2006年度 – 2013年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 2012年度: 日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 2009年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部・薄膜材料研究グループ, 主幹研究員 2008年度: 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 主幹研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外応用物性・結晶工学 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス
キーワード	研究代表者六方晶窒化ホウ素 / 分子線エピタキシー / 半導体物性 / 結晶成長 / 半導体 / 窒化物半導体 / GaN / MBE / BN / 金属バッファ―層 … もっと見る / 金属基板 / ガラス基板 / 窒化ホウ素 / 分子線エピタキシー装置 / 機械的転写 / GaN系薄膜 / 六方晶BN / エピタキシャル成長 / 光物性 … もっと見る研究代表者以外結晶成長 / 超格子 / 表面・界面物性 / 光物性 / 無転位 / ステップフリー / 窒化物半導体 / 量子井戸 / 半導体物性 / エピタキシャル成長 / エッチング / エタノール / 微傾斜基板 / 供給律速 / ホモエピタキシャル成長 / 成長過程 / エチレン / 分子線エピタキシ法 / Ｘ線光電子分光 / 表面拡散 / 単結晶領域 / ヘテロエピタキシャル成長 / 界面反応 / 分子線エピタキシャル成長法 / X線光電子分光 / 拡散長 / 相互作用 / ヘテロ成長 / 欠陥 / 六方晶窒化硼素 / 分子線エピタキシャル成長 / グラフェン / ナノ構造形成・制御隠す

金属バッファ層上層状窒化ホウ素を用いたGaN系デバイス構造成長とその機械的転写研究代表者
- 研究代表者
  
  小林康之
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  弘前大学
層状BNを用いた大面積可能な金属基板、ガラス基板上へのGaN系デバイス成長研究代表者
- 研究代表者
  
  小林康之
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  弘前大学
層状BNを用いたGaN系デバイスの機械的転写研究代表者
- 研究代表者
  
  小林康之
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  弘前大学
分子線エピタキシャル成長によるウエハスケールグラフェン形成
- 研究代表者
  
  前田文彦
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ材料・ナノバイオサイエンス
- 研究機関
  日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所
窒化物半導体ステップフリーヘテロ構造の研究
- 研究代表者
  
  赤坂哲也
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
六方晶BN窒化物半導体に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  小林康之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, H. Gotoh, Y. Kobayashi, and H. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Advanced Materials
  
  巻: 24 号: 31 ページ: 4296-4300
- DOI
  10.1002/adma.201200871
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface、Advanced.2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、H. Gotoh、Y. Kobayashi、H. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Materials
  
  巻: Vol. 24 ページ: 4296-4300
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也, 小林康之, 嘉数誠
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: Vol.38 No.4 ページ: 221-226
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] 表面過飽和度制御によるGaN ステップフリー面の形成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会論文誌
  
  巻: Vol. 38 ページ: 221-226
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Supersaturation in nucleus and spiral growth of GaN in metal organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi, Makoto Kasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Nucleus and spiral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol. 3 ページ: 75602-75602
- NAID
  10026495564
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] 六方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長とその紫外発光特性2010
- 著者名/発表者名
  小林康之、C.L. Tsai、赤坂哲也
- 雑誌名
  
  表面科学 31巻
  
  ページ: 99-105
- NAID
  10026319493
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] 六方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長とその紫外発光特性2010
- 著者名/発表者名
  小林康之、蔡俊瓏、赤坂哲也
- 雑誌名
  
  表面科学 31
  
  ページ: 99-105
- NAID
  10026319493
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Supersaturation in nucleus and spiral growth of GaN in metal organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: Vol. 97 ページ: 141902-141902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Nucleus and spiral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi, Makoto Kasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10026495564
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Optical band gap of h-BN epitaxial film grown on c-plane sapphire substrate2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, C-L.Tsai, T.Akasaka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) (掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Optical band gap of h-BN epitaxial film grown on c-plane sapphire substrate2010
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、C.L. Tsai、T. Akasaka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(111) substrate2009
- 著者名/発表者名
  C.L. Tsai、T. Akasaka、Y. Kobayashi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.311
  
  ページ: 3054-3057
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Hexogonal boron nitride grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Akasaka、T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.310
  
  ページ: 5048-5052
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Hexagonal BN epitaxial growth on(0001)sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka
- 雑誌名
  
  Journal of crystal growth Vol.310
  
  ページ: 5044-5047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Hexagonal boron nitride grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka, T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 5048-5052
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 5044-5047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Akasaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.310
  
  ページ: 5044-5047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Boron Nitride Thin Films Grown on Graphitized <6H-SiC> Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, H.Hibino, T.Nakamura, T.Akasaka, T.Makimoto, N.Matsumoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 2554-2557
- NAID
  210000062433
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] BGaN micro-islands as novel buffers fro growth of high quality GaN on sapphire2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 320-324
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Nonpolar A1BN(1120) and(1100) films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] BGaN micro-islands as novel buffers for growth of high-quality GaN on sapphire2007
- 著者名/発表者名
  T.Akasaka, Y.Kobayashi, T.Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 320-324
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111) grown by flow-rate modulation epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Nakamura、T. Akasaka、T. Makimoto、N. Matsumoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(b) Vol.244
  
  ページ: 1789-1792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Nonpolar AlBN(1120)and(1100)films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111) grown by flow-rate modulation epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, T.Nakamura, T.Akasaka, T.Makimoto, N.Matsumoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b) 244
  
  ページ: 1789-1792
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Nonpolar AlBN (1120) and (1100) films grown on SiC substrate2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111)grown by flow-rate modulation epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Nakamura, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(b) Vol.244
  
  ページ: 1789-1792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Boron Nitride Thin Films Grown on Graphitized 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, H. Hibino, T. Nakamura, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
- 雑誌名
  
  Japanese Jounal of Applied Physics Vol.46
  
  ページ: 2554-2557
- NAID
  210000062433
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] MBEによるCu(111)バッファ層を用いたサファイア基板上BN成長2023
- 著者名/発表者名
  籾山　貴、小豆畑敬、中澤日出樹、廣木正伸、熊倉一英、小林康之
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23236
[学会発表] Growth of BN on Sapphire Substrates Using Cu (111) Buffer Layers by MBE2023
- 著者名/発表者名
  T. Momiyama, K. Kimura, T. Azuhata, H. Nakazawa, M. Hiroki, K.Kumakura, Y. Kobayashi
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K23236
[学会発表] Plasma-assisted MBE Grown h-BN Thin Films on Glass Substrates2022
- 著者名/発表者名
  N. Hatakeyama, T. Azuhata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura, and Y. Kobayashi
- 学会等名
  14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] MOVPE and MBE Growth of GaN-based Heterostructures on h-BN Release Layers2021
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, M. Hiroki, and K. Kumakura
- 学会等名
  Epitaxy on 2D materials for layer release and their applications
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] MBEによるガラス基板上h-BN薄膜の膜厚評価2021
- 著者名/発表者名
  畠山直樹、小豆畑敬、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英、小林康之
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] 六方晶窒化ホウ素リリース層上の窒化物半導体成長とその応用2020
- 著者名/発表者名
  小林康之、廣木正伸、熊倉一英
- 学会等名
  令和元年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] MBEによるAlN/h-BNバッファ層上GaN薄膜のエピタキシャル成長2020
- 著者名/発表者名
  原田文矢、中澤日出樹、岡本　浩、廣木正伸、熊倉一英、小林康之
- 学会等名
  2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] MBEによるガラス基板上BN薄膜成長2019
- 著者名/発表者名
  小林康之、中田啓一、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN Thin Films on Sapphire Substrates Using h-BN/AlN Buffer Layers2019
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura
- 学会等名
  11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] ガラス基板上MBE成長BN薄膜のラマン散乱2019
- 著者名/発表者名
  小林康之、小豆畑敬、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18H01886
[学会発表] Growth of GaN-based Semiconductors on h-BN Release Layers2018
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Nakata, M. Hiroki, K. Kumakura
- 学会等名
  4th Intensive Discussion on Nitride Semiconductor
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] MBEによるh-BNバッファ層を用いた(0001)サファイア基板上GaN成長2018
- 著者名/発表者名
  小林康之、中田啓一、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] h-BN/AlNバッファ層を用いたサファイア基板上GaN薄膜のMBE成長2018
- 著者名/発表者名
  小林康之、中田啓一、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] Growth of Single-Crystal (0001) GaN Films on (0001) Sapphire Substrates Using h-BN Buffer Layers by Molecular Beam Epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] Boron Nitride Thin Films Grown on (0001) Sapphire Substrates by Molecular Beam Epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Kimura, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] MBEによる(0001)サファイア基板上BN薄膜成長2017
- 著者名/発表者名
  小林康之、木村拓磨、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246015
[学会発表] グラフェン積層接合の電気特性2014
- 著者名/発表者名
  茶谷洋光,奥村俊夫,伊澤輝記,井口宗明,中島健志,小林慶祐,呉龍錫,有月琢哉,松本卓也,永瀬雅夫,前田文彦,日比野浩樹
- 学会等名
  第61回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学（相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22310077
[学会発表] Step-free界面を有するInN/GaN単一量子井戸からの紫色狭線発光2012
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也，後藤秀樹，小林康之，山本秀樹
- 学会等名
  第73回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  愛媛　松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Extremely narrow violet photoluminescence line from ultrathin InN single quantum well on step-free GaN surface2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、H. Gotoh、Y. Kobayashi、H. Yamamoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  札幌(招待講演)
- 年月日
  2012-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Study of nucleus and spiral growth mechanisms of GaN using selective-area MOVPE on GaN bulk substrate2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、C.-H. Lin、H. Yamamoto
- 学会等名
  Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  仙台(招待講演)
- 年月日
  2012-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Extremely narrow violet photoluminescence line from ultrathin InN single quantum well on step-free GaN surface2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, H. Gotoh, Y. Kobayashi, and H. Yamamoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Study of nucleus and spiral growth mechanisms of GaN using selective-area MOVPE on GaN bulk substrate2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi, C. H. Lin, and H. Yamamoto
- 学会等名
  Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Step-free 界面を有するInN/GaN 単一量子井戸からの紫色狭線発光2012
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、後藤秀樹、小林康之、山本秀樹
- 学会等名
  秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山(13a-H9-9)
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Formation of a Step-Free Ultrathin InN Layer on a Step-Free GaN Surface2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, A. Berry, Y. Kobayashi, and H. Yamamoto
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Formation of a Step-Free Ultrathin InN Layer on a Step-Free GaN Surface2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、A. Berry、Y. Kobayashi、H. Yamamoto
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2012-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Formation of step-free GaN surface at low temperature of 770 oC by controlling surface supersaturation2011
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  グラスゴー(英国)
- 年月日
  2011-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] 表面過飽和度制御によるGaN ステップフリー面の形成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  福岡(招待講演IN3)
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Formation of step-free GaN surface at low temperature of 770C by controlling surface supersaturation2011
- 著者名/発表者名
  T.Akasaka, Y.Kobayashi, M.Kasu
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  SECCカンファレンスセンター,(グラスゴー,UK)
- 年月日
  2011-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Surface Supersaturation in Nucleus and Spiral Growth of GaN in MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2011-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] GaN のMOVPE成長における表面過飽和度に及ぼすキャリアガスの影響2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木(26a-BY-5)
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] MOVPE 選択成長によるGaN ステップフリー面上へのInN核生成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之
- 学会等名
  2011 年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形(31p-ZE-15)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Surface Supersaturation in Nucleus and Spiral Growth of GaN in MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  T.Akasaka, Y.Kobayashi, M.Kasu
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
- 発表場所
  ウインクあいち(名古屋市)
- 年月日
  2011-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] MOVPE選択成長によるGaNステップフリー面上へのInN核生成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也, 小林康之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形市)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也, 小林康之, 嘉数誠
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス(春日市)(招待講演)
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vaporphase epitaxy(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi, Makoto Kasu
- 学会等名
  3rd International Symposium on Growth of III-nitrides
- 発表場所
  コラム(モンペリエ,フランス)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Nucleus and spiral growth of GaN studied by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi Makoto Kasu
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京大学(東京都)
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 学会等名
  3rd International Symposium on Growth of III-nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  モンペリエ(フランス)(招待講演)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] 窒化ガリウムのステップフリー面の作製と成長機構2010
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
- 学会等名
  真空・表面科学合同講演会
- 発表場所
  大阪(4Ca-06)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] MOVPEにおけるGaNスパイラルおよび核成長速度の基板温度依存性評価2010
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也, 小林康之, 嘉数誠
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] MOVPE におけるGaN スパイラルおよび核成長速度の基板温度依存性評価2010
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎(15p-C-6)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Nucleus and spiral growth of GaN studied by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Near Band-Gap Luminescnece of Hexagonal Boron Nitride Grown on Ni(111) Substrtae by Plasma-assisted MBE2009
- 著者名/発表者名
  C.L. Tsai、Y. Kobayashi、T. Akasaka、M. Kasu
- 学会等名
  Electronic Materials Conference
- 発表場所
  アメリカ、ペンシルベニア
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Near Band-Gap Luminescence of Hexagonal Boron Nitride Grown on Ni(111)Substrate by Plasma-assisted MBE2009
- 著者名/発表者名
  C.L.Tsai, Y.Kobayashi, T.Akasaka, M.Kasu
- 学会等名
  Electronic Materials Conference
- 発表場所
  アメリカ、ペンシルベニア州
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Optical Band Gap of Hexagonal BN Epitaxial Film Grown on c-Plane Sapphire Substrate2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, C.L.Tsai, T.Akasaka
- 学会等名
  8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  韓国、済州島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Hexagonal BN Epitaxial Growth by Flow-Rate Modulation Epitaxy on MBE-Grown h-BN Buffer Layer2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, C.L.Tsai, T.Akasaka
- 学会等名
  8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  韓国、済州島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Optical band gap of hexagonal boron nitride epitaxial film grown on c-plane sapphire substrate2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, T.Akasaka
- 学会等名
  2009 Asia-Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors
- 発表場所
  韓国、慶州
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Hexagonal BN epitaxial growth on(0001)sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka
- 学会等名
  14^<th> International conference on metal organic vapor phase epitaxy
- 発表場所
  France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(111) substrtae2008
- 著者名/発表者名
  C.L. Tsai、T. Akasaka、Y. Kobayashi
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  日本、修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate2008
- 著者名/発表者名
  C. L. Tsai, Y. Kobayashi, T. Akasaka, M. Kasu
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth of III-Nitirides
- 発表場所
  日本、静岡、修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Boron Nitride grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Akasaka
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy、招待講演
- 発表場所
  フランス、メス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  フランス、メス市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Boron Nitiride grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  フランス、メス市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Akasaka
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  フランス、メス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(111)substrate2008
- 著者名/発表者名
  C. L.Tsai, Y. Kobayashi, T. Akasaka, M. Kasu
- 学会等名
  2^<nd> international symposium on growth of III-nitrides
- 発表場所
  日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Anisotropic in-plane strains in Al(B, Ga)N(1120)films grown on SiC(1120)2008
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi
- 学会等名
  2^<nd> international symposium on growth of III-nitrides
- 発表場所
  日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Anisotropic in-plane strains in Al (B, Ga) N (11-20) films grown on SiC (11-20)2008
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth of III-Nitirides
- 発表場所
  日本、静岡、修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Anisotropic in-plane strains in Al(B, Ga)N (11-20) films grown on SiC (11-20)2008
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  日本、修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] In-situ monitoring of hexagonal BN flow-rate modulation epitaxy by shallow-angle reflectance using ultraviolet light2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Miyamoto、T. Akasaka、T. Makimoto、N. Matsumoto
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  アメリカ、ソルトレイク
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Nonpolar AlBN (1120) and (1100) films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride semiconductors
- 発表場所
  アメリカ、ラスベガス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Nonpolar A1BN(1120) and(1100) films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  アメリカ、ラスベガス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] In-situ monitoring of hexagonal BN flow-rate modulation epitaxy by shallow-angle reflectance using ultraviolet light2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, M. Miyamoto, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  アメリカ,ソルトレイクシティ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004

1. 中澤日出樹 (90344613)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 13件
2. 赤坂哲也 (90393735)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 72件
3. 後藤秀樹 (10393795)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 6件
4. 岡本浩 (00513342)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 11件
5. 小豆畑敬 (20277867)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 5件
6. 牧本俊樹 (50374070)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
7. 西川敦 (60417095)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 中野秀俊 (90393793)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 俵毅彦 (40393798)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 眞田治樹 (50417094)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 前田文彦 (70393741)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
12. 日比野浩樹 (60393740)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
13. 嘉数誠 (50393731)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 20件
14. 熊倉一英

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
15. 廣木正伸

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件

小林 康之 Kobayashi Yasuyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

金属バッファ層上層状窒化ホウ素を用いたGaN系デバイス構造成長とその機械的転写研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

層状BNを用いた大面積可能な金属基板、ガラス基板上へのGaN系デバイス成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

層状BNを用いたGaN系デバイスの機械的転写研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

分子線エピタキシャル成長によるウエハスケールグラフェン形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体ステップフリーヘテロ構造の研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

六方晶BN窒化物半導体に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface、Advanced.2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 表面過飽和度制御によるGaN ステップフリー面の形成2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Supersaturation in nucleus and spiral growth of GaN in metal organic vapor phase epitaxy2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Nucleus and spiral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] 六方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長とその紫外発光特性2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] 六方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長とその紫外発光特性2010

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Supersaturation in nucleus and spiral growth of GaN in metal organic vapor phase epitaxy2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

小林康之 Kobayashi Yasuyuki