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小林 康之  Kobayashi Yasuyuki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90393727
所属 (現在) 2025年度: 弘前大学, 理工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2014年度 – 2024年度: 弘前大学, 理工学研究科, 教授
2006年度 – 2013年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員
2012年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員
2009年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部・薄膜材料研究グループ, 主幹研究員
2008年度: 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 主幹研究員
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス
キーワード
研究代表者
六方晶窒化ホウ素 / 分子線エピタキシー / 半導体物性 / 結晶成長 / 半導体 / 窒化物半導体 / GaN / MBE / BN / 金属バッファ―層 … もっと見る / 金属基板 / ガラス基板 / 窒化ホウ素 / 分子線エピタキシー装置 / 機械的転写 / GaN系薄膜 / 六方晶BN / エピタキシャル成長 / 光物性 … もっと見る
研究代表者以外
結晶成長 / 超格子 / 表面・界面物性 / 光物性 / 無転位 / ステップフリー / 窒化物半導体 / 量子井戸 / 半導体物性 / エピタキシャル成長 / エッチング / エタノール / 微傾斜基板 / 供給律速 / ホモエピタキシャル成長 / 成長過程 / エチレン / 分子線エピタキシ法 / X線光電子分光 / 表面拡散 / 単結晶領域 / ヘテロエピタキシャル成長 / 界面反応 / 分子線エピタキシャル成長法 / X線光電子分光 / 拡散長 / 相互作用 / ヘテロ成長 / 欠陥 / 六方晶窒化硼素 / 分子線エピタキシャル成長 / グラフェン / ナノ構造形成・制御 隠す
  • 研究課題

    (6件)
  • 研究成果

    (89件)
  • 共同研究者

    (15人)
  •  金属バッファ層上層状窒化ホウ素を用いたGaN系デバイス構造成長とその機械的転写研究代表者

    • 研究代表者
      小林 康之
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2025
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      弘前大学
  •  層状BNを用いた大面積可能な金属基板、ガラス基板上へのGaN系デバイス成長研究代表者

    • 研究代表者
      小林 康之
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      弘前大学
  •  層状BNを用いたGaN系デバイスの機械的転写研究代表者

    • 研究代表者
      小林 康之
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      弘前大学
  •  分子線エピタキシャル成長によるウエハスケールグラフェン形成

    • 研究代表者
      前田 文彦
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  窒化物半導体ステップフリーヘテロ構造の研究

    • 研究代表者
      赤坂 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
  •  六方晶BN窒化物半導体に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      小林 康之
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2009
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2014 2012 2011 2010 2009 2008 2007

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface2012

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka, H. Gotoh, Y. Kobayashi, and H. Yamamoto
    • 雑誌名

      Advanced Materials

      巻: 24 号: 31 ページ: 4296-4300

    • DOI

      10.1002/adma.201200871

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [雑誌論文] Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface、Advanced.2012

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、H. Gotoh、Y. Kobayashi、H. Yamamoto
    • 雑誌名

      Materials

      巻: Vol. 24 ページ: 4296-4300

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [雑誌論文] 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成2011

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也, 小林康之, 嘉数誠
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌

      巻: Vol.38 No.4 ページ: 221-226

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [雑誌論文] 表面過飽和度制御によるGaN ステップフリー面の形成2011

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也、小林康之赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会論文誌

      巻: Vol. 38 ページ: 221-226

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [雑誌論文] Supersaturation in nucleus and spiral growth of GaN in metal organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi, Makoto Kasu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 97

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [雑誌論文] Nucleus and spiral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol. 3 ページ: 75602-75602

    • NAID

      10026495564

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [雑誌論文] 六方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長とその紫外発光特性2010

    • 著者名/発表者名
      小林康之、C.L. Tsai、赤坂哲也
    • 雑誌名

      表面科学 31巻

      ページ: 99-105

    • NAID

      10026319493

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] 六方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長とその紫外発光特性2010

    • 著者名/発表者名
      小林康之、蔡俊瓏、赤坂哲也
    • 雑誌名

      表面科学 31

      ページ: 99-105

    • NAID

      10026319493

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Supersaturation in nucleus and spiral growth of GaN in metal organic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: Vol. 97 ページ: 141902-141902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [雑誌論文] Nucleus and spiral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi, Makoto Kasu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3

    • NAID

      10026495564

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [雑誌論文] Optical band gap of h-BN epitaxial film grown on c-plane sapphire substrate2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Kobayashi, C-L.Tsai, T.Akasaka
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) (掲載確定)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Optical band gap of h-BN epitaxial film grown on c-plane sapphire substrate2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi、C.L. Tsai、T. Akasaka
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) (in press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(111) substrate2009

    • 著者名/発表者名
      C.L. Tsai、T. Akasaka、Y. Kobayashi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol.311

      ページ: 3054-3057

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Hexogonal boron nitride grown by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi、T. Akasaka、T. Makimoto
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol.310

      ページ: 5048-5052

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Hexagonal BN epitaxial growth on(0001)sapphire substrate by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, T. Akasaka
    • 雑誌名

      Journal of crystal growth Vol.310

      ページ: 5044-5047

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Hexagonal boron nitride grown by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, T. Akasaka, T. Makimoto
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 5048-5052

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, T. Akasaka
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 5044-5047

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi、T. Akasaka
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol.310

      ページ: 5044-5047

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Boron Nitride Thin Films Grown on Graphitized <6H-SiC> Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Kobayashi, H.Hibino, T.Nakamura, T.Akasaka, T.Makimoto, N.Matsumoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 2554-2557

    • NAID

      210000062433

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] BGaN micro-islands as novel buffers fro growth of high quality GaN on sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth Vol.298

      ページ: 320-324

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Nonpolar A1BN(1120) and(1100) films grown on SiC substrates2007

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] BGaN micro-islands as novel buffers for growth of high-quality GaN on sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T.Akasaka, Y.Kobayashi, T.Makimoto
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 320-324

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111) grown by flow-rate modulation epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi、T. Nakamura、T. Akasaka、T. Makimoto、N. Matsumoto
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(b) Vol.244

      ページ: 1789-1792

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Nonpolar AlBN(1120)and(1100)films grown on SiC substrates2007

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.91

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111) grown by flow-rate modulation epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Kobayashi, T.Nakamura, T.Akasaka, T.Makimoto, N.Matsumoto
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (b) 244

      ページ: 1789-1792

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Nonpolar AlBN (1120) and (1100) films grown on SiC substrate2007

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.91

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111)grown by flow-rate modulation epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, T. Nakamura, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(b) Vol.244

      ページ: 1789-1792

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [雑誌論文] Boron Nitride Thin Films Grown on Graphitized 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor phase Epitaxy2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, H. Hibino, T. Nakamura, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
    • 雑誌名

      Japanese Jounal of Applied Physics Vol.46

      ページ: 2554-2557

    • NAID

      210000062433

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] MBEによるCu(111)バッファ層を用いたサファイア基板上BN成長2023

    • 著者名/発表者名
      籾山 貴、小豆畑敬、中澤日出樹、廣木正伸、熊倉一英、小林康之
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K23236
  • [学会発表] Growth of BN on Sapphire Substrates Using Cu (111) Buffer Layers by MBE2023

    • 著者名/発表者名
      T. Momiyama, K. Kimura, T. Azuhata, H. Nakazawa, M. Hiroki, K.Kumakura, Y. Kobayashi
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23K23236
  • [学会発表] Plasma-assisted MBE Grown h-BN Thin Films on Glass Substrates2022

    • 著者名/発表者名
      N. Hatakeyama, T. Azuhata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura, and Y. Kobayashi
    • 学会等名
      14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01886
  • [学会発表] MOVPE and MBE Growth of GaN-based Heterostructures on h-BN Release Layers2021

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, M. Hiroki, and K. Kumakura
    • 学会等名
      Epitaxy on 2D materials for layer release and their applications
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01886
  • [学会発表] MBEによるガラス基板上h-BN薄膜の膜厚評価2021

    • 著者名/発表者名
      畠山直樹、小豆畑敬、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英、小林康之
    • 学会等名
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01886
  • [学会発表] 六方晶窒化ホウ素リリース層上の窒化物半導体成長とその応用2020

    • 著者名/発表者名
      小林康之、廣木正伸、熊倉一英
    • 学会等名
      令和元年度日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01886
  • [学会発表] MBEによるAlN/h-BNバッファ層上GaN薄膜のエピタキシャル成長2020

    • 著者名/発表者名
      原田文矢、中澤日出樹、岡本 浩、廣木正伸、熊倉一英、小林康之
    • 学会等名
      2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01886
  • [学会発表] MBEによるガラス基板上BN薄膜成長2019

    • 著者名/発表者名
      小林康之、中田啓一、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
    • 学会等名
      2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01886
  • [学会発表] Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN Thin Films on Sapphire Substrates Using h-BN/AlN Buffer Layers2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura
    • 学会等名
      11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26246015
  • [学会発表] ガラス基板上MBE成長BN薄膜のラマン散乱2019

    • 著者名/発表者名
      小林康之、小豆畑敬、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
    • 学会等名
      2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18H01886
  • [学会発表] Growth of GaN-based Semiconductors on h-BN Release Layers2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, K. Nakata, M. Hiroki, K. Kumakura
    • 学会等名
      4th Intensive Discussion on Nitride Semiconductor
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26246015
  • [学会発表] MBEによるh-BNバッファ層を用いた(0001)サファイア基板上GaN成長2018

    • 著者名/発表者名
      小林康之、中田啓一、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26246015
  • [学会発表] h-BN/AlNバッファ層を用いたサファイア基板上GaN薄膜のMBE成長2018

    • 著者名/発表者名
      小林康之、中田啓一、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26246015
  • [学会発表] Growth of Single-Crystal (0001) GaN Films on (0001) Sapphire Substrates Using h-BN Buffer Layers by Molecular Beam Epitaxy2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, K. Nakata, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura
    • 学会等名
      2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26246015
  • [学会発表] Boron Nitride Thin Films Grown on (0001) Sapphire Substrates by Molecular Beam Epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, T. Kimura, H. Nakazawa, H. Okamoto, M. Hiroki, K. Kumakura
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26246015
  • [学会発表] MBEによる(0001)サファイア基板上BN薄膜成長2017

    • 著者名/発表者名
      小林康之、木村拓磨、中澤日出樹、岡本浩、廣木正伸、熊倉一英
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26246015
  • [学会発表] グラフェン 積層 接合の電気特性2014

    • 著者名/発表者名
      茶谷洋光,奥村俊夫,伊澤輝記,井口宗明,中島健志,小林慶祐,呉龍錫,有月琢哉,松本卓也,永瀬雅夫,前田 文彦,日比野 浩樹
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原市)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22310077
  • [学会発表] Step-free界面を有するInN/GaN単一量子井戸からの紫色狭線発光2012

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也,後藤秀樹,小林康之,山本秀樹
    • 学会等名
      第73回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      愛媛 松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Extremely narrow violet photoluminescence line from ultrathin InN single quantum well on step-free GaN surface2012

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、H. Gotoh、Y. Kobayashi、H. Yamamoto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
    • 発表場所
      札幌(招待講演)
    • 年月日
      2012-10-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Study of nucleus and spiral growth mechanisms of GaN using selective-area MOVPE on GaN bulk substrate2012

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、Y. Kobayashi、C.-H. Lin、H. Yamamoto
    • 学会等名
      Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      仙台(招待講演)
    • 年月日
      2012-10-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Extremely narrow violet photoluminescence line from ultrathin InN single quantum well on step-free GaN surface2012

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka, H. Gotoh, Y. Kobayashi, and H. Yamamoto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Study of nucleus and spiral growth mechanisms of GaN using selective-area MOVPE on GaN bulk substrate2012

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka, Y. Kobayashi, C. H. Lin, and H. Yamamoto
    • 学会等名
      Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Step-free 界面を有するInN/GaN 単一量子井戸からの紫色狭線発光2012

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也、後藤秀樹、小林康之、山本秀樹
    • 学会等名
      秋季第73回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山(13a-H9-9)
    • 年月日
      2012-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Formation of a Step-Free Ultrathin InN Layer on a Step-Free GaN Surface2012

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka, A. Berry, Y. Kobayashi, and H. Yamamoto
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Formation of a Step-Free Ultrathin InN Layer on a Step-Free GaN Surface2012

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、A. Berry、Y. Kobayashi、H. Yamamoto
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2012-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Formation of step-free GaN surface at low temperature of 770 oC by controlling surface supersaturation2011

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      グラスゴー(英国)
    • 年月日
      2011-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] 表面過飽和度制御によるGaN ステップフリー面の形成2011

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
    • 学会等名
      第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      福岡(招待講演IN3)
    • 年月日
      2011-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Formation of step-free GaN surface at low temperature of 770C by controlling surface supersaturation2011

    • 著者名/発表者名
      T.Akasaka, Y.Kobayashi, M.Kasu
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      SECCカンファレンスセンター,(グラスゴー,UK)
    • 年月日
      2011-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Surface Supersaturation in Nucleus and Spiral Growth of GaN in MOVPE2011

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2011-09-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] GaN のMOVPE成長における表面過飽和度に及ぼすキャリアガスの影響2011

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
    • 学会等名
      春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      厚木(26a-BY-5)
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] MOVPE 選択成長によるGaN ステップフリー面上へのInN核生成2011

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也、小林康之
    • 学会等名
      2011 年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形(31p-ZE-15)
    • 年月日
      2011-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Surface Supersaturation in Nucleus and Spiral Growth of GaN in MOVPE2011

    • 著者名/発表者名
      T.Akasaka, Y.Kobayashi, M.Kasu
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
    • 発表場所
      ウインクあいち(名古屋市)
    • 年月日
      2011-09-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] MOVPE選択成長によるGaNステップフリー面上へのInN核生成2011

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也, 小林康之
    • 学会等名
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形市)
    • 年月日
      2011-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成2011

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也, 小林康之, 嘉数誠
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス(春日市)(招待講演)
    • 年月日
      2011-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vaporphase epitaxy(Invited)2010

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi, Makoto Kasu
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Growth of III-nitrides
    • 発表場所
      コラム(モンペリエ,フランス)
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Nucleus and spiral growth of GaN studied by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi Makoto Kasu
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      東京大学(東京都)
    • 年月日
      2010-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Growth of III-nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      モンペリエ(フランス)(招待講演)
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] 窒化ガリウムのステップフリー面の作製と成長機構2010

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
    • 学会等名
      真空・表面科学合同講演会
    • 発表場所
      大阪(4Ca-06)
    • 年月日
      2010-11-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] MOVPEにおけるGaNスパイラルおよび核成長速度の基板温度依存性評価2010

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也, 小林康之, 嘉数誠
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] MOVPE におけるGaN スパイラルおよび核成長速度の基板温度依存性評価2010

    • 著者名/発表者名
      赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎(15p-C-6)
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Nucleus and spiral growth of GaN studied by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2010-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22360013
  • [学会発表] Near Band-Gap Luminescnece of Hexagonal Boron Nitride Grown on Ni(111) Substrtae by Plasma-assisted MBE2009

    • 著者名/発表者名
      C.L. Tsai、Y. Kobayashi、T. Akasaka、M. Kasu
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      アメリカ、ペンシルベニア
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Near Band-Gap Luminescence of Hexagonal Boron Nitride Grown on Ni(111)Substrate by Plasma-assisted MBE2009

    • 著者名/発表者名
      C.L.Tsai, Y.Kobayashi, T.Akasaka, M.Kasu
    • 学会等名
      Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      アメリカ、ペンシルベニア州
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Optical Band Gap of Hexagonal BN Epitaxial Film Grown on c-Plane Sapphire Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kobayashi, C.L.Tsai, T.Akasaka
    • 学会等名
      8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      韓国、済州島
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Hexagonal BN Epitaxial Growth by Flow-Rate Modulation Epitaxy on MBE-Grown h-BN Buffer Layer2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kobayashi, C.L.Tsai, T.Akasaka
    • 学会等名
      8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      韓国、済州島
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Optical band gap of hexagonal boron nitride epitaxial film grown on c-plane sapphire substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kobayashi, T.Akasaka
    • 学会等名
      2009 Asia-Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors
    • 発表場所
      韓国、慶州
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Hexagonal BN epitaxial growth on(0001)sapphire substrate by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, T. Akasaka
    • 学会等名
      14^<th> International conference on metal organic vapor phase epitaxy
    • 発表場所
      France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(111) substrtae2008

    • 著者名/発表者名
      C.L. Tsai、T. Akasaka、Y. Kobayashi
    • 学会等名
      Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      日本、修善寺
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate2008

    • 著者名/発表者名
      C. L. Tsai, Y. Kobayashi, T. Akasaka, M. Kasu
    • 学会等名
      Second International Symposium on Growth of III-Nitirides
    • 発表場所
      日本、静岡、修善寺
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Boron Nitride grown by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi、T. Akasaka
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy、招待講演
    • 発表場所
      フランス、メス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, T. Akasaka
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      フランス、メス市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Boron Nitiride grown by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, T. Akasaka
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      フランス、メス市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi、T. Akasaka
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      フランス、メス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(111)substrate2008

    • 著者名/発表者名
      C. L.Tsai, Y. Kobayashi, T. Akasaka, M. Kasu
    • 学会等名
      2^<nd> international symposium on growth of III-nitrides
    • 発表場所
      日本
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Anisotropic in-plane strains in Al(B, Ga)N(1120)films grown on SiC(1120)2008

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka, Y. Kobayashi
    • 学会等名
      2^<nd> international symposium on growth of III-nitrides
    • 発表場所
      日本
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Anisotropic in-plane strains in Al (B, Ga) N (11-20) films grown on SiC (11-20)2008

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka, Y. Kobayashi
    • 学会等名
      Second International Symposium on Growth of III-Nitirides
    • 発表場所
      日本、静岡、修善寺
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Anisotropic in-plane strains in Al(B, Ga)N (11-20) films grown on SiC (11-20)2008

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、Y. Kobayashi
    • 学会等名
      Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      日本、修善寺
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] In-situ monitoring of hexagonal BN flow-rate modulation epitaxy by shallow-angle reflectance using ultraviolet light2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi、T. Miyamoto、T. Akasaka、T. Makimoto、N. Matsumoto
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Crystal Growth
    • 発表場所
      アメリカ、ソルトレイク
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Nonpolar AlBN (1120) and (1100) films grown on SiC substrates2007

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
    • 学会等名
      7th International Conference of Nitride semiconductors
    • 発表場所
      アメリカ、ラスベガス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] Nonpolar A1BN(1120) and(1100) films grown on SiC substrates2007

    • 著者名/発表者名
      T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
    • 学会等名
      7th International Conference of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      アメリカ、ラスベガス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • [学会発表] In-situ monitoring of hexagonal BN flow-rate modulation epitaxy by shallow-angle reflectance using ultraviolet light2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Kobayashi, M. Miyamoto, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Crystal Growth
    • 発表場所
      アメリカ,ソルトレイクシティ
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18206004
  • 1.  中澤 日出樹 (90344613)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 13件
  • 2.  赤坂 哲也 (90393735)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 72件
  • 3.  後藤 秀樹 (10393795)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 6件
  • 4.  岡本 浩 (00513342)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 11件
  • 5.  小豆畑 敬 (20277867)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 5件
  • 6.  牧本 俊樹 (50374070)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 16件
  • 7.  西川 敦 (60417095)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  中野 秀俊 (90393793)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  俵 毅彦 (40393798)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  眞田 治樹 (50417094)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  前田 文彦 (70393741)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 12.  日比野 浩樹 (60393740)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 13.  嘉数 誠 (50393731)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 20件
  • 14.  熊倉 一英
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 15.  廣木 正伸
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