赤坂哲也 AKASAKA Tetsuya

研究者番号	90393735
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 明星大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2023年度: 明星大学, 理工学部, 教授 2016年度 – 2018年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 2016年度: 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所・機能物質科学研究部, 主任研究員 2012年度: 日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 2006年度 – 2012年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外結晶工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者窒化物半導体 / 結晶成長 / 量子井戸 / 半導体物性 / エピタキシャル成長 / 常圧 / 液相成長 / 表面形状 / エピタキシ / 薄膜 … もっと見る / 常圧液相成長 / 窒化ガリウム / 電子デバイス / 光デバイス / 超格子 / 表面・界面物性 / 光物性 / 無転位 / ステップフリー … もっと見る研究代表者以外不活性化 / リーク電流 / 転位 / MBE / 極微領域評価 / 混晶組成 / 窒化物半導体 / InGaN / InN / エピタキシャル成長 / 光物性 / 半導体物性 / 結晶成長 / 半導体隠す

窒化物半導体常圧液相成長の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  赤坂哲也
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  明星大学
窒化物半導体ステップフリー面を利用した新規分子層エピタキシ研究代表者
- 研究代表者
  
  赤坂哲也
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
InGaNの非混和性を積極的に利用したDERI法による転位の不活性化
- 研究代表者
  
  名西やす之
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  立命館大学
窒化物半導体ステップフリーヘテロ構造の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  赤坂哲也
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
六方晶BN窒化物半導体に関する研究
- 研究代表者
  
  小林康之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

すべて 2023 2022 2018 2017 2016 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Landau level quantization with gate tuning in an AlN/GaN single heterostructure2018
- 著者名/発表者名
  Suzuki Kyoichi、Akasaka Tetsuya
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 11 ページ: 111001-111001
- DOI
  10.7567/jjap.57.111001
- NAID
  210000149750
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[雑誌論文] N-face (000-1) GaN/InN/GaN double heterostructures emitting near-infrared photoluminescence grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Akasaka Tetsuya、Schied Monika、Kumakura Kazuhide
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 11 号: 8 ページ: 081001-081001
- DOI
  10.7567/apex.11.081001
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[雑誌論文] Surface supersaturation in flow-rate modulation epitaxy of GaN2017
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, C. H. Lin, H. Yamamoto, and K. Kumakura
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 印刷中ページ: 821-826
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.11.107
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[雑誌論文] Nucleus and Spiral Growth of N-face GaN(000-1) Obtained by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  C. H. Lin, T. Akasaka, and H. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 6 号: 3 ページ: 35503-35503
- DOI
  10.7567/apex.6.035503
- NAID
  10031159850
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Nucleus and Spiral Growth of N-face GaN (000-1) Obtained by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  C. H. Lin、T. Akasaka、H. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol. 6 ページ: 35503-35503
- NAID
  10031159850
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, H. Gotoh, Y. Kobayashi, and H. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Advanced Materials
  
  巻: 24 号: 31 ページ: 4296-4300
- DOI
  10.1002/adma.201200871
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface、Advanced.2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、H. Gotoh、Y. Kobayashi、H. Yamamoto
- 雑誌名
  
  Materials
  
  巻: Vol. 24 ページ: 4296-4300
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也, 小林康之, 嘉数誠
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: Vol.38 No.4 ページ: 221-226
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] 表面過飽和度制御によるGaN ステップフリー面の形成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会論文誌
  
  巻: Vol. 38 ページ: 221-226
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Supersaturation in nucleus and spiral growth of GaN in metal organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi, Makoto Kasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Nucleus and spiral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol. 3 ページ: 75602-75602
- NAID
  10026495564
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] 六方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長とその紫外発光特性2010
- 著者名/発表者名
  小林康之、C.L. Tsai、赤坂哲也
- 雑誌名
  
  表面科学 31巻
  
  ページ: 99-105
- NAID
  10026319493
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] 六方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長とその紫外発光特性2010
- 著者名/発表者名
  小林康之、蔡俊瓏、赤坂哲也
- 雑誌名
  
  表面科学 31
  
  ページ: 99-105
- NAID
  10026319493
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Supersaturation in nucleus and spiral growth of GaN in metal organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: Vol. 97 ページ: 141902-141902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Nucleus and spiral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi, Makoto Kasu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10026495564
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[雑誌論文] Optical band gap of h-BN epitaxial film grown on c-plane sapphire substrate2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, C-L.Tsai, T.Akasaka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) (掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Optical band gap of h-BN epitaxial film grown on c-plane sapphire substrate2010
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、C.L. Tsai、T. Akasaka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(111) substrate2009
- 著者名/発表者名
  C.L. Tsai、T. Akasaka、Y. Kobayashi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.311
  
  ページ: 3054-3057
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Hexogonal boron nitride grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Akasaka、T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.310
  
  ページ: 5048-5052
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Hexagonal BN epitaxial growth on(0001)sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka
- 雑誌名
  
  Journal of crystal growth Vol.310
  
  ページ: 5044-5047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Hexagonal boron nitride grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka, T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 5048-5052
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 5044-5047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Akasaka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.310
  
  ページ: 5044-5047
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Boron Nitride Thin Films Grown on Graphitized <6H-SiC> Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, H.Hibino, T.Nakamura, T.Akasaka, T.Makimoto, N.Matsumoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 2554-2557
- NAID
  210000062433
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] BGaN micro-islands as novel buffers fro growth of high quality GaN on sapphire2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 320-324
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Nonpolar A1BN(1120) and(1100) films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] BGaN micro-islands as novel buffers for growth of high-quality GaN on sapphire2007
- 著者名/発表者名
  T.Akasaka, Y.Kobayashi, T.Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 320-324
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111) grown by flow-rate modulation epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Nakamura、T. Akasaka、T. Makimoto、N. Matsumoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(b) Vol.244
  
  ページ: 1789-1792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Nonpolar AlBN(1120)and(1100)films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111) grown by flow-rate modulation epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, T.Nakamura, T.Akasaka, T.Makimoto, N.Matsumoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b) 244
  
  ページ: 1789-1792
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Nonpolar AlBN (1120) and (1100) films grown on SiC substrate2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111)grown by flow-rate modulation epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Nakamura, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(b) Vol.244
  
  ページ: 1789-1792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Boron Nitride Thin Films Grown on Graphitized 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, H. Hibino, T. Nakamura, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
- 雑誌名
  
  Japanese Jounal of Applied Physics Vol.46
  
  ページ: 2554-2557
- NAID
  210000062433
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Liquid Phase Epitaxy of GaN Films on Sapphire Substrates under an Atmospheric Pressure Nitrogen Ambience2023
- 著者名/発表者名
  M. Katsuumi and T. Akasaka
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04954
[学会発表] Liquid Phase Epitaxy of GaN Films under an Atmospheric Pressure Nitrogen Ambience2022
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka and M. Katsuumi
- 学会等名
  The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC 12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04954
[学会発表] AlN/GaN単一ヘテロ接合の量子ホール効果とゲート制御2018
- 著者名/発表者名
  鈴木恭一、赤坂哲也
- 学会等名
  第７９回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[学会発表] One-or two-monolayer-thick InN single quantum wells fabricated on step-free GaN surfaces by MOVPE2018
- 著者名/発表者名
  Akasaka Tetsuya、Berry Andy、Lin Chia-Hung、Yamamoto Hideki
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[学会発表] 窒素極性InN(000-1)ダブルヘテロ構造のMOVPE成長2018
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也，Monika Schied，熊倉一英
- 学会等名
  2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[学会発表] N-face (000-1) GaN/InN/GaN double heterostructures emitting near-IR photoluminescence grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Akasaka Tetsuya、Schied Monika、Kumakura Kazuhide
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[学会発表] N-Face InN/GaN (000-1) Double Heterostructures Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, M. Schied, H. Yamamoto and K. Kumakura
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
- 発表場所
  Orlando (USA)
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[学会発表] 窒素極性InN(000-1)薄膜結晶性のMOVPE成長温度依存性2016
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也，Monika Schied，熊倉一英
- 学会等名
  2016年秋季第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[学会発表] Atomic Level C-AFM Characterization of GaN Grown Under Spiral Mode2016
- 著者名/発表者名
  K. Komura, T. Araki, Y. Nanishi, T. Akasaka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductor 2016 (IWN2016)
- 発表場所
  Orlando, Florida (USA)
- 年月日
  2016-10-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600090
[学会発表] Surface supersaturation in flow-rate modulation epitaxy of GaN2016
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, C. H. Lin, Y. Yamamoto, and K. Kumakura
- 学会等名
  18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03862
[学会発表] 螺旋成長したN 極性GaN (000-1)のらせん転位近傍のTEM 観察2013
- 著者名/発表者名
  林家弘、赤坂哲也、山本秀樹
- 学会等名
  春季第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  厚木(27p-G21-16)
- 年月日
  2013-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] InGaN下地層による(000-1)InGaN多層量子井戸発光効率の改善2013
- 著者名/発表者名
  林　家弘，赤坂哲也，山本秀樹
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川　神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] InGaN 下地層による(000-1)InGaN 多層量子井戸発光効率の改善2013
- 著者名/発表者名
  林家弘、赤坂哲也、山本秀樹
- 学会等名
  春季第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  厚木(27p-G21-17)
- 年月日
  2013-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] 螺旋成長したN極性GaN (000-1)のらせん転位近傍のTEM観察2013
- 著者名/発表者名
  林　家弘，赤坂哲也，山本秀樹
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川　神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Step-free界面を有するInN/GaN単一量子井戸からの紫色狭線発光2012
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也，後藤秀樹，小林康之，山本秀樹
- 学会等名
  第73回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  愛媛　松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Nucleus and Spiral Growth of N-face GaN (000-1) Obtained by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  C. H. Lin、T. Akasaka、H. Yamamoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2012-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Nucleus and Spiral Growth of N-face GaN (000-1) Obtained by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  C. H. Lin, T. Akasaka, and H. Yamamoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Extremely narrow violet photoluminescence line from ultrathin InN single quantum well on step-free GaN surface2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、H. Gotoh、Y. Kobayashi、H. Yamamoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  札幌(招待講演)
- 年月日
  2012-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Study of nucleus and spiral growth mechanisms of GaN using selective-area MOVPE on GaN bulk substrate2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、C.-H. Lin、H. Yamamoto
- 学会等名
  Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  仙台(招待講演)
- 年月日
  2012-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Extremely narrow violet photoluminescence line from ultrathin InN single quantum well on step-free GaN surface2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, H. Gotoh, Y. Kobayashi, and H. Yamamoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Study of nucleus and spiral growth mechanisms of GaN using selective-area MOVPE on GaN bulk substrate2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi, C. H. Lin, and H. Yamamoto
- 学会等名
  Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Nucleus and Spiral Growth of N-face GaN (000-1) Obtained by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  林　家弘，赤坂哲也，山本秀樹
- 学会等名
  第73回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  愛媛　松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Nucleus and Spiral Growth of N-face GaN (000-1) Obtained by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  林家弘、赤坂哲也、山本秀樹
- 学会等名
  秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山(12p-H9-5)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Step-free 界面を有するInN/GaN 単一量子井戸からの紫色狭線発光2012
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、後藤秀樹、小林康之、山本秀樹
- 学会等名
  秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山(13a-H9-9)
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Formation of a Step-Free Ultrathin InN Layer on a Step-Free GaN Surface2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, A. Berry, Y. Kobayashi, and H. Yamamoto
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Formation of a Step-Free Ultrathin InN Layer on a Step-Free GaN Surface2012
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、A. Berry、Y. Kobayashi、H. Yamamoto
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
- 発表場所
  京都
- 年月日
  2012-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Formation of step-free GaN surface at low temperature of 770 oC by controlling surface supersaturation2011
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  グラスゴー(英国)
- 年月日
  2011-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] 表面過飽和度制御によるGaN ステップフリー面の形成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  福岡(招待講演IN3)
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Formation of step-free GaN surface at low temperature of 770C by controlling surface supersaturation2011
- 著者名/発表者名
  T.Akasaka, Y.Kobayashi, M.Kasu
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  SECCカンファレンスセンター,(グラスゴー,UK)
- 年月日
  2011-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Surface Supersaturation in Nucleus and Spiral Growth of GaN in MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2011-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] GaN のMOVPE成長における表面過飽和度に及ぼすキャリアガスの影響2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木(26a-BY-5)
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] MOVPE 選択成長によるGaN ステップフリー面上へのInN核生成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之
- 学会等名
  2011 年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形(31p-ZE-15)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Surface Supersaturation in Nucleus and Spiral Growth of GaN in MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  T.Akasaka, Y.Kobayashi, M.Kasu
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
- 発表場所
  ウインクあいち(名古屋市)
- 年月日
  2011-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] MOVPE選択成長によるGaNステップフリー面上へのInN核生成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也, 小林康之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形市)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成2011
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也, 小林康之, 嘉数誠
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス(春日市)(招待講演)
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vaporphase epitaxy(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi, Makoto Kasu
- 学会等名
  3rd International Symposium on Growth of III-nitrides
- 発表場所
  コラム(モンペリエ,フランス)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Nucleus and spiral growth of GaN studied by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Tetsuya Akasaka, Yasuyuki Kobayashi Makoto Kasu
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  東京大学(東京都)
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 学会等名
  3rd International Symposium on Growth of III-nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  モンペリエ(フランス)(招待講演)
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] 窒化ガリウムのステップフリー面の作製と成長機構2010
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
- 学会等名
  真空・表面科学合同講演会
- 発表場所
  大阪(4Ca-06)
- 年月日
  2010-11-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] MOVPEにおけるGaNスパイラルおよび核成長速度の基板温度依存性評価2010
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也, 小林康之, 嘉数誠
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] MOVPE におけるGaN スパイラルおよび核成長速度の基板温度依存性評価2010
- 著者名/発表者名
  赤坂哲也、小林康之、嘉数誠
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎(15p-C-6)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Nucleus and spiral growth of GaN studied by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、M. Kasu
- 学会等名
  2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010)
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360013
[学会発表] Near Band-Gap Luminescnece of Hexagonal Boron Nitride Grown on Ni(111) Substrtae by Plasma-assisted MBE2009
- 著者名/発表者名
  C.L. Tsai、Y. Kobayashi、T. Akasaka、M. Kasu
- 学会等名
  Electronic Materials Conference
- 発表場所
  アメリカ、ペンシルベニア
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Near Band-Gap Luminescence of Hexagonal Boron Nitride Grown on Ni(111)Substrate by Plasma-assisted MBE2009
- 著者名/発表者名
  C.L.Tsai, Y.Kobayashi, T.Akasaka, M.Kasu
- 学会等名
  Electronic Materials Conference
- 発表場所
  アメリカ、ペンシルベニア州
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Optical Band Gap of Hexagonal BN Epitaxial Film Grown on c-Plane Sapphire Substrate2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, C.L.Tsai, T.Akasaka
- 学会等名
  8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  韓国、済州島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Hexagonal BN Epitaxial Growth by Flow-Rate Modulation Epitaxy on MBE-Grown h-BN Buffer Layer2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, C.L.Tsai, T.Akasaka
- 学会等名
  8^<th> International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  韓国、済州島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Optical Band Gap of Hexagonal BN Epitaxial Film Grown on c-Plane Sapphire Substrate2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayahi、T. Akasaka
- 学会等名
  2009 Asia-Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors、招待講演
- 発表場所
  韓国、慶州
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Optical Band Gap of Hexagonal BN Epitaxil Film Grown on c-Plane Sapphire Substrate2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayahi、C.L. Tsai、T. Akasaka
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  韓国、済州島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Hexagonal BN epitaxial Growth by Flow-Rate Modulation Epitaxy on MBE-Grown h-BN Buffer Layer2009
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayahi、C.L. Tsai、T. Akasaka
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  韓国、済州島
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Optical band gap of hexagonal boron nitride epitaxial film grown on c-plane sapphire substrate2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, T.Akasaka
- 学会等名
  2009 Asia-Core Workshop on Wide Bandgap Semiconductors
- 発表場所
  韓国、慶州
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Hexagonal BN epitaxial growth on(0001)sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka
- 学会等名
  14^<th> International conference on metal organic vapor phase epitaxy
- 発表場所
  France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(111) substrtae2008
- 著者名/発表者名
  C.L. Tsai、T. Akasaka、Y. Kobayashi
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  日本、修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate2008
- 著者名/発表者名
  C. L. Tsai, Y. Kobayashi, T. Akasaka, M. Kasu
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth of III-Nitirides
- 発表場所
  日本、静岡、修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Boron Nitride grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Akasaka
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy、招待講演
- 発表場所
  フランス、メス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  フランス、メス市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Boron Nitiride grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  フランス、メス市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Hexagonal BN epitaxial growth on (0001) sapphire substrate by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Akasaka
- 学会等名
  14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  フランス、メス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(111)substrate2008
- 著者名/発表者名
  C. L.Tsai, Y. Kobayashi, T. Akasaka, M. Kasu
- 学会等名
  2^<nd> international symposium on growth of III-nitrides
- 発表場所
  日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Anisotropic in-plane strains in Al(B, Ga)N(1120)films grown on SiC(1120)2008
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi
- 学会等名
  2^<nd> international symposium on growth of III-nitrides
- 発表場所
  日本
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Anisotropic in-plane strains in Al (B, Ga) N (11-20) films grown on SiC (11-20)2008
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth of III-Nitirides
- 発表場所
  日本、静岡、修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Anisotropic in-plane strains in Al(B, Ga)N (11-20) films grown on SiC (11-20)2008
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi
- 学会等名
  Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  日本、修善寺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] In-situ monitoring of hexagonal BN flow-rate modulation epitaxy by shallow-angle reflectance using ultraviolet light2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Miyamoto、T. Akasaka、T. Makimoto、N. Matsumoto
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  アメリカ、ソルトレイク
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Nonpolar AlBN (1120) and (1100) films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride semiconductors
- 発表場所
  アメリカ、ラスベガス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Nonpolar A1BN(1120) and(1100) films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  アメリカ、ラスベガス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] In-situ monitoring of hexagonal BN flow-rate modulation epitaxy by shallow-angle reflectance using ultraviolet light2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, M. Miyamoto, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  アメリカ,ソルトレイクシティ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004

1. 後藤秀樹 (10393795)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 6件
2. 小林康之 (90393727)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 72件
3. 牧本俊樹 (50374070)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
4. 西川敦 (60417095)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 中野秀俊 (90393793)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 俵毅彦 (40393798)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 眞田治樹 (50417094)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 嘉数誠 (50393731)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 20件
9. 名西やす之 (40268157)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
10. 須田淳 (00293887)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 山口智広 (50454517)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 熊倉一英 (00393736)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
13. 西中淳一 (40774625)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 鈴木恭一 (20393770)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
15. 荒木努 (20312126)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件

赤坂 哲也 AKASAKA Tetsuya

研究課題

研究成果

共同研究者

窒化物半導体常圧液相成長の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物半導体ステップフリー面を利用した新規分子層エピタキシ研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InGaNの非混和性を積極的に利用したDERI法による転位の不活性化

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体ステップフリーヘテロ構造の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

六方晶BN窒化物半導体に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Landau level quantization with gate tuning in an AlN/GaN single heterostructure2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] N-face (000-1) GaN/InN/GaN double heterostructures emitting near-infrared photoluminescence grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Surface supersaturation in flow-rate modulation epitaxy of GaN2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Nucleus and Spiral Growth of N-face GaN(000-1) Obtained by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Nucleus and Spiral Growth of N-face GaN (000-1) Obtained by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2013

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface、Advanced.2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 表面過飽和度制御によるGaN ステップフリー面の形成2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Supersaturation in nucleus and spiral growth of GaN in metal organic vapor phase epitaxy2010

著者名/発表者名

赤坂哲也 AKASAKA Tetsuya