色川芳宏 IROKAWA Yoshihiro

研究者番号	90394832
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員 2018年度 – 2022年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主幹研究員 2017年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点電気・電子機能分野ワイドバンドギャップ材料グループ, 主幹研究員 2015年度 – 2016年度: 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点電気・電子機能分野ワイドバンドギャップ材料グループ, 主任研究員 2015年度: 物質・材料研究機構, ワイドギャップ機能材料グループ, 研究員 … もっと見る 2014年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員 2013年度 – 2014年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, その他 2012年度: 物質・材料研究機構, 主任研究員 2011年度 – 2012年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, その他部局等, 研究員 2009年度 – 2010年度: 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, 主任研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者界面 / 水素 / 窒化物半導体 / 窒化ガリウム / GaN / 半導体デバイス / センサ / SBD / トランジスタ / MOS … もっと見る / GaN MOSFET / hydrogen / interface / ナノシート / 準安定酸化ガリウム / 自然酸化膜 / 中間層 / MIS界面 / MIS型水素センサ / 相互作用 / 絶縁膜 / 窒化アルミニウム / ショットキー構造 / AlGaN / ヘテロ構造 / AlGaN/GaN / ヘテロ接合 / 電気・電子材料 … もっと見る研究代表者以外電流コラプス / MOCVD結晶成長 / 欠陥準位 / スイッチング特性 / AlGaN/GaNヘテロ構造 / ショットキーダイオード / 有機金属気相成長 / デバイス･スイッチング特性 / デバイス・スイッチング特性 / 炭素 / GaNバッファ層 / MOCVD / イエローバンド / DLOS / フォトキャパシタンス / 残留炭素 / 結晶成長 / 半導体欠陥準位 / 電子・電気材料 / 結晶工学 / 半導体物性 / 窒化物半導体 / 電気・電子材料隠す

界面構造最適化による窒化物半導体デバイス型水素センサの高性能化研究代表者
- 研究代表者
  
  色川芳宏
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
界面制御による窒化ガリウムパワートランジスタの高性能化研究代表者
- 研究代表者
  
  色川芳宏
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
実験と理論の融合による半導体デバイス型水素センサの高性能化研究代表者
- 研究代表者
  
  色川芳宏
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
窒化物半導体の金属－半導体界面と水素との相互作用機構の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  色川芳宏
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位とデバイス・スイッチング特性の相関研究
- 研究代表者
  
  中野由崇
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  中部大学
窒化物半導体を用いた耐環境性水素ガスセンサーの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  色川芳宏
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構
AlGaN/GaNヘテロ接合界面のバンド構造解析と高品質化
- 研究代表者
  
  中野由崇
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  中部大学
窒化物半導体超低損失パワー素子の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  色川芳宏
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  独立行政法人物質・材料研究機構

[雑誌論文] Pt/GaN Schottky Barrier Height Lowering by Incorporated Hydrogen2024
- 著者名/発表者名
  Irokawa Yoshihiro、Ohi Akihiko、Nabatame Toshihide、Koide Yasuo
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 13 号: 4 ページ: 045002-045002
- DOI
  10.1149/2162-8777/ad3959
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03949
[雑誌論文] Gate-Bias-Induced Threshold Voltage Shifts in GaN FATFETs2023
- 著者名/発表者名
  Irokawa Yoshihiro、Mitsuishi Kazutaka、Izumi Takatomi、Nishii Junya、Nabatame Toshihide、Koide Yasuo
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 12 号: 5 ページ: 055007-055007
- DOI
  10.1149/2162-8777/acd1b4
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04587
[雑誌論文] Comparison of Hydrogen-Induced Oxide Charges Among GaN Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al2O3, HfO2, or Hf0.57Si0.43Ox Gate Dielectrics2022
- 著者名/発表者名
  Irokawa Yoshihiro、Inoue Mari、Nabatame Toshihide、Koide Yasuo
- 雑誌名
  
  ECS Journal of Solid State Science and Technology
  
  巻: 11 号: 8 ページ: 085010-085010
- DOI
  10.1149/2162-8777/ac8a70
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04587
[雑誌論文] Ambient-hydrogen-induced changes in the characteristics of Pt/GaN Schottky diodes fabricated on bulk GaN substrates2021
- 著者名/発表者名
  Irokawa Yoshihiro、Ohki Tomoko、Nabatame Toshihide、Koide Yasuo
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 6 ページ: 068003-068003
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac0260
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04587
[雑誌論文] Effect of hydrogen on Pt/GaN Schottky diodes2020
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 59
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[雑誌論文] Effect of hydrogen on Pt/GaN Schottky diodes2020
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04587
[雑誌論文] Hydrogen effect on Pt/Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor capacitors2019
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Osami Sakata and Yasuo Koide
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 ページ: 100915-100915
- NAID
  210000157181
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[雑誌論文] Electron microscopy and ultraviolet photoemission spectroscopy studies of native oxides on GaN(0001)2018
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tsuyoshi Ohnishi, Koji Kimoto and Yasuo Koide
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 ページ: 098003-098003
- NAID
  210000149649
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[雑誌論文] Investigation of intermediate layers in oxides/GaN(0001) by electron microscopy2018
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Toshihide Nabatame, Koji Kimoto and Yasuo Koide
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 ページ: 118003-118003
- NAID
  210000149779
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[雑誌論文] Low-energy ion scattering spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction of native oxides on GaN(0001)2017
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Koji Kimoto, Tsuyoshi Ohnishi, Kazutaka Mitsuishi, and Yasuo Koide
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 ページ: 128004-128004
- NAID
  210000148476
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[雑誌論文] Electron microscopy studies of the intermediate layers at the SiO2/GaN interface2017
- 著者名/発表者名
  Kazutaka Mitsuishi, Koji Kimoto, Yoshihiro Irokawa, Taku Suzuki, Kazuya Yuge, Toshihide Nabatame, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuo Koide
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 ページ: 110312-110312
- NAID
  210000148411
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[雑誌論文] First-principles calculations of semiconducting TiMgN22016
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa and Mamoru Usami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000147083
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420286
[雑誌論文] First-Principles Studies of Hydrogen Adsorption at Pd-SiO2 Interfaces2015
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa and Mamoru Usami
- 雑誌名
  
  Sensors
  
  巻: 15 号: 6 ページ: 14757-14765
- DOI
  10.3390/s150614757
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420286
[雑誌論文] Deep-level defects and turn-on capacitance recovery characteristics in AlGaN/GaN heterostructures2015
- 著者名/発表者名
  Yoshitaka Nakanoa, Yoshihiro Irokawa and Masatomo Sumiya
- 雑誌名
  
  Philosophical Magazine Letters
  
  巻: 95 号: 6 ページ: 333-339
- DOI
  10.1080/09500839.2015.1062154
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420286, KAKENHI-PROJECT-25420300
[雑誌論文] Carbon-Related Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures2014
- 著者名/発表者名
  Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Masatomo Sumiya, Yasunobu Sumida, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: 1635 ページ: 1-6
- DOI
  10.1557/opl.2014.102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300
[雑誌論文] Impedance Analysis on Hydrogen Interaction with Pt-AlGaN/GaN　Schottky Barrier Diodes2014
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 雑誌名
  
  ECS Electrochemistry Letters
  
  巻: 3 号: 11 ページ: B17-B19
- DOI
  10.1149/2.0041411eel
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560380, KAKENHI-PROJECT-26420286
[雑誌論文] Interface states in metal-insulator-semiconductor Pt-GaN diode hydrogen sensors2013
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 113 号: 2
- DOI
  10.1063/1.4775410
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560380
[雑誌論文] Correlation between deep-level defects and turn-on recovery characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures2013
- 著者名/発表者名
  Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi,H.Kawai
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 112(10) 号: 10 ページ: 106103-106103
- DOI
  10.1063/1.4767367
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560309
[雑誌論文] SBDs on AlN Free-Standing Substrates2012
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 51 号: 4R ページ: 040206-040206
- DOI
  10.1143/jjap.51.040206
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560380
[雑誌論文] Hydrogen-induced change in the electrical properties of metal-insulator-semiconductor Pt.GaN diodes2011
- 著者名/発表者名
  Y.Irokawa
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 108
  
  ページ: 94501-94501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760241
[雑誌論文] Hydrogen Sensors Using Nitride-Based Semiconductor Diodes : The Role of Metal/Semiconductor Interfaces2011
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 雑誌名
  
  Sensors
  
  巻: 11 ページ: 674-695
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760241
[雑誌論文] Effect of Carbon Impurity Incorporation on Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures2011
- 著者名/発表者名
  Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi,H.Kawai
- 雑誌名
  
  Electrochemical and Solid-State Letters
  
  巻: 15(2) 号: 2 ページ: H44-H46
- DOI
  10.1149/2.025202esl
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560309
[雑誌論文] Hydrogen Sensors Using Nitride-Based Semiconductor Diodes : The Role of Metal/Semiconductor Interfaces2011
- 著者名/発表者名
  Y.Irokawa
- 雑誌名
  
  Sensors 11
  
  ページ: 674-695
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760241
[雑誌論文] Photo-Capacitance Spectroscopy investigation of Deep-Level Defects in AlGaN/GaN hetero-structures with different current collapses2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai
- 雑誌名
  
  physica status solidi (Rapid Research Letters)
  
  巻: VOL.4 ページ: 374-376
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560309
[雑誌論文] Photo-capacitance spectroscopy investigation of deep-level defects in AlGaN/GaN hetero-structures with different current collapses Phys.2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai
- 雑誌名
  
  Status Solidi RRL 4
  
  ページ: 374-376
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760241
[雑誌論文] Photo-Capacitance Spectroscopy Investigation of Deep-Level Defects in AlGaN/GaN hetero-structures with different current collapses2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi,H.Kawai
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (RRL)
  
  巻: 4(12) 号: 12 ページ: 374-376
- DOI
  10.1002/pssr.201004421
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560309
[雑誌論文] Hydrogen-induced change in the electrical properties of metal-insulator-semiconductor Pt-GaN diodes2010
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: 108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760241
[雑誌論文] Low-frequency capacitance-voltage study of hydrogen interaction with Pt-AlGaN/GaN Schottky barrier diodes2009
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 雑誌名
  
  PHYSICA STATUS SOLID 3
  
  ページ: 266-268
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760241
[雑誌論文] Low-frequency capacitance-voltage study of hydrogen interaction with Pt-AlGaN/GaN Schottky barrier diodes, Phys.2009
- 著者名/発表者名
  Y.Irokawa, N.Matsuki, M.Sumiya, Y.Sakuma, T.Sekiguchi, T.Chikyo, Y.Sumida, Y.Nakano
- 雑誌名
  
  Status Solidi RRL 3
  
  ページ: 266-268
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760241
[雑誌論文] Photovoltaic Action in Polyaniline/n-GaN Schottky Diodes2009
- 著者名/発表者名
  N.Matsuki, Y.Irokawa, T.Matsui, M.Kondo, M.Sumiya
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS EXPRESS 2
  
  ページ: 92201-92201
- NAID
  10025517692
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760241
[産業財産権] 水素ガスセンサーおよびそのセンサーの使用方法2022
- 発明者名
  色川芳宏、生田目俊秀
- 権利者名
  物質・材料研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2022-139622
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04587
[産業財産権] 酸化膜の膜質評価方法2022
- 発明者名
  色川芳宏、生田目俊秀
- 権利者名
  物質・材料研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2022-142355
- 出願年月日
  2022
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04587
[産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法2018
- 発明者名
  色川、生田目、三石、木本、小出
- 権利者名
  物質・材料研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2018-144691
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法2018
- 発明者名
  色川、生田目、三石、木本、小出
- 権利者名
  物質・材料研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2018-144690
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[産業財産権] 半導体基板、半導体基板の製造方法およびそれを用いた半導体装置2018
- 発明者名
  色川、生田目、三石、木本、小出
- 権利者名
  物質・材料研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2018-243227
- 出願年月日
  2018
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[産業財産権] 窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法2017
- 発明者名
  生田目俊秀、色川　芳宏、他6名
- 権利者名
  物質・材料研究機構、富士電機
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-129329
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[産業財産権] ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法2017
- 発明者名
  生田目俊秀、色川　芳宏、他3名
- 権利者名
  物質・材料研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-128960
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[産業財産権] ｎ型半導体材料、ｐ型半導体材料および半導体素子2016
- 発明者名
  色川　芳宏、宇佐見　護
- 権利者名
  色川　芳宏、宇佐見　護
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2016-012045
- 出願年月日
  2016-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420286
[産業財産権] 密封型窒化物半導体素子及びその製造方法2013
- 発明者名
  色川　芳宏
- 権利者名
  色川　芳宏
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-010755
- 出願年月日
  2013-01-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560380
[産業財産権] AlN単結晶ダイオード及びその製造方法2012
- 発明者名
  色川芳宏
- 権利者名
  色川芳宏
- 産業財産権番号
  2012-016926
- 出願年月日
  2012
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560380
[学会発表] Crystalline intermediate layers in oxides/GaN interfaces2018
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Toshihide Nabatame, Koji Kimoto and Yasuo Koide
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[学会発表] Comprehensive study of native oxides on GaN2018
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tsuyoshi Ohnishi, Koji Kimoto and Yasuo Koide
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[学会発表] 窒化ガリウムトランジスタに原子レベルで平坦な結晶層を新発見2017
- 著者名/発表者名
  色川芳宏、三石和貴
- 学会等名
  電気学会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用(第2期)」調査専門委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[学会発表] 水素とGaNデバイスの相互作用機構の研究2017
- 著者名/発表者名
  色川芳宏
- 学会等名
  第16回 GaN研究戦略会議＿研究WG
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[学会発表] Surface analysis of native oxides on GaN(0001): An LEIS and RHEED study2017
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Koji Kimoto, Tsuyoshi Ohnishi, Kazutaka Mitsuishi, and Yasuo Koide
- 学会等名
  第１８回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06365
[学会発表] Electrochemical Impedance Spectroscopy Study of Hydrogen Interaction with Nitride-Based Semiconductor Diodes2016
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 学会等名
  10th International Symposium on　Electrochemical Impedance Spectroscopy
- 発表場所
  Toxa, Spain
- 年月日
  2016-06-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420286
[学会発表] 半導体デバイス型水素センサの動作機構の研究2016
- 著者名/発表者名
  色川芳宏
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420286
[学会発表] 半導体デバイスを用いた水素センサーの動作機構の解明2015
- 著者名/発表者名
  色川芳宏
- 学会等名
  NIMS ナノシミュレーションワークショップ2015
- 発表場所
  学術総合センター
- 年月日
  2015-11-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420286
[学会発表] Carbon-Related Deep-Level Defects and Carrier Trapping Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures2015
- 著者名/発表者名
  Y. Nakano, Y. Irokawa, M. Sumiya, S. Yagi, H. Kawai
- 学会等名
  11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
- 発表場所
  Beijing
- 年月日
  2015-08-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造の炭素関連欠陥準位とターンオン電流回復特性2014
- 著者名/発表者名
  中野由崇，色川芳宏，角谷正友, 住田行常，八木修一, 河合弘治
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300
[学会発表] Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures Containing Various Carbon Concentrations2013
- 著者名/発表者名
  Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Masatomo Sumiya, Yasunobu Sumida, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai
- 学会等名
  2013 Materials Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  Hynes Convention Center (Boston)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300
[学会発表] Carbon-Related Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures2013
- 著者名/発表者名
  Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Yasunobu Sumida, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai
- 学会等名
  International Symposium on Compound Semiconductors 2013
- 発表場所
  Kobe Convention Center
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300
[学会発表] Hydrogen sensors based on GaN diodes: The sensing mechanism2012
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 学会等名
  IEEE SENSORS 2012
- 発表場所
  Taipei International Convention Center,Taipei,Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560380
[学会発表] Correlation between turn-on recovery characteristics and deep-level defects in AlGaN/GaN hetero-structures2012
- 著者名/発表者名
  Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター(札幌)Sapporo.
- 年月日
  2012-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560309
[学会発表] Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero -Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy2011
- 著者名/発表者名
  Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Scottish Exhibition and Conference Centre(Glasgow,UK).
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560309
[学会発表] Solid state hydrogen gas sensing2011
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 学会等名
  Nano Korea 2011(招待講演)
- 発表場所
  Seoul, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560380
[学会発表] Hydrogen Interaction with GaN MIS Diodes2011
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Irokawa
- 学会等名
  26th ICDS
- 発表場所
  Nelson, New Zealand
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560380
[学会発表] Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy2011
- 著者名/発表者名
  Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, H.Kawai
- 学会等名
  3^<rd> International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 発表場所
  名古屋工業大学(愛知県)
- 年月日
  2011-03-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560309
[学会発表] Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-structures Studied by Deep-level Optical Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, H.Kawai
- 学会等名
  Materials Research Society 2010 Fall Meeting
- 発表場所
  Hynes Convention Center (Boston, USA)
- 年月日
  2010-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560309
[学会発表] C-t法によるAlGaN/GaNヘテロ構造のターンオン回復特性評価
- 著者名/発表者名
  中野由崇, 色川芳宏, 角谷正友, 八木修一, 河合弘治
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学 (北海道・札幌市)
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300
[学会発表] Carbon-Related Deep-Level Defects and Carrier-Trapping Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures
- 著者名/発表者名
  Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Masatomo Sumiya, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai
- 学会等名
  7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2015/IC-PLANTS2015)
- 発表場所
  名古屋大学 (愛知県・名古屋市)
- 年月日
  2015-03-26 – 2015-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25420300

1. 中野由崇 (60394722)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 18件
2. 角谷正友 (20293607)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 6件
3. 河合弘治

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件

色川 芳宏 IROKAWA Yoshihiro

研究課題

研究成果

共同研究者

界面構造最適化による窒化物半導体デバイス型水素センサの高性能化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

界面制御による窒化ガリウムパワートランジスタの高性能化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

実験と理論の融合による半導体デバイス型水素センサの高性能化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体の金属－半導体界面と水素との相互作用機構の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位とデバイス・スイッチング特性の相関研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体を用いた耐環境性水素ガスセンサーの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

AlGaN/GaNヘテロ接合界面のバンド構造解析と高品質化

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化物半導体超低損失パワー素子の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Pt/GaN Schottky Barrier Height Lowering by Incorporated Hydrogen2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Gate-Bias-Induced Threshold Voltage Shifts in GaN FATFETs2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Comparison of Hydrogen-Induced Oxide Charges Among GaN Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al2O3, HfO2, or Hf0.57Si0.43Ox Gate Dielectrics2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Ambient-hydrogen-induced changes in the characteristics of Pt/GaN Schottky diodes fabricated on bulk GaN substrates2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effect of hydrogen on Pt/GaN Schottky diodes2020

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effect of hydrogen on Pt/GaN Schottky diodes2020

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

色川芳宏 IROKAWA Yoshihiro

[雑誌論文] Impedance Analysis on Hydrogen Interaction with Pt-AlGaN/GaN　Schottky Barrier Diodes2014