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井手 利英  IDE TOSHIHIDE

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 90397092
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2018年度 – 2019年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
2017年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員
2008年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ, 研究員
2007年度: 産業技術総合研究所, パワーエレクトロニクス研究センター, 研究員
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器
研究代表者以外
結晶工学
キーワード
研究代表者
半導体超微細化 / 電子デバイス・機器 / AIGaN / オン抵抗 / 短ゲート長化 / ノーマリーオフ / トランジスタ / AlGaN / GaN
研究代表者以外
エピタキシャル成長 … もっと見る / 半導体レーザ / 光閉じ込め / 電流狭窄 / 面発光レーザ / 窒化ガリウム / トンネル接合 / 多層膜反射鏡 / 窒化物半導体 / 面発光レーザー 隠す
  • 研究課題

    (2件)
  • 研究成果

    (7件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  高品位三原色光源実現に向けた青・緑色面発光レーザ

    • 研究代表者
      竹内 哲也
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      名城大学
  •  窒化物系半導体トランジスタのノーマリーオフ・低オン抵抗化研究代表者

    • 研究代表者
      井手 利英
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2018 2017 2009 2008

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Low on-resistance AlGaN/GaN HEMTs by reducing gate length and source-gate length2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ide, M. Shimizu, S. Yagi, M. Inada, G. Piao, Y. Yano, N. Akutsu, H. Okumura, and K. Arai
    • 雑誌名

      phys. Stat. sol. 5, No. 6

      ページ: 1998-2000

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760244
  • [学会発表] Substrate off-angle and direction dependences on DUV-LED2018

    • 著者名/発表者名
      Hisanori Kojima, Takuma Ogasawara, Myunghee Kim, Yoshiki Saito, Kazuyoshi Iida, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01055
  • [学会発表] Low-temperature-grown p-side structure with tunnel junction towards long wavelength nitride-based LED2017

    • 著者名/発表者名
      J. Yoshinaga, K. Suzuki, D. Takasuka, N. Koide,
    • 学会等名
      The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17H01055
  • [学会発表] AlGaN/GaNMOS-HFET へのCF4 プラズマ表面処理の効果2009

    • 著者名/発表者名
      井手 利英,浜名 通徳,朴 冠錫,八木 修一,矢野 良樹,清水 三聡
    • 学会等名
      第56 回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760244
  • [学会発表] AIGaN/GaN MOS-HFETへのCF_4プラズマ表面処理の効果2009

    • 著者名/発表者名
      井手 利英
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760244
  • [学会発表] AIGaNIGaN HEMTへのプラズマCVDによるSiN表面保護膜形成2008

    • 著者名/発表者名
      井手 利英
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学船橋キャンパス
    • 年月日
      2008-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760244
  • [学会発表] AlGaN/GaN HEMT へのプラズマCVD によるSiN 表面保護膜形成2008

    • 著者名/発表者名
      井手 利英,清水 三聡,八木 修一,朴 冠錫,生方 映徳,矢野 良樹,奥村 元,荒井 和雄
    • 学会等名
      第55 回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      埼玉大学
    • 年月日
      2008-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19760244
  • 1.  竹内 哲也 (10583817)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 2.  田中 崇之 (10367120)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  宮嶋 孝夫 (50734836)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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