村上尚 MURAKAMI Hisashi

研究者番号	90401455
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2011年度 – 2024年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2013年度 – 2014年度: 東京農工大学, 大学院工学研究院, 准教授 2011年度 – 2012年度: 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 准教授 2010年度: 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 助教 2007年度 – 2009年度: 東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 助教 2006年度: 東京農工大学, 大学院共生科学技術研究院, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 小区分36010:無機物質および無機材料化学関連 / 小区分30010:結晶工学関連研究代表者以外結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 理工系 / 理工系
キーワード	研究代表者エピタキシャル成長 / 窒化ガリウム / 窒化物半導体 / 結晶成長 / トリハライド気相成長 / 転位 / ワイドバンドギャップ / 半極性 / エピタキシャル / ハライド気相成長 … もっと見る / 低転位密度 / ヘテロ界面 / 窒化アルミニウムガリウム / 加工サファイア基板 / 低転位 / トリハライド / 混晶 / 結晶工学 / 自立基板 / 化合物半導体 / 基板 / 気相成長 / トリハライド気相成長法 / 半導体 / 砒化ガリウム / 異方性エッチング / 基板加工 / 選択成長 / 高指数面 / III族窒化物半導体 / 窒化インジウム … もっと見る研究代表者以外エピタキシャル成長 / 窒化物半導体 / 不純物 / HVPE法 / 窒化アルミニウム / バルク結晶 / 気相成長 / THVPE / HVPE / 結晶工学 / HVPE成長 / 自立基板結晶 / ナノコラム / 薄膜 / 分子線エピタキシー（MBE） / 赤色LED / X線その場観察 / MBE / ヘテロ界面 / ヘテロエピタキシャル成長 / In系窒化物半導体 / 拡張熱力学解析 / 相整合混晶 / 相混在面 / 反応解析 / 相混在 / バンドエンジニアリング / 格子引き込み / 混晶成長 / 発現相制御 / 非熱平衡 / 熱平衡 / Ⅲ族セスキ酸化物半導体 / ハライド気相成長法 / ミスト化学気相堆積法 / 非熱平衡成長 / 熱平衡成長 / 準安定相 / 安定相 / Ⅲ族セスキ酸化物半導体結晶 / PVT法 / 導電性制御 / エッチピット / 転位 / Siドーピング / ショットキーバリアダイオード / ドーピング / n形導電性 / 点欠陥 / 大陽電池材料 / 発光素子材料 / InGaN / 太陽電池 / 発光素子 / InGaN三元混晶 / 受光材料 / 発光材料 / 三元混晶 / 窒化物結晶 / 深紫外発光ダイオード / 昇華法 / MOVPE法 / 深紫外線LED / 深紫外光透過性 / 転位密度 / 原料分子制御 / 窒化物 / 窒化ガリウム / エピタキシャル / 結晶成長 / A1GaN / A1N / A1系窒化物 / AIGaN / AIN / AlGaN / AlN / HVPE成 / 原料分子制御法 / Al系窒化物 / 厚膜エピタキシー隠す

熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  村上尚
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分36010:無機物質および無機材料化学関連
- 研究機関
  東京農工大学
新規ハイブリッド型高速気相成長法を用いた超低欠陥窒化ガリウム結晶の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  村上尚
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京農工大学
In系窒化物半導体ヘテロエピタキシャル成長におけるヘテロ界面制御技術の構築
- 研究代表者
  
  山口智広
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  工学院大学
固体塩化物を用いた気相法によるⅢ族窒化物擬似基板及びデバイスの単一プロセス作製研究代表者
- 研究代表者
  
  村上尚
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  東京農工大学
化学平衡・非平衡制御による特異構造のボトムアップ創製
- 研究代表者
  
  熊谷義直
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京農工大学
新しい原料分子を用いた気相成長による高品質・超厚膜窒化ガリウムの高速結晶成長研究代表者
- 研究代表者
  
  村上尚
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
バルク窒化アルミニウム結晶の点欠陥形成メカニズム解明によるｎ形導電性結晶の創出
- 研究代表者
  
  熊谷義直
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
高品質・厚膜InGaNのTHVPE成長
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
新規面方位制御技術を用いた非極性窒化ガリウムおよび窒化物半導体結晶の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  村上尚
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
深紫外光透過性発現メカニズム解明による実用的バルク窒化アルミニウム結晶の創出
- 研究代表者
  
  熊谷義直
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
原料分子制御法による新しいバルクＧａＮ成長法の創出
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
GaAs高指数面および無極性面基板上、窒化物半導体結晶の配向メカニズムの解明研究代表者
- 研究代表者
  
  村上尚
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
P型伝導窒化インジウム結晶実現に向けた成長モード制御による高品質化研究代表者
- 研究代表者
  
  村上尚
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2009
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長
- 研究代表者
  
  纐纈明伯
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京農工大学

[図書] 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化2022
- 著者名/発表者名
  村上尚、熊谷義直
- 総ページ数
  414
- 出版者
  エヌ・ティー・エス
- ISBN
  9784860437671
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[図書] GaNパワーデバイスの技術展開(分担執筆)2012
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 総ページ数
  264
- 出版者
  サイエンス&テクノロジー
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[図書] GaNパワーデバイスの技術展開2012
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 総ページ数
  264
- 出版者
  サイエンス＆テクノロジー
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[図書] GaNパワーデバイスの技術展開,サイエンス&テクノロジー2012
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯,熊谷義直,村上尚
- 総ページ数
  264
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Investigation of high speed β-Ga2O3 growth by solid-source trihalide vapor phase epitaxy2023
- 著者名/発表者名
  Kyohei Nitta, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Hisashi Murakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SF ページ: SF1021-SF1021
- DOI
  10.35848/1347-4065/acc747
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17743
[雑誌論文] Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks2023
- 著者名/発表者名
  Nishikawa Tomoka、Goto Ken、Murakami Hisashi、Kumagai Yoshinao、Uemukai Masahiro、Tanikawa Tomoyuki、Katayama Ryuji
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SF ページ: SF1015-SF1015
- DOI
  10.35848/1347-4065/acc18e
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02640, KAKENHI-PROJECT-23K17743
[雑誌論文] Effect of substrate orientation on homoepitaxial growth of β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy2022
- 著者名/発表者名
  K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, Y. Kumagai
- 雑誌名
  
  APPLIED PHYSICS LETTERS
  
  巻: 120 号: 10
- DOI
  10.1063/5.0087609
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[雑誌論文] Vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with trench staircase field plate2022
- 著者名/発表者名
  Sandeep Kumar, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 15 号: 5 ページ: 054001-054001
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac620b
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[雑誌論文] トリハライド気相成長法によるGaN結晶成長の進展2021
- 著者名/発表者名
  村上尚、纐纈明伯
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 48
- NAID
  130008110706
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[雑誌論文] Homo- and hetero-epitaxial growth of β-gallium oxide via GaCl3-O2-N2 system2021
- 著者名/発表者名
  K. Ema, K. Sasaki, A. Kuramata, H. Murakami
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 564 ページ: 1261291-5
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2021.126129
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PROJECT-19H02614
[雑誌論文] Facet stability of GaN during tri-halide vapor phase epitaxy: an ab initio-based approach2021
- 著者名/発表者名
  Yosho Daichi、Matsuo Yuriko、Kusaba Akira、Kempisty Pawel、Kangawa Yoshihiro、Murakami Hisashi、Koukitu Akinori
- 雑誌名
  
  CrystEngComm
  
  巻: 23 号: 6 ページ: 1423-1428
- DOI
  10.1039/d0ce01683g
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K15181, KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-19H02614
[雑誌論文] Growth of lattice-relaxed InGaN thick films on patterned sapphire substrates by tri-halide vapor phase epitaxy2021
- 著者名/発表者名
  Kentaro Ema, Ryohei Hieda, Hisashi Murakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 10 ページ: 105501-105501
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac1e46
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[雑誌論文] Growth of Highly Crystalline GaN at High Growth Rate by Trihalide Vapor‐Phase Epitaxy2020
- 著者名/発表者名
  Yamaguchi Akira、Oozeki Daisuke、Kawamoto Naoya、Takekawa Nao、Bulsara Mayank、Murakami Hisashi、Kumagai Yoshinao、Matsumoto Koh、Koukitu Akinori
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 257 号: 4
- DOI
  10.1002/pssb.201900564
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[雑誌論文] Temperature dependence of Ga2O3 growth by halide vapor phase epitaxy on sapphire and β-Ga2O3 substrates2020
- 著者名/発表者名
  Ken Goto, Hidetoshi Nakahata, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 22 ページ: 2221011-5
- DOI
  10.1063/5.0031267
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[雑誌論文] Vapor Phase Epitaxy of (133) and (211) CdTe on (211) Si Substrates Using Metallic Cd Source2019
- 著者名/発表者名
  Kenji Iso, Yuya Gokudan, Masumi Shiraishi, Minae Nishikado, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: 48 号: 1 ページ: 454-459
- DOI
  10.1007/s11664-018-6728-1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Influence of intermediate layers on thick InGaN growth using tri-halide vapor phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  Ema Kentaro、Uei Rio、Murakami Hisashi、Koukitu Akinori
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SC1027-SC1027
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab112c
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[雑誌論文] Influence of intermediate layers on thick InGaN growth using tri-halide vapor phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  Kentaro Ema, Rio Uei, Hisashi Murakami and Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 印刷中
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Growth of GaN on a three-dimensional SCAATTM bulk seed by tri-halide vapor phase epitaxy using GaCl32019
- 著者名/発表者名
  Iso Kenji、Oozeki Daisuke、Ohtaki Syoma、Murakami Hisashi、Koukitu Akinori
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SC1024-SC1024
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab1479
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[雑誌論文] GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy using solid source of GaCl3: investigation of the growth dependence on NH3 and additional Cl22019
- 著者名/発表者名
  Takekawa Nao、Takahashi Machi、Kobayashi Mayuko、Kanosue Ichiro、Uno Hiroyuki、Takemoto Kikurou、Murakami Hisashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SC1022-SC1022
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab09da
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[雑誌論文] Dependence of surface morphology at initial growth of CdTe on the II/VI on (211) Si substrates by vapor phase epitaxy using metallic Cd source2019
- 著者名/発表者名
  Iso Kenji, Gokudan Yuya, Shiraishi Masumi, Nishikado Minae, Murakami Hisashi, Koukitu Akinori
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 506 ページ: 185-189
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.10.038
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy using solid source of GaCl3: the investigation of the growth dependence on NH3 and additional Cl22019
- 著者名/発表者名
  Nao Takekawa, Machi Takahashi, Mayuko Kobayashi, Ichiro Kanosue, Hiroyuki Uno, Kikurou Takemoto, and Hisashi Murakami
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 印刷中
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Growth temperatures and the excess chlorine effect of N-Polar GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Nao Takekawa, Naoto Hayashida, Daisuke Ohzeki, Akira Yamaguchi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Koh Matsumoto, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 502 ページ: 7-13
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.08.024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Comparison of O2 and H2O as oxygen source for homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Keita Konishi, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Masataka Higashiwaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 492 ページ: 39-44
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.04.009
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PROJECT-16K04944
[雑誌論文] Quasiequilibrium crystal shape and kinetic Wulff plot for GaN grown by trihalide vapor phase epitaxy using GaCl32017
- 著者名/発表者名
  Kenji Iso, Karen Matsuda, Nao Takekawa, Hisashi Murakami ans Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Phisica Status Solidi B
  
  巻: 254 号: 8
- DOI
  10.1002/pssb.201600679
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018, KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Direct Growth of CdTe on a (211) Si Substrate with Vapor Phase Epitaxy Using a Metallic Cd Source2017
- 著者名/発表者名
  Iso Kenji、Gokudan Yuya、Shiraishi Masumi、Murakami Hisashi、Koukitu Akinori
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: 46 号: 10 ページ: 5884-5888
- DOI
  10.1007/s11664-017-5584-8
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Crystallization of semi-insulating HVPE-GaN with solid iron as a source of dopants2017
- 著者名/発表者名
  Iwinska M.、Piotrzkowski R.、Litwin-Staszewska E.、Ivanov V. Yu.、Teisseyre H.、Amilusik M.、Lucznik B.、Fijalkowski M.、Sochacki T.、Takekawa N.、Murakami H.、Bockowski M.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 475 ページ: 121-126
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.06.007
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Crystal growth of HVPE-GaN doped with germanium2017
- 著者名/発表者名
  Iwinska M.、Takekawa N.、Ivanov V.Yu.、Amilusik M.、Kruszewski P.、Piotrzkowski R.、Litwin-Staszewska E.、Lucznik B.、Fijalkowski M.、Sochacki T.、Teisseyre H.、Murakami H.、Bockowski M.
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 480 ページ: 102-107
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.10.016
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Thick nonpolar m -plane and semipolar (10-1 -1) GaN on an ammonothermal seed by tri-halide vapor-phase epitaxy using GaCl32017
- 著者名/発表者名
  Kenji Iso, Karen Mstsuda, Nao Takekawa, Kazuhiro Hikida, Naoto Hayashida, Hisashi Murakami and Akinori Koukit
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 461 ページ: 25-29
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.01.005
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018, KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Tri-halide vapor phase epitaxy of thick GaN using gaseous GaCl3 precursor2016
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami*, Nao Takekawa, Anna Shiono, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Koh Matsumoto, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 456 ページ: 140-144
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.08.029
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Thermal and chemical stabilities of group-III sesquioxides in a flow of either N2 or H22016
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, Y. Kisanuki, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, A. Koukitu, and Y. Kumagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 1202BE-1202BE
- DOI
  10.7567/jjap.55.1202be
- NAID
  210000147274
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PROJECT-16K04944
[雑誌論文] Growth of thick and high crystalline quality InGaN layers on GaN (000-1) substrate using tri-halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Martin Eriksson, Quang Tu Thieu, Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Per Olof Holtz, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 456 ページ: 145-150
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.08.019
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018, KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Formation mechanism of AlN whiskers on sapphire surfaces heat-treated in a mixed flow of H2 and N22016
- 著者名/発表者名
  Kazuya Takada*, Kazushiro Nomura, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu, and Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FF01-05FF01
- DOI
  10.7567/jjap.55.05ff01
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Investigation of NH3 input partial pressure for N-polarity InGaN growth on GaN substrates by tri-halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  T. Hirasaki, T. Hasegawa, M. Meguro, Q. T. Thieu, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 5S ページ: 05FA01-05FA01
- DOI
  10.7567/jjap.55.05fa01
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14J05164, KAKENHI-PROJECT-25390064, KAKENHI-PROJECT-26790043, KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Temperature-dependent capacitance-voltage and current-voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n-Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  M. Higashiwaki, K. Konishi, K. Sasaki, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu, A. Kuramata, S. Yamakoshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 108 号: 13 ページ: 133503-133506
- DOI
  10.1063/1.4945267
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26790043, KAKENHI-PROJECT-26246018
[雑誌論文] LETTER Tri-halide vapor-phase epitaxy of GaN using GaCl3 on polar, semipolar, and nonpolar substrates2016
- 著者名/発表者名
  Kenji Iso, Nao Takekawa, Karen Matsuda, Kazuhiro Hikida, Naoto Hayashida, Hisashi Murakami and Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 9 号: 10 ページ: 105501-105501
- DOI
  10.7567/apex.9.105501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018, KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Influence of high-temperature processing on the surface properties of bulk AlN substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. Tojo, R. Yamamoto, R. Tanaka, Q.-T. Thieu, R. Togashi, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Dalmau, R. Schlesser, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu, B. Monemar, Z. Sitar, Y. Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 446 ページ: 33-38
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.04.030
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555, KAKENHI-PROJECT-26790043, KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] High rate InN growth by two-step precursor generation hydride vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshihiro Ishitani, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 422 ページ: 15-19
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2015.04.019
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] Thermal stability of β-Ga2O3 in mixed flows of H2 and N22015
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Kazushiro Nomura1, Chihiro Eguchi, Takahiro Fukizawa, Ken Goto, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 4 ページ: 041102-041102
- DOI
  10.7567/jjap.54.041102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064, KAKENHI-PROJECT-26790043
[雑誌論文] Growth of Thick InGaN Layers by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Masato Ishikawa, Fumiaki Sakuma, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53
- NAID
  210000143862
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Growth of thick InGaN layers by tri-halide vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Kazuma Asano, Mizuki Banno, Masato Ishikawa, Fumiaki Sakuma, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 5S1 ページ: 1-4
- DOI
  10.7567/jjap.53.05fl02
- NAID
  210000143862
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[雑誌論文] Thermodynamic study of β-Ga2O3 growth by halide vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  .Kazushiro Nomura, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 405 号: 1 ページ: 19-22
- DOI
  10.7567/apex.8.015503
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064, KAKENHI-PROJECT-26790043
[雑誌論文] Growth of Thick InGaN Layers by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Masato Ishikawa, Fumiaki Sakuma, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] High-Temperature Heat-Treatment of c-, a-, r-, and m-Plane Sapphire Substrates in Mixed Gases of H2 and N22013
- 著者名/発表者名
  Kazushiro Nomura, Shoko Hanagata, Atsushi Kunisaki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JB10-08JB10
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jb10
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-24360006, KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] Effect of High NH3 Input Partial Pressure on Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN Using Nitrided (0001) Sapphire Substrates2013
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Sho Yamamoto, K. Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Per-Olof Holtz, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52 号: 8S ページ: 08JD05-08JD05
- DOI
  10.7567/jjap.52.08jd05
- NAID
  210000142640
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] High-Temperature Heat-Treatment of c-, a-, r-, and m-Plane Sapphire Substrates in Mixed Gases of H2 and N22013
- 著者名/発表者名
  Kazushiro Nomura, Shoko Hanagata, Atsushi Kunisaki, Rie Togashi, Hisashi, Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10-13) crystal on GaAs(110) by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  H.C.Cho, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 367 ページ: 122-125
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using group-III chlorides, bromides, and iodides2013
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: Vol.10 ページ: 413-416
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10- 13) crystal on GaAs(110) by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  H.C. Cho, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 367 ページ: 122-125
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.12.020
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008, KAKENHI-PROJECT-24656011, KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10-13) crystal on GaAs(110) by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  H.C. Cho, R. Togashi, H. Murakami, Y.Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol. 367 ページ: 122-125
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Sae Takenaka, Tetsuro Hotta, Yoshinao Kumagai Akinori Koukitu, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: Vol. 10 ページ: 472-475
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using group-III chlorides, bromides, and iodides2013
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 10 号: 3 ページ: 413-416
- DOI
  10.1002/pssc.201200695
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008, KAKENHI-PROJECT-24656011, KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using group-III chlorides, bromides, and iodides2013
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai,, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10 ページ: 413-416
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Sae Takenaka, Tetsuro Hotta, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10 ページ: 472-475
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Sae Takenaka, Tetsuro Hotta, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 10 ページ: 472-475
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Influence of growth temperature on the twin formation of the InN{10-13} on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 9 号: 3-4 ページ: 677-680
- DOI
  10.1002/pssc.201100383
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Formation of AlN on sapphire surfaces by high-temperature heating in a mixed flow of H_2 and N_22012
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Igi, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol.350 号: 1 ページ: 60-65
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.12.023
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009, KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Structural and Optical Properties of Carbon-Doped AlN Substrates Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using AlN Substrates Prepared by Physical Vapor Transport2012
- 著者名/発表者名
  Toru Nagashima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 12 ページ: 1255011-3
- DOI
  10.1143/apex.5.125501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008, KAKENHI-PROJECT-24360006
[雑誌論文] Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport2012
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Yuki Kubota, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol. 5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport2012
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 5 ページ: 0555041-3
- DOI
  10.1143/apex.5.055504
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008, KAKENHI-PROJECT-24360006
[雑誌論文] 窒化物化合物半導体の厚膜結晶成長技術-HVPE成長を中心にして-2012
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯,熊谷義直,村上尚
- 雑誌名
  
  鉱山
  
  巻: 700巻ページ: 25-34
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates2012
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Toru Nagashima, Manabu Harada, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hiroyuki Yanagi, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: (印刷中) ページ: 197-200
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.10.014
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Influence of growth temperature on the twin formation of the InN{10-13} on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: Vol.9 ページ: 677-680
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Structural and Optical Properties of Carbon-Doped AlN Substrates Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using AlN Substrates Prepared by Physical Vapor Transport2012
- 著者名/発表者名
  Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Yoshinao Kumagai, Jinqiao Xie, Ramon Collazo, Hisashi Murakami, Hiroshi Okamoto, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: Vol. 5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] 窒化物化合物半導体の厚膜結晶成長技術-HVPE成長を中心にして-2012
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 雑誌名
  
  鉱山
  
  巻: 700 ページ: 25-34
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 10 号: 3 ページ: 472-475
- DOI
  10.1002/pssc.201200685
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008, KAKENHI-PROJECT-24656011, KAKENHI-PROJECT-25390064
[雑誌論文] 窒化物化合物半導体の厚膜結晶成長技術―HVPE成長を中心にして―2012
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 雑誌名
  
  鉱山
  
  巻: 700 ページ: 25-34
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Semi-polar InN(10-13) dominant growth on GaAs(110) substrate by mixing hydrogen in carrier gas2011
- 著者名/発表者名
  H.C. Cho, M. Suematsu, H. Murakami, Y.Kumagai, R. Toba, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol. 318 ページ: 479-482
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Growth of semi-polar InN layer on GaAs (110) surface by MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun Chol Cho, Mayu Suematsu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Ryuichi Toba, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 号: 1 ページ: 479-482
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.10.027
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Control of in-plane epitaxial relationship of c-plane AlN layers grown on a-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  J.Tajima, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy2011
- 著者名/発表者名
  Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 ページ: 441-445
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Control of in-plane epitaxial relationship of c-plane AlN layers grown on a-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c)
  
  巻: Vol.8No.7-8 号: 7-8 ページ: 2028-2030
- DOI
  10.1002/pssc.201000954
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009, KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy2011
- 著者名/発表者名
  Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 号: 1 ページ: 441-445
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2010.11.079
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[雑誌論文] Tri-halide vapor phase epitaxy of GaN using GaCl_3 gas as a group III precursor2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamane, K.Hanaoka, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 5 ページ: 1471-1474
- DOI
  10.1002/pssc.201000902
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Carrier Gas Dependence at Initial Processes for a-Plane AlN Growth on r-Plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Chikashi Echizen, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn., J.Appl.Phys. 50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Growth of semi-polar InN layer on GaAs (110) surface by MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun Chol Cho, Mayu Suematsu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Ryuichi Toba, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 318 ページ: 479-482
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 5 ページ: 1577-1580
- DOI
  10.1002/pssc.201000867
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] First-principles study on the effect of surface hydrogen coverage on the adsorption process of ammonia on InN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Two-Step Growth of (0001) ZnO Single-Crystal Layers on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Rui Masuda, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Kouikitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 50 号: 12R ページ: 125503-125503
- DOI
  10.1143/jjap.50.125503
- NAID
  40019141129
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Semi-polar InN(10-13) dominant growth on GaAs(110) substrate by mixing hydrogen in carrier gas2011
- 著者名/発表者名
  H.C.Cho, M.Suematsu, H.Murakami, Y.Kumagai, R.Toba, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Semi-polar InN(10-13) dominant growth on GaAs(110) substrate by mixing hydrogen in carrier gas2011
- 著者名/発表者名
  H.C.Cho, M.Suematsu, H.Murakami, Y.Kumagai, R.Toba, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 7-8 ページ: 2025-2027
- DOI
  10.1002/pssc.201000951
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy2011
- 著者名/発表者名
  Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: Vol. 318 ページ: 441-445
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Carrier Gas Dependence at Initial Processes for a-Plane AlN Growth on r-Plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, C. Echizen, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol.50, No.5 号: 5R ページ: 055501-055501
- DOI
  10.1143/jjap.50.055501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560009, KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Tri-halide vapor phase epitaxy of GaN using GaCl_3 gas as a group III precursor2011
- 著者名/発表者名
  T.Yamane, K.Hanaoka, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] First-principles study on the effect of surface hydrogen coverage on the adsorption process of ammonia on InN(0001) surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solide C
  
  巻: 8 号: 7-8 ページ: 2267-2269
- DOI
  10.1002/pssc.201000896
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008, KAKENHI-PROJECT-23760008
[雑誌論文] Temperature dependence of InN growth on (0001) sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Hirokazu Adachi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] Temperature dependence of InN growth on(0001)sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Hirokazu Adachi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] Temperature dependence of InN growth on (0001) sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Hirokazu Adachi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 7 ページ: 2022-2024
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of substrate polarity of (0001) and (0001)GaN surfaces on hydride vapor-phase epitaxy of InN2010
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 651-655
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Selective Growth of InN on Patterned GaAs(111)B Substrate -Influence of InN Decomposition at the Interface-2010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlNlayers grown by HVPE2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Yuuki Enatsu, Masanari Ishizuki, Yuki Kubota, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 312
  
  ページ: 2530-2536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Selective growth of InN on patterned GaAs(111)B substrate-influence of InN decomposition at the interface2010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 7 ページ: 2019-2021
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical investigation of the decomposition mechanism of AlN(0001) surface under a hydrogen atmosphere2010
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Uliana Panyukova, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 7 ページ: 2265-2267
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Yuuki Enatsu, Masanari Ishizuki, Yuki Kubota, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 312 ページ: 2530-2536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of polarity dependent InN{0001}decomposition in N_2 and H_22009
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, T.Kamoshita, H.Adachi, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] Influence of substrate polarity of (0001) and (000-1)GaN surfaces on hydride vapor-phase epitaxy of InN2009
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.312
  
  ページ: 651-655
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] Preparation of a crack-free AlN template layer on sapphire substrate by hydride vapor-phase epitaxy at 1450℃2009
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 2837-2839
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ gravimetric monitoring of surface reactions between sapphire and NH_32009
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 3110-3113
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] Influence of substrate polarity of(0001)and(000-1)GaN surfaces on hydride vapor-phase epitaxy of InN2009
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 312
  
  ページ: 651-655
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] Ab initio calculation for an initial growth process of GaN on(0001)and(000-1)surfaces by vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical investigation on the decomposition process of GaN(0001)surface under a hydrogen atmosphere2009
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 3103-3105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] Ab initio calculation for an initial growth process of GaN on(0001)and(000-1)surfaces by vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Thermal Decomposition and Hydrogen Etching Rates of 6H-SiC(0001)Si Face2009
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Sohei Abe, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
- NAID
  40016743032
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of substrate polarity of(0001)and(000-1)GaN surfaces on hydride vap or-phase epitaxy of InN2009
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 312
  
  ページ: 651-6550
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical investigation on the decomposition process of GaN(0001)surface under a hydrogen atmosphere2009
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 3103-3105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of polarity dependent InN{0001}decomposition in N_2 and H_2 ambient2009
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, T.Kamoshita, H.Adachi, H. Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ gravimetric monitoring of surface reactions between sapphire and NH_32009
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 311
  
  ページ: 3110-3113
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Controlled formation of voids at the AlN/sapphire interface by sapphire decomposition for self-separation of the AlN layer2009
- 著者名/発表者名
  J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, T.Nagashima, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Investigation of polarity dependent InN{0001} decomposition in N2 and H22009
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, T. Kamoshita, H. Adachi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C Vol.6
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] Improvements in the crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4954-4958
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Improvements in the crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4954-4958
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] Growth of thin protective AIN layers on sapphire substrates at 1065℃ for hydride vapor phase epitaxy of AIN above 1300 ℃2008
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, Y. Kubota, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1515-1517
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of hydrogen input partial pressure on the polarity of InN on GaAs (111)A grown by metalorganic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, K. Eriguchi, J. Torii, H. -C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.310
  
  ページ: 1602-1606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on Surface of (1012) R-Plane Sapphire for High-Temperature Growth of Nonpolar AlN2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 47
  
  ページ: 3434-3437
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Self-Separation of a Thick AlN Layer from a Sapphire Substrate via Interfacial Voids Formed by the Decomposition of Sapphire2008
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Jumpei Tajima, Masanari Ishizuki, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 1
- NAID
  210000013992
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on Surface of (1012) R-Plane Sapphire for High-Temperature Growth of Nonpolar AIN2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 47
  
  ページ: 3434-3437
- NAID
  40016057214
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Ab initio calculation for the decomposition process of_GaN (0001) and (000-1) surfaces2008
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1632-1636
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of hydrogen input partial pressure on the polarity of InN on GaAs (111) A grown by metalorganic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, J. Torii, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1602-1606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] First principles study of the decomposition processes of AIN in ahydrogen atmosphere2008
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 3042-3044
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] High-temperature growth of thick AIN layers on sapphire (0001) substrates by solid source halide vapor-phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  K. Eriguchi, T. Hiratsuka, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 4016-4019
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Experimental and ab-initio studies of temperature dependent InN decomposition in various ambient2008
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, T. Kamoshita, Y. Nishizawa, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1518-1521
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Improvements in the crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, H. -C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.310
  
  ページ: 4954-4958
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] Self-Separation of a Thick AIN Layer from a Sapphire Substratevia Interfacial Voids Formed by the Decomposition of Sapphire2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, J. Tajima, M. Ishizuki, T. Nagashima, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Characterization of a freestanding AIN substrate prepared by hydride vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nagashima, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(c) 5
  
  ページ: 1512-1514
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of hydrogen input partial pressure on the polarity of InN on GaAs(111)A grown by metalorganic vapor2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, K. Eriguchi, J. Torii, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1602-1606
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on Surface of (1012) R-Plane Sapphire for High-temperature Growth of Nonpolar AIN2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 3434-3437
- NAID
  40016057214
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Influence of surface atom arrangement on the growth of InN layers on GaAs (111)A and (111)B surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, J.Torii, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 387-389
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] A new system for growing thick InN layers by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  J. Kikuchi, Y. Nishizawa, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Pysica State Solide 4
  
  ページ: 2419-2422
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Theoretical Analysis for Surface Reconstruction of AIN and InN in the Presence of Hydrogen2007
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 5112-5115
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] HVPE growth of AlxGa1-xN ternary alloy using AlCl3 and GaCl2007
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Fumitaka Satoh, Takayoshi Yamane, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 305
  
  ページ: 335-339
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl_3 using In metal and Cl_22007
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Kikuchi, Y.Nishizawa, H.Murakami, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.300
  
  ページ: 57-61
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] First-Principles Calculation and X-ray Absorption Fine Structure Analys is of Fc Doping Mcchanism for Scomi-Inaulating CaN Crowth on GaAs Substrates2007
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, F. Sato, H. Murakami, J. Iihara, K. Yamaguchi, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Pysica State Solide 244
  
  ページ: 1862-1866
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Al- and N-polar AIN laters layers on c-plane sapphire substrates by modified flow-modulation MOCVD2007
- 著者名/発表者名
  M. Takeuchi, H. Shimizu, R.Kajitami, K. Kawasaki, T.Kinoshita, K. Takada, H. Murakami, Y.Kumagai, Y. Kumagai, A. Koukitu, T. Koyama, S.F.Chichibue, Y. Aoyagi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 305
  
  ページ: 360-365
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ GraVimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (0001) c-plane Sapphire for the High Temperature Growth of AIN2007
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, T. Araki, H. Murakami, Y. kumagai, and A. koukitu
- 雑誌名
  
  Pysica State Solide 4
  
  ページ: 2297-2300
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl3 using In metal and Cl22007
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, J. Kikuchi, Y. Nishizawa, H; Murakami, and A Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 57-61
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Ab initio calculation for the decomposition proces of GaN (0001) and (000-1) surfaces2007
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 1632-1636
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] HVPE growth of AlxGal-xN tcrnory alloy using ALCl3 and GaCl2007
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Takayoshi Yamane, Fumitaka Satoh, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 305
  
  ページ: 335-339
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] MOVPE-like HVPE of AIN using solid aluminum trichloride source2007
- 著者名/発表者名
  K.Eriguchi, H.Murakami, U.Panyukova, Y.Kumagai, S.Ohira, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 332-335
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl3 using In metal and Cl22007
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Jun Kikuchi, Yuuki Nishizawa, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  J.Cryst.Growth 300
  
  ページ: 57-61
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Polarity dependence of AIN {0001} decomposition in flowing H22007
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, K. Akiyama, R. Togashi, H. Murakami, M. Takeuchi, T. Kinoshita, K. Takada, Y. Aoyagi, A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 305
  
  ページ: 366-371
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Growth of thick Al_xGa_<1-x>N ternary alloy by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T.Yamane, F.Satoh, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.300
  
  ページ: 164-167
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Growth of thick AlxGal-xN ternary alloy by hydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Yamane, F. Satoh, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 300
  
  ページ: 164-167
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamics on hydride vapor phase epitaxy of AlN using AlCl_3 and NH_32006
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, K.Takemoto, J.Kikuchi, T.Hasegawa, H.Murakami, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b) Vol.243
  
  ページ: 1431-1435
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Fe-doped semi-insulating GaN substrates prepared by hydride vapor-phase epitaxy using GaAs starting substrates2006
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, F.Satoh, R.Togashi, H.Murakami, K.Takemoto, J.Iihara, K.Yamaguchi, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.296
  
  ページ: 11-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamic analysis of various types of hydride vapor phase epitaxy systems for high-speed growth of InN2006
- 著者名/発表者名
  J.Kikuchi, Y.Nishizawa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol.45
- NAID
  10018632545
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Thermodynamic study on the role of hydrogen during hydride vapor phase epitaxy of Al_x Ga_<1-x>N2006
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, J.Kikuchi, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) Vol.3
  
  ページ: 1457-1460
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] A new system for growing thick InN layers by hydride vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  J.Kikuchi, Y.Nishizawa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (0001) c-plane Sapphire for the High Temperature Growth of AIN
- 著者名/発表者名
  K.Akiyama, T.Araki, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Improvement of crystalline quality for Al- and N-polar AlN layers by modified flow-modulation MOCVD growth
- 著者名/発表者名
  M.Takeuchi, H.Shimizu, R.Kajitani, K Kawasaki, T.Kinoshita, K.Takada, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu, Y.Aoyagi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] First-Principles Calculation and X-ray Absorption Fine Structure Analysis of Fe Doping Mechanism for Semi-Insulating GaN Growth on GaAs Substrates
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, F.Sato, H.Murakami, J.Iihara, K.Yamaguchi, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] Polarity dependence of AlN {0001} decomposition in flowing H_2
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, K.Akiyama, R.Togashi, H.Murakami, M.Takeuchi, T.Kinoshita, K.Takada, Y.Aoyagi, A.Koukitu
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[雑誌論文] HVPE growth of Al_xGa_<1-x>N ternary alloy using AlCl_3 and GaCl
- 著者名/発表者名
  A.Koukitu, T.Yamane, F.Satoh, H.Murakami, Y.Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth (印刷中)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[産業財産権] β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体2013
- 発明者名
  纐纈明伯、熊谷義直、村上　尚、後藤　健、佐々木公平
- 権利者名
  纐纈明伯、熊谷義直、村上　尚、後藤　健、佐々木公平
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-203198
- 出願年月日
  2013-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[産業財産権] 窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置2013
- 発明者名
  纐纈明伯、熊谷義直、村上　尚
- 権利者名
  纐纈明伯、熊谷義直、村上　尚
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-188805
- 出願年月日
  2013-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Fairly high temperature growth of GaN thick layers by Cl2-based HVPE2023
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Xingxing Pan, Kota Nemoto, Eiji Hase, Kentaro Nagamatsu
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17743
[学会発表] Growth of AlN layers on 4H-SiC (000-1) by Hydride Vapor Phase Epitaxy2023
- 著者名/発表者名
  Y. Suzuki, A. Sato, and H. Murakami
- 学会等名
  43rd Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17743
[学会発表] High temperature and high speed growth of GaN using HVPE-THVPE hybrid method2023
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Kota Nemoto, Xingxing Pan, Eiji Hase, Kentaro Nagamatsu
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17743
[学会発表] Dependence of Al incorporation on group-III supply ratio in (AlxGa1-x)2O3 growth by halide vapor phase epitaxy2023
- 著者名/発表者名
  S. Sato, R. Serizawa, and H. Murakami
- 学会等名
  43rd Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17743
[学会発表] HVPE・THVPEハイブリッド成長を用いたGaN高速成長の検討2023
- 著者名/発表者名
  根本幸太、Xingxing Pan、村上尚
- 学会等名
  第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17743
[学会発表] Fabrication of InGaN/GaN periodic heterostructure via THVPE method2023
- 著者名/発表者名
  Chiho Yamada, Iori Kobayashi, Hisashi Murakami
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17743
[学会発表] 高温HVPE法によるGaN成長における転位伝播に関する調査2023
- 著者名/発表者名
  Xingxing Pan、根本幸太、村上尚
- 学会等名
  第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17743
[学会発表] Cl2-based HVPE GaN growth over 1300 degrees2023
- 著者名/発表者名
  K. Nemoto, X. Pan, E. Hase, K. Nagamatsu, and H. Murakami
- 学会等名
  43rd Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17743
[学会発表] RF-MBE成長赤色発光MQWにおけるGaInN下地層挿入の効果2022
- 著者名/発表者名
  山口智広、山田純平、富樫理恵、田原開悟、赤川広海、佐々木拓生、村上尚、尾沼猛儀、本田徹、名西やすし、岸野克巳
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05348
[学会発表] Influence of intermediate layer on the growth of InGaN on ScAlMgO4 through tri-halide vapor phase epitaxy2022
- 著者名/発表者名
  Iori Kobayashi, Ryohei Hieda, Hiroto Murata, Hisashi Murakami
- 学会等名
  9th International Conference on Light Emitting Devices and their Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] β-Ga2O3 homoepitaxial growth using GaCl3-O2-N2 system2022
- 著者名/発表者名
  R. Nagano, K. Ema, K. Sasaki, A. Kuramata, H. Murakami
- 学会等名
  9th International Conference on Light Emitting Devices and their Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] THVPE法におけるInGaN薄膜成長の膜厚制御性とヘテロ構造の検討2022
- 著者名/発表者名
  小林伊織、江間研太郎、山田千帆、山口智広、村上尚
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05348
[学会発表] Modification of thermodynamic analysis model for HVPE growth of GaN at high temperatures2022
- 著者名/発表者名
  M. Bando, S. Matsuoka, K. Ohnishi, K. Goto, S. Nitta, H. Murakami, Y. Kumagai
- 学会等名
  9th International Conference on Light Emitting Devices and their Applications
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] GaN高温HVPE成長のための熱力学解析モデルの修正2022
- 著者名/発表者名
  松岡聖、坂東もも子、大西一生、後藤健、新田州吾、村上尚、熊谷義直
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] THVPE法によるSCAMO基板上InGaN成長2021
- 著者名/発表者名
  小林伊織、江間研太郎、日永田亮平、村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] 酸化物半導体結晶Ga2O3およびIn2O3の準安定相発現機構の検討2021
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，後藤健，富樫理恵，山口智広，村上尚
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] GaCl3気体原料を用いたβ-Ga2O3ホモエピタキシャル成長2021
- 著者名/発表者名
  長野理紗、江間研太郎、佐々木公平、倉又朗人、村上尚
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] 固体ソースTHVPE法を用いたβ-Ga2O3高速エピタキシャル成長2021
- 著者名/発表者名
  山口八輝、佐々木公平，倉又朗人、村上尚
- 学会等名
  第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] トリハライド気相成長法によるGaN結晶成長2021
- 著者名/発表者名
  村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  第50回日本結晶成長学会バルク成長分科会シンポジウム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] THVPE法におけるGaNホモエピタキシャル成長界面の制御2021
- 著者名/発表者名
  丸谷敦哉、畑田諒、根本幸太、村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Growth of stable and/or metastable phases of Ga2O3 and In2O3 by halide vapor phase epitaxy and mist chemical vapor deposition2021
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Rie Togashi, Tomohiro Yamaguchi, Hisashi Murakami
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] GaCl3気体原料を用いたβ-Ga2O3ホモエピタキシャル成長2021
- 著者名/発表者名
  長野理紗、江間研太郎、佐々木公平、倉又朗人、村上尚
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] InGaN growth on ScAlMgO4 substrate via tri-halide vapor phase epitaxy2021
- 著者名/発表者名
  I. Kobayashi, K. Ema, R. Hieda, H. Murakami and A. Koukitu
- 学会等名
  第40回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Growth of β-Ga2O3 layers by solid-source tri-halide vapor phase epitaxy2021
- 著者名/発表者名
  K. Yamaguchi, K. Sasaki, A. Kuramata, H. Murakami
- 学会等名
  第40回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Recent progress of thick GaN and its related alloys via HVPE and THVPE2020
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Naoya Kawamoto, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2020
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2020
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  GaN Consortium Webinar on Crystal Growth and Analysis
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] THVPE法によるSCAMO基板上InGaN成長2020
- 著者名/発表者名
  小林伊織、江間研太郎、日永田亮平、村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  第3回結晶工学×ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] トリハライド気相成長法を用いたβ-Ga2O3成長2020
- 著者名/発表者名
  江間研太郎，小川直紀，佐々木公平，倉又朗人，村上尚
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] GaCl3-O2-N2系を用いたβ-酸化ガリウム成長2020
- 著者名/発表者名
  江間研太郎，小川直紀，佐々木公平，倉又朗人，村上尚
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 金属Cdを用いた気相成長法によるGaAs基板上CdTe成長の基板面方位依存性2020
- 著者名/発表者名
  林洋美，立華岬，村上尚，纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of Group-III Sesquioxides2020
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Masataka Higashiwaki
- 学会等名
  2020 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] THVPE法を用いたInGaN厚膜成長における緩和状態の制御2020
- 著者名/発表者名
  日永田亮平、江間研太郎、村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] GaCl3を原料に用いたβ-Ga2O3成長におけるⅥ/Ⅲ比依存性2020
- 著者名/発表者名
  長野理紗、江間研太郎、佐々木公平、倉又朗人、村上尚
- 学会等名
  第3回結晶工学×ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] トリハライド気相成長法を用いたβ-酸化ガリウム成長2020
- 著者名/発表者名
  江間研太郎、小川直紀、佐々木公平、倉又朗人、村上尚
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] PSS上GaN中間層によるInGaN厚膜の格子緩和状態の制御2020
- 著者名/発表者名
  日永田亮平、江間研太郎、村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] GaCl3-O2-N2系を用いたβ-酸化ガリウム成長2020
- 著者名/発表者名
  江間研太郎，小川直紀，佐々木公平，倉又朗人，村上尚
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] GaCl3を原料に用いたβ-Ga2O3成長におけるⅥ/Ⅲ比依存性2020
- 著者名/発表者名
  長野理紗、江間研太郎、佐々木公平、倉又朗人、村上尚
- 学会等名
  第3回結晶工学×ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] トリハライド気相成長法による格子緩和したInGaN厚膜成長2019
- 著者名/発表者名
  江間研太郎, 植井里緒, 川邉充希, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy for the preparation of epitaxial wafers for vertical power device application2019
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Keita Konishi, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar, and Masataka Higashiwaki
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Investigation of Thermal and Chemical Stabilities of (001), (010), and (-201) β-Ga2O3 substrates in a flow of either N2 or H22019
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, S. Yamanobe, K. Goto, H. Murakami, S. Yamakoshi, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] GaCl-O2-N2系およびGaCl3-O2-N2系によるε-Ga2O3気相成長の比較2019
- 著者名/発表者名
  佐藤万由子，竹川直，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation2019
- 著者名/発表者名
  Chia-Hung Lin, Yohei Yuda, Man Hoi Wong, Mayuko Sato, Nao Takekawa, Keita Konishi, Tatsuro Watahiki, Mikio Yamamuka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] THVPE法で成長したε-Ga2O3膜の分光エリプソメトリーによる物性評価2019
- 著者名/発表者名
  森山匠、和才容子、竹川直、村上尚
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Investigation of Thermal and Chemical Stabilities of (001), (010), and (-201) β-Ga2O3 substrates in a flow of either N2 or H22019
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, S. Yamanobe, K. Goto, H. Murakami, S. Yamakoshi, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Enhancement-Mode Current Aperture Vertical Ga2O3 MOSFETs2019
- 著者名/発表者名
  Man Hoi Wong, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
- 学会等名
  77th Device Research Conference (77th DRC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Growth of lattice-relaxed InGaN thick films by tri-halide vapor phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  K. Ema, R. Uei, M. Kawabe, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 学会等名
  The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '19 (LEDIA '19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Influence of growth temperature and input VI/III ratio on crystallinity in homoepitaxy of β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  K. Goto, R. Miura, T. Kamo, N. Takekawa, H. Murakami, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Impact of electron-beam irradiation on the performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes2019
- 著者名/発表者名
  C.-H. Lin, A. Takeyama, M. Sato, N. Takekawa, K. Konishi, Y. Yuda, T. Watahiki, M. Yamamuka, H. Murakami, Y. Kumagai, T. Ohshima, and M. Higashiwaki
- 学会等名
  2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] トリハライド気相成長法によるa面sapphire基板上へのε-Ga2O3成長2019
- 著者名/発表者名
  江間研太郎，竹川直，後藤健，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Growth of High Crystalline Quality GaN with High Growth Rate by THVPE2019
- 著者名/発表者名
  Akira Yamaguchi, Daisuke Oozeki, Naoya Kawamoto, Nao Takekawa, Mayank Bulsara, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Koh Matsumoto and Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] トリハライド気相成長法によるε-Ga2O3成長のsapphire基板面方位依存性2019
- 著者名/発表者名
  江間研太郎，竹川直，後藤健，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Vertical Ga2O3 Transistors Fabricated By Ion Implantation Doping2019
- 著者名/発表者名
  M. Higashiwaki, M. H. Wong, K. Goto, H. Murakami, and Y. Kumagai
- 学会等名
  235th ECS Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Growth of Lattice-Relaxed InGaN Thick Films on Patterned Sapphire Substrates by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  Kentaro Ema, Rio Uei, Mitsuki Kawabe, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] β-Ga2O3 ショットキーバリアダイオードの電子線照射に対する耐性2019
- 著者名/発表者名
  林家弘、武山昭憲、湯田洋平、綿引達郎、村上尚、熊谷義直、大島武、東脇正高
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Growth of Gallium Oxide by HVPE2019
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, K. Konishi, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and M. Higashiwaki
- 学会等名
  2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] 酸化ガリウムトランジスタ開発の進展2019
- 著者名/発表者名
  東脇正高, Man Hoi Wong, 後藤健, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  2019年日本結晶成長学会特別講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] トリハライド気相成長法によるa面sapphire基板上へのε-Ga2O3成長2019
- 著者名/発表者名
  江間研太郎、竹川直、後藤健、村上尚、熊谷義直
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] HVPE法を用いたβ-Ga2O3成長における成長温度と供給VI/III比の影響2019
- 著者名/発表者名
  後藤健、三浦遼、加茂崇、竹川直、村上尚、熊谷義直
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] THVPE法を用いたc面サファイア基板上酸化ガリウム成長における準安定相の相制御2019
- 著者名/発表者名
  竹川直，佐藤万由子，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] β-Ga2O3 MOSFETs with Nitrogen-Ion-Implanted Back-Barrier: DC Performance and Trapping Effects2019
- 著者名/発表者名
  Man Hoi Wong, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Masataka Higashiwaki
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] 水素・窒素気流中におけるβ-Ga2O3(001)，(010)，(-201)基板の熱的・化学的安定性の検討2019
- 著者名/発表者名
  山野邉咲子, 後藤健, 村上尚, 山腰茂伸, 熊谷義直
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] ベータ酸化ガリウムHVPE成長における成長温度および供給VI/III比の影響2019
- 著者名/発表者名
  後藤健, 三浦遼, 加茂崇, 竹川直, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Impact of the Growth Temperature on GaN Crystal Characteristics by Trihalide Vapor Phase Epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  Erina Miyata, Syoma Ohtaki, Kenji Iso, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Phonons, free charge carriers, excitons and band-to-band transitions in beta Ga2O3 and related alloys determined by ellipsometry and optical Hall effect2019
- 著者名/発表者名
  M. Schubert, A. Mock, S. Knight, M. Hilfiker, M. Stokey, V. Darakchieva, A. Papamichail, R. Korlacki, M.J. Tadjer, Z. Galazka, G. Wagner, N. Blumenschein, A. Kuramata, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, A. Mauze, Y. Zhang, and J. S. Speck
- 学会等名
  Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] p型酸化ガリウムの形成とそのデバイス応用2019
- 著者名/発表者名
  東脇正高, ワンマンホイ, 林家弘, 湯田洋平, 綿引達郎, 山向幹雄, 後藤健, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  独立行政法人日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] Comparison between lateral and vertical Ga2O3 isolation structures2019
- 著者名/発表者名
  C. De Santi, A. Nardo, M. H. Wong, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
- 学会等名
  2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] β-Ga2O3(001), (010), (-201)基板の熱的・化学的安定性の面方位依存性2019
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，山野邉咲子，後藤健，村上尚，山腰茂伸，熊谷義直
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] イオン注入ドーピングを用いたβ-Ga2O3縦型パワーデバイス開発2019
- 著者名/発表者名
  東脇正高, Man Hoi Wong, 林家弘, 湯田洋平, 綿引達郎, 山向幹雄, 後藤健, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第113回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02614
[学会発表] 水素・窒素気流中におけるβ-Ga2O3(001)，(010)，(-201)基板の熱的・化学的安定性の検討2019
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，山野邉咲子，後藤健，村上尚，山腰茂伸，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] MOVPE-like Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and AlGaN using GaCl3 and AlCl32018
- 著者名/発表者名
  Mayuko Kobayashi, Nao Takekawa, Machi Takahashi, and Hisashi Murakami
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] MOVPE-like Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and AlGaN using GaCl3 and AlCl32018
- 著者名/発表者名
  Mayuko Kobayashi, Nao Takekawa, Machi Takahashi, Hisashi Murakami
- 学会等名
  19th International Conference on MetalOrganic Vapor Phase Spitaxy
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Progress in halide vapor phase epitaxy of Ga2O32018
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, K. Konishi, K. Goto, Q.-T. Thieu, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, Y. Kumagai
- 学会等名
  European Materials Research Society 2018 Fall Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Excess Chlorine and Growth Temperature Effects of N-Polar GaN Growth via Tri-halide Vapor Phase Epitaxy and its Theoretical Study2018
- 著者名/発表者名
  N. Takekawa, D. Oozeki, A. Yamaguchi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Matumoto, A. Koukitu
- 学会等名
  7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] THVPE法によるアモノサーマル製バルクシード上のGaNホモエピタキシャル成長2018
- 著者名/発表者名
  大瀧将磨, 磯憲司, 村上尚, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Recent progress in tri-halide vapor phase epitaxy of GaN-related materials2018
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Nao Takekawa, Kentaro Ema, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] トリハライド気相成長法によるGaN高温高速厚膜成長2018
- 著者名/発表者名
  村上尚，竹川直，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] THVPE法を用いたGaNの高温・高速成長2018
- 著者名/発表者名
  大関大輔，竹川直，山口晃，村上尚，熊谷義直，松本功，纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire and GaN templates by HVPE2018
- 著者名/発表者名
  Mayuko Sato, Nao Takekawa, Keita Konishi, Hisashi Murakami and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  International Conference on Light Emitting Devices and their Applications 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] THVPE法を用いたN極性GaNの高温成長2018
- 著者名/発表者名
  大関大輔、竹川直、河本直哉、山口晃、村上尚、熊谷義直、松本功、纐纈明伯
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] The effect of NH3 partial pressure on GaN growth via Tri-halide vapor phase epitaxy using solid source GaCl32018
- 著者名/発表者名
  Nao Takekawa, Mayuko Kobayashi, Machi Takahashi, and Hisashi Murakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] HVPE法によるc面サファイア基板上ε-酸化ガリウム成長における酸素分圧及び成長温度の影響2018
- 著者名/発表者名
  竹川直，佐藤万由子，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] GaN growth on the three-dimensional-shaped SCAAT bulk seed by tri-halide vapor phase epitaxy using GaCl32018
- 著者名/発表者名
  Kenji Iso, Daisuke Oozeki, Syoma Ohtaki, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] トリハライド気相成長法による格子緩和したInGaN厚膜成長2018
- 著者名/発表者名
  植井里緒、川邊充希、江間研太郎、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] THVPE法による窒化ガリウムの高速ホモエピタキシャル成長2018
- 著者名/発表者名
  河本直哉，竹川直，大関大輔，大瀧将磨，山口晃，村上尚，熊谷義直，松本功，纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] High temperature growth of N-polar GaN by THVPE2018
- 著者名/発表者名
  Daisuke Oozeki, Nao Takekawa, Naoya Kawamoto, Akira Yamaguchi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Influence of intermediate layers on thick InGaN growth using THVPE2018
- 著者名/発表者名
  Kentaro Ema, Rio Uei, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire and GaN templates by HVPE2018
- 著者名/発表者名
  Mayuko Sato, Nao Takekawa, Keita Konishi, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’18 (LEDIA ’18)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] HVPE法によるサファイアおよびGaNテンプレート上ε-Ga2O3膜の成長2018
- 著者名/発表者名
  佐藤万由子，竹川直，小西敬太，村上尚，熊谷義直
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Thick InGaN layer with the indium solid composition over 10% using tri-halide vapor phase epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, K. Ema, N. Matsumoto, M. Meguro, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] c面sapphire基板上c-In2O3のHVPE成長における成長速度の影響2017
- 著者名/発表者名
  長井研太，須賀隆之，中畑秀利，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Temperature dependence of In2O3 growth on (0001) sapphire by HVPE2017
- 著者名/発表者名
  Takayuki Suga, Shiyu Numata, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '17 (LEDIA ’17)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] THVPE of GaN -current topics-2017
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Nao Takekawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akira Yamaguchi, Koh Matsumoto
- 学会等名
  10th Internationational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Development of bulk AlN substrates for deep-UV optoelectronic devices by HVPE method2017
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu, Bo Monemar, and Zlatko Sitar
- 学会等名
  11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] 固体三塩化物原料を用いたGaNおよび AlGaNのトリハライド気相成長2017
- 著者名/発表者名
  髙橋万智、小林真悠子、村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  2017年度結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] トリハライド気相成長法によるInGaN系光デバイス作製に向けた膜厚制御性の検討2017
- 著者名/発表者名
  江間研太郎、松本尚也、植井里緒、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Influence of ambient oxygen on Si incorporation during hydride vapor phase epitaxy of AlN at high temperature2017
- 著者名/発表者名
  Keita Konishi, Reo Yamamoto, Rie Togashi, Toru Nagashima, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Thick GaN and AlGaN Growth by Solid-Source Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Machi Takahashi, Akinori Koukitu
- 学会等名
  36th Electronic Material Symposium (EMS36)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] ハライド気相成長法による(0001)サファイア基板上準安定相α-Ga2O3成長の検討2017
- 著者名/発表者名
  下川道貴，佐和田陽平，小西敬太，村上尚，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] THVPE法を用いたGaNの高温高速成長2017
- 著者名/発表者名
  林田直人、竹川直、大関大輔、山口晃、村上尚、熊谷義直、松本功、纐纈明伯
- 学会等名
  2017年度結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Temperature-Dependent Growth of Ga2O3 on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  M. Shimokawa, Y. Sawada, K. Konishi, H. Murakami, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] トリハライド気相成長法によるGaN高温厚膜成長2017
- 著者名/発表者名
  村上　尚，竹川　直，熊谷義直，山口　晃，松本功，纐纈明伯
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 Homoepitaxial Layers Using O2 and H2O as Oxygen Sources2017
- 著者名/発表者名
  K. Konishi, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] HVPE法を用いたc面サファイア基板上Ga2O3成長の温度依存性の調査2017
- 著者名/発表者名
  下川道貴，佐和田陽平，小西敬太，村上尚，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] ハライド気相成長法によるIn2O3成長の温度依存性2017
- 著者名/発表者名
  中畑秀利，須賀隆之，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 高品質窒化アルミニウムのハイドライド気相成長におけるSiドープ量制御2017
- 著者名/発表者名
  小西敬太，山本玲緒，富樫理恵，永島徹，木下亨，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，村上尚，Ramon Collazo，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] HVPE法を用いたIn2O3成長における成長速度の影響2017
- 著者名/発表者名
  須賀隆之，中畑秀利，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 金属Cd原料を用いたVPE法によるSi基板上へのCdTe成長と評価2017
- 著者名/発表者名
  極檀優也、磯憲司、2、白石万壽実、村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  2017年度結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Influence of Growth Rate on Halide Vapor Phase Epitaxy of c-In2O3 on c-Plane Sapphire Substrates2017
- 著者名/発表者名
  T. Suga, H. Nakahata, K. Konishi, R. Togashi, H. Murakami, P. P. Paskov, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] THVPE法を用いた無極性m面(10-10)および半極性面(10-1-1)上GaN厚膜成長2017
- 著者名/発表者名
  大関大輔、磯憲司、松田華蓮、竹川直、引田和弘、林田直人、村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  2017年度結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] 高品質InGaN厚膜成長を目指した中間層導入の検討2017
- 著者名/発表者名
  植井里緒, 江間研太郎, 松本尚也, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] HVPE growth of the group III nitrides2017
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu, Y. Kumagai, H. Murakami
- 学会等名
  36th Electronic Material Symposium (EMS36)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] 高温AlN-HVPEにおける系内酸素がSiドープ量に与える影響2017
- 著者名/発表者名
  小西敬太，山本玲緒，富樫理恵，永島徹，木下亨，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，村上尚，Ramon Collazo，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick InGaN and AlGaN Ternary Alloys2017
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Kentaro Ema, Naoya Matsumoto, Machi Takahashi, Rio Uei, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  10th Internationational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] 金属Cd原料を用いた気相成長法によるCdTe膜成長とその評価2017
- 著者名/発表者名
  白石万壽実, 磯憲司, 極檀優也, 村上尚, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本学術振興会第162委員会100回記念公開シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] High temperature growth of thick InGaN layer with the indium solid composition of 10% using tri-halide vapor phase epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Naoya Matsumoto, Misaki Meguro, Kentaro Ema, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Conference on Light Emitting Devices and their Applications 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] High temperature growth of GaN by THVPE method2017
- 著者名/発表者名
  N. Takekawa, N. Hayashida, D. Ohzeki, A. Yamaguchi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Matsumoto, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] 異なる酸素源を用いた酸化ガリウムハライド気相成長の比較2017
- 著者名/発表者名
  小西敬太，後藤健，富樫理恵，村上尚，東脇正高，倉又朗人，山腰茂伸，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 無極性、半極性面バルクGaN基板上へのTHVPE成長2016
- 著者名/発表者名
  松田華蓮、磯憲司、竹川直、引田和宏、林田直人、村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会第5回結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京農工大学、東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Growth of GaN and InGaN thick epitaxial layers by tri-halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto and Akinori Koukitu
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
- 発表場所
  Kyoto University, Kyoto, Japan
- 年月日
  2016-07-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Quasi-Equilibrium Crystal Shape and Kinetic Wulff Plot for GaN Grown by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy Using GaCl32016
- 著者名/発表者名
  Kenji Iso, Karen Matsuda, Nao Takekawa, Kazuhiro Hikida, Naoto Hayashida, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] High-Speed Growth of Thick InGaN Ternary Alloy by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, T. Hirasaki, M. Meguro, Q.-T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu
- 学会等名
  18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya Congress Center, Aichi，Japan
- 年月日
  2016-08-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] トリハライド気相成長法によるInGaN厚膜の高温成長2016
- 著者名/発表者名
  江間研太郎、目黒美佐稀、松本尚也、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会第5回結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京農工大学、東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] HVPE法AlN単結晶基板表面のSi蓄積の原因調査および制御の検討2016
- 著者名/発表者名
  佐藤圭介，寺尾真人，三井太朗，山本玲緒，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，纐纈明伯，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第5回結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京農工大学小金井キャンパス（東京都小金井市）
- 年月日
  2016-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] トリハライド気相成長法による GaN 成長の基板面方位依存性2016
- 著者名/発表者名
  松田華蓮、磯憲司、竹川直、引田和宏、林田直人、村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Recent Progress in Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN2016
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Nao Takekawa, Takahide Hirasaki, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA
- 年月日
  2016-10-06
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] トリハライド気相成長法を用いた擬平衡結晶面とウルフ図作成2016
- 著者名/発表者名
  磯憲司、松田華蓮、竹川直、引田和宏、林田直人、村上尚、纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会第5回結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京農工大学、東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] トリハライド気相成長法を用いた N 極性窒化ガリウムの高温成長2016
- 著者名/発表者名
  竹川直、引田和弘、松田華蓮、林田直人、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯
- 学会等名
  第8回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  京都大学, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] High Temperature Growth of Thick InGaN Layers using Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  M. Meguro, T. Hirasaki, T. Hasegawa, Q. T.Thieu, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu
- 学会等名
  International Conference on LEDs and their Industrial Applications ’16 (LEDIA'16)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Recent Progress in Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN2016
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Nao Takekawa, Takahide Hirasaki, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Progress of homoepitaxial growth technique of thick β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, K. Nomura, K. Goto, Q.-T. Thieu, R. Togashi, K. Sasaki, K. Konishi, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, A. Koukitu, M. Higashiwaki
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya Congress Center（愛知県名古屋市熱田区）
- 年月日
  2016-08-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] High-Speed Growth of Thick InGaN Ternary Alloy by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, T. Hirasaki, M. Meguro, Q.-T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu
- 学会等名
  18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] High temperature growth of thick InGaN ternary alloy by tri-halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  N. Matsumoto, M. Meguro, K. Ema, Q.-T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  35th Electronic Materials Symposium (EMS-35)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、滋賀県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] Dependence of GaN Growth on the Substrates with Various Surface Orientations by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy Using GaCl32016
- 著者名/発表者名
  Kenji Iso, Karen Matsuda, Nao Takekawa, Kazuhiro Hikida, Naoto Hayashida, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA
- 年月日
  2016-10-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] HVPE法によるn形AlNバルク基板作製の検討2016
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，富樫理恵，山本玲緒，永島徹，木下亨，村上尚，Monemar Bo，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第145回研究会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス（愛知県名古屋市千種区）
- 年月日
  2016-06-03
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Dependence of GaN Growth on the Substrates with Various Surface Orientations by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy Using GaCl32016
- 著者名/発表者名
  Kenji Iso, Karen Matsuda, Nao Takekawa, Kazuhiro Hikida, Naoto Hayashida, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] トリハライド気相成長法を用いたN極性窒化ガリウムの高温成長2016
- 著者名/発表者名
  引田和宏，竹川直, 松田華蓮, 林田直人, 村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会第5回結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京農工大学、東京都
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04945
[学会発表] High Temperature Growth of Thick InGaN Layers using Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  M. Meguro, T. Hirasaki, T. Hasegawa, Q. T.Thieu, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu
- 学会等名
  International Conference on LEDs and their Industrial Applications ’16
- 発表場所
  パシフィコ横浜、神奈川県
- 年月日
  2016-05-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Thick (>10 μm) and High Crystalline Quality InGaN Growth on GaN(000-1) Substrate by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu
- 学会等名
  9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX)
- 発表場所
  Hansol Oak Valley, Wonju, Korea
- 年月日
  2015-11-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Effect of NH3 Input Partial Pressure on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar and Akinori Koukitu
- 学会等名
  34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
- 年月日
  2015-07-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Dependences of input InCl3 ratio and growth temperature in InGaN growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Misaki Meguro, Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar and Akinori Koukitu
- 学会等名
  34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
- 年月日
  2015-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] HVPE法によるSiドープn形AlN基板作製と縦型ショットキーバリアダイオード試作への適用2015
- 著者名/発表者名
  寺尾真人，山本玲緒，木下亨，永島徹，小幡俊之，高島信也，富樫理恵，村上尚，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，纐纈明伯，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）
- 発表場所
  北海道大学学術交流会館（北海道札幌市）
- 年月日
  2015-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3基板上ホモエピタキシャル成長2015
- 著者名/発表者名
  野村一城，後藤健，佐々木公平，河原克明，ティユクァントゥ，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，東脇正高，倉又朗人，山腰茂伸，Bo Monemar，纐纈明伯
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス, 神奈川県
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN Layers2015
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, Akinori Koukitu
- 学会等名
  9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX)
- 発表場所
  Hansol Oak Valley, Wonju, Korea
- 年月日
  2015-11-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Calculation of thermochemical data for the growth of III-nitrides by vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application '15 (LEDIA '15)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] High-purity and highly-transparent AlN bulk crystal growth for UVC LED application by HVPE2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Togashi, R. Yamamoto, B. Moody, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  2015 Photonics West
- 発表場所
  The Moscone Center, San Francisco, California, U.S.A.
- 年月日
  2015-02-09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN Layers2015
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, Akinori Koukitu
- 学会等名
  9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX)
- 発表場所
  Hansol Oak Valley, Wonju, Korea
- 年月日
  2015-11-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] トリハライド気相成長法によるIn組成5%のInGaN厚膜(>10μm)成長2015
- 著者名/発表者名
  目黒美佐稀、平﨑貴英、長谷川　智康、ティユクァントゥ、村上尚、熊谷義直、Bo Monemar、纐纈明伯
- 学会等名
  第4回結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京農工大学(東京都小金井市)
- 年月日
  2015-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Influence of NH3 input partial pressure on N-polarity InGaN growth by tri-halide vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu
- 学会等名
  6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
- 発表場所
  Act City Hamamatsu, Shizuoka, Japan
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Growth of GaN and InGaN thick epitaxial layers by tri-halide vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, Akinori Koukitu
- 学会等名
  Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
- 発表場所
  Kyoto University, Kyoto, Japan
- 年月日
  2015-07-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] トリハライド気相成長法を用いたInGaN成長におけるNH3供給分圧の影響2015
- 著者名/発表者名
  平崎貴英，長谷川智康，目黒美佐稀，村上尚，熊谷義直，Bo Monemar，纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第7回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東北大学片平キャンパス(宮城県仙台市)
- 年月日
  2015-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Growth of Thick InGaN and GaN by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy with high rate2015
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  Eaton Hotel, Hong Kong
- 年月日
  2015-12-15
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] HVPE growth of the group III nitrides2015
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu, Y. Kumagai, H. Murakami
- 学会等名
  14th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Nagoya University, Aichi, Japan
- 年月日
  2015-11-20
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] High-purity and highly-transparent AlN bulk crystal growth for UVC LED application by HVPE2015
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Rie Togashi, Reo Yamamoto, Baxter Moody, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
- 学会等名
  2015 Photonics West
- 発表場所
  San Francisco, California, U.S.A.
- 年月日
  2015-02-09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] HVPE growth of the group III nitrides2015
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu, Y. Kumagai, H. Murakami
- 学会等名
  14th Akasaki Research Center Symposium
- 発表場所
  Akasaki Research Center
- 年月日
  2015-11-20
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Thick (10 μm) and High Crystalline Quality InGaN Growth on GaN(000-1) Substrate by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu
- 学会等名
  9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX)
- 発表場所
  Act City Hamamatsu, Shizuoka, Japan
- 年月日
  2015-11-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] 水素・窒素気流中におけるβ-Ga2O3の熱的安定性の熱力学的検討2015
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，野村一城，江口千尋，蕗澤孝紘，後藤健，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス, 神奈川県
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] III-Cl・III-Cl3混在ハライド気相成長によるIII族窒化物特異構造の形成2015
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，富樫理恵，ティユクァントゥ，村上尚，Bo Monemar，纐纈明伯
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス, 神奈川県
- 年月日
  2015-03-14
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Growth of GaN on r-plane sapphire substrate by tri-halide vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  A. Shiono, N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application '15 (LEDIA '15)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
- 年月日
  2015-04-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] III族酸化物単結晶基板の水素・窒素雰囲気下分解の熱力学解析2014
- 著者名/発表者名
  江口千尋, 蕗澤孝紘, 野村一城, 後藤健, 富樫理恵, 村上尚, 倉又朗人, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学, 愛知県
- 年月日
  2014-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Thermal stability of Ga2O3 in mixed gases of H2 and N22014
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, K. Nomura, C. Eguchi, T. Fukizawa, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Koukitu
- 学会等名
  10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2014-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 第一原理計算と統計力学を用いたIII族窒化物の成長における熱化学データの算出2014
- 著者名/発表者名
  竹川直，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学, 愛知県
- 年月日
  2014-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] トリハライド気相成長法を用いたr面サファイヤ基板上へのGaN成長2014
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 小島千恵，藤田直人，斉藤広伸，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯塩野杏奈，竹川直，藤村侑，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学, 愛知県
- 年月日
  2014-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Estimation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides by the combination of first principles and statistical thermodynamic2014
- 著者名/発表者名
  Nao Takekawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 静岡県
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Growth of homoepitaxial ZnO thin layers by halide vapor phase epitaxy using non-hydrogenous sources2014
- 著者名/発表者名
  Rintaro Asakawa, Yuta Isa, Naoto Kanzaki, Song-Yun Kang, Akihiko Hiroe, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yusaku Kashiwagi, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- 年月日
  2014-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Temperature Dependence of InN Growth on Nitrided Yttria-Stabilized Zirconia (111) Substrates Using a Novel HVPE System2014
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Chie Kojima, Naoto Fujita, Hironobu Saito, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
- 発表場所
  Atlanta, Georgia, U.S.A.
- 年月日
  2014-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] HVPE法によるAlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN成長の検討2014
- 著者名/発表者名
  田中凌平，東城俊介，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
- 発表場所
  学習院大学, 東京都
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Investigation of Ambient Gas after High-Temperature Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  S. Tojo, R. Tanaka, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
- 発表場所
  WROCLAW, Poland
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Growth of Si-Doped AlN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  R. Tanaka, S. Tojo, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Centennial Hall, Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] AlN高温HVPE成長における基板昇降温プロセスが表面に与える影響2014
- 著者名/発表者名
  東城俊介，田中凌平，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学天白キャンパス（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] AlNのHVPE高温ホモエピタキシャル成長における基板昇降温時表面劣化の原因2014
- 著者名/発表者名
  東城俊介，田中凌平，額賀俊成，富樫理恵，永島　徹，木下　亨，Baxter Moody，村上　尚, Ramon Collazo，熊谷義直，Zlatko Sitar
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学, 北海道
- 年月日
  2014-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] High-Speed Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN on Nitrided Yttria-Stabilized Zirconia (111) substrates2014
- 著者名/発表者名
  C. Kojima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
- 発表場所
  WROCLAW, Poland
- 年月日
  2014-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] AlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN層のHVPE成長の検討2014
- 著者名/発表者名
  田中凌平，東城俊介，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学天白キャンパス（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-07-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Theoretical calculation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides2014
- 著者名/発表者名
  N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2014-12-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法により作製したInN成長層の特性評価2014
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 斉藤広伸，藤田直人，今井亮太，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Nitrides by HVPE -current and prospects-2014
- 著者名/発表者名
  A. KOUKITU, Y. KUMAGAI and H. MURAKAMI
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
- 発表場所
  WROCLAW, Poland
- 年月日
  2014-08-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] High-Speed Growth of InN over 10 μm/h by a Novel HVPE System2014
- 著者名/発表者名
  N. Fujita, R. Imai, H. Saito, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長の熱力学解析2014
- 著者名/発表者名
  野村一城，後藤　健，富樫理恵，村上　尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学, 北海道
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Homo-Epitaxial Growth of High-Purity Films of β-Ga2O3 and ZnO by Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami and Akinori Koukitu
- 学会等名
  2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, U.S.A
- 年月日
  2014-12-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Theoretical calculation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides2014
- 著者名/発表者名
  N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2014-12-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Homoepitaxial Growth of ZnO Thin Layers by Halide Vapor Phase Epitaxy using Hydrogen- Free Sources2014
- 著者名/発表者名
  Rintaro Asakawa, Naoto Kanzaki, Song-Yun Kan, Akihiko Hiroe, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yusaku Kashiwagi,Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2014-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] AlNのHVPE高温ホモエピタキシャル成長における基板昇降温時表面劣化の原因2014
- 著者名/発表者名
  東城俊介，田中凌平，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy and Doping of AlN2014
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
- 発表場所
  Atlanta, Georgia, U.S.A.
- 年月日
  2014-05-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] AlN 高温HVPE成長における基板昇降温プロセスが表面に与える影響2014
- 著者名/発表者名
  東城俊介, 田中凌平, 額賀俊成, 富樫理恵, 永島徹, 木下亨, Baxter Moody, 村上尚, Ramon Collazo, 熊谷義直, 纐纈明伯, Zlatko Sitar
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学, 愛知県
- 年月日
  2014-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への前駆体二段階生成HVPE法による高速InN成長2014
- 著者名/発表者名
  小島千恵，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
- 発表場所
  学習院大学, 東京都
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] HVPE法によるAlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN成長の検討2014
- 著者名/発表者名
  田中凌平，東城俊介，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  応用物理学会第3回結晶工学未来塾
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館（東京都豊島区）
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] 第一原理計算と統計力学を用いたIII族窒化物の成長における熱化学データの算出2014
- 著者名/発表者名
  竹川直，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学, 愛知県
- 年月日
  2014-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] High-speed InN growth on yttria-stabilized zirconia (111) substrates by a two-step precursor generation HVPE system2014
- 著者名/発表者名
  C. Kojima, R. Togashi, R. Imai, N. Fujita, H. Saito, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- 年月日
  2014-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Selective growth of InN on patterned GaAs(110) substrate by MOVPE2014
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Yusuke Kitai, Thieu Quan Tu, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 静岡県
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] GaCl-O2系HVPE法によるβ-Ga2O3成長の熱力学解析2014
- 著者名/発表者名
  野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
- 発表場所
  学習院大学, 東京都
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Influence of Growth Temperature on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Yuta Watanabe, Masato Ishikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 静岡県
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Investigation of Ambient Gas after High-Temperature Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  S. Tojo, R. Tanaka, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Centennial Hall, Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Surface orientation dependence of the In-incorporation of THVPE-grown InGaN studied by first principles and statistical thermodynamics2014
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Yu Fujimura, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- 年月日
  2014-04-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Theoretical investigation of the influence of surface orientation on In-incorporation during InGaN growth using THVPE2014
- 著者名/発表者名
  Yu Fujimura, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 静岡県
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Deep-UV Transparent AlN Substrates Prepared by HVPE for UV-C LED Applications2014
- 著者名/発表者名
  T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Temperature Dependence of InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  T. Hirasaki, Y. Watanabe, T. Hasegawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2014-12-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Influence of Growth Temperature on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, Yuta Watanabe, Masato Ishikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 静岡県
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Thermal Stability of Group-III Oxides in Mixed Flows of H2 and N2 for Growth of Group-III Nitrides2014
- 著者名/発表者名
  C. Eguchi, T. Fukizawa, K. Nomura, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, A. Kuramata, Y. Kumagai and A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
- 発表場所
  WROCLAW, Poland
- 年月日
  2014-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Selective Nucleation of Semi-Polar InN on Patterned GaAs(110) Substrate by MOVPE2014
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Yusuke Kitai, Thieu Quan Tu, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
- 発表場所
  WROCLAW, Poland
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Growth of Si-doped AlN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  R. Tanaka, S. Tojo, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
- 発表場所
  WROCLAW, Poland
- 年月日
  2014-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] InGaN成長におけるIn取り込みの面方位依存性の理論検討2014
- 著者名/発表者名
  藤村侑, 村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Temperature Dependence of InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  T. Hirasaki, Y. Watanabe, T. Hasegawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
- 発表場所
  Kaohsiung, Taiwan
- 年月日
  2014-12-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Thermodynamic Analysis on Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O32014
- 著者名/発表者名
  Kazushiro Nomura, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi and Akinori Koukitu
- 学会等名
  2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, U.S.A
- 年月日
  2014-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy and Doping of AlN2014
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  The Westin Peachtree Plaza, Atlanta, Georgia, U.S.A.
- 年月日
  2014-05-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] HVPE法によるAlN単結晶自立基板の作製とそのデバイス応用2014
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 永島徹, 木下亨, 村上尚, 纐纈明伯
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学, 愛知県
- 年月日
  2014-07-15
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Theoretical investigation of the influence of surface orientation on In-incorporation during InGaN growth using THVPE2014
- 著者名/発表者名
  Yu Fujimura, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 静岡県
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] トリハライド気相成長法によるInGaN成長における成長温度の影響2014
- 著者名/発表者名
  長谷川智康，平崎貴英，渡辺雄太，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
- 発表場所
  学習院大学, 東京都
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26246018
[学会発表] Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Centennial Hall, Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-26
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法による窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への高速InN成長2014
- 著者名/発表者名
  小島千恵，富樫理恵，村上　尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学, 北海道
- 年月日
  2014-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] トリハライド気相成長法によるInGaN成長における成長温度の影響2014
- 著者名/発表者名
  長谷川智康，平崎貴英，渡辺雄太，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
- 発表場所
  学習院大学, 東京都
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] トリハライド気相成長法を用いたr面サファイヤ基板上へのGaN成長2014
- 著者名/発表者名
  塩野杏奈，竹川直，藤村侑，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学, 愛知県
- 年月日
  2014-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] HVPE法によるAlN単結晶自立基板の作製とそのデバイス応用2014
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，永島徹，木下亨，村上尚，纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学天白キャンパス（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2014-07-25
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] High-Speed Growth of In- and N-polarity InN Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System2014
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, N. Fujita, R. Imai, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 水素・窒素雰囲気下におけるGa2O3分解の検討2014
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，野村一城，江口千尋，蕗澤孝紘，後藤健，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
- 学会等名
  第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
- 発表場所
  学習院大学, 東京都
- 年月日
  2014-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Growth of Semi-polar InN Layers on GaAs(311)A and (311)B by MOVPE2014
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法による高速・高温InN成長2014
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 小島千恵，藤田直人，斉藤広伸，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学, 愛知県
- 年月日
  2014-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3のホモエピタキシャル成長2014
- 著者名/発表者名
  河原克明，野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
- 発表場所
  学習院大学, 東京都
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Estimation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides by the combination of first principles and statistical thermodynamic2014
- 著者名/発表者名
  Nao Takekawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 静岡県
- 年月日
  2014-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] HVPE法を用いたβ-Ga2O3結晶成長の熱力学解析2014
- 著者名/発表者名
  野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
- 学会等名
  第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
- 発表場所
  学習院大学, 東京都
- 年月日
  2014-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Growth of AlN by hydride vapor phase epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
- 発表場所
  WROCLAW, Poland
- 年月日
  2014-08-26
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Thermal stability of β-Ga2O3 substrates in mixed flows of H2 and N22014
- 著者名/発表者名
  C. Eguchi, T. Fukizawa, S. Hanagata, K. Nomura, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, A. Kuramata, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- 年月日
  2014-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 Films on (001) β-Ga2O3 Substrate2014
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Kazushiro Nomura, Ken Goto, Katsuaki Kawara, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi and Akinori Koukitu
- 学会等名
  2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, U.S.A
- 年月日
  2014-12-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] AlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN層のHVPE成長の検討2014
- 著者名/発表者名
  田中凌平, 東城俊介, 額賀俊成, 富樫理恵, 永島徹, 木下亨, Baxter Moody, 村上尚, Ramon Collazo, 熊谷義直, 纐纈明伯, Zlatko Sitar
- 学会等名
  第6回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学, 愛知県
- 年月日
  2014-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 水素・窒素雰囲気下におけるIII族酸化物基板安定性の熱力学的調査2014
- 著者名/発表者名
  江口千尋，蕗澤孝紘，野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，倉又朗人，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
- 発表場所
  学習院大学, 東京都
- 年月日
  2014-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるInNの高速成長の実現2013
- 著者名/発表者名
  藤田直人，斉藤広伸，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学, 大阪府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Properties of homoepitaxial AlN layers grown by HVPE on PVT-AlN substrates2013
- 著者名/発表者名
  T. Nagashima , Y. Kubota, R. Okayama, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, R. Collazo, and Z. Sitar
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
- 発表場所
  Seeon, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Temperature Dependence of InN Growth by a Novel HVPE System with Two-Step Generation of InCl32013
- 著者名/発表者名
  Naoto Fujita, Ryota Imai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Demonstration of high-speed growth of InN by HVPE with a two-step precursor generation scheme2013
- 著者名/発表者名
  Naoto Fujita, R. Imai, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 高温下におけるβ-Ga2O3 (010)基板表面安定性の検討2013
- 著者名/発表者名
  蕗澤孝紘, 江口千尋，花形祥子，野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，倉又朗人，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] High-Speed Growth of InN over 10 μm/h by a Novel HVPE System2013
- 著者名/発表者名
  N. Fujita, R. Imai, H. Saito, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy of InGaN2013
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu ,T. Hirasaki, H. Murakami and Y. Kumagai
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
- 発表場所
  Seeon, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] GaAs(11n)基板上半極性InN成長の温度依存性2013
- 著者名/発表者名
  北井佑典，佐久間文昭，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学, 大阪府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] HVPE法によるPVT-AlN基板上ホモエピタキシャル成長における成長速度増加の検討2013
- 著者名/発表者名
  額賀俊成, 坂巻龍之介，平連有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，村上尚, R. Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
- 発表場所
  長野市生涯学習センター, 長野県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Semi-polar growth of InN on GaAs(11n) substrate by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  2013 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Semi-polar growth of InN on GaAs(11n) substrate by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  2013 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  Cancun, Mexico
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Influence of growth parameters on homo-epitaxial growth of thick AlN layers by HVPE on PVT-AlN substrates2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
- 発表場所
  Seeon, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 三塩化ガリウムを用いたGaN高温厚膜成長2013
- 著者名/発表者名
  村上尚，宮崎智成，富樫理恵，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学, 大阪府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Growth of Semi-polar InN Layers on GaAs(311)A and (311)B by MOVPE2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] ハライド気相成長法によるZnO薄膜成長の酸素源の検討2013
- 著者名/発表者名
  神崎直人, 伊佐雄太，康松潤，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，柏木勇作，纐纈明伯
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] High temperature growth of thick GaN using GaCl3-NH3 system2013
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Thermodynamic analysis of HVPE-Is it possible to grow InGaN by HVPE?-2013
- 著者名/発表者名
  A. Koukitu, K. Hanaoka, H. Murakami, Y.Kumagai
- 学会等名
  2012 Meijo International Symposium on Nitride Semiconductors (MSN2012)
- 発表場所
  Meijo University(愛知県)
- 年月日
  2013-02-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AlNの成長2013
- 著者名/発表者名
  額賀俊成，坂巻龍之介，久保田有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，J. Xie，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学, 大阪府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] HVPE炉内高温雰囲気下におけるAlN単結晶表面の劣化2013
- 著者名/発表者名
  坂巻龍之介, 額賀俊成，平連有紀，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚， R. Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
- 発表場所
  長野市生涯学習センター, 長野県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] High-Speed InN Growth Using a Novel Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System2013
- 著者名/発表者名
  R. Togashi , N. Fujita, R. Imai, H. Murakami, Y. Kumagai,and A. Koukitu
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
- 発表場所
  Seeon, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるInN成長の温度依存性2013
- 著者名/発表者名
  藤田直人, 斉藤広伸，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
- 発表場所
  長野市生涯学習センター, 長野県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるIn極性およびN極性InNの高速成長2013
- 著者名/発表者名
  斉藤広伸, 藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Growth of high quality AlN with deep-UV transparency by HVPE2013
- 著者名/発表者名
  Toshinari Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Dependence of InGaN-HVPE growth on group-III input partial pressure2013
- 著者名/発表者名
  Takahide Hirasaki, M. Ishikawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Deep-UV Transparent AlN Substrates Prepared by HVPE for UV-C LED Applications2013
- 著者名/発表者名
  T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport2013
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 久保田有紀，永島徹，木下亨，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，Baxter Moody， Jinqiao Xie，村上尚，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 酸化亜鉛HVPEホモエピタキシャル成長のVI族源の比較検討2013
- 著者名/発表者名
  神崎直人, 伊佐雄太，康松潤，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，柏木勇作，纐纈明伯
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
- 発表場所
  長野市生涯学習センター, 長野県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Influence of Growth Temperature on Homo-Epitaxial Growth of AlN by HVPE on PVT-AlN Substrates2013
- 著者名/発表者名
  Toshinari Nukaga, Ryunosuke Sakamaki, Yuki Kubota, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Jinqiao Xie, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるIn, N各極性InN高速成長の比較検討2013
- 著者名/発表者名
  斉藤広伸, 藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
- 発表場所
  長野市生涯学習センター, 長野県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 水素・窒素雰囲気下におけるβ-Ga2O3 (010)基板表面安定性の検討2013
- 著者名/発表者名
  蕗澤孝紘, 江口千尋，花形祥子，野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，倉又朗人，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
- 発表場所
  長野市生涯学習センター, 長野県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] High-Speed Growth of In- and N-polarity InN Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System2013
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, N. Fujita, R. Imai, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  パシフィコ横浜, 神奈川県
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Comparative Study on High-Speed InN Growth in Both In- and N-Polarities Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System2013
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Naoto Fujita, Ryota Imai, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] High speed and high temperature growth of GaN by HVPE using GaCl3 as group III-precursor2013
- 著者名/発表者名
  H. Murakami ,Y. Kumagai,and A. Koukitu
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
- 発表場所
  Seeon, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE装置を用いたIn極性およびN極性InN成長の比較検討2013
- 著者名/発表者名
  斉藤広伸，藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学, 大阪府
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25390064
[学会発表] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, S. Takenaka, T. Hotta, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg(ロシア)
- 年月日
  2012-07-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] 纐纈明伯,HVPE法を用いたsapphire(0001)基板上InN成長におけるNH3供給分圧依存性2012
- 著者名/発表者名
  富樫理恵,山本翔,K.F.Karlsson,村上尚,熊谷義直,P.O.Holtz
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学(福岡県)
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] HVPE成長フリースタンディングAIN基板の異方性を考慮した分光エリプソメトリー評価2012
- 著者名/発表者名
  岡本浩, 佐藤崇信, 堤浩一, 鈴木道夫, 熊谷義直, 久保田有紀, 永島徹, 木下亨, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 纐纈明伯, Z, Sitar
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学文京キャンパス
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN成長における水素添加の影響2012
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎末松真友,竹中佐江,冨樫理恵,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] PVT基板上に成長したCドープHVPE法AIN厚膜の光学特性と構造特性2012
- 著者名/発表者名
  永島徹, 久保田有紀, 木下亨, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯, Z, Sitar
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学文京キャンパス
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Homoepitaxial growth of thick AIN layers by HYPE on bulk AIN substrates prepared by PVT2012
- 著者名/発表者名
  R, Sakamaki, Y, Kubota, T, Nagashima, T, Kinoshita, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, H, Murakami, Y、Kumagai, A, Koukitu, Z, Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2012-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] GaAs(110)基板上半極性InN成長における水素添加効果2012
- 著者名/発表者名
  村上尚,堀田哲郎,富樫理恵,熊谷義直,纐纈明伯
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学(東京都)
- 年月日
  2012-04-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] バルクPVT基板上HVPE成長によるAIN自立基板の作製2012
- 著者名/発表者名
  坂巻龍之介, 久保田有紀, 永島徹, 木下亨, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯, Z, Sitar
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学文京キャンパス
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using III-bromides and III-iodides2012
- 著者名/発表者名
  T. Hirasaki, K. Hanaoka, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg(ロシア)
- 年月日
  2012-07-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN成長における水素添加の影響2012
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎末松真友，竹中佐江，冨樫理恵, 村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] Selective MOVPE growth of semi-polar InN layers on GaAs(311)A and (311)B substrates2012
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Tetsuro Hotta, Mayu Suematsu, Tadashi Ohachi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center(北海道)
- 年月日
  2012-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] Optical and structural properties of intentionally C-doped thick HVPE AIN layers grown on PVT AIN substrates2012
- 著者名/発表者名
  T, Nagashima, Y, Kubota, T, Kinoshita, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, H, Murakami, Y, Kumagai, A, Koukitu, Z, Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
- 発表場所
  札幌コンベンションセンター
- 年月日
  2012-10-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] InGaN成長組成の面方位依存性に関する理論的考察2012
- 著者名/発表者名
  藤村侑,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学(福岡県)
- 年月日
  2012-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN成長における水素添加の影響2012
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎, 末松真友, 竹中佐江, 冨樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] GaAs(311)A及び(311)B上半極性InNのMOVPE成長2012
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎,富樫理恵,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学(東京都)
- 年月日
  2012-04-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] Hetero- and Homo-Epitaxy of Thick AIN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  Y, Kumagai, Y, Kubota, T, Nagashima, T, Kinoshita, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, H, Murakami, A, Koukitu, Z, Sitar
- 学会等名
  2012 Collaborative Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Doubletree by Hilton Orlandoat SeaWorld (米国)(招待講演)
- 年月日
  2012-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AINウェーハーの作製2012
- 著者名/発表者名
  坂巻鮨之介, 久保田有紀, 永島徹, 木下亨, R, Dalmau, R, Schlesser, B, Moody, J, Xie, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯, Z, Sitar
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2012-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] その場重量測定法を用いたサファイア表面の反応メカニズムの解明2011
- 著者名/発表者名
  吉田崇, 冨樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  科学研究費補助金・特定領域研究・公開シンポジウム窒化物光半導体のフロンティア～材料潜在能力の極限発現～
- 発表場所
  東京ガーデンパレス
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 高温下での水素・窒素同時供給によるサファイア基板表面分解・AlN形成における面方位依存性2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] InN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] In系窒化物半導体のMOVPE、HVPE成長2011
- 著者名/発表者名
  村上尚, 富樫理恵, 稲葉克彦, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス(招待講演)
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)テンプレート上InN高速成長の検討2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] Measurement of temperature dependent lattice constants of single crystal AlN and various starting substrates for the growth of AlN2011
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, M.Sakai, T.Nagashima, J.Tajima, H.Murakami, H.Morioka, T.Yamauchi, K.Saito, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] MOVPE法を用いた半極性InN(1013)低温成長への水素添加の影響2011
- 著者名/発表者名
  竹中佐江, 末松真友，堀田哲郎，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] Self epitaxial lateral overgrowth of HVPE-AlN layers on 6H-SiC (0001) substrates by the intentional formation of non c-axis oriented AlN grains2011
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, S.Sekiguchi, M.Ishizuki, R.Togashi, K.Takada, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Crack in HVPE grown 2H-AlN films on AlN templates prepared by PA-MBE using AM-MEE2011
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, N.Yamabe, Y.Yamamoto, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-18
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN/sapphire(0001)テンプレート上AlN HVPE成長における成長速度増加の検討2011
- 著者名/発表者名
  添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Possibility of InGaN HVPE growth with the high growth rate and the wide composition control2011
- 著者名/発表者名
  A.Koukitu, K.Hanaoka, H.Murakami, Y.Kumagai
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] サファイア基板の水素・窒素混合雰囲気下熱処理による表面分解およびAlN形成の熱力学的検討2011
- 著者名/発表者名
  国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] In系窒化物半導体のMOVPE、HVPE成長2011
- 著者名/発表者名
  村上尚,富樫理恵,稲葉克彦,熊谷義直,纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学(福岡県)
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] その場重量測定法を用いたサファイア表面の反応メカニズムの解明2011
- 著者名/発表者名
  吉田崇、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯
- 学会等名
  科学研究費補助金・特定領域研究・公開シンポジウム　窒化物光半導体のフロンティア～材料潜在能力の極限発現～
- 発表場所
  東京ガーデンパレス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] MOVPE法を用いた半極性InN(10-13)低温成長への水素添加の影響2011
- 著者名/発表者名
  竹中佐江,末松真友,堀田哲郎,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] GaAs(110)上半極性InN(10-13)成長における窒化及びバッファ層の効果2011
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN{10-13}の成長温度が双晶形成に与える影響2011
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎,末松真友,趙賢哲,富樫理恵,稲葉克彦,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学(福岡県)
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] Influence of Growth Temperature on the Twin Formation of the InN{10-13} on GaAs(110) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, H.-C. Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  SECC, Glasgow, Scotland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] Influence of Growth Temperature on the Twin Formation of the InN{10-13} on GaAs(110)by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, H.-C.Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  SECC, Glasgow, Scotland
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 高温下での水素・窒素同時供給によるサファイア基板表面分解・AlN形成における面方位依存性2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気下熱処理におけるc面サファイア基板表面分解・AlN形成の挙動及びその熱力学解析2011
- 著者名/発表者名
  国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈a明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN{10-13}の成長温度が双晶形成に与える影響2011
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎, 末松真友, 趙賢哲, 富樫理恵, 稲葉克彦, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] 高温熱処理によるサファイア表面分解・AlN形成における面方位依存性2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] MOVPE法による高指数面GaAs(311)A及び(311)B基板上への半極性InN成長2011
- 著者名/発表者名
  末松真友,竹中佐江,堀田哲郎,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] InN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] MOVPE法による高指数面GaAs(311)A及び(311)B基板上への半極性InN成長2011
- 著者名/発表者名
  末松真友, 竹中佐江，堀田哲郎，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] AlN/sapphire(0001)テンプレート上へのAlN HVPE高速成長における成長速度の影響2011
- 著者名/発表者名
  添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気での高温熱処理によるc面サファイア基板表面分解及びAlN形成2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] HVPEの熱力学的反応解析とリアクタ設計2011
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] MOVPE法による高指数面GaAs(311)A及び(311)B基板上への半極性InN成長2011
- 著者名/発表者名
  末松真友, 竹中佐江, 堀田哲郎, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Influence of Growth Temperature on the Twin Formation of the InN{10-13} on GaAs(110) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, H.-C. Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
- 発表場所
  SECC, Glasgow(スコットランド)
- 年月日
  2011-07-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] Self epitaxial lateral overgrowth of HVPE-AlN layers on 6H-SiC(0001) substrates by the intentional formation of non c-axis oriented AlN grains2011
- 著者名/発表者名
  H.Murakami, S.Sekiguchi, M.Ishizuki, R.Togashi, K.Takada, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII) S3-4
- 発表場所
  Koyasan, Wakayama, Japan 招待講演
- 年月日
  2011-06-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN/sapphire(0001)テンプレート上へのAlN HVPE高速成長における成長速度の影響2011
- 著者名/発表者名
  添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] Formation of AlN on sapphire surface by high temperature heating in the mixed flow of H2 and N22011
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, T.Igi, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII) S3-6
- 発表場所
  Koyasan, Wakayama, Japan 招待講演
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気下熱処理におけるc面サファイア基板表面分解・AlN形成の挙動及びその熱力学解析2011
- 著者名/発表者名
  国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] MOVPE法を用いた半極性InN(1013)低温成長への水素添加の影響2011
- 著者名/発表者名
  竹中佐江, 末松真友, 堀田哲郎, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2011-12-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] a面サファイア表面の反応メカニズムの原子レベルその場測定2011
- 著者名/発表者名
  吉田崇, 阿部創平, 土屋正樹, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] In系窒化物半導体のMOVPE、HVPE成長2011
- 著者名/発表者名
  村上尚, 富樫理恵, 稲葉克彦, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会(招待講演)
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN成長の検討2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] サファイア基板の水素・窒素混合雰囲気下熱処理による表面分解および・AlN形成の熱力学的検討2011
- 著者名/発表者名
  国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 年月日
  2011-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] a面サファイア表面の反応メカニズムの原子レベルその場測定2011
- 著者名/発表者名
  吉田崇, 阿部創平, 土屋正樹, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] Formation of AlN on sapphire surface by high temperature heating in the mixed flow of H_2 and N_22011
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, T.Igi, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-7)
- 発表場所
  高野山大学(和歌山県)(招待講演)
- 年月日
  2011-03-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPEの熱力学的反応解析とリアクタ設計2011
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気での高温熱処理によるc面サファイア基板表面分解及びAlN形成2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN{10-13}の成長温度が双晶形成に与える影響2011
- 著者名/発表者名
  堀田哲郎, 末松真友, 趙賢哲, 富樫理恵, 稲葉克彦, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] 高温熱処理によるサファイア表面分解・AlN形成における面方位依存性2011
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)テンプレート上InN高速成長の検討2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN成長の検討2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] AlN/sapphire(0001)テンプレート上AlN HVPE成長における成長速度増加の検討2011
- 著者名/発表者名
  添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] Influence of GaN substrate polarity on InN growth by hydride vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  R.Togashi, A.Otake, Y.Higashikawa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy of AlN at High Temperatures on Freestanding (0001)AlN Substrates2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, T.Nagashima, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (22nd IPRM)
- 発表場所
  高松シンボルタワー(香川県)
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy of AlN at High Temperatures on Freestanding (0001)AlN Substrates2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, T.Nagashima, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (22nd IPRM) WeB3-3
- 発表場所
  Kagawa, Japan 口頭発表
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaAs(110)基板上半極性InNのMOVPE成長2010
- 著者名/発表者名
  村上尚, 趙賢哲, 末松真友, 富樫理恵, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surface2010
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] サファイア(0001)基板上InN HVPE成長におけるNH_3供給分圧変調効果2010
- 著者名/発表者名
  東川義弘, 大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Thermodynamic Analysis on HVPE Growth of InGaN Ternary Alloy2010
- 著者名/発表者名
  Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ gravimetric monitoring of hydrogen etching rates of GaN, sapphire and SiC2010
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-16/ICVGE-14)
- 発表場所
  Beijing, China 基調講演
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 高温その場X線回折による単結晶AlNの格子定数の温度依存性測定2010
- 著者名/発表者名
  酒井美希, 田島純平, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 森岡仁, 山内剣, 斎藤啓介, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による気相成長法におけるGaN(0001)へのV族原料吸着過程の解析2010
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 単結晶AlNの格子定数の温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  酒井美希, 田島純平, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 森岡仁, 山内剣, 斎藤啓介, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] InGaN三元混晶のHVPE成長に関する熱力学的考察2010
- 著者名/発表者名
  花岡幸史, 田口悠嘉, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Influence of nucleation behavior in the initial growth stage on the HVPE growth of InN on sapphire (0001) substrates2010
- 著者名/発表者名
  Y.Higashikawa, A.Otake, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN及びAlN成長用初期基板の格子定数の温度依存性測定2010
- 著者名/発表者名
  酒井美希, 永島徹, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 森岡仁, 山内剣, 斎藤啓介, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of InN Films by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)(招待講演)
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of InN Films by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-16/ICVGE-14) DK1
- 発表場所
  Beijing, China 招待講演
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 非c軸配向AlNグレインを利用した6H-SiC(0001)基板上AlNのSelf-ELO2010
- 著者名/発表者名
  関口修平, 石附正成, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Control of in-plane Epitaxial Relationship of c-plane AlN Layers Grown on a-plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010) A1.8
- 発表場所
  Tampa, FL, U.S.A. 口頭発表
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] サファイア(0001)基板上InN HVPE成長におけるNH_3供給分圧変調効果2010
- 著者名/発表者名
  東川義弘, 大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響2010
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Effects of growth temperature on the crystal orientation of InN on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaCl_3を用いたGaNのHVPE成長2010
- 著者名/発表者名
  山根貴好, 花岡幸史, 近藤秀昭, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] r面 sapphire 基板上a面AIN HVPE成長におけるキャリアガスの影響2010
- 著者名/発表者名
  田島純平, 越前史, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Influence of Hydrogen Gas on the Growth of Semi-polar InN2010
- 著者名/発表者名
  Hyunchol Cho, Mayu Suematsu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  Florida (USA)
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による窒化物表面へのV族原料吸着過程の解析2010
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
- 発表場所
  東北大学(宮城県)
- 年月日
  2010-11-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 高温熱処理によるc面sapphire基板表面の窒化2010
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 石附正成, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Two-Step Growth of (0001) ZnO Single Crystal Layers on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Rui Masuda, Rie Togashi, Hisashi Murakami Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] First-principle Study on the Effect of Surface Hydrogen Coverage on the Adsorption Process of Ammonia on the InN(0001) Surfaces2010
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  Florida (USA)
- 年月日
  2010-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of Semi-Polar InN Layer on GaAs(110) Surface by MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride vapor-phase epitaxy of GaN using GaCl_32010
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 高温その場X線回折による単結晶AINの格子定数の温度依存性測定2010
- 著者名/発表者名
  酒井美希, 田島純平, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 森岡仁, 山内剣, 斎藤啓介, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] ハイドライド気相成長法によるGaN自立基板上InN成長の極性依存性2010
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 足立裕和, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] ハライド気相成長法によるc面sapphire基板上ZnO二段階成長2010
- 著者名/発表者名
  篠塚俊克, 増田塁, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] ハライド気相成長法を用いたsapphire(0001)基板上ZnO二段階成長2010
- 著者名/発表者名
  篠塚俊克, 増田塁, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院大学(東京都)
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長におけるキャリアガスの影響2010
- 著者名/発表者名
  田島純平, 越前史, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Control of in-plane Epitaxial Relationship of c-plane AlN Layers Grown on a-plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  Florida (USA)
- 年月日
  2010-09-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] ハイドライド気相成長法によるGaN自立基板上InN成長の極性依存性2010
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 足立裕和, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] a面sapphire基板上c面AlN HVPE成長における面内配向性の制御2010
- 著者名/発表者名
  田島純平, 越前史, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算によるAlN(0001)表面へのV族原料吸着過程の解析2010
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 窒化物半導体のHVPE成長-表面反応解析から結晶成長へ-2010
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)(基調講演)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] サファイア(0001)基板上InN HVPE成長における成長初期核制御の効果2010
- 著者名/発表者名
  東川義弘, 大竹斐, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長初期過程におけるキャリアガスの影響2010
- 著者名/発表者名
  田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学(三重県)
- 年月日
  2010-05-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 水素・窒素混合雰囲気における高温熱処理がc面sapphire基板表面に与える影響2010
- 著者名/発表者名
  猪木孝洋, 石附正成, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
- 発表場所
  学習院大学(東京都)
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Lattice constants of AlN in the range 25-1600℃ investigated by using a quasi-bulk crystal grown by hydride vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Miki Sakai, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Hitoshi Morioka, Tsutomu Yamauchi, Keisuke Saito, Kazuya Takada Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  高松シンボルタワー(香川県)
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ gravimetric monitoring of hydrogen etching rates of GaN, sapphire and SiC2010
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)(基調講演)
- 年月日
  2010-08-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Tri-halide vapor-phase epitaxy of GaN2010
- 著者名/発表者名
  Takayoshi Yamane, Hisashi Murakami, Koshi Hanaoka, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Effect of High NH_3 Input Partial Pressure on HVPE of InN on (0001) Sapphire Substrates2010
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2010-08-12
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Carrier Gas Dependence of a-Plane AlN Layer Growth on r-Plane Sapphire Substrates at Initial Stage by Hydride Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Jumpei Tajima, Chikashi Echizen, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Temperature dependence of the lattice constants of single crystal AlN2010
- 著者名/発表者名
  M.Sakai, J.Tajima, T.Nagashima, R.Togashi, H.Murakami, H.Morioka, T.Yamauchi, K.Saito, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN-HVPE成長のための原料探索-熱力学解析-2009
- 著者名/発表者名
  田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE2009
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 江夏悠貴, 石附正成, 富樫理恵, 田島純平, 村上尚, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Si汚染の低減を目指したAIN-HVPE成長のための原料探索2009
- 著者名/発表者名
  田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)の分解過程の解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] sapphke(0001)基板上InN HVPE成長における成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 気相成長法におけるGaN(0001)の成長初期過程の理論解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] 水素雰囲気下におけるAIN(0001)面の分解過程の理論解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, ウリアナ・パニュコワ, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Temperature dependence of InN growth on(0001)sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 足立裕和, 大竹斐, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 纐纈明伯
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  International Convention Center Jeju(韓国)
- 年月日
  2009-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] ハイドライド気相成長法による sapphire(0001)基板上InN成長の成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Theoretical investigation of the decomposition mechanism of AIN(0001)surface under a hydrogen atmosphere2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, ウリアナ・パニュコワ, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  International Convention Center Jeiu(韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Si汚染の低減を目指したAlN-HVPE成長のための原料探索2009
- 著者名/発表者名
  田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical investigation of the decomposition mechanism of AlN(0001)surface under a hydrogen atmosphere2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, ウリアナ・パニュコワ, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE AlN厚膜自発分離の最適化に向けたAlN/sapphire(0001)界面ボイドの拡張制御2009
- 著者名/発表者名
  江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 纐纈明伯, 成長モード制御によるMOVPE-InNの高品質化の検討2009
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Two step growth of InN layer on SiO2 patterned GaAs(111)B2009
- 著者名/発表者名
  H. -C. Cho, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] HVPE法を用いたsapphire(0001)基板上InN成長における成長温度の影響2009
- 著者名/発表者名
  大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of 2H-A1N films on Si(111)grown by RF-MBE using an interface reaction epitaxy and AM-MEE for HVPE growth2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, N.Yamabe, K.Ohkusa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Two step growth of InN layer on SiO_2 patterned GaAs(111)B2009
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム(EMS-28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] ハイドライド気相成長法によるsapphire(0001)基板上InN成長の成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] 水素雰囲気下におけるAlN(0001)面の分解過程の理論解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, ウリアナ・パニュコワ, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of source precursor for AIN-HVPE to decrease Si-contamination2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] AIN-HVPE成長のための原料探索 -熱力学解析-2009
- 著者名/発表者名
  田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)の分解過程の解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] AlN/sapphire界面ボイドの形成制御により自発分離したAlN自立基板の特性2009
- 著者名/発表者名
  内田健悟, 江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Selective Growth of InN on Patterned GaAs(111)B Substrate -Influence of InN Decomposition at the Interface-2009
- 著者名/発表者名
  村上尚, 趙賢哲, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  International Convention Center Jeiu(韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] HVPE法を用いた sapphire(0001)基板上InN成長における成長温度の影響2009
- 著者名/発表者名
  大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Temperature dependence of InN growth on(0001)sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 足立裕和大竹斐, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 纐纈明伯
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of void formation beneath thin AIN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AIN layers grown by HVPE2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, Y.Enatsu, M.Ishizuki, Y.Kubota, J.Tajima, T.Nagashima, H.Murakami, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] 成長モード制御によるMOVPE-InNの高品質化の検討2009
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] sapphire(0001)基板上InN HVPE成長における成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  足立裕和, 大竹斐, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Selective growth of InN on patterned GaAs(111)B substrate-Influence of InN decomposition at the interface-2009
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
- 発表場所
  ICC Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] sapphire(0001)基板上HVPE AIN厚膜自発分離のための界面ボイド拡張制御2009
- 著者名/発表者名
  江夏悠貴, 久保田有紀, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Investigation of source precursor for AlN-HVPE to decrease Si-contamination2009
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] sapphire (0001)基板上InN HVPE成長における成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  足立裕和, 大竹斐, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] HVPE AIN厚膜自発分離の最適化に向けたAIN/sapphire(0001)界面ボイドの拡張制御2009
- 著者名/発表者名
  江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] AIN/sapphire界面ボイドの形成制御により自発分離したAIN自立基板の特性2009
- 著者名/発表者名
  内田健悟, 江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] ハイドライド気相成長法によるsapphire(0001)基板上InN成長の成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AIN/sapphire界面ボイドの形成を利用した freestanding AIN基板の作製2009
- 著者名/発表者名
  内田健悟, 江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] HVPE法を用いたsapphire (0001)基板上InN成長における成長温度の影響2009
- 著者名/発表者名
  大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(愛知県)
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] sapphire(0001)基板上HVPE AlN厚膜自発分離のための界面ボイド拡張制御2009
- 著者名/発表者名
  江夏悠貴, 久保田有紀, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学(茨城県)
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] AlN/sapphire界面ボイドの形成を利用したfreestanding AlN基板の作製2009
- 著者名/発表者名
  内田健悟, 江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館(東京都)
- 年月日
  2009-12-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 成長モード制御によるMOVPE-InNの高品質化の検討2009
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京農工大学(東京都)
- 年月日
  2009-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Selective Growth of InN on Patterned GaAs(111)B Substrate -Influence of InN Decomposition at the Interface-2009
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Hyun Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
- 発表場所
  International Convention Center Jeju (韓国)
- 年月日
  2009-10-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Two step growth of InN layer on SiO_2 patterned GaAs(111)B2009
- 著者名/発表者名
  趙賢哲, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第28回電子材料シンポジウム(EMS-28)
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 気相成長法におけるGaN(0001)の成長初期過程の理論解析2009
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of 2H-AlN films on Si(111)grown by RF-MBE using an interface reaction epitaxy and AM-MEE for HVPE growth2009
- 著者名/発表者名
  T.Ohachi, N.Yamabe, K.Ohkusa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
- 学会等名
  6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
- 発表場所
  Galindia Mazurski Eden, Poland
- 年月日
  2009-08-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Preparation of a crack-free AIN template layer on sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy at 1450℃2008
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 伊豆, 静岡
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of Polarity Dependent InN{0001} Decomposition in N2 and H2 Ambient2008
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, H. Adachi, T. Kamoshita, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Ab Initio Calculation for an Initial Growth Process of GaN on (0001) and (000-1) Surfaces by Vapor Phase2008
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Controlled Formation of Voids at the AIN and Sapphire Interface by the Sapphire Decomposition for Self-Separation of AIN Layers2008
- 著者名/発表者名
  J. Tajima, Y. Kubota, M. Ishizuki, T. Nagashima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical investigation on the decomposition process of GaN(0001) surface under a hydrogen atmosphere2008
- 著者名/発表者名
  H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 伊豆, 静岡
- 年月日
  2008-07-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of Polarity Dependent InN{0001} Decomposition in N_2 and H_2 Ambient2008
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, H. Adachi, T. Kamoshita, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 20089
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Progress in Preparation of Freestanding AIN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, J. Tajima, Y Kubota, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, T. Nagashima, K. Takada, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Facet formation of InN for the growth of high quality InN layers on GaAs (111) B surfaces by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium(EMS-27)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Improvements in crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, H. -C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  14th International Conference on MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Improvements in crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, H.-C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- 年月日
  2008-06-04
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ gravimetric monitoring of surface reactions between sapphire and NH_<3>2008
- 著者名/発表者名
  K. Akiyama, Y. Ishii, H. Murakami, Y., Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺, 伊豆, 静岡
- 年月日
  2008-07-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situグラヴィメトリック法によるNH3雰囲気下(ooo1)c面サファイア表面反応メカニズム2008
- 著者名/発表者名
  秋山和博, 石井泰寛, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  千葉県、日本大学
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Progress in Preparation of Freestanding AlN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Y.Kumagai, J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, R.Togashi, H.Murakami, T.Nagashima, K.Takada, A.Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008) We2b-C1
- 発表場所
  Montreux Music and Convention Center, Montreux, Switzerland 招待講演
- 年月日
  2008-10-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Investigation of Polarity Dependent InN{0001} Decomposition in N_2 and H_2 Ambient2008
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, H. Adachi, T. Kamoshita, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
- 発表場所
  Montreux, Switzerland
- 年月日
  2008-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Facet formation of InN for the growth of high quality InN layers on GaAs (111)B surfaces by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  H. Murakami, H. -C. Cho, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺(静岡)
- 年月日
  2008-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20760010
[学会発表] Characterization of a Freestanding AIN Substrate Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Hisashi Murakami. Kazuya Takada, Akinori Koukitu
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Nevada, Lasvegas, USA
- 年月日
  2007-09-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Hydride Vapor phase epitaxy of Al_xGa<1_x>N layers on GaN substrates2007
- 著者名/発表者名
  Fumitaka Satoh, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] in situ グラヴィメトリック法によるNH3雰囲気下(0001)c面サファイア分解速度の測定2007
- 著者名/発表者名
  秋山和博, 石井泰寛, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] High temperature growth of AIN by solid source HVPE with local heating system2007
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami, Ken-ichi Eriguchi, Takako Hiratsuka, Uliana Panyukova, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukutu
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study of AlN decomposition processes in hydrogen atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Polarity Control of 2H-AIN templates on Si (111) grown by RF-MBE using a mode change MEE for HVPE growth2007
- 著者名/発表者名
  T. Ohachi, H. Shimomura, N. Yamabe, K. Oride, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Groth of thin Protective AIN Layers on Sapphire Substrates at 1065℃ for Hydride Vapor Phase Epitaxy of AIN above 1300℃2007
- 著者名/発表者名
  Junpei Tajima, Yuki Kubota, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Nevada, Lasvegas, USA
- 年月日
  2007-09-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (10-12)r-plane Sapphire for the High Temperature Growth of non-polar AIN2007
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Influence of hydrogen inputpartial pressure on the polarity of InN on GaAs (111)A grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Hisashi MURAKAMI, Jun-ichi TORII, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] si(111)基板を初期基板に用いたHvPE法によるAIN自立基板の作製2007
- 著者名/発表者名
  熊谷義直, 永嶋徹, 村上尚, 高田和哉, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 様々な雰囲気下におけるN極性lnN分解の温度依存性2007
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 鴨下朋樹, 西澤雄樹, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE法によるsapphire基板上AIN高温成長における中間層導入の効果2007
- 著者名/発表者名
  田島純平, 久保田有紀, 永嶋徹, 樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] NH_3雰囲気下(0001)c面サファイア表面反応過程のグラヴィメトリック法によるその場測定2007
- 著者名/発表者名
  秋山和博, 石井泰寛, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] High Temperature Growth of High-Quality AIN by Sohd-Source HVPE2007
- 著者名/発表者名
  Ken-ichi Eriguchi, Hisashi Murakami, Uliana Panyukova, Yoshinao Kumagai, Shigeo Ohira, Akinori Koukitu
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
- 発表場所
  滋賀県ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)および(000-1)面の分解過程の解析2007
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)および(000-1)面の分解過程の解析2007
- 著者名/発表者名
  鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Experimental and Ab-Initio Studies of Temperature Dependent InN Decomposition in Various Ambient2007
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Tomoki Kamoshita, Yuuki Nishizawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
- 学会等名
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
- 発表場所
  Nevada, Lasvegas, USA
- 年月日
  2007-09-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Decomposition Rate on the Surface of (10-12)r-plane Sapphire Monitored by in situ Gravimetric Monitoring Method for the High Temperature Growth of non-polar AIN2007
- 著者名/発表者名
  Kazuhiro Akiyama, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
- 発表場所
  滋賀県ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE法によるGaN基板上高品質Al_XGa_<1-x>N成長2007
- 著者名/発表者名
  村上尚, 佐藤史隆, 秋山和博, 武藤弘, 柴田克幸, 山下宗修, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Ab initio calculation of decomposition GaN (0001) and (000-1) Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  Hikari Suzuki, Rie Togashi, His ashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study of the decomposition of AIN in a hydrogen atmospher2007
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] In situグラヴィメトリック法によるNH_3雰囲気下(ooo1)c面サファイア表面反応メカニズム2007
- 著者名/発表者名
  秋山和博, 石井泰寛, 村上谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Polarity-dependent growth of InN on Ga-and N-polar GaN surfaces byhydride vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, R. Togashi, T. Kamoshita, Y. Nishizawa, H. Murakami, A. Koukitu
- 学会等名
  5th Intemational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Bahia, Brazil
- 年月日
  2007-09-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Effect of hydrogen partial pressure on the growth of InN layers on GaAs (111)A surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Hisashi MURAKAMI, Hyun-Chol CH0, Yoshinao KUMAGAI and Akinori KOUKITU
- 学会等名
  26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
- 発表場所
  滋賀県、ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] GaN{0001}基板を用いたInNHVPE成長における極性制御2007
- 著者名/発表者名
  鴨下朋樹, 西澤雄樹, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE growth of AIN and AIGaN2007
- 著者名/発表者名
  Akinori Koukitu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-08-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 固体AICI_3を用いた光加熱HVPEによるAINの高温成長2007
- 著者名/発表者名
  江里口健一, 平塚貴子, 村上尚, 熊谷義直, 大平重男, 纐纈明伯
- 学会等名
  結晶工学分科会2007年年末講演会
- 発表場所
  東京、学習院大学
- 年月日
  2007-12-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] HVPE法によるSi-doped AlN成長の検討2007
- 著者名/発表者名
  久保田有紀, 田島純平, 永嶋徹, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Theoretical study of AIN decomposition processes in hydrogen atmosphere2007
- 著者名/発表者名
  U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Utah, USA
- 年月日
  2007-10-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] 原料分子制御HVPE法によるAIN,AIGaNおよびlnN成長2007
- 著者名/発表者名
  纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道、北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069004
[学会発表] Growth of high quality AlN with deep-UV transparency by HVPE
- 著者名/発表者名
  T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Influence of Growth Temperature on Homo-Epitaxial Growth of AlN by HVPE on PVT-AlN Substrates
- 著者名/発表者名
  T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Washington, D.C., U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] HVPE炉内高温雰囲気下におけるAlN単結晶表面の劣化
- 著者名/発表者名
  坂巻龍之介，額賀俊成，平連有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，村上尚，R. Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，久保田有紀，永島徹，木下亨，R. Dalmau，R. Schlesser，B. Moody，J. Xie，村上尚，纐纈明伯，Z. Sitar
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  H. Murakami
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  Hotel "Saint-Petersburg", St. Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360008
[学会発表] HVPE法によるPVT-AlN基板上ホモエピタキシャル成長における成長速度増加の検討
- 著者名/発表者名
  額賀俊成，坂巻龍之介，平連有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，村上尚，R. Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Influence of growth parameters on homo-epitaxial growth of thick AlN layers by HVPE on PVT-AlN substrates
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, A. Koukitu, Z. Sitar
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Seeon, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Deep-UV Transparent AlN Substrates Prepared by HVPE for UV-C LED Applications
- 著者名/発表者名
  T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  Conference on LED and Its Industrial Application '13
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] MOVPE growth of semi-polar InN layers on GaAs(311)A and (311)B substrates
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  Hisashi Murakami
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  Hotel "Saint-Petersburg", St. Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008
[学会発表] HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AlNの成長
- 著者名/発表者名
  額賀俊成，坂巻龍之介，久保田有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，J. Xie，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学銀杏会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] Properties of homoepitaxial AlN layers grown by HVPE on PVT-AlN substrates
- 著者名/発表者名
  T. Nagashima, Y. Kubota, R. Okayama, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, R. Collazo, Z. Sitar
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Seeon, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360006
[学会発表] GaAs(110)基板上半極性InN成長における水素添加効果
- 著者名/発表者名
  村上尚
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760008

1. 熊谷義直 (20313306)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 282件
2. 纐纈明伯 (10111626)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 237件
3. 富樫理恵 (50444112)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 47件
4. 山口智広 (50454517)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
5. SITAR Zlatko

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 32件
6. 後藤健 (50572856)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件
7. 小西敬太 (50805257)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
8. 佐々木拓生 (90586190)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
9. 本田善央 (60362274)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 永島徹

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 26件
11. 木下亨

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 7件
12. Tuomisto Filip

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 草場彰

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
14. 谷川智之

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

村上 尚 MURAKAMI Hisashi

研究課題

研究成果

共同研究者

熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新規ハイブリッド型高速気相成長法を用いた超低欠陥窒化ガリウム結晶の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

In系窒化物半導体ヘテロエピタキシャル成長におけるヘテロ界面制御技術の構築

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

固体塩化物を用いた気相法によるⅢ族窒化物擬似基板及びデバイスの単一プロセス作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

化学平衡・非平衡制御による特異構造のボトムアップ創製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新しい原料分子を用いた気相成長による高品質・超厚膜窒化ガリウムの高速結晶成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

バルク窒化アルミニウム結晶の点欠陥形成メカニズム解明によるｎ形導電性結晶の創出

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高品質・厚膜InGaNのTHVPE成長

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

新規面方位制御技術を用いた非極性窒化ガリウムおよび窒化物半導体結晶の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

深紫外光透過性発現メカニズム解明による実用的バルク窒化アルミニウム結晶の創出

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原料分子制御法による新しいバルクＧａＮ成長法の創出

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

GaAs高指数面および無極性面基板上、窒化物半導体結晶の配向メカニズムの解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

P型伝導窒化インジウム結晶実現に向けた成長モード制御による高品質化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

村上尚 MURAKAMI Hisashi