章国強 Zhang Guoqiang

… 別表記

GUOQIANG Zhang ZHANG Guoqiang

GUOQIANG ZHANG ゴウチャンザン

研究者番号	90402247
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2024年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 主任研究員 2016年度 – 2019年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 2016年度: 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所, 主任研究員 2013年度: 日本電信電話株式会社NTT 物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 2013年度: 日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 … もっと見る 2012年度: 日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 研究主任 2011年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 研究主任 2007年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, リサーチアソシエイト隠す
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連研究代表者以外小区分30020:光工学および光量子科学関連 / 小区分28020:ナノ構造物理関連 / 小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連 / 電子・電気材料工学 / ナノ構造物理 / ナノ構造科学 / マイクロ・ナノデバイス
キーワード	研究代表者ナノ構造 / レーザー / シリコン / InAs / 積層欠陥 / 歪緩和 / 半導体 / 発光ダイオード / フォトニック結晶 / レーザ … もっと見る / InP / 歪 / ナノワイヤ / 異種接合 / 化合物半導体 … もっと見る研究代表者以外光物性 / 量子ドット / 共振器 / 半導体ナノワイヤ / 量子光学 / ナノ共振器 / 結合共振器 / 光子相関 / 光双安定 / 自励振動 / 同期 / リミットサイクル / フォトニック結晶 / 電気制御型発光素子 / スピン軌道相互作用 / Bi添加GaAs / 単一光子・もつれ光子 / ナノ物性制御 / 量子情報 / 量子もつれ / 光キャビティ / 近接 / ナノワイヤ / 光共振器 / 近接場 / もつれ / キャビティ / 振動子 / 結合 / 光 / 振動 / 位相緩和時間 / 酸化物 / オンチップ量子光メモリ / 希土類酸化薄膜 / コヒーレント結合 / 薄膜 / 希土類酸化物 / 通信波長 / 導波路 / 希土類 / 量子メモリ / サーファクタント / 低温形成 / Ⅳ族ナノドット / ビスマス / ゲルマニウム / Ⅳ族半導体 / ナノドット / ラビ振動 / 光非線形効果 / マイクロ・ナノデバイス / 酸化エルビウム / もつれ光子 / Optical Properties / Semiconductor Physics / Nano-materials / 半導体物性 / ナノ材料 / メゾスコピック系 / スピン光学 / 量子相関 / 弾性フォノン / 量子コンピュータ隠す

量子光非線形過程を用いたオンデマンド単一光子・もつれ光子発生素子の研究
- 研究代表者
  
  後藤秀樹
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分28020:ナノ構造物理関連
- 研究機関
  広島大学
リミットサイクル振動子を利用した新奇フォトニック結晶光源に関する研究
- 研究代表者
  
  滝口雅人
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30020:光工学および光量子科学関連
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
微小球光キャビティとナノワイヤ振動子による巨視的フォノン量子もつれ状態の生成
- 研究代表者
  
  岡本創
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
自己触媒成長技術によるシリコン基板上新規ナノワイヤ構造・レーザーデバイスの創出研究代表者
- 研究代表者
  
  章国強
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
希土類酸化膜光導波路によるオンチップ光子-電子コヒーレント結合
- 研究代表者
  
  俵毅彦
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30020:光工学および光量子科学関連
- 研究機関
  日本大学
   日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
固体ナノ構造における波長マネジメントを用いたオンデマンドもつれ光子源の研究
- 研究代表者
  
  後藤秀樹
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ構造物理
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
Biサーファクタントを用いたⅣ族ナノドットの低温形成並びに素子応用の研究
- 研究代表者
  
  岡本浩
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  弘前大学
半導体マクロアトムにおける弾性フォノン波を用いた量子相関フォトニクス
- 研究代表者
  
  後藤秀樹
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所
半導体マクロアトムにおける光学的スピン操作と結合スピン状態の解明
- 研究代表者
  
  後藤秀樹
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ構造科学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

[雑誌論文] Improving optoelectronic properties of InP/InAs nanowire p-i-n devices with telecom-band electroluminescence2024
- 著者名/発表者名
  Zhang Guoqiang、Tateno Kouta、Sasaki Satoshi、Tawara Takehiko、Hibino Hiroki、Gotoh Hideki、Sanada Haruki
- 雑誌名
  
  Optics Continuum
  
  巻: 3 号: 2 ページ: 176-186
- DOI
  10.1364/optcon.511645
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01834, KAKENHI-PROJECT-23K26485
[雑誌論文] Thermal effect of InP/InAs nanowire lasers integrated on different optical platforms2021
- 著者名/発表者名
  Masato Takiguchi, Guoqiang Zhang, Evans Frandsen, Hisashi Sumikura, Tai Tsuchizawa, Satoshi Sasaki, Akihiko Shinya, Katsuya Oguri, Hideki Gotoh, and Masaya Notomi
- 雑誌名
  
  OSA Continuum
  
  巻: 4 号: 6 ページ: 1838-1845
- DOI
  10.1364/osac.424375
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01834
[雑誌論文] Telecom-band lasing in single InP/InAs heterostructure nanowires at room temperature2019
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, M. Takiguchi, K. Tateno, T. Tawara, M. Notomi and H. Gotoh
- 雑誌名
  
  Science Advances
  
  巻: 5 号: 2
- DOI
  10.1126/sciadv.aat8896
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H05735, KAKENHI-PROJECT-16H03821
[雑誌論文] Diameter-tailored telecom-band luminescence in InP/InAs heterostructure nanowires grown on InP (111)B substrate with continuously-modulated diameter from microscale to nanoscale2018
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, K. Tateno, T. Sogawa and H. Gotoh
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 29 号: 15 ページ: 155202-155202
- DOI
  10.1088/1361-6528/aaab17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821, KAKENHI-PROJECT-15H05735
[雑誌論文] Growth of InP nanowires on grapheme-covered Fe2014
- 著者名/発表者名
  K. Tateno, G. Zhang, and H. Gotoh, T. Sogawa
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 1 ページ: 015504-015504
- DOI
  10.7567/jjap.53.015504
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[雑誌論文] Au-free InAs nanowires grown in In-particle-assisted vapor-liquid-solid mode: growth, structure, and electrical property2013
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, S. Sasaki, K. Tateno, H. Gotoh, and T. Sogaw
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 3 号: 5
- DOI
  10.1063/1.4804542
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[雑誌論文] Vertically aligned InP nanowires grown via the self-assisted vapor-liquid-solid mode2012
- 著者名/発表者名
  章国強、舘野功太、後藤秀樹、寒川哲臣
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5巻号: 5 ページ: 55201-55201
- DOI
  10.1143/apex.5.055201
- NAID
  10030593787
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[雑誌論文] VLS Growth of Alternating InAsP/InP Heterostructure Nanowires for Multiple-Quantum-Dot Structures2012
- 著者名/発表者名
  K. Tateno, G. Zhang, H. Gotoh, and T. Sogawa
- 雑誌名
  
  Nano Lett.
  
  巻: Vol.12 号: 6 ページ: 2888-2893
- DOI
  10.1021/nl300482n
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[雑誌論文] Growth and characterization of GaP nanowires on Si substrate2008
- 著者名/発表者名
  G.Zhang, K.Tateno, T.Sogawa, and H.Nakano
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 103
  
  ページ: 14301-14301
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[雑誌論文] Growth and characterization of GaP nanowires on Si substrate2008
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, K. Tateno, T. Sogawa, and H. Nakano,
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 103
  
  ページ: 14301-14301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[雑誌論文] Growth and characterization of GaP nanowires on Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, K. Tateno, T. Sogawa and H. Nakano
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 103
  
  ページ: 14301-14301
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[雑誌論文] Bending at Thinned GaAs Nodes in GaP-based Free-standing Nanowires2007
- 著者名/発表者名
  K.Tateno, G.Zhang, T.Sogawa, and H.Nakano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46 No.33
- NAID
  40015631248
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[雑誌論文] Bending at Thinned GaAs Nodes in GaP-based Free-standing Nanowires2007
- 著者名/発表者名
  K. Tateno, G. Zhang, T. Sogawa and H. Nakano
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46-No.33
  
  ページ: 780-782
- NAID
  40015631248
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[産業財産権] ナノ構造の製造方法2014
- 発明者名
  俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、岡本浩
- 権利者名
  俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、岡本浩
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2014-123112
- 出願年月日
  2014-06-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[産業財産権] ナノワイヤの作製方法2013
- 発明者名
  舘野功太、章国強、後藤秀樹
- 権利者名
  日本電信電話株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-206124
- 出願年月日
  2013-10-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[産業財産権] ナノワイヤの作製方法2013
- 発明者名
  舘野功太、章国強、後藤秀樹
- 権利者名
  日本電信電話株式会社
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2013-206124
- 出願年月日
  2013-10-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] InP/InAs 単一ナノワイヤ発光の熱影響評価2023
- 著者名/発表者名
  田原光、松本拓海、松本怜、Guoqiang Zhang、俵毅彦
- 学会等名
  2023年応用物理学会東北支部第78回学術講演会、7aA5-3
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01834
[学会発表] <111>A方位持つInPナノワイヤの自己触媒法配列成長2023
- 著者名/発表者名
  Zhang Guoqiang, 舘野功太, 日比野浩樹, 後藤秀樹,眞田治樹
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会、20p-A311-1
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01834
[学会発表] <111>A方位持つInPナノワイヤの自己触媒法配列成長2023
- 著者名/発表者名
  章国強、舘野功太、日比野浩樹、後藤秀樹、眞田治樹
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26485
[学会発表] 半導体ナノワイヤレーザへの集束イオンビーム加工とそのダメージ抑制2022
- 著者名/発表者名
  滝口雅人、Zhang Guoqiang、佐々木智、舘野功太、J. Caleb、小野真証、角倉久史、新家昭彦、納富雅也
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会、18p-A202-2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01834
[学会発表] 自己触媒VLS法InP/InAsヘテロナノワイヤ成長と通信波長帯光デバイス2022
- 著者名/発表者名
  Zhang Guoqiang，舘野功太, 俵　毅彦, 日比野浩樹, 後藤秀樹, 眞田治樹
- 学会等名
  日本結晶成長学会第51回結晶成長国内会議、31ｐ-A09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01834
[学会発表] Predominant incorporation of Bi atoms on (111)B rather than on (111)A in InP1-xBix nanowires2021
- 著者名/発表者名
  章国強、舘野功太、小栗克弥、後藤秀樹
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01834
[学会発表] Polarity-dependent incorporation efficiency of Bi atoms in <112>-oriented diluted InP1-xBix nanowires2021
- 著者名/発表者名
  Guoqiang Zhang、Katsuya Oguri
- 学会等名
  International Symposium on Novel maTerials and quantum Technologies (ISNTT2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01834
[学会発表] フォトニック結晶およびプラズモニック導波路内における半導体ナノワイヤの光閉じ込め最適化と比較2021
- 著者名/発表者名
  滝口雅人, 谷山秀樹, 小野真証, 角倉久史, 舘野功太, 章　国強, 新家昭彦, 納富雅也
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01834
[学会発表] 自己触媒法で作製した垂直InPナノワイヤの配列2018
- 著者名/発表者名
  章国強、舘野功太、俵毅彦、後藤秀樹
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] InP/InAs heterostructure nanowires grown by self-catalyzed VLS mode2018
- 著者名/発表者名
  G. Zhang and H.Gotoh
- 学会等名
  Nanowire Week 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] Nanowire-based telecom-band light emitting diodes2018
- 著者名/発表者名
  G.Zhang, D.Gnatek, M.Takiguchi, K.Tateno, S.Sasaki, X.Xu, T.Tawara, and H. Gotoh
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] InP/InAsナノワイヤ通信波長帯発光ダイオードの電気特性改善2018
- 著者名/発表者名
  章国強、滝口雅人、舘野功太、俵毅彦、納富雅也、後藤秀樹
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] InP/InAs heterostructure nanowires by self-catalyzed VLS mode2017
- 著者名/発表者名
  Guoqiang Zhang and Hideki Gotoh
- 学会等名
  The 15th Internationall Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] Au-free InP/InAs heterostructure nanowires2017
- 著者名/発表者名
  Guoqiang Zhang and Hideki Gotoh
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] InP/InAsナノワイヤの通信波長帯発光ダイオード2017
- 著者名/発表者名
  章国強、滝口雅人、舘野功太、俵毅彦、納富雅也、後藤秀樹
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] 真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-１2017
- 著者名/発表者名
  滝田健介、対馬和都、遠田義晴、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、池田高之、水野誠一郎、岡本浩
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] 真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-22017
- 著者名/発表者名
  対馬和都、滝田健介、中澤日出樹、遠田義晴、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、岡本浩
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] 通信波長帯ナノワイヤレーザの波長制御2017
- 著者名/発表者名
  章国強、滝口雅人、舘野功太、後藤秀樹
- 学会等名
  第64回応物関係連合講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜　（神奈川県横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] Telecom-band Light Emitting Diodes Based on Bottom-up InAs/InP Heterostructure2017
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, M. Takiguchi, K. Tateno, T. Tawara, M. Notomi, and H. Gotoh
- 学会等名
  International School and Symposium on Nanoscale Transport and phoTonics (ISNTT2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] InP/InAs heterostructure nanowires grown by indium-particle-assisted vapor-liquid-solid mode2016
- 著者名/発表者名
  Guoqiang Zhang, and Hideki Gotoh
- 学会等名
  31st DGKK Workshop: Epitaxy of III/V Semiconductor
- 発表場所
  Duisburg (Germany)
- 年月日
  2016-12-08
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] Site-defined InP/InAs heterostructure nanowires with the diameter tuned from microscale to nanoscale2016
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, T. Sogawa, H. Gotoh
- 学会等名
  International Conference on the Physics of Semiconductors 2016
- 発表場所
  Beijing (China)
- 年月日
  2016-07-31
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] ボトムアップ的手法で作製した通信波長帯室温動作InAs/InPマイクロワイヤレーザ2016
- 著者名/発表者名
  章国強、滝口雅人、舘野功太、後藤秀樹
- 学会等名
  第76回応用物理学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] Site-defined InP/InAs heterostructure nanowires with tunable diameter by in-situ diameter-tuning technique2016
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, K. Tateno, T. Sogawa, and H. Gotoh
- 学会等名
  The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  富山国際会議場(富山県富山市）
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H03821
[学会発表] Bi プレディポジションによる Ge ナノドットの石英基板上への低温形成2015
- 著者名/発表者名
  鈴木良優, 滝田健介, 俵毅彦, 舘野功太, 章国強, 後藤秀樹, 岡本浩
- 学会等名
  応用物理学会東北支部第７０回学術講演会
- 発表場所
  ホテルアップルランド(青森県平川市)
- 年月日
  2015-12-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420264
[学会発表] TBClを用いたInAsPナノワイヤ成長の検討2014
- 著者名/発表者名
  舘野功太、章国強、後藤秀樹
- 学会等名
  第61回応物関係連合講演会
- 発表場所
  相模原
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] InP/InAs ヘテロナノワイヤの歪み評価2014
- 著者名/発表者名
  章国強、中川周平、舘野功太、寒川哲臣、後藤秀樹
- 学会等名
  第61回応物関係連合講演会
- 発表場所
  相模原
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] VLS-grown InP Nanowires on Iron Metal Mediated by Graphene Layers2013
- 著者名/発表者名
  K. Tateno, K. Kanzaki, G. Zhang, H. Gotoh, H. Hibino, T. Sogawa
- 学会等名
  2013 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] 自己触媒法InPナノワイヤの成長過程における直径制御2013
- 著者名/発表者名
  章　国強
- 学会等名
  第60回応物関係連合講演会
- 発表場所
  厚木
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] InP Nanowires on Graphen-covered Micron Fe Wires2013
- 著者名/発表者名
  K. Tateno, G. Zhang and H. Gotoh
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013)
- 発表場所
  Fukuoka, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] Size-controlled InAs nano-structures in InP NW grown via the Au-free VLS mode, 8820-222013
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, D. Birowosuto, K. Tateno, H. Gotoh, and T. Sogawa
- 学会等名
  SPIE Optics + Photonics
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] VLS成長InPナノワイヤ太陽電池の検討2013
- 著者名/発表者名
  舘野功太、Guoqiang Zhang、後藤秀樹
- 学会等名
  第74回応用物理学術講演会
- 発表場所
  京田辺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] Size-controlled InAs nanostructures in InP NW grown via the Au-free VLS mode2013
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, D. Birowosuto, K. Tateno, H. Gotoh, and H. Sogawa
- 学会等名
  SPIE Optics + Photonics
- 発表場所
  San Diego, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] 自己触媒法によって成長したInP/InAsナノワイヤの光学特性2013
- 著者名/発表者名
  章国強、Danang Birowosuto、舘野功太、後藤秀樹
- 学会等名
  第74回応用物理学術講演会
- 発表場所
  京田辺
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] 自己触媒VLS法による工nP-InAsヘテロ構造ナノワイヤの結晶成長2012
- 著者名/発表者名
  章国強、舘野功太、後藤秀樹、寒川哲臣
- 学会等名
  第59回応物関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学、東京
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] VLS Growth of III-V Semiconductor Nanowires on Graphene Layers2012
- 著者名/発表者名
  舘野功太、章国強、後藤秀樹、寒川哲臣
- 学会等名
  2012 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting
- 発表場所
  Moscone West Convention Center、サンフランシスコ、米国
- 年月日
  2012-04-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] 自己触媒ＶＬＳ法によるInAsP/InAs/InAsPヘテロ構造ナノワイヤの結晶成長2012
- 著者名/発表者名
  章　国強
- 学会等名
  第73回応用物理学術講演会
- 発表場所
  松山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] InAsP-InAs-InAsP hetero-nanowires grown via the self-assisted vapor-liquid-solid mode2012
- 著者名/発表者名
  G. Zhang
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] 自己触媒法により成長したInPナノワイヤ2011
- 著者名/発表者名
  章国強、舘野功太、後藤秀樹、寒川哲臣
- 学会等名
  第72回応用物理学術講演会
- 発表場所
  山形大学、山形
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] Formation of ohmic contact of InP nanowires without anneal ing processes2011
- 著者名/発表者名
  章国強、舘野功太、後藤秀樹、寒川哲臣
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011
- 発表場所
  WINC AICHL、名古屋
- 年月日
  2011-09-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] InAsP/InPナノワイヤ成長におけるInAs反応種の拡散の影響2011
- 著者名/発表者名
  舘野功太、章国強、後藤秀樹、寒川哲臣
- 学会等名
  第72回応用物理学術講演会
- 発表場所
  山形大学、山形
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097
[学会発表] AlAs/GaAs/GaP Heterostructure nanowires grown on Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, K. Tateno, H. Sanada, T. Sogawa, H. Nakano
- 学会等名
  19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2007)
- 発表場所
  Matsue
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] GaP/GaAs core-shell nanowires grown on Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, K. Tateno, H. Sanada, T. Sogawa. H. Nakano
- 学会等名
  The 2nd International Conference on One-Dimensional Nanomaterials(ICON 2007)
- 発表場所
  Sweden
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] InAs nanowire field effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  G.Zhang, K.Tateno, T.Sogawa, H.Nakano
- 学会等名
  The34th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS 2007)
- 発表場所
  京都大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] AlAs/GaAs/GaP Heterostructure nanowires grown on Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  G.Zhang, K.Tateno, H.Sanada, T.Sogawa, H.Nakano
- 学会等名
  19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2007)
- 発表場所
  くにびきメッセ、松江
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] InAs nanowire field effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  G.Zhang, K. Tateno, T. Sogawa, H. Nakano
- 学会等名
  ISCS 2007
- 発表場所
  京都大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] InP nodes in GaP-based free-standing nanowires on Si(111)2007
- 著者名/発表者名
  K.Tateno, G.Zhang, T.Sogawa, H.Nakano
- 学会等名
  2007 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2007)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] GaP/GaAs core-shell nanowires grown on Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, K. Tateno, H. Sanada, T. Sogawa, H. Nakano
- 学会等名
  ICON 2007
- 発表場所
  スウェーデン、マルム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] InP nodes in GaP-based free-standing nanowires on Si(III)2007
- 著者名/発表者名
  K. Tateno, G. Zhang, T. Sogawa, H. Nakano
- 学会等名
  SSDM 2007
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] GaP/GaAs core-shell nanowires grown on Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  G.Zhang, K.Tateno, H.Sanada, T.Sogawa, H.Nakano
- 学会等名
  The 2nd International Conference on One-Dimensional Nanomaterials (ICON 2007)
- 発表場所
  スウェーデン、マルム
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] InP nodes in GaP-based free-standing nanowires on Si(111)2007
- 著者名/発表者名
  K. Tateno, G. Zhang, T. Sogawa, H. Nakano
- 学会等名
  2007 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2006)
- 発表場所
  Tsukuba
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] AlAs/GaAs/GaP Heterostructure nanowires grown on Si substrate2007
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, K. Tateno, H. Sanada, T. Sogawa, H. Nakano
- 学会等名
  IPRM 2007
- 発表場所
  くにびきメッセ、松江
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] InAs nanowire field effect transistors2007
- 著者名/発表者名
  G. Zhang, K. Tateno, T. Sogawa, H. Nakano
- 学会等名
  The34th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS 2007)
- 発表場所
  Kyoto
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18310074
[学会発表] InP/InAs multi-stacked heterostructure nanowires grown via the self-assisted vapor-liquid-solid mode
- 著者名/発表者名
  G. Zhang
- 学会等名
  31st Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Shuzenji, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23310097

1. 俵毅彦 (40393798)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 11件
2. 後藤秀樹 (10393795)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 32件
3. 舘野功太 (20393796)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 38件
4. 眞田治樹 (50417094)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 7件
5. 徐学俊 (80593334)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
6. 国橋要司 (40728193)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 滝口雅人 (90728205)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 4件
8. 小野満恒二 (30350466)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 寒川哲臣 (70211993)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
10. 山口浩司 (60374071)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 岡本浩 (00513342)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
12. 岡本創 (20350465)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 足立智 (10221722)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 尾身博雄 (50257218)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 稲葉智宏 (90839119)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 浅野元紀 (60867224)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 太田竜一 (90774894)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 日比野浩樹 (60393740)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
19. 倉持栄一 (10393802)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 中山和之 (80602721)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 高田健太 (90786659)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 鈴木良優

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
23. 滝田健介

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
24. 対馬和都

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
25. 納富雅也

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

章 国強 Zhang Guoqiang

GUOQIANG Zhang ZHANG Guoqiang

GUOQIANG ZHANG ゴウチャン ザン

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

自己触媒成長技術によるシリコン基板上新規ナノワイヤ構造・レーザーデバイスの創出研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Improving optoelectronic properties of InP/InAs nanowire p-i-n devices with telecom-band electroluminescence2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Thermal effect of InP/InAs nanowire lasers integrated on different optical platforms2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Telecom-band lasing in single InP/InAs heterostructure nanowires at room temperature2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Diameter-tailored telecom-band luminescence in InP/InAs heterostructure nanowires grown on InP (111)B substrate with continuously-modulated diameter from microscale to nanoscale2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Growth of InP nanowires on grapheme-covered Fe2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Au-free InAs nanowires grown in In-particle-assisted vapor-liquid-solid mode: growth, structure, and electrical property2013

著者名/発表者名

雑誌名

章国強 Zhang Guoqiang

GUOQIANG ZHANG ゴウチャンザン